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IS49NLC18320A-33WBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS49NLC18320A-33WBL -
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 ECAD 4292 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 활동적인 0 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 144-TFBGA IS49NLC18320 rldram 2 1.7V ~ 1.9V 144-TWBGA (11x18.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0032 104 300MHz 휘발성 휘발성 576mbit 20 ns 음주 32m x 18 평행한 -
IS66WV51216DBLL-70TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS66WV51216DBLL-70TLI -
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 ECAD 8722 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 sic에서 중단되었습니다 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 44-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) IS66WV51216 psram (의사 sram) 2.5V ~ 3.6V 44-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0041 135 휘발성 휘발성 8mbit 70 ns psram 512k x 16 평행한 70ns
IS42S32160A-75BL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32160A-75BL-TR -
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 ECAD 3351 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 90-LFBGA IS42S32160 sdram 3V ~ 3.6V 90-LFBGA (8x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 2,500 133 MHz 휘발성 휘발성 512mbit 6 ns 음주 16m x 32 평행한 -
IS25WP032D-JBLE ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25WP032D-JBLE 1.2500
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 ECAD 16 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.209 ", 5.30mm 너비) IS25WP032 플래시 - 아니오 1.65V ~ 1.95V 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 90 133 MHz 비 비 32mbit 플래시 4m x 8 spi-쿼드 i/o, qpi, dtr 800µs
IS43DR16160A-3DBI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43DR16160A-3DBI-TR -
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 ECAD 9790 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 84-TFBGA IS43DR16160 sdram -ddr2 1.7V ~ 1.9V 84-TWBGA (8x12.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 2,500 333 MHz 휘발성 휘발성 256mbit 450 ps 음주 16m x 16 평행한 15ns
IS43LR32160B-6BL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43LR32160B-6BL-TR -
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 ECAD 6023 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 90-TFBGA IS43LR32160 sdram- 모바일 lpddr 1.7V ~ 1.95V 90-TFBGA (8x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0028 2,500 166 MHz 휘발성 휘발성 512mbit 5.5 ns 음주 16m x 32 평행한 12ns
IS62WV25616EALL-55TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV25616EALL-55TLI 4.4684
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 ECAD 9715 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 44-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) IS62WV25616 sram- 비동기 1.65V ~ 2.2V 44-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 135 휘발성 휘발성 4mbit 55 ns SRAM 256k x 16 평행한 55ns
IS42S32800D-7BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32800D-7BLI -
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 ECAD 5268 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 90-TFBGA IS42S32800 sdram 3V ~ 3.6V 90-TFBGA (8x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 240 143 MHz 휘발성 휘발성 256mbit 5.4 ns 음주 8m x 32 평행한 -
IS61VPS102436B-250TQLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61VPS102436B-250TQLI-TR 87.8500
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 ECAD 6611 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 100-lqfp IS61VPS102436 sram-동기, sdr 2.375V ~ 2.625V 100-LQFP (14x20) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 800 250MHz 휘발성 휘발성 36mbit 2.8 ns SRAM 1m x 36 평행한 -
IS42S16160D-7B-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16160D-7B-TR -
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 ECAD 4415 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 54-TFBGA IS42S16160 sdram 3V ~ 3.6V 54-TW-BGA (8x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 2,500 143 MHz 휘발성 휘발성 256mbit 5.4 ns 음주 16m x 16 평행한 -
IS43DR81280C-3DBI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43DR81280C-3DBI-TR -
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 ECAD 5866 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 60-TFBGA IS43DR81280 sdram -ddr2 1.7V ~ 1.9V 60-TWBGA (8x10.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0032 2,000 333 MHz 휘발성 휘발성 1gbit 450 ps 음주 128m x 8 평행한 15ns
IS66WVE4M16ALL-70BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS66WVE4M16ALL-70BLI -
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 ECAD 1562 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-TFBGA IS66WVE4M16 psram (의사 sram) 1.7V ~ 1.95V 48-TFBGA (6x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 480 휘발성 휘발성 64mbit 70 ns psram 4m x 16 평행한 70ns
IS49NLS18160-33WBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS49NLS18160-33WBLI -
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 ECAD 5594 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 144-TFBGA IS49NLS18160 rldram 2 1.7V ~ 1.9V 144-TWBGA (11x18.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0028 104 300MHz 휘발성 휘발성 288mbit 20 ns 음주 16m x 18 평행한 -
IS62WV5128EBLL-45BI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV5128EBLL-45BI-TR -
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 ECAD 2908 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 36-TFBGA IS62WV5128 sram- 비동기 2.2V ~ 3.6V 36-TFBGA (6x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 쓸모없는 1 휘발성 휘발성 4mbit 45 ns SRAM 512k x 8 평행한 45ns
IS45S16800F-7BLA1-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS45S16800F-7BLA1-TR 4.4911
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 ECAD 3395 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 54-TFBGA IS45S16800 sdram 3V ~ 3.6V 54-TFBGA (8x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0002 2,500 143 MHz 휘발성 휘발성 128mbit 5.4 ns 음주 8m x 16 평행한 -
