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IS25LQ020B-JDLE ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LQ020B-JDE -
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 ECAD 4420 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 8-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) IS25LQ020 플래시 - 아니오 2.3V ~ 3.6V 8-tssop 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 100 104 MHz 비 비 2mbit 플래시 256k x 8 spi-쿼드 i/o 800µs
IS46DR16320D-3DBLA1 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46DR16320D-3DBLA1 6.4315
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 ECAD 4911 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 새로운 새로운 아닙니다 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 84-TFBGA IS46DR16320 sdram -ddr2 1.7V ~ 1.9V 84-TWBGA (8x12.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0028 209 333 MHz 휘발성 휘발성 512mbit 450 ps 음주 32m x 16 평행한 15ns
IS61QDPB22M18A-333M3L ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61QDPB22M18A-333M3L 71.5551
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 ECAD 8467 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 165-lbga IS61QDPB22 sram-동기, Quadp 1.71V ~ 1.89V 165-LFBGA (13x15) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 105 333 MHz 휘발성 휘발성 36mbit 8.4 ns SRAM 2m x 18 평행한 -
IS25LP016D-JKLE-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LP016D-JKLE-TR 1.1100
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 ECAD 15 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 8-wdfn n 패드 IS25LP016 플래시 - 아니오 2.3V ~ 3.6V 8-wson (6x5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 4,500 133 MHz 비 비 16mbit 플래시 2m x 8 spi-쿼드 i/o, qpi, dtr 800µs
IS43DR81280C-3DBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43DR81280C-3DBLI 7.4100
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 ECAD 9419 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 60-TFBGA IS43DR81280 sdram -ddr2 1.7V ~ 1.9V 60-TWBGA (8x10.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 706-1577 귀 99 8542.32.0032 242 333 MHz 휘발성 휘발성 1gbit 450 ps 음주 128m x 8 평행한 15ns
IS43R16320E-6BI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43R16320E-6BI-TR -
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 ECAD 5548 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 60-TFBGA IS43R16320 sdram -ddr 2.3V ~ 2.7V 60-TFBGA (8x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0028 2,500 166 MHz 휘발성 휘발성 512mbit 700 PS 음주 32m x 16 평행한 15ns
IS62WV12816DBLL-45TLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV12816DBLL-45TLI-TR -
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 ECAD 7024 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 44-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) IS62WV12816 sram- 비동기 2.5V ~ 3.6V 44-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 1,000 휘발성 휘발성 2mbit 45 ns SRAM 128k x 16 평행한 45ns
IS61QDPB41M36A1-400B4LI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61QDPB41M36A1-400B4LI 75.0000
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 ECAD 2677 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 165-TBGA IS61QDPB41 sram-동기, Quadp 1.71V ~ 1.89V 165-TFBGA (13x15) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 144 400MHz 휘발성 휘발성 36mbit 8.4 ns SRAM 1m x 36 평행한 -
IS63WV1024BLL-12JLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS63WV1024BLL-12JLI-TR 1.7660
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 ECAD 4779 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 32-BSOJ (0.300 ", 7.62mm 너비) IS63WV1024 sram- 비동기 3V ~ 3.6V 32-SOJ 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2B 8542.32.0041 1,000 휘발성 휘발성 1mbit 12 ns SRAM 128k x 8 평행한 12ns
IS66WVS4M8ALL-104NLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS66WVS4M8ALL-104NLI 3.6600
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 ECAD 395 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) IS66WVS4M8 psram (의사 sram) 1.65V ~ 1.95V 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 706-IS66WVS4M8ALL-104NLI 3A991B2A 8542.32.0041 100 104 MHz 휘발성 휘발성 32mbit 7 ns psram 4m x 8 SPI, QPI -
IS43LQ32640A-062TBLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43LQ32640A-062TBLI-TR 9.2036
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 ECAD 2418 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 200-TFBGA sdram- 모바일 lpddr4 1.06V ~ 1.17V, 1.7V ~ 1.95V 200-TFBGA (10x14.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 706-IS43LQ32640A-062TBLI-TR 2,500 1.6GHz 휘발성 휘발성 2gbit 3.5 ns 음주 64m x 32 lvstl 18ns
IS42S16400J-7B2LI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16400J-7B2LI-TR 2.8644
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 ECAD 4580 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 60-TFBGA IS42S16400 sdram 3V ~ 3.6V 60-TFBGA (6.4x10.1) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0002 2,500 143 MHz 휘발성 휘발성 64mbit 5.4 ns 음주 4m x 16 평행한 -
IS45S16320D-7BLA1-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS45S16320D-7BLA1-TR 19.4700
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 ECAD 3487 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 54-TFBGA IS45S16320 sdram 3V ~ 3.6V 54-TFBGA (8x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0032 2,500 143 MHz 휘발성 휘발성 512mbit 5.4 ns 음주 32m x 16 평행한 -
IS46TR16640BL-125KBLA3 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46TR16640BL-125KBLA3 -
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 ECAD 6864 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc 자동차, AEC-Q100 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 125 ° C (TC) 표면 표면 96-TFBGA IS46TR16640 sdram -ddr3l 1.283V ~ 1.45V 96-TWBGA (9x13) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 706-IS46TR16640BL-125KBLA3 귀 99 8542.32.0032 190 800MHz 휘발성 휘발성 1gbit 20 ns 음주 64m x 16 평행한 15ns
IS46LQ16128A-062BLA1 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46LQ16128A-062BLA1 -
