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IS67WVC4M16EALL-7010BLIA1-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS67WVC4M16EALL-7010BLIA1-TR -
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ECAD 7016 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TC) IS67WVC4M16 psram (의사 sram) 1.7V ~ 1.95V 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 2,500 104 MHz 휘발성 휘발성 64mbit 70 ns psram 4m x 16 평행한 70ns
IS42RM32400H-6BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42RM32400H-6BLI 5.0466
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ECAD 1951 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 90-TFBGA IS42RM32400 sdram- 모바일 2.3V ~ 2.7V 90-TFBGA (8x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0002 240 166 MHz 휘발성 휘발성 128mbit 5.5 ns 음주 4m x 32 평행한 -
IS43DR81280B-3DBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43DR81280B-3DBLI 7.1992
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ECAD 5283 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 새로운 새로운 아닙니다 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 60-TFBGA IS43DR81280 sdram -ddr2 1.7V ~ 1.9V 60-TWBGA (8x10.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0032 242 333 MHz 휘발성 휘발성 1gbit 450 ps 음주 128m x 8 평행한 15ns
IS42S16800F-7BL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16800F-7BL 2.3842
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ECAD 1551 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 54-TFBGA IS42S16800 sdram 3V ~ 3.6V 54-TFBGA (8x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0002 348 143 MHz 휘발성 휘발성 128mbit 5.4 ns 음주 8m x 16 평행한 -
IS43DR16128B-25EBL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43DR16128B-25EBL-TR -
RFQ
ECAD 9046 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 활동적인 0 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 84-TFBGA IS43DR16128 sdram -ddr2 1.7V ~ 1.9V 84-TW-BGA (10.5x13.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 1,500 400MHz 휘발성 휘발성 2gbit 400 PS 음주 128m x 16 평행한 15ns
IS63LV1024L-12BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS63LV1024L-12BLI -
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ECAD 8665 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 36-TFBGA IS63LV1024 sram- 비동기 3.15V ~ 3.45V 36- 미니 바 (8x10) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2B 8542.32.0041 220 휘발성 휘발성 1mbit 12 ns SRAM 128k x 8 평행한 12ns
IS42S16320F-7BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16320F-7BLI 14.8000
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ECAD 12 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 54-TFBGA IS42S16320 sdram 3V ~ 3.6V 54-TW-BGA (8x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0028 240 143 MHz 휘발성 휘발성 512mbit 5.4 ns 음주 32m x 16 평행한 -
IS29LV032T-70TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS29LV032T-70TLI -
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ECAD 8420 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) IS29LV032T 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 48-tsop i 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 706-1352 3A991B1A 8542.32.0071 96 비 비 32mbit 70 ns 플래시 4m x 8, 2m x 16 평행한 70ns
IS25LQ020B-JNLE-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LQ020B-JNLE-TR -
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ECAD 6190 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) IS25LQ020 플래시 - 아니오 2.3V ~ 3.6V 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 3,000 104 MHz 비 비 2mbit 플래시 256k x 8 spi-쿼드 i/o 800µs
IS46TR16128B-125KBLA1 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46TR16128B-125KBLA1 -
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ECAD 8240 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 96-TFBGA IS46TR16128 sdram -ddr3 1.425V ~ 1.575V 96-TWBGA (9x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 190 800MHz 휘발성 휘발성 2gbit 20 ns 음주 128m x 16 평행한 15ns
IS39LV010-70JCE ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS39LV010-70JCE -
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ECAD 2579 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 대부분 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 32-LCC (J-Lead) IS39LV010 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 32-PLCC (11.43x13.97) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 706-1348 귀 99 8542.32.0071 32 비 비 1mbit 70 ns 플래시 128k x 8 평행한 70ns
IS61WV25632BLL-10BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61WV25632BLL-10BLI 12.1792
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ECAD 3828 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 90-TFBGA IS61WV25632 sram- 비동기 2.4V ~ 3.6V 90-TFBGA (8x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 240 휘발성 휘발성 8mbit 10 ns SRAM 256k x 32 평행한 10ns
IS42S32400E-6BL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32400E-6BL-TR -
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ECAD 4828 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 90-TFBGA IS42S32400 sdram 3V ~ 3.6V 90-TFBGA (8x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0002 2,500 166 MHz 휘발성 휘발성 128mbit 5.4 ns 음주 4m x 32 평행한 -
IS61DDB21M18A-300M3L ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61DDB21M18A-300M3L 32.3796
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ECAD 9996 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 165-lbga IS61DDB21 SRAM-동기, DDR II 1.71V ~ 1.89V 165-LFBGA (13x15) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0002 105 300MHz 휘발성 휘발성 18mbit SRAM 1m x 18 평행한 -
IS42S32160F-75EBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32160F-75EBL 11.8443
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ECAD 4901 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 90-TFBGA IS42S32160 sdram 3V ~ 3.6V 90-TFBGA (8x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0028 240 133 MHz 휘발성 휘발성 512mbit 6 ns 음주 16m x 32 평행한 -
