- RFQ
- Bom
- 저희에게 연락하십시오
전화 : +86-0755-83501315
- 중국인
- 영어
- 프랑스 국민
- 독일 사람
- 포르투갈 인
- 스페인 사람
- 러시아인
- 일본어
- 한국인
- 아라비아 말
- 아일랜드
- 그리스 사람
- 터키
- 이탈리아 사람
- 덴마크 말
- 루마니아 사람
- 인도네시아 인
- 체코 사람
- 아프리카 어
- 스웨덴어
- 광택
- 바스크 사람
- 카탈로니아 사람
- 에스페란토 말
- 힌디 어
- 라오
- 알바니아
- 암하라
- 아르메니아 사람
- 아제르바이잔
- 벨로루시
- 벵골 사람
- 보스니아 인
- 불가리아 사람
- 세부 노
- Chichewa
- 코르시칸
- 크로아티아
- 네덜란드 사람
- 에스토니아 사람
- 필리핀
- 핀란드
- 프리 시안
- 갈리시아어
- 그루지야 사람
- 구자라트
- 아이티 섬 사람
- 하우사
- 하와이
- 헤브라이 사람
- 몽족
- 헝가리 인
- 아이슬란드
- Igbo
- 자바어
- 칸나다어
- 카자흐
- 크메르
- 쿠르드족
- 키르기즈
- 라틴어
- 라트비아 사람
- 리투아니아 사람
- 룩셈부 ..
- 마케도니아 어
- 마다가스카르 사람
- 말레이 사람
- 말라 얄 람어
- 몰티즈
- 마오리족
- 마라 티
- 몽고 어
- 버마 사람
- 네팔
- 노르웨이 인
- 파슈토
- 페르시아 인
- 펀 자브
- 세르비아 사람
- 세소 토
- 신 할라
- 슬로바키아 사람
- 슬로베니아
- 소말리아
- 사모아
- 스코틀랜드 게 일어
- 쇼나
- 신디
- Sundanese
- 스와 할리
- 태조
- 타밀 사람
- 텔루구 어
- 태국
- 우크라이나 말
- 우르두어
- 우즈벡
- 베트남 사람
- 웨일스 말
- Xhosa
- 이디시어
- 요 루바
- 줄루 족
- Kinyarwanda
- 타타르
- 오리 야
- 투르크멘 말
- uyghur
메모리 (5712)
| 영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 기술 | 전압 - 공급 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 시계 시계 | 메모리 메모리 | 메모리 메모리 | 액세스 액세스 | 메모리 메모리 | 메모리 메모리 | 메모리 메모리 | 쓰기 쓰기 시간 - 단어, 페이지 | sic 프로그램 가능 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | IS61QDPB41M36A1-400B4LI | 75.0000 |  | 2677 | 0.00000000 | ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc | - | 쟁반 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 165-TBGA | IS61QDPB41 | sram-동기, Quadp | 1.71V ~ 1.89V | 165-TFBGA (13x15) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 144 | 400MHz | 휘발성 휘발성 | 36mbit | 8.4 ns | SRAM | 1m x 36 | 평행한 | - | |||
 | IS42VM32800K-6BLI | 6.0380 | | 1523 | 0.00000000 | ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc | - | 쟁반 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 90-TFBGA | IS42VM32800 | sdram- 모바일 | 1.7V ~ 1.95V | 90-TFBGA (8x13) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0024 | 240 | 166 MHz | 휘발성 휘발성 | 256mbit | 5.5 ns | 음주 | 8m x 32 | 평행한 | - | |||
 | IS43R86400D-5BL | 8.4157 | | 9724 | 0.00000000 | ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc | - | 쟁반 | 새로운 새로운 아닙니다 | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | 표면 표면 | 60-TFBGA | IS43R86400 | sdram -ddr | 2.5V ~ 2.7V | 60-TFBGA (8x13) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0028 | 190 | 200MHz | 휘발성 휘발성 | 512mbit | 700 PS | 음주 | 64m x 8 | 평행한 | 15ns | |||
 | IS45S16100E-7BLA1 | - | | 2165 | 0.00000000 | ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc | - | 쟁반 | sic에서 중단되었습니다 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 60-TFBGA | IS45S16100 | sdram | 3V ~ 3.6V | 60-TFBGA (6.4x10.1) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0002 | 286 | 143 MHz | 휘발성 휘발성 | 16mbit | 5.5 ns | 음주 | 1m x 16 | 평행한 | - | |||
 | IS43R16160D-6TL-TR | 3.2757 | | 6953 | 0.00000000 | ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc | - | 테이프 & tr (TR) | 새로운 새로운 아닙니다 | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | 표면 표면 | 66-TSSOP (0.400 ", 10.16mm 너비) | IS43R16160 | sdram -ddr | 2.3V ~ 2.7V | 66-TSOP II | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0024 | 1,500 | 166 MHz | 휘발성 휘발성 | 256mbit | 700 PS | 음주 | 16m x 16 | 평행한 | 15ns | |||