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 ECAD 3510 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc 자동차, AEC-Q100 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 200-WFBGA sdram- 모바일 lpddr4 1.06V ~ 1.17V, 1.7V ~ 1.95V 200-VFBGA (10x14.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 706-IS46LQ16128A-062BLA1 136 1.6GHz 휘발성 휘발성 2gbit 3.5 ns 음주 128m x 16 lvstl 18ns
IS49NLS18160-25B ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS49NLS18160-25B -
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 ECAD 4202 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 144-TFBGA IS49NLS18160 rldram 2 1.7V ~ 1.9V 144-FCBGA (11x18.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0032 104 400MHz 휘발성 휘발성 288mbit 20 ns 음주 16m x 18 평행한 -
IS43R16160D-6TL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43R16160D-6TL-TR 3.2757
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 ECAD 6953 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 66-TSSOP (0.400 ", 10.16mm 너비) IS43R16160 sdram -ddr 2.3V ~ 2.7V 66-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 1,500 166 MHz 휘발성 휘발성 256mbit 700 PS 음주 16m x 16 평행한 15ns
IS61QDPB42M18A-400M3I ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61QDPB42M18A-400M3I -
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 ECAD 8245 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 165-lbga IS61QDPB42 sram-동기, Quadp 1.71V ~ 1.89V 165-LFBGA (15x17) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 105 400MHz 휘발성 휘발성 36mbit 8.4 ns SRAM 2m x 18 평행한 -
IS34ML02G084-TLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS34ML02G084-TLI-TR 4.8842
RFQ
 ECAD 1662 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) IS34ml02 플래시 -Nand (SLC) 2.7V ~ 3.6V 48-tsop i 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,500 비 비 2gbit 25 ns 플래시 256m x 8 평행한 25ns
IS43LR32800H-6BL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43LR32800H-6BL-TR 4.4761
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 ECAD 8721 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 90-TFBGA sdram- 모바일 lpddr 1.7V ~ 1.95V 90-TFBGA (8x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 706-IS43LR32800H-6BL-TR 2,500 166 MHz 휘발성 휘발성 256mbit 5.5 ns 음주 8m x 32 LVCMOS 15ns
IS62WV25616BLL-55TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV25616BLL-55TLI 4.1800
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 ECAD 3 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 44-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) IS62WV25616 sram- 비동기 2.5V ~ 3.6V 44-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 135 휘발성 휘발성 4mbit 55 ns SRAM 256k x 16 평행한 55ns
IS61QDB251236A-250M3L ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61QDB251236A-250M3L 32.3796
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 ECAD 4700 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 165-lbga IS61QDB251236 sram-동기, 쿼드 1.71V ~ 1.89V 165-LFBGA (15x17) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 105 250MHz 휘발성 휘발성 18mbit SRAM 512k x 36 평행한 -
IS25WP040E-JBLE ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25WP040E-JBLE 0.4261
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 ECAD 9254 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.209 ", 5.30mm 너비) IS25WP040 플래시 - 아니오 1.7V ~ 1.95V 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 706-IS25WP040E-JBLE 귀 99 8542.32.0071 90 104 MHz 비 비 4mbit 8 ns 플래시 512k x 8 spi-쿼드 i/o, qpi, dtr 1.2ms
IS43LR32800F-6BL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43LR32800F-6BL-TR -
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 ECAD 8135 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 90-TFBGA IS43LR32800 sdram- 모바일 lpddr 1.7V ~ 1.95V 90-TFBGA (8x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 2,500 166 MHz 휘발성 휘발성 256mbit 5.5 ns 음주 8m x 32 평행한 15ns
IS64LPS204818B-166TQLA3 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS64LPS204818B-166TQLA3 132.3258
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 ECAD 9494 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 100-lqfp IS64LPS204818 sram-동기, sdr 3.135V ~ 3.465V 100-LQFP (14x20) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 72 166 MHz 휘발성 휘발성 36mbit 3.8 ns SRAM 2m x 18 평행한 -
IS42S32400F-7BI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32400F-7BI -
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 ECAD 8427 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 90-TFBGA IS42S32400 sdram 3V ~ 3.6V 90-TFBGA (8x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0002 240 143 MHz 휘발성 휘발성 128mbit 음주 4m x 32 평행한 -
IS43LD32640C-25BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43LD32640C-25BLI -
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 ECAD 5824 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 134-TFBGA sdram -모바일 lpddr2 -s4 1.14V ~ 1.3V, 1.7V ~ 1.95V 134-TFBGA (10x11.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 706-IS43LD32640C-25BLI 171 400MHz 휘발성 휘발성 2gbit 5.5 ns 음주 64m x 32 HSUL_12 15ns
IS42S16800E-7BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16800E-7BLI-TR -
RFQ
 ECAD 4953 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 54-TFBGA IS42S16800 sdram 3V ~ 3.6V 54-TFBGA (8x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0002 2,500 143 MHz 휘발성 휘발성 128mbit 5.4 ns 음주 8m x 16 평행한 -
IS43R86400D-5BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43R86400D-5BLI-TR 8.9850
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 ECAD 9622 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 60-TFBGA IS43R86400 sdram -ddr 2.5V ~ 2.7V 60-TFBGA (8x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0028 2,500 200MHz 휘발성 휘발성 512mbit 700 PS 음주 64m x 8 평행한 15ns
IS61C64AL-10JLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61C64AL-10JLI-TR 1.2505
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 ECAD 5203 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 28-BSOJ (0.300 ", 7.62mm 너비) IS61C64 sram- 비동기 4.75V ~ 5.25V 28-SOJ 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0041 1,000 휘발성 휘발성 64kbit 10 ns SRAM 8k x 8 평행한 10ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

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