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IS63WV1024BLL-12JLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS63WV1024BLL-12JLI-TR 1.7660
RFQ
 ECAD 4779 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 32-BSOJ (0.300 ", 7.62mm 너비) IS63WV1024 sram- 비동기 3V ~ 3.6V 32-SOJ 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2B 8542.32.0041 1,000 휘발성 휘발성 1mbit 12 ns SRAM 128k x 8 평행한 12ns
IS46LQ16128A-062BLA1 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46LQ16128A-062BLA1 -
RFQ
 ECAD 3510 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc 자동차, AEC-Q100 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 200-WFBGA sdram- 모바일 lpddr4 1.06V ~ 1.17V, 1.7V ~ 1.95V 200-VFBGA (10x14.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 706-IS46LQ16128A-062BLA1 136 1.6GHz 휘발성 휘발성 2gbit 3.5 ns 음주 128m x 16 lvstl 18ns
IS61QDB251236A-250M3L ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61QDB251236A-250M3L 32.3796
RFQ
 ECAD 4700 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 165-lbga IS61QDB251236 sram-동기, 쿼드 1.71V ~ 1.89V 165-LFBGA (15x17) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 105 250MHz 휘발성 휘발성 18mbit SRAM 512k x 36 평행한 -
IS25WX128-JHLE ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25WX128-JHLE 3.3203
RFQ
 ECAD 3870 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 24-TBGA IS25WX128 플래시 1.7V ~ 2V 24-TFBGA (6x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 706-IS25WX128-JHLE 3A991B1A 8542.32.0071 480 200MHz 비 비 128mbit 플래시 16m x 8 SPI -OCTAL I/O -
IS61C64AL-10JLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61C64AL-10JLI-TR 1.2505
RFQ
 ECAD 5203 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 28-BSOJ (0.300 ", 7.62mm 너비) IS61C64 sram- 비동기 4.75V ~ 5.25V 28-SOJ 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0041 1,000 휘발성 휘발성 64kbit 10 ns SRAM 8k x 8 평행한 10ns
IS43LR32800F-6BL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43LR32800F-6BL-TR -
RFQ
 ECAD 8135 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 90-TFBGA IS43LR32800 sdram- 모바일 lpddr 1.7V ~ 1.95V 90-TFBGA (8x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 2,500 166 MHz 휘발성 휘발성 256mbit 5.5 ns 음주 8m x 32 평행한 15ns
IS42S32400F-7BI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32400F-7BI -
RFQ
 ECAD 8427 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 90-TFBGA IS42S32400 sdram 3V ~ 3.6V 90-TFBGA (8x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0002 240 143 MHz 휘발성 휘발성 128mbit 음주 4m x 32 평행한 -
IS43LR32800H-6BL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43LR32800H-6BL-TR 4.4761
RFQ
 ECAD 8721 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 90-TFBGA sdram- 모바일 lpddr 1.7V ~ 1.95V 90-TFBGA (8x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 706-IS43LR32800H-6BL-TR 2,500 166 MHz 휘발성 휘발성 256mbit 5.5 ns 음주 8m x 32 LVCMOS 15ns
IS34ML02G084-TLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS34ML02G084-TLI-TR 4.8842
RFQ
 ECAD 1662 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) IS34ml02 플래시 -Nand (SLC) 2.7V ~ 3.6V 48-tsop i 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,500 비 비 2gbit 25 ns 플래시 256m x 8 평행한 25ns
IS25WP040E-JBLE ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25WP040E-JBLE 0.4261
RFQ
 ECAD 9254 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.209 ", 5.30mm 너비) IS25WP040 플래시 - 아니오 1.7V ~ 1.95V 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 706-IS25WP040E-JBLE 귀 99 8542.32.0071 90 104 MHz 비 비 4mbit 8 ns 플래시 512k x 8 spi-쿼드 i/o, qpi, dtr 1.2ms
IS62WV25616BLL-55TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV25616BLL-55TLI 4.1800
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 44-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) IS62WV25616 sram- 비동기 2.5V ~ 3.6V 44-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 135 휘발성 휘발성 4mbit 55 ns SRAM 256k x 16 평행한 55ns
IS64LPS204818B-166TQLA3 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS64LPS204818B-166TQLA3 132.3258
RFQ
 ECAD 9494 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 100-lqfp IS64LPS204818 sram-동기, sdr 3.135V ~ 3.465V 100-LQFP (14x20) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 72 166 MHz 휘발성 휘발성 36mbit 3.8 ns SRAM 2m x 18 평행한 -
IS43TR16640B-125JBLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR16640B-125JBLI-TR -
RFQ
 ECAD 7248 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 96-TFBGA IS43tr16640 sdram -ddr3 1.425V ~ 1.575V 96-TWBGA (9x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0032 1,500 800MHz 휘발성 휘발성 1gbit 20 ns 음주 64m x 16 평행한 15ns
IS43TR81024BL-125KBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR81024BL-125KBLI 28.7000
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 78-TFBGA IS43tr81024 sdram -ddr3l 1.283V ~ 1.45V 78-TWBGA (10x14) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 706-IS43TR81024BL-125KBLI 귀 99 8542.32.0036 136 800MHz 휘발성 휘발성 8gbit 20 ns 음주 1g x 8 평행한 15ns
IS42S16800F-7BL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16800F-7BL-TR 2.1838
RFQ
 ECAD 4973 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 54-TFBGA IS42S16800 sdram 3V ~ 3.6V 54-TFBGA (8x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0002 2,500 143 MHz 휘발성 휘발성 128mbit 5.4 ns 음주 8m x 16 평행한 -
IS49NLS18160-25B ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS49NLS18160-25B -
