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W25N04KVTBIU TR Winbond Electronics W25N04KVTBIU TR 5.9394
RFQ
ECAD 8430 0.00000000 윈 윈 전자 본드 Spiflash® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 24-TBGA W25N04 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 24-TFBGA (8x6) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 256-W25N04KVTBIUTR 3A991B1A 8542.32.0071 2,000 104 MHz 비 비 4gbit 플래시 512m x 8 spi-쿼드 i/o 250µs
W25Q256JWBIQ Winbond Electronics W25Q256JWBIQ 2.8675
RFQ
ECAD 3978 0.00000000 윈 윈 전자 본드 Spiflash® 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 24-TBGA W25Q256 플래시 - 아니오 1.7V ~ 1.95V 24-TFBGA (6x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 256-W25Q256JWBIQ 3A991B1A 8542.32.0071 480 133 MHz 비 비 256mbit 6 ns 플래시 32m x 8 spi-쿼드 i/o 5ms
W25Q64CVZEJG Winbond Electronics W25Q64CVZEJG -
RFQ
ECAD 5225 0.00000000 윈 윈 전자 본드 Spiflash® 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 8-wdfn n 패드 W25Q64 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 8-wson (8x6) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1 80MHz 비 비 64mbit 플래시 8m x 8 spi-쿼드 i/o 50µs, 3ms
W987D2HBJX6I TR Winbond Electronics W987D2HBJX6I TR -
RFQ
ECAD 9524 0.00000000 윈 윈 전자 본드 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 90-TFBGA W987D2 sdram- 모바일 lpsdr 1.7V ~ 1.95V 90-VFBGA (8x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0002 2,500 166 MHz 휘발성 휘발성 128mbit 5.4 ns 음주 4m x 32 평행한 15ns
W25Q128JVFIM TR Winbond Electronics W25Q128JVFIM TR 1.3944
RFQ
ECAD 4699 0.00000000 윈 윈 전자 본드 Spiflash® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 16-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비) W25Q128 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 16- 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 133 MHz 비 비 128mbit 플래시 16m x 8 spi-쿼드 i/o, qpi, dtr 3ms
W25Q128JWEIQ TR Winbond Electronics W25Q128JWEIQ TR 1.5488
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ECAD 7155 0.00000000 윈 윈 전자 본드 Spiflash® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8-wdfn n 패드 W25Q128 플래시 - 아니오 1.7V ~ 1.95V 8-wson (8x6) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 256-W25Q128JWEIQTR 3A991B1A 8542.32.0071 4,000 133 MHz 비 비 128mbit 플래시 16m x 8 spi-쿼드 i/o -, 3ms
W631GG8NB12J Winbond Electronics W631GG8NB12J -
RFQ
ECAD 1046 0.00000000 윈 윈 전자 본드 - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TC) 표면 표면 78-VFBGA W631GG8 sdram -ddr3 1.425V ~ 1.575V 78-VFBGA (8x10.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 256-W631GG8NB12J 귀 99 8542.32.0032 242 800MHz 휘발성 휘발성 1gbit 20 ns 음주 128m x 8 sstl_15 15ns
W948D6KBHX5E Winbond Electronics W948D6KBHX5E 2.0847
RFQ
ECAD 7170 0.00000000 윈 윈 전자 본드 - 쟁반 활동적인 -25 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 60-TFBGA W948D6 sdram- 모바일 lpddr 1.7V ~ 1.95V 60-VFBGA (8x9) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 312 200MHz 휘발성 휘발성 256mbit 5 ns 음주 16m x 16 평행한 15ns
W25N02JWTBIC TR Winbond Electronics W25N02JWTBIC TR 5.1250
RFQ
ECAD 1981 0.00000000 윈 윈 전자 본드 Spiflash® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 24-TBGA W25N02 플래시 -Nand (SLC) 1.7V ~ 1.95V 24-TFBGA (8x6) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 256-W25N02JWTBICTR 3A991B1A 8542.32.0071 2,000 166 MHz 비 비 2gbit 6 ns 플래시 256m x 8 spi-쿼드 i/o, qpi, dtr 700µs
W632GU8NB12J Winbond Electronics W632GU8NB12J -
RFQ
ECAD 2781 0.00000000 윈 윈 전자 본드 - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TC) 표면 표면 78-VFBGA W632GU8 sdram -ddr3l 1.283V ~ 1.45V 78-VFBGA (8x10.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 242 800MHz 휘발성 휘발성 2gbit 20 ns 음주 256m x 8 평행한 15ns