 | IS43LQ32128A-062BLI | - | | 7499 | 0.00000000 | ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc | - | 쟁반 | 활동적인 | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | 표면 표면 | 200-WFBGA | IS43LQ32128 | sdram- 모바일 lpddr4 | 1.06V ~ 1.17V, 1.7V ~ 1.95V | 200-VFBGA (10x14.5) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 706-IS43LQ32128A-062BLI | 귀 99 | 8542.32.0036 | 136 | 1.6GHz | 휘발성 휘발성 | 4gbit | 음주 | 128m x 32 | 평행한 | - | |||
 | IS61QDB42M18C-333M3I | - | | 9825 | 0.00000000 | ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc | - | 쟁반 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 165-lbga | IS61QDB42 | sram-동기, 쿼드 | 1.71V ~ 1.89V | 165-LFBGA (15x17) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 105 | 333 MHz | 휘발성 휘발성 | 36mbit | 8.4 ns | SRAM | 2m x 18 | 평행한 | - | |||
 | IS43DR86400E-25DBL | 3.6400 | | 868 | 0.00000000 | ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc | - | 쟁반 | 활동적인 | 0 ° C ~ 85 ° C (TC) | 표면 표면 | 60-TFBGA | IS43DR86400 | sdram -ddr2 | 1.7V ~ 1.9V | 60-TWBGA (8x10.5) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 706-1558 | 귀 99 | 8542.32.0028 | 242 | 400MHz | 휘발성 휘발성 | 512mbit | 400 PS | 음주 | 64m x 8 | 평행한 | 15ns | ||
 | IS62WV51216ALL-70BI | - | | 1946 | 0.00000000 | ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc | - | 쟁반 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 48-TFBGA | IS62WV51216 | sram- 비동기 | 2.5V ~ 3.6V | 48-TFBGA (6x8) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 312 | 휘발성 휘발성 | 8mbit | 70 ns | SRAM | 512k x 16 | 평행한 | 70ns | ||||
 | IS62WV10248HBLL-45TLI | 5.3900 | | 6841 | 0.00000000 | ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc | - | 대부분 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 44-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) | sram- 비동기 | 2.2V ~ 3.6V | 44-TSOP II | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 706-IS62WV10248HBLL-45TLI | 135 | 휘발성 휘발성 | 8mbit | 45 ns | SRAM | 1m x 8 | 평행한 | 45ns | |||||||
| IS61QDB42M18-250M3 | - | | 6649 | 0.00000000 | ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc | - | 쟁반 | sic에서 중단되었습니다 | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | 표면 표면 | 165-lbga | IS61QDB42 | sram-동기, 쿼드 | 1.71V ~ 1.89V | 165-LFBGA (15x17) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 105 | 250MHz | 휘발성 휘발성 | 36mbit | 7.5 ns | SRAM | 2m x 18 | 평행한 | - | |||
 | IS49RL36160A-093EBL | 88.0700 | | 119 | 0.00000000 | ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc | - | 쟁반 | 활동적인 | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | 표면 표면 | 168-lbga | IS49RL36160 | rldram 3 | 1.28V ~ 1.42V | 168-FBGA (13.5x13.5) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 706-IS49RL36160A-093EBL | 귀 99 | 8542.32.0032 | 119 | 1.066 GHz | 휘발성 휘발성 | 576mbit | 7.5 ns | 음주 | 16m x 36 | 평행한 | - | ||
