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IS61LPS102418B-200TQLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LPS102418B-200TQLI 17.2425
RFQ
 ECAD 4475 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 100-lqfp IS61LPS102418 sram-동기, sdr 3.135V ~ 3.465V 100-LQFP (14x20) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 72 200MHz 휘발성 휘발성 18mbit 3 ns SRAM 1m x 18 평행한 -
IS64WV102416BLL-10MLA3 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS64WV102416BLL-10MLA3 26.2419
RFQ
 ECAD 2657 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 48-TFBGA IS64WV102416 sram- 비동기 2.4V ~ 3.6V 48- 바 미니 (9x11) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 210 휘발성 휘발성 16mbit 10 ns SRAM 1m x 16 평행한 10ns
IS43LR16200D-6BL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43LR16200D-6BL 2.6732
RFQ
 ECAD 6198 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 60-TFBGA IS43LR16200 sdram- 모바일 lpddr 1.7V ~ 1.95V 60-TFBGA (8x10) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0002 240 166 MHz 휘발성 휘발성 32mbit 5.5 ns 음주 2m x 16 평행한 15ns
IS42S86400F-7TLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S86400F-7TLI-TR 12.0000
RFQ
 ECAD 8897 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 54-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) IS42S86400 sdram 3V ~ 3.6V 54-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0028 1,500 143 MHz 휘발성 휘발성 512mbit 5.4 ns 음주 64m x 8 평행한 -
IS61NVP51236B-200TQLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61NVP51236B-200TQLI-TR 14.2500
RFQ
 ECAD 3178 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 100-lqfp IS61NVP51236 sram-동기, sdr 2.375V ~ 2.625V 100-LQFP (14x20) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 800 200MHz 휘발성 휘발성 18mbit 3 ns SRAM 512k x 36 평행한 -
IS64WV6416BLL-15TA3-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS64WV6416BLL-15TA3-TR -
RFQ
 ECAD 7840 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 44-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) IS64WV6416 sram- 비동기 2.5V ~ 3.6V 44-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0041 1,000 휘발성 휘발성 1mbit 15 ns SRAM 64k x 16 평행한 15ns
IS45S16100E-7TLA1 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS45S16100E-7TLA1 -
RFQ
 ECAD 3819 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 sic에서 중단되었습니다 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 50TSOP (0.400 ", 10.16mm 너비) IS45S16100 sdram 3V ~ 3.6V 50-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0002 117 143 MHz 휘발성 휘발성 16mbit 5.5 ns 음주 1m x 16 평행한 -
IS42RM16200D-6BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42RM16200D-6BLI 2.4745
RFQ
 ECAD 9655 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 54-TFBGA IS42RM16200 sdram- 모바일 2.3V ~ 2.7V 54-TFBGA (8x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0002 348 166 MHz 휘발성 휘발성 32mbit 6 ns 음주 2m x 16 평행한 -
IS25WJ032F-JTLE-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25WJ032F-JTLE-TR 1.1100
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 ECAD 4 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 8-udfn n 패드 IS25WJ032F 플래시 - 아니오 1.65V ~ 1.95V 8- 호스 (4x3) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 5,000 133 MHz 비 비 32mbit 6 ns 플래시 4m x 8 spi-쿼드 i/o, qpi, dtr 1.6ms
IS25WP256E-JLLE ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25WP256E-JLLE 4.0444
RFQ
 ECAD 5161 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc 자동차, AEC-Q100 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 8-wdfn n 패드 플래시 - 아니오 (SLC) 1.7V ~ 1.95V 8-wson (8x6) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 706-IS25WP256E-JLLE 480 166 MHz 비 비 256mbit 플래시 32m x 8 spi-쿼드 i/o, qpi, dtr 50µs, 1ms
IS61NLF102418-6.5B3-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61NLF102418-6.5B3-TR -
RFQ
 ECAD 3319 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 165-TBGA IS61NLF102418 sram-동기, sdr 3.135V ~ 3.465V 165-TFBGA (13x15) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 2,000 133 MHz 휘발성 휘발성 18mbit 6.5 ns SRAM 1m x 18 평행한 -
IS25WP080D-JNLE ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25WP080D-JNLE 0.8600
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) IS25WP080 플래시 - 아니오 1.65V ~ 1.95V 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 100 133 MHz 비 비 8mbit 플래시 1m x 8 spi-쿼드 i/o, qpi, dtr 800µs
IS45S16320D-7CTLA1 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS45S16320D-7CTLA1 20.0828
RFQ
 ECAD 4678 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 새로운 새로운 아닙니다 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 54-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) IS45S16320 sdram 3V ~ 3.6V 54-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0032 108 143 MHz 휘발성 휘발성 512mbit 5.4 ns 음주 32m x 16 평행한 -
IS43LR32400F-6BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43LR32400F-6BLI -
RFQ
 ECAD 9461 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 90-TFBGA IS43LR32400 sdram- 모바일 lpddr 1.7V ~ 1.95V 90-TFBGA (8x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0002 240 166 MHz 휘발성 휘발성 128mbit 5.5 ns 음주 4m x 32 평행한 15ns
IS62WV25616ECLL-35TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV25616ECLL-35TLI 4.1774
RFQ
 ECAD 6952 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 44-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) sram- 비동기 3.135V ~ 3.465V 44-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 706-IS62WV25616ECLL-35TLI 135 휘발성 휘발성 4mbit 35 ns SRAM 256k x 16 평행한 35ns
