전화 : +86-0755-83501315
영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 기술 | 전압 - 공급 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 시계 시계 | 메모리 메모리 | 메모리 메모리 | 액세스 액세스 | 메모리 메모리 | 메모리 메모리 | 메모리 메모리 | 쓰기 쓰기 시간 - 단어, 페이지 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IS43R16320D-6TL-TR | 5.1123 | ![]() | 6886 | 0.00000000 | ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc | - | 테이프 & tr (TR) | 새로운 새로운 아닙니다 | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | 표면 표면 | 66-TSSOP (0.400 ", 10.16mm 너비) | IS43R16320 | sdram -ddr | 2.3V ~ 2.7V | 66-TSOP II | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0028 | 1,500 | 166 MHz | 휘발성 휘발성 | 512mbit | 700 PS | 음주 | 32m x 16 | 평행한 | 15ns | ||
![]() | IS46TR16640ED-125KBLA1 | 7.7520 | ![]() | 2473 | 0.00000000 | ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc | 자동차, AEC-Q100 | 대부분 | 활동적인 | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | 표면 표면 | 96-TFBGA | sdram -ddr3 | 1.425V ~ 1.575V | 96-TWBGA (9x13) | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 706-IS46TR16640ED-125KBLA1 | 190 | 800MHz | 휘발성 휘발성 | 1gbit | 20 ns | 음주 | 64m x 16 | sstl_15 | 15ns | |||||
![]() | IS66WV51216EBLL-55BLI-TR | - | ![]() | 7453 | 0.00000000 | ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 48-TFBGA | IS66WV51216 | psram (의사 sram) | 2.5V ~ 3.6V | 48-TFBGA (6x8) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 2,500 | 휘발성 휘발성 | 8mbit | 55 ns | psram | 512k x 16 | 평행한 | 55ns | |||
![]() | IS45S32800D-6TLA1 | - | ![]() | 2666 | 0.00000000 | ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc | - | 쟁반 | sic에서 중단되었습니다 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 86-TFSOP (0.400 ", 10.16mm 너비) | IS45S32400 | sdram | 3V ~ 3.6V | 86-TSOP II | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0024 | 108 | 166 MHz | 휘발성 휘발성 | 256mbit | 5.4 ns | 음주 | 32m x 8 | 평행한 | - | ||
![]() | IS61VPS51236A-250B3 | - | ![]() | 4919 | 0.00000000 | ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc | - | 쟁반 | 쓸모 쓸모 | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | 표면 표면 | 165-TBGA | IS61VPS51236 | sram-동기, sdr | 2.375V ~ 2.625V | 165-PBGA (13x15) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 144 | 250MHz | 휘발성 휘발성 | 18mbit | 2.6 ns | SRAM | 512k x 36 | 평행한 | - | ||
IS62WV12816BLL-55TI | - | ![]() | 2481 | 0.00000000 | ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc | - | 쟁반 | 쓸모 쓸모 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 44-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) | IS62WV12816 | sram- 비동기 | 2.5V ~ 3.6V | 44-TSOP II | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 135 | 휘발성 휘발성 | 2mbit | 55 ns | SRAM | 128k x 16 | 평행한 | 55ns | ||||
![]() | IS43TR82560D-125KBLI | 4.8403 | ![]() | 7160 | 0.00000000 | ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc | - | 쟁반 | 활동적인 | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | 표면 표면 | 78-TFBGA | IS43tr82560 | sdram -ddr3 | 1.425V ~ 1.575V | 78-TWBGA (8x10.5) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 706-IS43TR82560D-125KBLI | 귀 99 | 8542.32.0036 | 242 | 800MHz | 휘발성 휘발성 | 2gbit | 20 ns | 음주 | 256m x 8 | 평행한 | 15ns | |
![]() | IS46TR16K01S2AL-125KBLA2 | 37.0582 | ![]() | 4363 | 0.00000000 | ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc | 자동차, AEC-Q100 | 대부분 | 활동적인 | -40 ° C ~ 105 ° C (TC) | 표면 표면 | 96-LFBGA | sdram -ddr3l | 1.283V ~ 1.45V | 96-LWBGA (10x14) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 706-IS46TR16K01S2AL-125KBLA2 | 136 | 800MHz | 휘발성 휘발성 | 16gbit | 20 ns | 음주 | 1g x 16 | 평행한 | 15ns | |||||
![]() | IS61C5128AL-10KLI | 3.7027 | ![]() | 3845 | 0.00000000 | ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc | - | 튜브 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 36-BSOJ (0.400 ", 10.16mm 너비) | IS61C5128 | sram- 비동기 | 4.5V ~ 5.5V | 36-SOJ | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 19 | 휘발성 휘발성 | 4mbit | 10 ns | SRAM | 512k x 8 | 평행한 | 10ns | |||
![]() | IS61WV25616EDALL-20BLI-TR | 4.7956 | ![]() | 1260 | 0.00000000 | ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 48-TFBGA | IS61WV25616 | sram- 비동기 | 1.65V ~ 2.2V | 48-TFBGA (6x8) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 2,500 | 휘발성 휘발성 | 4mbit | 20 ns | SRAM | 256k x 16 | 평행한 | 20ns | |||
![]() | IS25LP032D-JMLE | - | ![]() | 8681 | 0.00000000 | ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc | - | 튜브 | 쓸모 쓸모 | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | 표면 표면 | 16-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비) | IS25LP032 | 플래시 - 아니오 | 2.3V ~ 3.6V | 16- | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 44 | 133 MHz | 비 비 | 32mbit | 플래시 | 4m x 8 | spi-쿼드 i/o, qpi, dtr | 800µs | |||