W631GG8NB15J TR Winbond Electronics W631GG8NB15J TR -
RFQ
ECAD 8939 0.00000000 윈 윈 전자 본드 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TC) 표면 표면 78-VFBGA W631GG8 sdram -ddr3 1.425V ~ 1.575V 78-VFBGA (8x10.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 256-W631GG8NB15JTR 귀 99 8542.32.0032 2,000 667 MHz 휘발성 휘발성 1gbit 20 ns 음주 128m x 8 sstl_15 15ns
W25Q80BVZPSG Winbond Electronics W25Q80BVZPSG -
RFQ
ECAD 2991 0.00000000 윈 윈 전자 본드 Spiflash® 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 8-wdfn n 패드 W25Q80 플래시 - 아니오 2.5V ~ 3.6V 8-wson (6x5) - 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 256-W25Q80BVZPSG 쓸모없는 1 104 MHz 비 비 8mbit 6 ns 플래시 1m x 8 spi-쿼드 i/o 50µs, 3ms
W25M02GVZEIG Winbond Electronics W25M02GVZEIG -
RFQ
ECAD 9619 0.00000000 윈 윈 전자 본드 Spiflash® 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8-wdfn n 패드 W25M02 플래시 -Nand (SLC) 2.7V ~ 3.6V 8-wson (8x6) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 256-W25M02GVZEIG 3A991B1A 8542.32.0071 480 104 MHz 비 비 2gbit 7 ns 플래시 256m x 8 spi-쿼드 i/o 700µs
W29N04KZSIBG Winbond Electronics W29N04KZSIBG 7.5822
RFQ
ECAD 5939 0.00000000 윈 윈 전자 본드 - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) 플래시 -Nand (SLC) 1.7V ~ 1.95V 48-tsop 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 256-W29N04KZSIBG 3A991B1A 8542.32.0071 96 비 비 4gbit 25 ns 플래시 512m x 8 onfi 35ns, 700µs
W25Q256FVBJQ TR Winbond Electronics W25Q256FVBJQ TR -
RFQ
ECAD 9757 0.00000000 윈 윈 전자 본드 Spiflash® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 24-TBGA W25Q256 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 24-TFBGA (6x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 W25Q256FVBJQTR 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 104 MHz 비 비 256mbit 플래시 32m x 8 spi-쿼드 i/o, qpi 50µs, 3ms
W25N512GWYIT TR Winbond Electronics W25N512GWYIT TR -
RFQ
ECAD 7443 0.00000000 윈 윈 전자 본드 Spiflash® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-UFBGA, WLCSP W25N512 플래시 -Nand (SLC) 1.7V ~ 1.95V 48-WLCSP 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 256-W25N512GWYITTR 3A991B1A 8542.32.0071 2,000 104 MHz 비 비 512mbit 7 ns 플래시 64m x 8 spi-쿼드 i/o 700µs
W25Q128JWPIQ Winbond Electronics W25Q128JWPIQ 1.5926
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ECAD 5165 0.00000000 윈 윈 전자 본드 Spiflash® 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8-wdfn n 패드 W25Q128 플래시 - 아니오 1.7V ~ 1.95V 8-wson (6x5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 256-W25Q128JWPIQ 3A991B1A 8542.32.0071 100 133 MHz 비 비 128mbit 플래시 16m x 8 spi-쿼드 i/o -, 3ms
W25Q40CLSSIG Winbond Electronics W25Q40CLSSIG -
RFQ
ECAD 8674 0.00000000 윈 윈 전자 본드 Spiflash® 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.209 ", 5.30mm 너비) W25Q40 플래시 - 아니오 2.3V ~ 3.6V 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 90 104 MHz 비 비 4mbit 플래시 512k x 8 spi-쿼드 i/o 800µs
W9425G6KH-5 Winbond Electronics W9425G6KH-5 1.9307
RFQ
ECAD 9650 0.00000000 윈 윈 전자 본드 - 쟁반 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 66-TSSOP (0.400 ", 10.16mm 너비) W9425G6 sdram -ddr 2.3V ~ 2.7V 66-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0002 108 200MHz 휘발성 휘발성 256mbit 55 ns 음주 16m x 16 평행한 15ns
W25Q32FVZPJF TR Winbond Electronics W25Q32FVZPJF TR -
RFQ
ECAD 3773 0.00000000 윈 윈 전자 본드 Spiflash® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 8-wdfn n 패드 W25Q32 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 8-wson (6x5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 W25Q32FVZPJFTR 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 104 MHz 비 비 32mbit 플래시 4m x 8 spi-쿼드 i/o, qpi 50µs, 3ms