RFQ
 ECAD 4202 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 144-TFBGA IS49NLS18160 rldram 2 1.7V ~ 1.9V 144-FCBGA (11x18.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0032 104 400MHz 휘발성 휘발성 288mbit 20 ns 음주 16m x 18 평행한 -
IS43LD32640C-25BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43LD32640C-25BLI -
RFQ
 ECAD 5824 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 134-TFBGA sdram -모바일 lpddr2 -s4 1.14V ~ 1.3V, 1.7V ~ 1.95V 134-TFBGA (10x11.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 706-IS43LD32640C-25BLI 171 400MHz 휘발성 휘발성 2gbit 5.5 ns 음주 64m x 32 HSUL_12 15ns
IS42S16800E-7BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16800E-7BLI-TR -
RFQ
 ECAD 4953 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 54-TFBGA IS42S16800 sdram 3V ~ 3.6V 54-TFBGA (8x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0002 2,500 143 MHz 휘발성 휘발성 128mbit 5.4 ns 음주 8m x 16 평행한 -
IS43R86400D-5BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43R86400D-5BLI-TR 8.9850
RFQ
 ECAD 9622 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 60-TFBGA IS43R86400 sdram -ddr 2.5V ~ 2.7V 60-TFBGA (8x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0028 2,500 200MHz 휘발성 휘발성 512mbit 700 PS 음주 64m x 8 평행한 15ns
IS43LD32128A-25BPLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43LD32128A-25BPLI -
RFQ
 ECAD 7721 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 168-VFBGA IS43LD32128 sdram -모바일 lpddr2 -s4 1.14V ~ 1.3V, 1.7V ~ 1.95V 168-VFBGA (12x12) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 706-IS43LD32128A-25BPLI 귀 99 8542.32.0036 100 400MHz 휘발성 휘발성 4gbit 음주 128m x 32 평행한 15ns
IS61LF12836A-7.5TQLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LF12836A-7.5TQLI 10.4000
RFQ
 ECAD 114 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 100-lqfp IS61LF12836 sram-동기, sdr 3.135V ~ 3.6V 100-LQFP (14x20) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 72 117 MHz 휘발성 휘발성 4.5mbit 7.5 ns SRAM 128k x 36 평행한 -
IS63LV1024L-12BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS63LV1024L-12BLI-TR -
RFQ
 ECAD 5455 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 36-TFBGA IS63LV1024 sram- 비동기 3.15V ~ 3.45V 36- 미니 바 (8x10) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2B 8542.32.0041 2,500 휘발성 휘발성 1mbit 12 ns SRAM 128k x 8 평행한 12ns
IS42VM32160D-75BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42VM32160D-75BLI-TR -
RFQ
 ECAD 3245 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 90-TFBGA IS42VM32160 sdram- 모바일 1.7V ~ 1.95V 90-TFBGA (8x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0028 2,500 133 MHz 휘발성 휘발성 512mbit 6 ns 음주 16m x 32 평행한 -
IS43R16160D-5TL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43R16160D-5TL-TR 3.4412
RFQ
 ECAD 3875 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 66-TSSOP (0.400 ", 10.16mm 너비) IS43R16160 sdram -ddr 2.3V ~ 2.7V 66-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 1,500 200MHz 휘발성 휘발성 256mbit 700 PS 음주 16m x 16 평행한 15ns
IS42S16160D-75ETL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16160D-75ETL -
RFQ
 ECAD 4639 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 54-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) IS42S16160 sdram 3V ~ 3.6V 54-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 108 133 MHz 휘발성 휘발성 256mbit 5.5 ns 음주 16m x 16 평행한 -
IS45S16160J-6TLA1 -TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS45S16160J -6TLA1 -tr 4.3887
RFQ
 ECAD 2524 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 54-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) IS45S16160 sdram 3V ~ 3.6V 54-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 1,500 166 MHz 휘발성 휘발성 256mbit 5.4 ns 음주 16m x 16 평행한 -
IS61NVP51236B-200TQLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61NVP51236B-200TQLI-TR 14.2500
RFQ
 ECAD 3178 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 100-lqfp IS61NVP51236 sram-동기, sdr 2.375V ~ 2.625V 100-LQFP (14x20) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 800 200MHz 휘발성 휘발성 18mbit 3 ns SRAM 512k x 36 평행한 -
IS46LQ16128A-062TBLA2 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46LQ16128A-062TBLA2 11.6916
RFQ
 ECAD 4969 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc 자동차, AEC-Q100 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TC) 표면 표면 200-TFBGA sdram- 모바일 lpddr4 1.06V ~ 1.17V, 1.7V ~ 1.95V 200-TFBGA (10x14.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 706-IS46LQ16128A-062TBLA2 136 1.6GHz 휘발성 휘발성 2gbit 3.5 ns 음주 128m x 16 lvstl 18ns
IS62C256AL-45TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62C256AL-45TLI 1.5200
RFQ
 ECAD 919 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 28-TSSOP (0.465 ", 11.80mm 너비) IS62C256 sram- 비동기 4.5V ~ 5.5V 28-tsop i 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0041 234 휘발성 휘발성 256kbit 45 ns SRAM 32k x 8 평행한 45ns
IS64WV20488BLL-10CTLA3 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS64WV2048BLL-10CTLA3 25.7125
RFQ
 ECAD 3213 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 44-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) IS64WV20488 sram- 비동기 2.4V ~ 3.6V 44-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 135 휘발성 휘발성 16mbit 10 ns SRAM 2m x 8 평행한 10ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

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