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IS46TR16256AL-15HBLA1 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46TR16256AL-15HBLA1 -
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ECAD 3553 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 96-TFBGA IS46TR16256 sdram -ddr3l 1.283V ~ 1.45V 96-TWBGA (9x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 190 667 MHz 휘발성 휘발성 4gbit 20 ns 음주 256m x 16 평행한 15ns
IS42S32160F-75EBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32160F-75EBLI 13.0470
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ECAD 4006 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 90-TFBGA IS42S32160 sdram 3V ~ 3.6V 90-TFBGA (8x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0028 240 133 MHz 휘발성 휘발성 512mbit 6 ns 음주 16m x 32 평행한 -
IS42S32800D-6BI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32800D-6BI -
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ECAD 2686 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 90-TFBGA IS42S32800 sdram 3V ~ 3.6V 90-TFBGA (8x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 240 166 MHz 휘발성 휘발성 256mbit 5.4 ns 음주 8m x 32 평행한 -
IS61DDB21M18C-250M3L ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61DDB21M18C-250M3L 23.2925
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ECAD 5990 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 165-lbga IS61DDB21 SRAM-동기, DDR II 1.71V ~ 1.89V 165-LFBGA (15x17) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 105 250MHz 휘발성 휘발성 18mbit SRAM 1m x 18 평행한 -
IS42RM32800D-75BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42RM32800D-75BLI-TR -
RFQ
ECAD 5387 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 90-TFBGA IS42RM32800 sdram- 모바일 2.3V ~ 3V 90-TFBGA (8x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 2,500 133 MHz 휘발성 휘발성 256mbit 5.4 ns 음주 8m x 32 평행한 -
IS26KS128S-DPBLI00 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS26KS128S-DPBLI00 7.0300
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ECAD 8220 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 24-VBGA IS26KS128 플래시 - 아니오 1.7V ~ 1.95V 24-VFBGA (6x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 706-IS26KS128S-DPBLI00 3A991B2A 8542.32.0071 338 166 MHz 비 비 128mbit 96 ns 플래시 16m x 8 평행한 -
IS62WV20488EBLL-55BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV20488EBLL-55BLI -
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ECAD 3791 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-TFBGA IS62WV20488 sram- 비동기 2.2V ~ 3.6V 48-TFBGA (6x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 480 휘발성 휘발성 16mbit 55 ns SRAM 2m x 8 평행한 55ns
IS43LR32800G-6BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43LR32800G-6BLI-TR 5.8500
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ECAD 1181 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 90-TFBGA IS43LR32800 sdram- 모바일 lpddr 1.7V ~ 1.95V 90-TFBGA (8x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 2,500 166 MHz 휘발성 휘발성 256mbit 5.5 ns 음주 8m x 32 평행한 15ns
IS25WP256D-JMLE-TY ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25WP256D-JMLE-TY 4.2121
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ECAD 9978 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 16-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비) 플래시 - 아니오 1.65V ~ 1.95V 16- 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 706-IS25WP256D-JMLE-TY 176 133 MHz 비 비 256mbit 플래시 32m x 8 spi-쿼드 i/o, qpi, dtr 40µs, 800µs
IS42S32800J-75ETL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32800J-75ETL-TR 5.3436
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ECAD 7282 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 86-TFSOP (0.400 ", 10.16mm 너비) IS42S32800 sdram 3V ~ 3.6V 86-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 1,500 133 MHz 휘발성 휘발성 256mbit 6 ns 음주 8m x 32 평행한 -
IS43DR16128C-3DBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43DR16128C-3DBL 9.5500
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ECAD 6 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 활동적인 0 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 84-TFBGA IS43DR16128 sdram -ddr2 1.7V ~ 1.9V 84-TWBGA (8x12.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 706-1567 귀 99 8542.32.0036 209 333 MHz 휘발성 휘발성 2gbit 450 ps 음주 128m x 16 평행한 15ns
IS43DR16320D-25DBL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43DR16320D-25DBL-TR 2.6025
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ECAD 6908 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 84-TFBGA IS43DR16320 sdram -ddr2 1.7V ~ 1.9V 84-TWBGA (8x12.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0028 2,500 400MHz 휘발성 휘발성 512mbit 400 PS 음주 32m x 16 평행한 15ns
IS61NLP12836EC-200B3LI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61NLP12836EC-200B3LI-TR 7.7561
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ECAD 1239 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 165-TBGA IS61NLP12836 sram-동기, sdr 3.135V ~ 3.465V 165-TFBGA (13x15) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 2,000 200MHz 휘발성 휘발성 4.5mbit 3.1 ns SRAM 128k x 36 평행한 -
IS42SM32100D-6BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42SM32100D-6BLI 2.3119
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ECAD 2118 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 54-TFBGA IS42SM32100 sdram- 모바일 3V ~ 3.6V 54-TFBGA (8x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0002 240 166 MHz 휘발성 휘발성 32mbit 5.5 ns 음주 1m x 32 평행한 -
IS43LD32640B-18BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43LD32640B-18BLI 11.6591
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ECAD 3570 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 마지막으로 마지막으로 -40 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 134-TFBGA IS43LD32640 sdram -모바일 lpddr2 -s4 1.14V ~ 1.95V 134-TFBGA (10x11.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 171 533 MHz 휘발성 휘발성 2gbit 음주 64m x 32 평행한 15ns