 | IS62WV12816BLL-55TI-TR | - | | 7901 | 0.00000000 | ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 44-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) | IS62WV12816 | sram- 비동기 | 2.5V ~ 3.6V | 44-TSOP II | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1,000 | 휘발성 휘발성 | 2mbit | 55 ns | SRAM | 128k x 16 | 평행한 | 55ns | ||||
 | IS43DR16640C-3DBI-TR | - | | 7425 | 0.00000000 | ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 84-TFBGA | IS43DR16640 | sdram -ddr2 | 1.7V ~ 1.9V | 84-TWBGA (8x12.5) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0032 | 2,500 | 333 MHz | 휘발성 휘발성 | 1gbit | 450 ps | 음주 | 64m x 16 | 평행한 | 15ns | |||
 | IS46TR16256A-15HBLA1-TR | - | | 9290 | 0.00000000 | ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | 표면 표면 | 96-TFBGA | IS46TR16256 | sdram -ddr3 | 1.425V ~ 1.575V | 96-TWBGA (9x13) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0036 | 1,500 | 667 MHz | 휘발성 휘발성 | 4gbit | 20 ns | 음주 | 256m x 16 | 평행한 | 15ns | |||
| IS42S32160D-6BL-TR | 13.3800 | | 1964 | 0.00000000 | ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc | - | 테이프 & tr (TR) | 새로운 새로운 아닙니다 | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | 표면 표면 | 90-TFBGA | IS42S32160 | sdram | 3V ~ 3.6V | 90-TFBGA (8x13) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0028 | 2,500 | 166 MHz | 휘발성 휘발성 | 512mbit | 5.4 ns | 음주 | 16m x 32 | 평행한 | - | 확인되지 확인되지 | ||
 | IS42S16400F-7BLI | - | | 6024 | 0.00000000 | ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc | - | 쟁반 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 54-TFBGA | IS42S16400 | sdram | 3V ~ 3.6V | 54-TFBGA (8x8) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0002 | 348 | 143 MHz | 휘발성 휘발성 | 64mbit | 5.4 ns | 음주 | 4m x 16 | 평행한 | - | |||
| IS42SM16400M-75BLI-TR | 2.8808 | | 6709 | 0.00000000 | ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 54-TFBGA | IS42SM16400 | sdram- 모바일 | 3V ~ 3.6V | 54-TFBGA (8x8) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B2A | 8542.32.0002 | 2,500 | 133 MHz | 휘발성 휘발성 | 64mbit | 6 ns | 음주 | 4m x 16 | 평행한 | - | |||
 | IS25LD020-JDLE-TR | - | | 4938 | 0.00000000 | ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | 표면 표면 | 8-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) | IS25LD020 | 플래시 | 2.3V ~ 3.6V | 8-tssop | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0071 | 3,500 | 100MHz | 비 비 | 2mbit | 플래시 | 256k x 8 | SPI | 5ms | ||||
| IS43TR16640B-15GBLI | - | | 6224 | 0.00000000 | ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc | - | 쟁반 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | 표면 표면 | 96-TFBGA | IS43tr16640 | sdram -ddr3 | 1.425V ~ 1.575V | 96-TWBGA (9x13) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0032 | 190 | 667 MHz | 휘발성 휘발성 | 1gbit | 20 ns | 음주 | 64m x 16 | 평행한 | 15ns | |||
 | IS61LV6416-10KLI-TR | - | | 7989 | 0.00000000 | ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 44-BSOJ (0.400 ", 10.16mm 너비) | IS61LV6416 | sram- 비동기 | 3.135V ~ 3.6V | 44-SOJ | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 800 | 휘발성 휘발성 | 1mbit | 10 ns | SRAM | 64k x 16 | 평행한 | 10ns | ||||
