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IS43DR16160B-25DBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43DR16160B-25DBLI 4.6787
RFQ
 ECAD 7836 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 84-TFBGA IS43DR16160 sdram -ddr2 1.7V ~ 1.9V 84-TWBGA (8x12.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 209 400MHz 휘발성 휘발성 256mbit 400 PS 음주 16m x 16 평행한 15ns
IS61WV25616FALL-10BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61WV25616Fall-10bli-Tr 3.0653
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 ECAD 8391 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-TFBGA sram- 비동기 1.65V ~ 2.2V 48-TFBGA (6x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 706-IS61WV25616Fall-10bli-tr 2,500 휘발성 휘발성 4mbit 10 ns SRAM 256k x 16 평행한 10ns
IS22TF128G-JQLA1 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS22TF128G-JQLA1 75.0416
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 ECAD 7279 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc 자동차, AEC-Q100 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 100-lbga 플래시 -Nand (TLC) 2.7V ~ 3.6V 100-LFBGA (14x18) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 706-IS22TF128G-JQLA1 98 200MHz 비 비 1tbit 플래시 128g x 8 EMMC_5.1 -
IS46TR16512A-125KBLA2 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46TR16512A-125KBLA2 -
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 ECAD 8549 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc 자동차, AEC-Q100 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 105 ° C (TC) 표면 표면 96-LFBGA IS46tr16512 sdram -ddr3 1.425V ~ 1.575V 96-LFBGA (10x14) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 706-IS46TR16512A-125KBLA2 귀 99 8542.32.0036 136 800MHz 휘발성 휘발성 8gbit 20 ns 음주 512m x 16 평행한 15ns
IS42VM16160K-6BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42VM16160K-6BLI-TR 5.1153
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 ECAD 8327 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 54-TFBGA IS42VM16160 sdram- 모바일 1.7V ~ 1.95V 54-TFBGA (8x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 2,500 166 MHz 휘발성 휘발성 256mbit 5.5 ns 음주 16m x 16 평행한 -
IS49NLS93200A-18WBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS49NLS93200A-18WBLI 33.5439
RFQ
 ECAD 8996 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 144-TFBGA IS49NLS93200 rldram 2 1.7V ~ 1.9V 144-TWBGA (11x18.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 706-IS49NLS93200A-18WBLI 104 533 MHz 휘발성 휘발성 288mbit 15 ns 음주 32m x 9 HSTL -
IS66WV1M16DBLL-70BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS66WV1M16DBLL-70BLI-TR -
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 ECAD 5336 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-TFBGA IS66WV1M16 psram (의사 sram) 2.5V ~ 3.6V 48-TFBGA (6x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 2,500 휘발성 휘발성 16mbit 70 ns psram 1m x 16 평행한 70ns
IS42S16160G-6TI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16160G-6TI-TR -
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 ECAD 1917 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 54-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) IS42S16160 sdram 3V ~ 3.6V 54-TSOP II - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 1,500 166 MHz 휘발성 휘발성 256mbit 5.4 ns 음주 16m x 16 평행한 -
IS64WV51216EDBLL-10BLA3 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS64WV51216EDBLL-10BLA3 14.9738
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 ECAD 5733 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 48-TFBGA IS64WV51216 sram- 비동기 2.4V ~ 3.6V 48-TFBGA (6x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 480 휘발성 휘발성 8mbit 10 ns SRAM 512k x 16 평행한 10ns
IS43TR16512AL-107MBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR16512AL-107MBLI -
RFQ
 ECAD 2467 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc 자동차, AEC-Q100 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 96-LFBGA IS43tr16512 sdram -ddr3l 1.283V ~ 1.45V 96-LFBGA (10x14) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 706-IS43TR16512AL-107MBLI 귀 99 8542.32.0036 136 933 MHz 휘발성 휘발성 8gbit 20 ns 음주 512m x 16 평행한 15ns
IS42S32200C1-7BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32200C1-7BLI-TR -
RFQ
 ECAD 4228 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 90-LFBGA IS42S32200 sdram 3.15V ~ 3.45V 90-bga (13x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0002 2,500 143 MHz 휘발성 휘발성 64mbit 5.5 ns 음주 2m x 32 평행한 -
IS25WP016-JLLE ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25WP016-JLLE -
RFQ
 ECAD 2976 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 8-wdfn n 패드 IS25WP016 플래시 - 아니오 1.65V ~ 1.95V 8-wson (8x6) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 480 133 MHz 비 비 16mbit 7 ns 플래시 2m x 8 연속물 800µs
IS46R16160D-6TLA2-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46R16160D-6TLA2-TR 6.6529
RFQ
 ECAD 2890 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 66-TSSOP (0.400 ", 10.16mm 너비) IS46R16160 sdram -ddr 2.3V ~ 2.7V 66-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 1,500 166 MHz 휘발성 휘발성 256mbit 700 PS 음주 16m x 16 평행한 15ns
IS62WV51216HBLL-45B2LI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV51216HBLL-45B2LI-TR 3.8489
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 ECAD 8743 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-VFBGA sram- 비동기 2.2V ~ 3.6V 48-VFBGA (6x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 706-IS62WV51216HBLL-45B2LI-TR 2,500 휘발성 휘발성 8mbit 45 ns SRAM 512k x 16 평행한 45ns
IS66WVQ4M4DALL-200BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS66WVQ4M4DALL-200BLI-TR 2.2990
RFQ