IS41LV16105D-50KLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS41LV16105D-50KLI-TR -
RFQ
 ECAD 8879 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 42-BSOJ (0.400 ", 10.16mm 너비) IS41LV16105 dram -fp 3V ~ 3.6V 42-SOJ 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0002 1,000 휘발성 휘발성 16mbit 25 ns 음주 1m x 16 평행한 -
IS41C16105C-50KLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS41C16105C-50KLI -
RFQ
 ECAD 6552 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 42-BSOJ (0.400 ", 10.16mm 너비) IS41C16105 dram -fp 4.5V ~ 5.5V 42-SOJ 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0002 16 휘발성 휘발성 16mbit 25 ns 음주 1m x 16 평행한 -
IS65C1024AL-45TLA3 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS65C1024AL-45TLA3 4.3530
RFQ
 ECAD 4218 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 32-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) IS65C1024 sram- 비동기 4.5V ~ 5.5V 32-tsop i 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0041 156 휘발성 휘발성 1mbit 45 ns SRAM 128k x 8 평행한 45ns
IS25LQ010B-JNLE ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LQ010B-JNLE -
RFQ
 ECAD 4301 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 대부분 쓸모없는 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) IS25LQ010 플래시 - 아니오 2.3V ~ 3.6V 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 706-1322 귀 99 8542.32.0071 100 104 MHz 비 비 1mbit 플래시 128k x 8 spi-쿼드 i/o 800µs
IS63LV1024-8KI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS63LV1024-8KI -
RFQ
 ECAD 5111 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 32-BSOJ (0.400 ", 10.16mm 너비) IS63LV1024 sram- 비동기 3.15V ~ 3.45V 32-SOJ 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2B 8542.32.0041 21 휘발성 휘발성 1mbit 8 ns SRAM 128k x 8 평행한 8ns
IS42S16160J-7BL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16160J-7BL-TR 3.9594
RFQ
 ECAD 3447 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 54-TFBGA IS42S16160 sdram 3V ~ 3.6V 54-TFBGA (8x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 2,500 143 MHz 휘발성 휘발성 256mbit 5.4 ns 음주 16m x 16 평행한 -
IS64LF12836A-7.5B3LA3-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS64LF12836A-7.5B3LA3-TR 11.2024
RFQ
 ECAD 9926 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 165-TBGA IS64LF12836 sram-동기, sdr 3.135V ~ 3.465V 165-TFBGA (13x15) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 2,000 117 MHz 휘발성 휘발성 4.5mbit 7.5 ns SRAM 128k x 36 평행한 -
IS43TR16512A-125KBLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR16512A-125KBLI-TR -
RFQ
 ECAD 1889 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 96-LFBGA IS43tr16512 sdram -ddr3 1.425V ~ 1.575V 96-LFBGA (10x14) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 2,000 800MHz 휘발성 휘발성 8gbit 20 ns 음주 512m x 16 평행한 15ns
IS61NLP25672-250B1 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61NLP25672-250B1 -
RFQ
 ECAD 4554 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 209-bga IS61NLP25672 sram-동기, sdr 3.135V ~ 3.465V 209-LFBGA (14x22) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 84 250MHz 휘발성 휘발성 18mbit 2.6 ns SRAM 256k x 72 평행한 -
IS43R83200B-6TL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43R83200B-6TL -
RFQ
 ECAD 5624 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 66-TSSOP (0.400 ", 10.16mm 너비) IS43R83200 sdram -ddr 2.3V ~ 2.7V 66-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 108 166 MHz 휘발성 휘발성 256mbit 700 PS 음주 32m x 8 평행한 15ns
IS43R83200F-5TL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43R83200F-5TL 3.0705
RFQ
 ECAD 1726 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 튜브 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 66-TSSOP (0.400 ", 10.16mm 너비) IS43R83200 sdram -ddr 2.3V ~ 2.7V 66-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 108 200MHz 휘발성 휘발성 256mbit 700 PS 음주 32m x 8 평행한 15ns
IS61LPS204818B-200B3L ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LPS204818B-200B3L 89.7750
RFQ
 ECAD 2839 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 165-TBGA IS61LPS204818 sram-동기, sdr 3.135V ~ 3.465V 165-TFBGA (13x15) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 144 200MHz 휘발성 휘발성 36mbit 3.1 ns SRAM 2m x 18 평행한 -
IS61NLP12836B-200TQI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61NLP12836B-200TQI-TR -
RFQ
 ECAD 4240 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 100-lqfp IS61NLP12836 sram-동기, sdr 3.135V ~ 3.465V 100-LQFP (14x20) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 800 200MHz 휘발성 휘발성 4.5mbit 3.1 ns SRAM 128k x 36 평행한 -
IS42SM16800G-75BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42SM16800G-75BLI -
RFQ
 ECAD 2094 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 sic에서 중단되었습니다 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 54-TFBGA IS42SM16800 sdram- 모바일 2.7V ~ 3.6V 54-TFBGA (8x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0002 348 133 MHz 휘발성 휘발성 128mbit 6 ns 음주 8m x 16 평행한 -
IS45S16800F-6TLA1 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS45S16800F-6TLA1 4.4232
RFQ
 ECAD 2490 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 54-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) IS45S16800 sdram 3V ~ 3.6V 54-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0002 108 166 MHz 휘발성 휘발성 128mbit 5.4 ns 음주 8m x 16 평행한 -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

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