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IS25WP128F-JBLA3 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25WP128F-JBLA3 2.5122
RFQ
 ECAD 1675 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc 자동차, AEC-Q100 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.209 ", 5.30mm 너비) 플래시 - 아니오 (SLC) 1.65V ~ 1.95V 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 706-IS25WP128F-JBLA3 90 166 MHz 비 비 128mbit 5.5 ns 플래시 16m x 8 spi-쿼드 i/o, qpi, dtr 40µs, 800µs
IS42S32160F-7BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32160F-7BLI-TR 12.3000
RFQ
 ECAD 3633 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 90-TFBGA IS42S32160 sdram 3V ~ 3.6V 90-TFBGA (8x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0028 2,500 143 MHz 휘발성 휘발성 512mbit 5.4 ns 음주 16m x 32 평행한 -
IS62WV12816BLL-55T-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV12816BLL-55T-TR -
RFQ
 ECAD 5465 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 44-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) IS62WV12816 sram- 비동기 2.5V ~ 3.6V 44-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 1,000 휘발성 휘발성 2mbit 55 ns SRAM 128k x 16 평행한 55ns
IS61LV12816L-10TL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LV12816L-10TL 4.5000
RFQ
 ECAD 9822 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 44-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) IS61LV12816 sram- 비동기 3.135V ~ 3.6V 44-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 135 휘발성 휘발성 2mbit 10 ns SRAM 128k x 16 평행한 10ns
IS61WV6416BLL-12TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61WV6416BLL-12TLI 1.9868
RFQ
 ECAD 2742 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 44-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) IS61WV6416 sram- 비동기 3V ~ 3.6V 44-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2B 8542.32.0041 135 휘발성 휘발성 1mbit 12 ns SRAM 64k x 16 평행한 12ns
IS49NLS18320A-18WBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS49NLS18320A-18WBL 52.0065
RFQ
 ECAD 5567 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 대부분 활동적인 0 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 144-TFBGA rldram 2 1.7V ~ 1.9V 144-TWBGA (11x18.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 706-IS49NLS18320A-18WBL 104 533 MHz 휘발성 휘발성 576mbit 15 ns 음주 32m x 18 HSTL -
IS61WV51216EEALL-20BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61WV51216EEALL-20BLI-TR 6.7253
RFQ
 ECAD 6335 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-TFBGA sram- 비동기 1.65V ~ 2.2V 48- 바 미니 (6x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 706-IS61WV51216EEALL-20BLI-TR 2,500 휘발성 휘발성 8mbit 20 ns SRAM 512k x 16 평행한 20ns
IS43TR82560DL-125KBLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR82560DL-125KBLI-TR 4.3478
RFQ
 ECAD 8952 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 78-TFBGA IS43tr82560 sdram -ddr3l 1.283V ~ 1.45V 78-TWBGA (8x10.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 706-IS43TR82560DL-125KBLI-TR 귀 99 8542.32.0036 2,000 800MHz 휘발성 휘발성 2gbit 20 ns 음주 256m x 8 평행한 15ns
IS43R32160D-5BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43R32160D-5BLI -
RFQ
 ECAD 1125 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 144-LFBGA IS43R32160 sdram -ddr 2.5V ~ 2.7V 144-LFBGA (12x12) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0028 189 200MHz 휘발성 휘발성 512mbit 700 PS 음주 16m x 32 평행한 15ns
IS43DR16160B-3DBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43DR16160B-3DBL 2.6286
RFQ
 ECAD 2100 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 84-TFBGA IS43DR16160 sdram -ddr2 1.7V ~ 1.9V 84-TWBGA (8x12.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 209 333 MHz 휘발성 휘발성 256mbit 450 ps 음주 16m x 16 평행한 15ns
IS43TR81280CL-107MBLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR81280CL-107MBLI-TR 3.6477