 ECAD 1336 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 24-TBGA psram (의사 sram) 1.7V ~ 1.95V 24-TFBGA (6x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 706-IS66WVQ4M4DALL-200BLI-TR 2,500 200MHz 휘발성 휘발성 16mbit psram 4m x 4 spi-쿼드 i/o 40ns
IS45S16320B-7BLA1-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS45S16320B-7BLA1-TR -
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 ECAD 6522 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 54-TFBGA IS45S16320 sdram 3V ~ 3.6V 54-WBGA (11x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0032 2,000 143 MHz 휘발성 휘발성 512mbit 5.4 ns 음주 32m x 16 평행한 -
IS42S32400D-6T-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32400D-6T-TR -
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 ECAD 4804 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 86-TFSOP (0.400 ", 10.16mm 너비) IS42S32400 sdram 3V ~ 3.6V 86-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0002 1,500 166 MHz 휘발성 휘발성 128mbit 5.4 ns 음주 4m x 32 평행한 -
IS42S32160F-6TL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32160F-6TL-TR 11.2500
RFQ
 ECAD 2011 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 86-TFSOP (0.400 ", 10.16mm 너비) IS42S32160 sdram 3V ~ 3.6V 86-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0028 1,500 167 MHz 휘발성 휘발성 512mbit 5.4 ns 음주 16m x 32 평행한 -
IS43TR82560BL-125KBL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR82560BL-125KBL-TR -
RFQ
 ECAD 2477 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 78-TFBGA IS43tr82560 sdram -ddr3l 1.283V ~ 1.45V 78-TWBGA (8x10.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 706-IS43TR82560BL-125KBL-TR 귀 99 8542.32.0036 2,000 800MHz 휘발성 휘발성 2gbit 20 ns 음주 256m x 8 평행한 15ns
IS46TR16512S2DL-125KBLA2-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46TR16512S2DL-125KBLA2-TR -
RFQ
 ECAD 6019 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TC) 표면 표면 96-LFBGA IS46tr16512 sdram -ddr3l 1.283V ~ 1.45V 96-LWBGA (9x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 706-IS46TR16512S2DL-125KBLA2-TR 귀 99 8542.32.0036 2,000 800MHz 휘발성 휘발성 8gbit 20 ns 음주 512m x 16 평행한 15ns
IS49NLC96400A-25EWBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS49NLC96400A-25ewbli 54.4856
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 ECAD 8796 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 144-TFBGA rldram 2 1.7V ~ 1.9V 144-TWBGA (11x18.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 706-IS49NLC96400A-25ewbli 104 400MHz 휘발성 휘발성 576mbit 15 ns 음주 64m x 9 HSTL -
IS62WV5128DALL-55BI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV5128DALL-55BI-TR -
RFQ
 ECAD 1736 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 36-TFBGA IS62WV5128 sram- 비동기 1.65V ~ 2.2V 36-TFBGA (6x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 1 휘발성 휘발성 4mbit 55 ns SRAM 512k x 8 평행한 55ns
IS25LP064D-JBLE-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LP064D-JBLE-TR 1.2082
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 ECAD 5883 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.209 ", 5.30mm 너비) 플래시 - 아니오 (SLC) 2.3V ~ 3.6V 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 706-IS25LP064D-JBLE-TR 2,000 166 MHz 비 비 64mbit 플래시 8m x 8 spi-쿼드 i/o, qpi, dtr 40µs, 800µs
IS61LV5128AL-10BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LV5128AL-10BLI -
RFQ
 ECAD 9947 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 36-TFBGA IS61LV5128 sram- 비동기 3.135V ~ 3.6V 36- 미니 바 (8x10) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 480 휘발성 휘발성 4mbit 10 ns SRAM 512k x 8 평행한 10ns
IS42S32800B-6B-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32800B-6B-TR -
RFQ
 ECAD 9212 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 90-TFBGA IS42S32800 sdram 3V ~ 3.6V 90-TFBGA (8x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 2,500 166 MHz 휘발성 휘발성 256mbit 5.5 ns 음주 8m x 32 평행한 -
IS43TR16640B-093NBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR16640B-093NBL -
RFQ
 ECAD 8171 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc 자동차, AEC-Q100 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 96-TFBGA IS43tr16640 sdram -ddr3 1.425V ~ 1.575V 96-TWBGA (9x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 706-IS43TR16640B-093NBL 귀 99 8542.32.0032 190 1.066 GHz 휘발성 휘발성 1gbit 20 ns 음주 64m x 16 평행한 15ns
IS42S32160D-7BL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32160D-7BL-TR 12.7500
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 ECAD 9594 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 90-TFBGA IS42S32160 sdram 3V ~ 3.6V 90-TFBGA (8x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0028 2,500 143 MHz 휘발성 휘발성 512mbit 5.4 ns 음주 16m x 32 평행한 -
IS42S32800B-6TL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32800B-6TL -
RFQ
 ECAD 9639 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 86-TFSOP (0.400 ", 10.16mm 너비) IS42S32800 sdram 3V ~ 3.6V 86-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 108 166 MHz 휘발성 휘발성 256mbit 5.5 ns 음주 8m x 32 평행한 -
IS43LQ32128A-062TBLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43LQ32128A-062TBLI-TR 11.7306
RFQ
 ECAD 2518 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 200-TFBGA sdram- 모바일 lpddr4 1.06V ~ 1.17V, 1.7V ~ 1.95V 200-TFBGA (10x14.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 706-IS43LQ32128A-062TBLI-TR 2,500 1.6GHz 휘발성 휘발성 4gbit 음주 128m x 32 lvstl -
IS43LD32800B-25BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43LD32800B-25BLI 5.9261
RFQ
 ECAD 5156 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 134-TFBGA sdram -모바일 lpddr2 -s4 1.14V ~ 1.3V, 1.7V ~ 1.95V 134-TFBGA (10x11.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 706-IS43LD32800B-25BLI 171 400MHz 휘발성 휘발성 256mbit 5.5 ns 음주 8m x 32 HSUL_12 15ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

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