IS42S32200L-6BI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32200L-6BI -
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 ECAD 2608 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 90-TFBGA IS42S32200 sdram 3V ~ 3.6V 90-TFBGA (8x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0002 240 166 MHz 휘발성 휘발성 64mbit 5.4 ns 음주 2m x 32 평행한 -
IS42S16400D-6BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16400D-6BLI-TR -
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 ECAD 7347 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 60-TFBGA IS42S16400 sdram 3V ~ 3.6V 60- 미니 바 (6.4x10.1) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0002 2,500 166 MHz 휘발성 휘발성 64mbit 5 ns 음주 4m x 16 평행한 -
IS42S16160G-6TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16160G-6TLI 7.5262
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 ECAD 3507 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 새로운 새로운 아닙니다 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 54-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) IS42S16160 sdram 3V ~ 3.6V 54-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 108 166 MHz 휘발성 휘발성 256mbit 5.4 ns 음주 16m x 16 평행한 -
IS37SML01G1-LLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS37SML01G1-LLI 4.0752
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 ECAD 9803 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 8-wdfn n 패드 IS37SML01 플래시 -Nand (SLC) 2.7V ~ 3.6V 8-wson (8x6) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 480 104 MHz 비 비 1gbit 8 ns 플래시 128m x 8 SPI -
IS43R16320F-5TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43R16320F-5TLI 5.8923
RFQ
 ECAD 2955 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 66-TSSOP (0.400 ", 10.16mm 너비) IS43R16320 sdram -ddr 2.3V ~ 2.7V 66-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0028 108 200MHz 휘발성 휘발성 512mbit 700 PS 음주 32m x 16 평행한 15ns
IS61LPS102418A-250B3-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LPS102418A-250B3-TR -
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 ECAD 7970 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 165-TBGA IS61LPS102418 sram-동기, sdr 3.135V ~ 3.465V 165-TFBGA (13x15) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 2,000 250MHz 휘발성 휘발성 18mbit 2.6 ns SRAM 1m x 18 평행한 -
IS43DR16320C-25DBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43DR16320C-25DBLI 6.5170
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 ECAD 7724 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 새로운 새로운 아닙니다 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 84-TFBGA IS43DR16320 sdram -ddr2 1.7V ~ 1.9V 84-TWBGA (8x12.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0028 209 400MHz 휘발성 휘발성 512mbit 400 PS 음주 32m x 16 평행한 15ns
IS42S32160B-7TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32160B-7TLI -
RFQ
 ECAD 2000 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 86-TFSOP (0.400 ", 10.16mm 너비) IS42S32160 sdram 3V ~ 3.6V 86-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 108 143 MHz 휘발성 휘발성 512mbit 5.4 ns 음주 16m x 32 평행한 -
IS21TF16G-JCLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS21TF16G-JCLI 33.7200
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 ECAD 107 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 153-VFBGA IS21TF16G 플래시 -Nand (TLC) 2.7V ~ 3.6V 153-VFBGA (11.5x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 706-IS21TF16G-JCLI 3A991B1A 8542.32.0071 152 200MHz 비 비 128gbit 플래시 16g x 8 MMC -
IS43TR85120A-15HBL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR85120A-15HBL-TR 5.8612
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 ECAD 6065 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 0 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 78-TFBGA IS43tr85120 sdram -ddr3 1.425V ~ 1.575V 78-TWBGA (9x10.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 1,500 667 MHz 휘발성 휘발성 4gbit 20 ns 음주 512m x 8 평행한 15ns
IS43TR81280BL-107MBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR81280BL-107MBL -
RFQ
 ECAD 8146 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 78-TFBGA IS43tr81280 sdram -ddr3l 1.283V ~ 1.45V 78-TWBGA (8x10.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0032 242 933 MHz 휘발성 휘발성 1gbit 20 ns 음주 128m x 8 평행한 15ns
IS62WV5128EBLL-45BI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV5128EBLL-45BI -
RFQ
 ECAD 8259 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 36-TFBGA IS62WV5128 sram- 비동기 2.2V ~ 3.6V 36-TFBGA (6x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 쓸모없는 1 휘발성 휘발성 4mbit 45 ns SRAM 512k x 8 평행한 45ns
IS43LD16128B-18BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43LD16128B-18BLI-TR 10.8150
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 ECAD 3120 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 마지막으로 마지막으로 -40 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 134-TFBGA IS43LD16128 sdram -모바일 lpddr2 -s4 1.14V ~ 1.95V 134-TFBGA (10x11.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 2,000 533 MHz 휘발성 휘발성 2gbit 음주 128m x 16 평행한 15ns
IS42S16800F-7BI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16800F-7BI -
RFQ
 ECAD 9813 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 54-TFBGA IS42S16800 sdram 3V ~ 3.6V 54-TFBGA (8x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0002 348 143 MHz 휘발성 휘발성 128mbit 5.4 ns 음주 8m x 16 평행한 -
IS61WV204816BLL-10BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61WV204816BLL-10BLI 24.2500
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 ECAD 2 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-TFBGA IS61WV204816 sram- 비동기 2.4V ~ 3.6V 48-TFBGA (6x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 706-1542 3A991B2A 8542.32.0041 480 휘발성 휘발성 32mbit 10 ns SRAM 2m x 16 평행한 10ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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