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IS61NVF51236-6.5B3I-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61NVF51236-6.5B3I-TR -
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 ECAD 2819 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 165-TBGA IS61NVF51236 sram-동기, sdr 2.375V ~ 2.625V 165-TFBGA (13x15) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 2,000 133 MHz 휘발성 휘발성 18mbit 6.5 ns SRAM 512k x 36 평행한 -
IS46DR16320D-3DBLA2 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46DR16320D-3DBLA2 6.8390
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 ECAD 3207 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 새로운 새로운 아닙니다 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 84-TFBGA IS46DR16320 sdram -ddr2 1.7V ~ 1.9V 84-TWBGA (8x12.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0028 209 333 MHz 휘발성 휘발성 512mbit 450 ps 음주 32m x 16 평행한 15ns
IS43TR16128AL-125KBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR16128AL-125KBL -
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 ECAD 4333 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 sic에서 중단되었습니다 0 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 96-TFBGA IS43tr16128 sdram -ddr3l 1.283V ~ 1.45V 96-TWBGA (9x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 706-1201 귀 99 8542.32.0036 190 800MHz 휘발성 휘발성 2gbit 20 ns 음주 128m x 16 평행한 15ns
IS45S32400E-6TLA1-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS45S32400E-6TLA1-TR -
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 ECAD 7194 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 86-TFSOP (0.400 ", 10.16mm 너비) IS45S32400 sdram 3V ~ 3.6V 86-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0002 1,500 166 MHz 휘발성 휘발성 128mbit 5.4 ns 음주 4m x 32 평행한 -
IS62WV102416BLL-25MLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV102416BLL-25MLI 19.3315
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 ECAD 6265 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-TFBGA IS62WV102416 sram- 비동기 1.65V ~ 3.6V 48- 바 미니 (9x11) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 210 휘발성 휘발성 16mbit 25 ns SRAM 1m x 16 평행한 25ns
IS46LD32320A-3BPLA25-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46LD32320A-3BPLA25-TR -
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 ECAD 8253 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 -40 ° C ~ 105 ° C (TC) 표면 표면 168-VFBGA IS46LD32320 sdram -모바일 lpddr2 -s4 1.14V ~ 1.95V 168-VFBGA (12x12) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0028 1,200 333 MHz 휘발성 휘발성 1gbit 음주 32m x 32 평행한 15ns
IS42S32160D-6BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32160D-6BLI-TR 16.0350
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 ECAD 5162 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 90-TFBGA IS42S32160 sdram 3V ~ 3.6V 90-TFBGA (8x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0028 2,500 166 MHz 휘발성 휘발성 512mbit 5.4 ns 음주 16m x 32 평행한 -
IS46TR16256ECL-125LB2LA1 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46TR16256ECL-125LB2LA1 -
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 ECAD 1543 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc 자동차, AEC-Q100 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 96-TFBGA sdram -ddr3l - 96-TWBGA (9x13) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 706-IS46TR16256ECL-125LB2LA1 136 800MHz 휘발성 휘발성 4gbit 음주 256m x 16 평행한 -
IS62WV20488BLL-25MLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV20488BLL-25MLI 19.3315
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 ECAD 1324 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-TFBGA IS62WV20488 sram- 비동기 2.4V ~ 3.6V 48- 바 미니 (9x11) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 210 휘발성 휘발성 16mbit 25 ns SRAM 2m x 8 평행한 25ns
IS49NLC36800A-25EWBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS49NLC36800A-25ewbli 31.9177
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 ECAD 3382 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 144-TFBGA rldram 2 1.7V ~ 1.9V 144-TWBGA (11x18.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 706-IS49NLC36800A-25ewbli 104 400MHz 휘발성 휘발성 288mbit 15 ns 음주 8m x 36 HSTL -
IS42S16400F-6TL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16400F-6TL-TR -
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 ECAD 3641 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 54-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) IS42S16400 sdram 3V ~ 3.6V 54-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0002 1,500 166 MHz 휘발성 휘발성 64mbit 5.4 ns 음주 4m x 16 평행한 -
IS46DR16160B-3DBLA2-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46DR16160B-3DBLA2-TR 6.1800
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 ECAD 4797 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 84-TFBGA IS46DR16160 sdram -ddr2 1.7V ~ 1.9V 84-TWBGA (8x12.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 2,500 333 MHz 휘발성 휘발성 256mbit 450 ps 음주 16m x 16 평행한 15ns
IS46R16160F-6TLA1-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46R16160F-6TLA1-TR 4.0864
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 ECAD 1688 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 66-TSSOP (0.400 ", 10.16mm 너비) IS46R16160 sdram -ddr 2.3V ~ 2.7V 66-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 1,500 166 MHz 휘발성 휘발성 256mbit 700 PS 음주 16m x 16 평행한 15ns
IS46DR81280B-3DBLA2 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46DR81280B-3DBLA2 -
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 ECAD 2193 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 60-TFBGA IS46DR81280 sdram -ddr2 1.7V ~ 1.9V 60-TWBGA (8x10.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0032 242 333 MHz 휘발성 휘발성 1gbit 450 ps 음주 128m x 8 평행한 15ns
IS29GL032-70TLET-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS29GL032-70TLET-TR 2.7884