IS42S16100H-7TL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16100H-7TL 1.3300
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ECAD 75 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 50TSOP (0.400 ", 10.16mm 너비) IS42S16100 sdram 3V ~ 3.6V 50-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0002 117 143 MHz 휘발성 휘발성 16mbit 5.5 ns 음주 1m x 16 평행한 -
IS42S16160J-6BL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16160J-6BL 3.0525
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ECAD 2420 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 54-TFBGA IS42S16160 sdram 3V ~ 3.6V 54-TFBGA (8x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 348 166 MHz 휘발성 휘발성 256mbit 5.4 ns 음주 16m x 16 평행한 -
IS25WJ064F-JBLE-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25WJ064F-JBLE-TR 0.9320
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ECAD 6199 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.209 ", 5.30mm 너비) 플래시 - 아니오 (SLC) 1.65V ~ 2V 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 706-IS25WJ064F-JBLE-TR 2,000 133 MHz 비 비 64mbit 6 ns 플래시 8m x 8 spi-쿼드 i/o, qpi, dtr 50µs, 1.6ms
IS45S16320F-7TLA1 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS45S16320F-7TLA1 12.9316
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ECAD 4894 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 54-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) IS45S16320 sdram 3V ~ 3.6V 54-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0028 108 143 MHz 휘발성 휘발성 512mbit 5.4 ns 음주 32m x 16 평행한 -
IS41LV16105B-60KLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS41LV16105B-60KLI -
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ECAD 8347 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 42-BSOJ (0.400 ", 10.16mm 너비) IS41LV16105 dram -fp 3V ~ 3.6V 42-SOJ 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0002 16 휘발성 휘발성 16mbit 30 ns 음주 1m x 16 평행한 -
IS61LPS25618EC-200TQLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LPS25618EC-200TQLI-TR 6.8099
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ECAD 9720 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 100-lqfp IS61LPS25618 sram-동기, sdr 3.135V ~ 3.465V 100-LQFP (14x20) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 800 200MHz 휘발성 휘발성 4.5mbit 3.1 ns SRAM 256k x 18 평행한 -
IS43TR82560B-15HBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR82560B-15HBL -
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ECAD 8242 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 78-TFBGA IS43tr82560 sdram -ddr3 1.425V ~ 1.575V 78-TWBGA (8x10.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 242 667 MHz 휘발성 휘발성 2gbit 20 ns 음주 256m x 8 평행한 15ns
IS42S16800E-7BL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16800E-7BL -
RFQ
ECAD 9324 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 54-TFBGA IS42S16800 sdram 3V ~ 3.6V 54-TFBGA (8x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0002 348 143 MHz 휘발성 휘발성 128mbit 5.4 ns 음주 8m x 16 평행한 -
IS42S32160D-6BL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32160D-6BL-TR 13.3800
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ECAD 1964 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 90-TFBGA IS42S32160 sdram 3V ~ 3.6V 90-TFBGA (8x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0028 2,500 166 MHz 휘발성 휘발성 512mbit 5.4 ns 음주 16m x 32 평행한 - 확인되지 확인되지
IS42S16160B-6BL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16160B-6BL -
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ECAD 5461 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 54-LFBGA IS42S16160 sdram 3V ~ 3.6V 54-LFBGA (8x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 240 166 MHz 휘발성 휘발성 256mbit 5.4 ns 음주 16m x 16 평행한 -
IS42S32400D-7BI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32400D-7BI-TR -
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ECAD 6197 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 90-TFBGA IS42S32400 sdram 3V ~ 3.6V 90-TFBGA (8x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0002 2,500 143 MHz 휘발성 휘발성 128mbit 5.4 ns 음주 4m x 32 평행한 -
IS43QR16256A-093PBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43QR16256A-093PBL -
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ECAD 6892 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 96-TFBGA IS43QR16256 sdram -ddr4 1.14V ~ 1.26V 96-TWBGA (9x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 190 1.066 GHz 휘발성 휘발성 4gbit 음주 256m x 16 평행한 15ns
IS43LR32800G-6BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43LR32800G-6BLI 6.3864
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ECAD 6355 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 90-TFBGA IS43LR32800 sdram- 모바일 lpddr 1.7V ~ 1.95V 90-TFBGA (8x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 240 166 MHz 휘발성 휘발성 256mbit 5.5 ns 음주 8m x 32 평행한 15ns
IS41LV16100C-50KLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS41LV16100C-50KLI-TR -
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ECAD 9629 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 42-BSOJ (0.400 ", 10.16mm 너비) IS41LV16100 드람 -에도 3V ~ 3.6V 42-SOJ 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0002 1,000 휘발성 휘발성 16mbit 25 ns 음주 1m x 16 평행한 -
IS62WV102416FBLL-45BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV102416FBLL-45BLI-TR 8.1000
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ECAD 8879 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-VFBGA IS62WV102416 sram- 비동기 2.2V ~ 3.6V 48-VFBGA (6x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 2,500 휘발성 휘발성 16mbit 45 ns SRAM 1m x 16 평행한 45ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고