RFQ
 ECAD 6997 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 78-TFBGA sdram -ddr3l 1.283V ~ 1.45V 78-TWBGA (8x10.5) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 706-IS43TR81280CL-107MBLI-TR 2,000 933 MHz 휘발성 휘발성 1gbit 20 ns 음주 128m x 8 평행한 15ns
IS43TR16128CL-15HBL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR16128CL-15HBL-TR 4.9893
RFQ
 ECAD 6324 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 활동적인 0 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 96-TFBGA IS43tr16128 sdram -ddr3l 1.283V ~ 1.45V 96-TWBGA (9x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 1,500 667 MHz 휘발성 휘발성 2gbit 20 ns 음주 128m x 16 평행한 15ns
IS42S86400F-6TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S86400F-6TLI 13.0430
RFQ
 ECAD 3750 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 54-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) IS42S86400 sdram 3V ~ 3.6V 54-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0028 108 166 MHz 휘발성 휘발성 512mbit 5.4 ns 음주 64m x 8 평행한 -
IS25WP512M-RMLA3-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25WP512M-RMLA3-TR 8.1172
RFQ
 ECAD 6348 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 16-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비) 플래시 - 아니오 (SLC) 1.7V ~ 1.95V 16- 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 706-IS25WP512M-RMLA3-TR 1,000 112 MHz 비 비 512mbit 7.5 ns 플래시 64m x 8 spi-쿼드 i/o, qpi, dtr 50µs, 1ms
IS46LQ32256AL-062BLA1 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46LQ32256AL-062BLA1 22.5750
RFQ
 ECAD 2389 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc 자동차, AEC-Q100 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 200-TFBGA sdram- 모바일 lpddr4x 1.06V ~ 1.17V, 1.7V ~ 1.95V 200-TFBGA (10x14.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 706-IS46LQ32256AL-062BLA1 136 1.6GHz 휘발성 휘발성 8gbit 3.5 ns 음주 256m x 32 lvstl 18ns
IS61DDB22M18C-250M3 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61DDB22M18C-250M3 -
RFQ
 ECAD 5643 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 165-lbga IS61DDB22 SRAM-동기, DDR II 1.71V ~ 1.89V 165-LFBGA (15x17) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 105 250MHz 휘발성 휘발성 36mbit 8.4 ns SRAM 2m x 18 평행한 -
IS42S16320B-6BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16320B-6BLI -
RFQ
 ECAD 2106 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 54-TFBGA IS42S16320 sdram 3V ~ 3.6V 54-WBGA (11x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0028 144 166 MHz 휘발성 휘발성 512mbit 5.4 ns 음주 32m x 16 평행한 -
IS61NLF25618A-7.5TQLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61NLF25618A-7.5TQLI 8.3815
RFQ
 ECAD 2088 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 100-lqfp IS61NLF25618 sram-동기, sdr 3.135V ~ 3.465V 100-LQFP (14x20) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 72 117 MHz 휘발성 휘발성 4.5mbit 7.5 ns SRAM 256k x 18 평행한 -
IS46TR16640AL-125JBLA1 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46TR16640AL-125JBLA1 -
RFQ
 ECAD 2552 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 sic에서 중단되었습니다 -40 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 96-TFBGA IS46TR16640 sdram -ddr3 1.283V ~ 1.45V 96-TWBGA (9x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0032 190 800MHz 휘발성 휘발성 1gbit 20 ns 음주 64m x 16 평행한 -
IS46TR16128DL-125KBLA1 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46TR16128DL-125KBLA1 5.5503
RFQ
 ECAD 7678 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc 자동차, AEC-Q100 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 96-TFBGA IS46TR16128 sdram -ddr3l 1.283V ~ 1.45V 96-TWBGA (9x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 706-IS46TR16128DL-125KBLA1 귀 99 8542.32.0036 190 800MHz 휘발성 휘발성 2gbit 20 ns 음주 128m x 16 평행한 15ns