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 ECAD 6967 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) 플래시 - 아니오 (SLC) 2.7V ~ 3.6V 48-tsop i 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 706-IS29GL032-70TLET-TR 1,500 비 비 32mbit 70 ns 플래시 2m x 16 CFI 70ns
IS25WP020E-JNLE-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25WP020E-JNLE-TR 0.3011
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 ECAD 6300 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) 플래시 - 아니오 (SLC) 1.7V ~ 1.95V 8-SOP 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 706-IS25WP020E-JNLE-TR 3,000 104 MHz 비 비 2mbit 8 ns 플래시 256k x 8 spi-쿼드 i/o, qpi 40µs, 1.2ms
IS62WV25616ALL-70BI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV25616ALL-70BI -
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 ECAD 6353 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-TFBGA IS62WV25616 sram- 비동기 1.65V ~ 2.2V 48-TFBGA (6x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 706-IS62WV25616ALL-70BI 쓸모없는 480 휘발성 휘발성 4mbit 70 ns SRAM 256k x 16 평행한 70ns
IS46LD32320A-25BLA2-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46LD32320A-25BLA2-TR -
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 ECAD 6813 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 -40 ° C ~ 105 ° C (TC) 표면 표면 134-TFBGA IS46LD32320 sdram -모바일 lpddr2 -s4 1.14V ~ 1.95V 134-TFBGA (10x11.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0028 1,200 400MHz 휘발성 휘발성 1gbit 음주 32m x 32 평행한 15ns
IS62WV51216GBLL-45TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV51216GBLL-45TLI 5.4526
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 ECAD 2962 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) IS62WV51216 sram- 비동기 2.2V ~ 3.6V 48-tsop i 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 96 휘발성 휘발성 8mbit 45 ns SRAM 512k x 16 평행한 45ns
IS61LPS12836A-200B2I-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LPS12836A-200B2I-TR -
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 ECAD 6957 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 119-BBGA IS61LPS12836 sram-동기, sdr 3.135V ~ 3.465V 119-PBGA (14x22) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 1,000 200MHz 휘발성 휘발성 4.5mbit 3.1 ns SRAM 128k x 36 평행한 -
IS61LF25636B-7.5TQLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LF25636B-7.5TQLI-TR 11.4000
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 ECAD 2079 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 100-lqfp IS61LF25636 sram-동기, sdr 3.135V ~ 3.465V 100-LQFP (14x20) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 800 117 MHz 휘발성 휘발성 9mbit 7.5 ns SRAM 256k x 36 평행한 -
IS42S32800D-7BI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32800D-7BI -
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 ECAD 3614 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 90-TFBGA IS42S32800 sdram 3V ~ 3.6V 90-TFBGA (8x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 240 143 MHz 휘발성 휘발성 256mbit 5.4 ns 음주 8m x 32 평행한 -
IS61LF25618A-7.5TQLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LF25618A-7.5TQLI-TR 7.5837
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 ECAD 9111 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 100-lqfp IS61LF25618 sram-동기, sdr 3.135V ~ 3.6V 100-LQFP (14x20) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 800 117 MHz 휘발성 휘발성 4.5mbit 7.5 ns SRAM 256k x 18 평행한 -
IS49NLS93200-33BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS49NLS93200-33BLI -
RFQ
 ECAD 9042 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 144-TFBGA IS49NLS93200 rldram 2 1.7V ~ 1.9V 144-FCBGA (11x18.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0028 104 300MHz 휘발성 휘발성 288mbit 20 ns 음주 32m x 9 평행한 -
IS61LV12816L-10TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LV12816L-10TLI -
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 ECAD 6376 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 44-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) IS61LV12816 sram- 비동기 3.135V ~ 3.6V 44-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 135 휘발성 휘발성 2mbit 10 ns SRAM 128k x 16 평행한 10ns
IS61LPS102436B-200TQLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LPS102436B-200TQLI-TR 69.3000
RFQ
 ECAD 3399 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 100-lqfp IS61LPS102436 sram-동기, sdr 3.135V ~ 3.465V 100-LQFP (14x20) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 800 200MHz 휘발성 휘발성 36mbit 3.1 ns SRAM 1m x 36 평행한 -
IS62WV20488BLL-25TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV20488BLL-25TLI 18.7836
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 ECAD 2076 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 44-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) IS62WV20488 sram- 비동기 2.4V ~ 3.6V 44-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 135 휘발성 휘발성 16mbit 25 ns SRAM 2m x 8 평행한 25ns
IS25WD020-JBLE ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25WD020-JBLE -
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 ECAD 7708 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 대부분 쓸모없는 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.209 ", 5.30mm 너비) IS25WD020 플래시 - 아니오 1.65V ~ 1.95V 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 90 80MHz 비 비 2mbit 플래시 256k x 8 SPI 3ms
IS43TR16128C-107MBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR16128C-107MBL -
RFQ
 ECAD 9271 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 활동적인 0 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 96-TFBGA IS43tr16128 sdram -ddr3 1.425V ~ 1.575V 96-TWBGA (9x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 190 933 MHz 휘발성 휘발성 2gbit 195 PS 음주 128m x 16 평행한 15ns
IS61LV256-15TL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LV256-15TL -
RFQ
 ECAD 4789 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 28-TSSOP (0.465 ", 11.80mm 너비) IS61LV256 sram- 비동기 3V ~ 3.6V 28-tsop i 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0041 234 휘발성 휘발성 256kbit 15 ns SRAM 32k x 8 평행한 15ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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