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IS25LD020-JVLE-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LD020-JVLE-TR -
RFQ
 ECAD 8000 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) IS25LD020 플래시 2.3V ~ 3.6V 8-VVSOP 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 3,500 100MHz 비 비 2mbit 플래시 256k x 8 SPI 5ms
IS42S32160B-75TL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32160B-75TL-TR -
RFQ
 ECAD 5473 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 86-TFSOP (0.400 ", 10.16mm 너비) IS42S32160 sdram 3V ~ 3.6V 86-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 2,500 133 MHz 휘발성 휘발성 512mbit 5.5 ns 음주 16m x 32 평행한 -
IS63WV1288DBLL-10JLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS63WV1288DBLL-10JLI-TR 2.1192
RFQ
 ECAD 7208 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 32-BSOJ (0.300 ", 7.62mm 너비) IS63WV1288 sram- 비동기 2.4V ~ 3.6V 32-SOJ 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0041 1,000 휘발성 휘발성 1mbit 10 ns SRAM 128k x 8 평행한 10ns
IS34MW01G084-BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS34MW01G084-BLI-TR 3.4331
RFQ
 ECAD 4710 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 63-VFBGA 플래시 -Nand (SLC) 1.7V ~ 1.95V 63-VFBGA (9x11) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 706-IS34MW01G084-BLI-TR 2,500 비 비 1gbit 30 ns 플래시 128m x 8 평행한 45ns
IS42S32800B-6BI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32800B-6BI -
RFQ
 ECAD 6045 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 90-TFBGA IS42S32800 sdram 3V ~ 3.6V 90-TFBGA (8x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 240 166 MHz 휘발성 휘발성 256mbit 5.5 ns 음주 8m x 32 평행한 -
IS42S32400D-6T ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32400D-6T -
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 ECAD 4147 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 sic에서 중단되었습니다 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 86-TFSOP (0.400 ", 10.16mm 너비) IS42S32400 sdram 3V ~ 3.6V 86-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0002 108 166 MHz 휘발성 휘발성 128mbit 5.4 ns 음주 4m x 32 평행한 -
IS42S32200C1-55T ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32200C1-55T -
RFQ
 ECAD 2692 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 86-TFSOP (0.400 ", 10.16mm 너비) IS42S32200 sdram 3.15V ~ 3.45V 86-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0002 108 183 MHz 휘발성 휘발성 64mbit 5 ns 음주 2m x 32 평행한 -
IS46TR81024B-107MBLA1-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46TR81024B-107MBLA1-TR 25.2700
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 ECAD 9849 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 78-TFBGA sdram -ddr3 1.425V ~ 1.575V 78-TWBGA (10x14) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 706-IS46TR81024B-107MBLA1-TR 2,000 933 MHz 휘발성 휘발성 8gbit 20 ns 음주 1g x 8 평행한 15ns
IS61LPS204818B-200B3L-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LPS204818B-200B3L-TR 85.6514
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 ECAD 4642 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 165-TBGA IS61LPS204818 sram-동기, sdr 3.135V ~ 3.465V 165-TFBGA (13x15) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 200 200MHz 휘발성 휘발성 36mbit 3.1 ns SRAM 2m x 18 평행한 -
IS25LP128-JGLE-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LP128-JGLE-TR -
RFQ
 ECAD 7211 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 24-TBGA IS25LP128 플래시 - 아니오 2.3V ~ 3.6V 24-TFBGA (6x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 2,500 133 MHz 비 비 128mbit 플래시 16m x 8 spi-쿼드 i/o, qpi 1ms
IS43TR16128CL-125KBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR16128CL-125KBL 4.2661
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 ECAD 2378 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 대부분 활동적인 0 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 96-TFBGA sdram -ddr3l 1.283V ~ 1.45V 96-TWBGA (9x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 706-IS43TR16128CL-125KBL 190 800MHz 휘발성 휘발성 2gbit 20 ns 음주 128m x 16 평행한 15ns
IS43DR16640B-25DBL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43DR16640B-25DBL-TR 4.2171
RFQ
 ECAD 7060 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 84-TFBGA IS43DR16640 sdram -ddr2 1.7V ~ 1.9V 84-TWBGA (8x12.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0032 2,500 400MHz 휘발성 휘발성 1gbit 400 PS 음주 64m x 16 평행한 15ns
IS45S16160J-7TLA1-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS45S16160J-7TLA1-TR 4.2156
RFQ
 ECAD 5907 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 54-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) IS45S16160 sdram 3V ~ 3.6V 54-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 1,500 143 MHz 휘발성 휘발성 256mbit 5.4 ns 음주 16m x 16 평행한 -
IS64WV3216BLL-15CTLA3 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS64WV3216BLL-15CTLA3 4.5034
RFQ
 ECAD 4973 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 44-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) IS64WV3216 sram- 비동기 2.5V ~ 3.6V 44-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0041 135 휘발성 휘발성 512kbit 15 ns SRAM 32k x 16 평행한 15ns
IS41LV16105B-50KL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS41LV16105B-50KL-TR -
RFQ
 ECAD 2523 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 42-BSOJ (0.400 ", 10.16mm 너비) IS41LV16105 dram -fp 3V ~ 3.6V 42-SOJ 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0002 1,000 휘발성 휘발성 16mbit 25 ns 음주 1m x 16 평행한 -