IS25LP128F-JBLE ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LP128F-JBLE 1.8798
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ECAD 4190 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.209 ", 5.30mm 너비) IS25LP128 플래시 - 아니오 2.3V ~ 3.6V 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 90 133 MHz 비 비 128mbit 플래시 16m x 8 spi-쿼드 i/o, qpi, dtr 800µs
IS61NLF51236-6.5B3I ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61NLF51236-6.5B3I -
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ECAD 3931 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 165-TBGA IS61NLF51236 sram-동기, sdr 3.135V ~ 3.465V 165-TFBGA (13x15) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 144 133 MHz 휘발성 휘발성 18mbit 6.5 ns SRAM 512k x 36 평행한 -
IS64LPS12832EC-200TQLA3-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS64LPS12832EC-200TQLA3-TR 9.9825
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ECAD 9279 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 100-lqfp IS64LPS12832 sram-동기, sdr 3.135V ~ 3.465V 100-LQFP (14x20) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 800 200MHz 휘발성 휘발성 4mbit 3.1 ns SRAM 128k x 32 평행한 -
IS61WV51216BLL-10TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61WV51216BLL-10TLI 15.4600
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ECAD 2 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 44-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) IS61WV51216 sram- 비동기 2.4V ~ 3.6V 44-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 135 휘발성 휘발성 8mbit 10 ns SRAM 512k x 16 평행한 10ns
IS61WV102416EDBLL-10T2LI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61WV102416EDBLL-10T2LI 12.4385
RFQ
ECAD 4609 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) IS61WV102416 sram- 비동기 2.4V ~ 3.6V 48-tsop i 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 96 휘발성 휘발성 16mbit 10 ns SRAM 1m x 16 평행한 10ns
IS49NLS96400-33BL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS49NLS96400-33BL -
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ECAD 7435 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 144-TFBGA IS49NLS96400 rldram 2 1.7V ~ 1.9V 144-FCBGA (11x18.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0032 104 300MHz 휘발성 휘발성 576mbit 20 ns 음주 64m x 9 평행한 -
IS49NLC18160-33BI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS49NLC18160-33BI -
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ECAD 9018 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 144-TFBGA IS49NLC18160 rldram 2 1.7V ~ 1.9V 144-FCBGA (11x18.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0028 104 300MHz 휘발성 휘발성 288mbit 20 ns 음주 16m x 18 평행한 -
IS62WV51216EBLL-45TLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV51216EBLL-45TLI-TR 4.3887
RFQ
ECAD 7600 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 44-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) IS62WV51216 sram- 비동기 2.2V ~ 3.6V 44-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 1,000 휘발성 휘발성 8mbit 45 ns SRAM 512k x 16 평행한 45ns
IS34ML01G084-TLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS34ML01G084-TLI-TR 3.6841
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ECAD 1399 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) IS34ML01 플래시 -Nand (SLC) 2.7V ~ 3.6V 48-tsop i 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,500 비 비 1gbit 25 ns 플래시 128m x 8 평행한 25ns
IS43LR32160B-6BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43LR32160B-6BLI -
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ECAD 7927 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 90-TFBGA IS43LR32160 sdram- 모바일 lpddr 1.7V ~ 1.95V 90-TFBGA (8x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0028 240 166 MHz 휘발성 휘발성 512mbit 5.5 ns 음주 16m x 32 평행한 12ns
IS61LF51236A-7.5TQLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LF51236A-7.5TQLI-TR -
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ECAD 5820 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 100-lqfp IS61LF51236 sram-동기, sdr 3.135V ~ 3.6V 100-LQFP (14x20) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 800 117 MHz 휘발성 휘발성 18mbit 7.5 ns SRAM 512k x 36 평행한 -
IS61LF51236A-7.5B3LI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LF51236A-7.5B3LI -
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ECAD 6391 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 165-TBGA IS61LF51236 sram-동기, sdr 3.135V ~ 3.465V 165-TFBGA (13x15) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 144 117 MHz 휘발성 휘발성 18mbit 7.5 ns SRAM 512k x 36 평행한 -
IS61LPS25636A-200TQ2LI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LPS25636A-200TQ2LI-TR 12.7500
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ECAD 5142 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 100-lqfp IS61LPS25636 sram-동기, sdr 3.135V ~ 3.465V 100-LQFP (14x20) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 800 200MHz 휘발성 휘발성 9mbit 3.1 ns SRAM 256k x 36 평행한 -
IS42S32200E-7BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32200E-7BLI-TR -
RFQ
ECAD 6554 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 90-TFBGA IS42S32200 sdram 3V ~ 3.6V 90-TFBGA (8x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0002 2,500 143 MHz 휘발성 휘발성 64mbit 5.5 ns 음주 2m x 32 평행한 -
IS61LPS51236A-200B3I-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LPS51236A-200B3I-TR -
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ECAD 5023 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 165-TBGA IS61LPS51236 sram-동기, sdr 3.135V ~ 3.465V 165-TFBGA (13x15) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 2,000 200MHz 휘발성 휘발성 18mbit 3.1 ns SRAM 512k x 36 평행한 -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고