W25Q32FVTBIG Winbond Electronics W25Q32FVTBIG -
RFQ
ECAD 9691 0.00000000 윈 윈 전자 본드 Spiflash® 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 24-TBGA W25Q32 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 24-TFBGA (8x6) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 480 104 MHz 비 비 32mbit 플래시 4m x 8 spi-쿼드 i/o, qpi 50µs, 3ms
W9816G6JB-6 Winbond Electronics W9816G6JB-6 2.3023
RFQ
ECAD 4210 0.00000000 윈 윈 전자 본드 - 쟁반 새로운 새로운 아닙니다 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 60-TFBGA W9816G6 sdram 3V ~ 3.6V 60-VFBGA (6.4x10.1) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0002 286 166 MHz 휘발성 휘발성 16mbit 5 ns 음주 1m x 16 평행한 -
W25Q128JWPIQ TR Winbond Electronics W25Q128JWPIQ TR 1.4425
RFQ
ECAD 9827 0.00000000 윈 윈 전자 본드 Spiflash® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8-wdfn n 패드 W25Q128 플래시 - 아니오 1.7V ~ 1.95V 8-wson (6x5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 256-W25Q128JWPIQTR 3A991B1A 8542.32.0071 5,000 133 MHz 비 비 128mbit 플래시 16m x 8 spi-쿼드 i/o -, 3ms
W25Q128JVSIQ Winbond Electronics W25Q128JVSIQ 1.7100
RFQ
ECAD 156 0.00000000 윈 윈 전자 본드 Spiflash® 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.209 ", 5.30mm 너비) W25Q128 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 W25Q128JVSIQ-CRL 3A991B1A 8542.32.0071 90 133 MHz 비 비 128mbit 플래시 16m x 8 spi-쿼드 i/o, qpi, dtr 3ms
W631GG6KB11I Winbond Electronics W631GG6KB11I -
RFQ
ECAD 1575 0.00000000 윈 윈 전자 본드 - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 96-TFBGA W631GG6 sdram -ddr3 1.425V ~ 1.575V 96-WBGA (9x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0032 190 933 MHz 휘발성 휘발성 1gbit 20 ns 음주 64m x 16 평행한 -
W632GU8MB12J Winbond Electronics W632GU8MB12J -
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ECAD 1977 0.00000000 윈 윈 전자 본드 - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 105 ° C (TC) 표면 표면 78-VFBGA W632GU8 sdram -ddr3l 1.283V ~ 1.45V 78-VFBGA (8x10.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 242 800MHz 휘발성 휘발성 2gbit 20 ns 음주 256m x 8 평행한 15ns
W25Q256FVBIP Winbond Electronics W25Q256FVBIP -
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ECAD 5094 0.00000000 윈 윈 전자 본드 Spiflash® 튜브 sic에서 중단되었습니다 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 24-TBGA W25Q256 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 24-TFBGA (6x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 480 104 MHz 비 비 256mbit 플래시 32m x 8 spi-쿼드 i/o, qpi 50µs, 3ms
W25M02GVSFJT Winbond Electronics W25M02GVSFJT -
RFQ
ECAD 5407 0.00000000 윈 윈 전자 본드 Spiflash® 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 16-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비) W25M02 플래시 -Nand (SLC) 2.7V ~ 3.6V 16- 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 256-W25M02GVSFJT 쓸모없는 44 104 MHz 비 비 2gbit 7 ns 플래시 256m x 8 spi-쿼드 i/o 700µs
W9812G6KH-5 TR Winbond Electronics W9812G6KH-5 TR 1.5720
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ECAD 7035 0.00000000 윈 윈 전자 본드 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 54-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) W9812G6 sdram 3V ~ 3.6V 54-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0002 1,000 200MHz 휘발성 휘발성 128mbit 4.5 ns 음주 8m x 16 평행한 -
W25X20CLUXIG TR Winbond Electronics W25x20Cluxig Tr 0.4800
RFQ
ECAD 344 0.00000000 윈 윈 전자 본드 Spiflash® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8-ufdfn 노출 패드 W25X20 플래시 2.3V ~ 3.6V 8- 호스 (2x3) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 4,000 104 MHz 비 비 2mbit 플래시 256k x 8 SPI 800µs
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고