IS62WV2568FBLL-45BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV2568FBLL-45BLI 1.8604
RFQ
 ECAD 8242 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 36-TFBGA sram- 비동기 2.2V ~ 3.6V 36-TFBGA (6x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 706-IS62WV2568FBLL-45BLI 480 휘발성 휘발성 2mbit 45 ns SRAM 256k x 8 평행한 45ns
IS43DR86400D-3DBI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43DR86400D-3DBI -
RFQ
 ECAD 3989 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 60-TFBGA IS43DR86400 sdram -ddr2 1.7V ~ 1.9V 60-TWBGA (8x10.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0028 242 333 MHz 휘발성 휘발성 512mbit 450 ps 음주 64m x 8 평행한 15ns
IS25LD040-JBLE ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LD040-JBLE -
RFQ
 ECAD 3491 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 대부분 쓸모없는 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.209 ", 5.30mm 너비) IS25LD040 플래시 2.3V ~ 3.6V 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 90 100MHz 비 비 4mbit 플래시 512k x 8 SPI 5ms
IS46DR16128C-3DBLA2-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46DR16128C-3DBLA2-TR 14.3700
RFQ
 ECAD 8923 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 84-TFBGA IS46DR16128 sdram -ddr2 1.7V ~ 1.9V 84-TWBGA (8x12.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 2,500 333 MHz 휘발성 휘발성 2gbit 450 ps 음주 128m x 16 평행한 15ns
IS46QR16512A-083TBLA1 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46QR16512A-083TBLA1 20.8421
RFQ
 ECAD 4021 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc 자동차, AEC-Q100 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 96-TFBGA sdram -ddr4 1.14V ~ 1.26V 96-TWBGA (10x14) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 706-IS46QR16512A-083TBLA1 136 1.2GHz 휘발성 휘발성 8gbit 18 ns 음주 512m x 16 평행한 15ns
IS43DR82560B-25EBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43DR82560B-25EBL -
RFQ
 ECAD 2559 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 활동적인 0 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 60-TFBGA IS43DR82560 sdram -ddr2 1.7V ~ 1.9V 60-TWBGA (10.5x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 136 400MHz 휘발성 휘발성 2gbit 400 PS 음주 256m x 8 평행한 15ns
IS64WV6416BLL-15BLA3 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS64WV6416BLL-15BLA3 4.1059
RFQ
 ECAD 4359 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 48-TFBGA IS64WV6416 sram- 비동기 2.5V ~ 3.6V 48-TFBGA (8x10) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2B 8542.32.0041 480 휘발성 휘발성 1mbit 15 ns SRAM 64k x 16 평행한 15ns
IS42S16800F-7TL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16800F-7TL 2.7100
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 54-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) IS42S16800 sdram 3V ~ 3.6V 54-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 706-1205 귀 99 8542.32.0002 108 143 MHz 휘발성 휘발성 128mbit 5.4 ns 음주 8m x 16 평행한 -
IS45S32200L-6TLA2 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS45S32200L-6TLA2 5.2767
RFQ
 ECAD 7054 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 86-TFSOP (0.400 ", 10.16mm 너비) IS45S32200 sdram 3V ~ 3.6V 86-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0002 108 166 MHz 휘발성 휘발성 64mbit 5.4 ns 음주 2m x 32 평행한 -
IS66WVE2M16BLL-70BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS66WVE2M16BLL-70BLI -
RFQ
 ECAD 6962 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-TFBGA IS66WVE2M16 psram (의사 sram) 2.7V ~ 3.6V 48-TFBGA (6x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0041 480 휘발성 휘발성 32mbit 70 ns psram 2m x 16 평행한 70ns
IS42S81600F-6TL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S81600F-6TL-TR 2.3042
RFQ
 ECAD 6560 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 54-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) IS42S81600 sdram 3V ~ 3.6V 54-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0002 1,500 166 MHz 휘발성 휘발성 128mbit 5.4 ns 음주 16m x 8 평행한 -
IS46LR32160B-6BLA2-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46LR32160B-6BLA2-TR -
RFQ
 ECAD 8452 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 90-TFBGA IS46LR32160 sdram- 모바일 lpddr 1.7V ~ 1.95V 90-TFBGA (8x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0028 2,500 166 MHz 휘발성 휘발성 512mbit 5.5 ns 음주 16m x 32 평행한 12ns
IS43DR81280C-3DBI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43DR81280C-3DBI -
RFQ
 ECAD 4164 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 60-TFBGA IS43DR81280 sdram -ddr2 1.7V ~ 1.9V 60-TWBGA (8x10.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0032 242 333 MHz 휘발성 휘발성 1gbit 450 ps 음주 128m x 8 평행한 15ns
IS45S16800E-7TLA1-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS45S16800E-7TLA1-TR -
RFQ
 ECAD 4097 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 54-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) IS45S16800 sdram 3V ~ 3.6V 54-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0002 1,500 143 MHz 휘발성 휘발성 128mbit 5.4 ns 음주 8m x 16 평행한 -
IS61VPS51236B-200B3LI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61VPS51236B-200B3LI 16.3574
RFQ
 ECAD 4114 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 165-TBGA IS61VPS51236 sram-동기, sdr 2.375V ~ 2.625V 165-TFBGA (13x15) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 144 200MHz 휘발성 휘발성 18mbit 3 ns SRAM 512k x 36 평행한 -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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