| IS45S32400F-6BLA1 | 6.9670 | | 1821 | 0.00000000 | ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc | - | 쟁반 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 90-TFBGA | IS45S32400 | sdram | 3V ~ 3.6V | 90-TFBGA (8x13) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0002 | 240 | 166 MHz | 휘발성 휘발성 | 128mbit | 5.4 ns | 음주 | 4m x 32 | 평행한 | - | |||
 | IS62LV256-70UI-TR | - | | 2578 | 0.00000000 | ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 28-SOP | IS62LV256 | sram- 비동기 | 3.135V ~ 3.465V | 28-SOP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0041 | 1,000 | 휘발성 휘발성 | 256kbit | 70 ns | SRAM | 32k x 8 | 평행한 | 70ns | ||||
| IS45S32200L-7BLA2-TR | 5.7900 | | 5626 | 0.00000000 | ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | 표면 표면 | 90-TFBGA | IS45S32200 | sdram | 3V ~ 3.6V | 90-TFBGA (8x13) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0002 | 2,500 | 143 MHz | 휘발성 휘발성 | 64mbit | 5.4 ns | 음주 | 2m x 32 | 평행한 | - | |||
| IS43R16160F-6BL-TR | 3.6992 | | 3721 | 0.00000000 | ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | 표면 표면 | 60-TFBGA | IS43R16160 | sdram -ddr | 2.3V ~ 2.7V | 60-TFBGA (8x13) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0024 | 2,500 | 166 MHz | 휘발성 휘발성 | 256mbit | 700 PS | 음주 | 16m x 16 | 평행한 | 15ns | |||
| IS42S32400B-7BLI-TR | - | | 3292 | 0.00000000 | ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 90-TFBGA | IS42S32400 | sdram | 3V ~ 3.6V | 90-TFBGA (8x13) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0002 | 2,500 | 143 MHz | 휘발성 휘발성 | 128mbit | 5.4 ns | 음주 | 4m x 32 | 평행한 | - | |||
| IS43DR16320E-25DBLI-TR | 4.3084 | | 5690 | 0.00000000 | ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 84-TFBGA | IS43DR16320 | sdram -ddr2 | 1.7V ~ 1.9V | 84-TWBGA (8x12.5) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0028 | 2,500 | 400MHz | 휘발성 휘발성 | 512mbit | 400 PS | 음주 | 32m x 16 | 평행한 | 15ns | |||
| IS43TR16640BL-125KBLI | - | | 7371 | 0.00000000 | ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc | - | 쟁반 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | 표면 표면 | 96-TFBGA | IS43tr16640 | sdram -ddr3l | 1.283V ~ 1.45V | 96-TWBGA (9x13) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0032 | 190 | 800MHz | 휘발성 휘발성 | 1gbit | 20 ns | 음주 | 64m x 16 | 평행한 | 15ns | |||
 | IS62WVS2568FBLL-20NLI-TR | 2.3595 | | 6567 | 0.00000000 | ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | IS62WVS2568 | sram-동기, sdr | 2.2V ~ 3.6V | 8-SOIC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 3,000 | 20MHz | 휘발성 휘발성 | 2mbit | SRAM | 256k x 8 | spi-쿼드 i/o, sdi, dtr | - | ||||
 | IS43LD16640A-3BLI-TR | - | | 9846 | 0.00000000 | ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc | - | 테이프 & tr (TR) | sic에서 중단되었습니다 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 134-TFBGA | IS43LD16640 | sdram- 모바일 lpddr2 | 1.14V ~ 1.95V | 134-TFBGA (10x11.5) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0032 | 1,200 | 333 MHz | 휘발성 휘발성 | 1gbit | 음주 | 64m x 16 | 평행한 | 15ns |
2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m2
재고 창고
위시리스트 (0 항목)