IS61DDB21M36-250M3L ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61DDB21M36-250M3L -
RFQ
 ECAD 9866 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 sic에서 중단되었습니다 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 165-lbga IS61DDB21 SRAM-동기, DDR II 1.71V ~ 1.89V 165-LFBGA (13x15) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0002 105 250MHz 휘발성 휘발성 36mbit SRAM 1m x 36 평행한 -
IS43R16320D-6TL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43R16320D-6TL 5.7164
RFQ
 ECAD 6745 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 새로운 새로운 아닙니다 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 66-TSSOP (0.400 ", 10.16mm 너비) IS43R16320 sdram -ddr 2.3V ~ 2.7V 66-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0028 108 166 MHz 휘발성 휘발성 512mbit 700 PS 음주 32m x 16 평행한 15ns
IS62WV102416ALL-35MLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV102416ALL-35MLI-TR 21.5250
RFQ
 ECAD 6853 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-TFBGA IS62WV102416 sram- 비동기 1.65V ~ 2.2V 48- 바 미니 (9x11) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 2,000 휘발성 휘발성 16mbit 35 ns SRAM 1m x 16 평행한 35ns
IS43R16160D-5BL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43R16160D-5BL 5.5581
RFQ
 ECAD 7725 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 새로운 새로운 아닙니다 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 60-TFBGA IS43R16160 sdram -ddr 2.3V ~ 2.7V 60-TFBGA (8x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 190 200MHz 휘발성 휘발성 256mbit 700 PS 음주 16m x 16 평행한 15ns
IS61NLP12836B-200TQLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61NLP12836B-200TQLI 8.3815
RFQ
 ECAD 2252 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 100-lqfp IS61NLP12836 sram-동기, sdr 3.135V ~ 3.465V 100-LQFP (14x20) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 72 200MHz 휘발성 휘발성 4.5mbit 3.1 ns SRAM 128k x 36 평행한 -
IS25LP128F-RHLE ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LP128F-RHLE 2.1310
RFQ
 ECAD 4479 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc 자동차, AEC-Q100 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 24-TBGA 플래시 - 아니오 (SLC) 2.3V ~ 3.6V 24-TFBGA (6x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 706-IS25LP128F-RHLE 480 166 MHz 비 비 128mbit 플래시 16m x 8 spi-쿼드 i/o, qpi, dtr 40µs, 800µs
IS43LD16160B-25BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43LD16160B-25BLI-TR 4.8511
RFQ
 ECAD 1831 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 134-TFBGA sdram -모바일 lpddr2 -s4 1.14V ~ 1.3V, 1.7V ~ 1.95V 134-TFBGA (10x11.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 706-IS43LD16160B-25BLI-TR 2,000 400MHz 휘발성 휘발성 256mbit 5.5 ns 음주 16m x 16 HSUL_12 15ns
IS42S16100E-6TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16100E-6TLI -
RFQ
 ECAD 1787 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 50TSOP (0.400 ", 10.16mm 너비) IS42S16100 sdram 3V ~ 3.6V 50-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0002 117 166 MHz 휘발성 휘발성 16mbit 5.5 ns 음주 1m x 16 평행한 -
IS43R16160B-6TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43R16160B-6TLI -
RFQ
 ECAD 2943 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 66-TSSOP (0.400 ", 10.16mm 너비) IS43R16160 sdram -ddr 2.3V ~ 2.7V 66-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 108 166 MHz 휘발성 휘발성 256mbit 700 PS 음주 16m x 16 평행한 15ns
IS25LE512M-RMLE ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LE512M-RMLE -
RFQ
 ECAD 6673 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 16-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비) 플래시 - 아니오 2.3V ~ 3.6V 16- - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 706-IS25LE512M-RMLE 쓸모없는 1 133 MHz 비 비 512mbit 플래시 64m x 8 spi-쿼드 i/o, qpi, dtr 50µs, 1ms
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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