![]() | IS43TR82560CL-15HBL-TR | 5.4712 | ![]() | 1795 | 0.00000000 | ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc | - | 테이프 & tr (TR) | 새로운 새로운 아닙니다 | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | 표면 표면 | 78-TFBGA | IS43tr82560 | sdram -ddr3l | 1.283V ~ 1.45V | 78-TWBGA (8x10.5) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0036 | 2,000 | 667 MHz | 휘발성 휘발성 | 2gbit | 20 ns | 음주 | 256m x 8 | 평행한 | 15ns | ||
![]() | IS61LPS51236A-200B3-TR | - | ![]() | 7366 | 0.00000000 | ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모 쓸모 | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | 표면 표면 | 165-TBGA | IS61LPS51236 | sram-동기, sdr | 3.135V ~ 3.465V | 165-TFBGA (13x15) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 2,000 | 200MHz | 휘발성 휘발성 | 18mbit | 3.1 ns | SRAM | 512k x 36 | 평행한 | - | ||
![]() | IS43TR16512AL-125KBLI | - | ![]() | 8853 | 0.00000000 | ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc | - | 쟁반 | 쓸모 쓸모 | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | 표면 표면 | 96-LFBGA | IS43tr16512 | sdram -ddr3l | 1.283V ~ 1.45V | 96-LFBGA (10x14) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 706-1462 | 귀 99 | 8542.32.0036 | 136 | 800MHz | 휘발성 휘발성 | 8gbit | 20 ns | 음주 | 512m x 16 | 평행한 | 15ns | |
![]() | IS43TR16256BL-125KBL | 7.8500 | ![]() | 3 | 0.00000000 | ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc | - | 쟁반 | 활동적인 | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | 표면 표면 | 96-TFBGA | IS43tr16256 | sdram -ddr3l | 1.283V ~ 1.45V | 96-TWBGA (9x13) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 706-1731 | 귀 99 | 8542.32.0036 | 190 | 800MHz | 휘발성 휘발성 | 4gbit | 20 ns | 음주 | 256m x 16 | 평행한 | 15ns | |
![]() | IS63WV1288DBLL-10KLI | - | ![]() | 6481 | 0.00000000 | ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc | - | 튜브 | 쓸모 쓸모 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 32-BSOJ (0.400 ", 10.16mm 너비) | IS63WV1288 | sram- 비동기 | 2.4V ~ 3.6V | 32-SOJ | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0041 | 19 | 휘발성 휘발성 | 1mbit | 10 ns | SRAM | 128k x 8 | 평행한 | 10ns | |||
![]() | IS43TR16512A-125KBL-TR | - | ![]() | 4858 | 0.00000000 | ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모 쓸모 | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | 표면 표면 | 96-LFBGA | IS43tr16512 | sdram -ddr3 | 1.425V ~ 1.575V | 96-LFBGA (10x14) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0036 | 2,000 | 800MHz | 휘발성 휘발성 | 8gbit | 20 ns | 음주 | 512m x 16 | 평행한 | 15ns | ||
![]() | IS45S32200E-6TLA1 | - | ![]() | 2701 | 0.00000000 | ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc | - | 쟁반 | 쓸모 쓸모 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 86-TFSOP (0.400 ", 10.16mm 너비) | IS45S32200 | sdram | 3V ~ 3.6V | 86-TSOP II | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0002 | 108 | 166 MHz | 휘발성 휘발성 | 64mbit | 5.5 ns | 음주 | 2m x 32 | 평행한 | - | ||
![]() | IS62WV2568BLL-55HLI | 2.6100 | ![]() | 2 | 0.00000000 | ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc | - | 쟁반 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 32-TFSOP (0.465 ", 11.80mm 너비) | IS62WV2568 | sram- 비동기 | 2.5V ~ 3.6V | 32-stsop i | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 234 | 휘발성 휘발성 | 2mbit | 55 ns | SRAM | 256k x 8 | 평행한 | 55ns | |||
![]() | IS46TR16640C-125JBLA25-TR | - | ![]() | 5165 | 0.00000000 | ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc | 자동차, AEC-Q100 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 115 ° C (TC) | 표면 표면 | 96-TFBGA | IS46TR16640 | sdram -ddr3 | 1.425V ~ 1.575V | 96-TWBGA (9x13) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 706-IS46TR16640C-125JBLA25-TR | 귀 99 | 8542.32.0032 | 1,500 | 800MHz | 휘발성 휘발성 | 1gbit | 20 ns | 음주 | 64m x 16 | 평행한 | 15ns | |
![]() | IS42S16160B-7B | - | ![]() | 2336 | 0.00000000 | ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc | - | 쟁반 | 쓸모 쓸모 | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | 표면 표면 | 54-LFBGA | IS42S16160 | sdram | 3V ~ 3.6V | 54-LFBGA (8x13) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0024 | 240 | 143 MHz | 휘발성 휘발성 | 256mbit | 5.4 ns | 음주 | 16m x 16 | 평행한 | - | ||
![]() | IS25WP128F-JBLA3-TR | 2.2927 | ![]() | 8781 | 0.00000000 | ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc | 자동차, AEC-Q100 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.209 ", 5.30mm 너비) | 플래시 - 아니오 (SLC) | 1.65V ~ 1.95V | 8-SOIC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 706-IS25WP128F-JBLA3-TR | 2,000 | 166 MHz | 비 비 | 128mbit | 5.5 ns | 플래시 | 16m x 8 | spi-쿼드 i/o, qpi, dtr | 40µs, 800µs | |||||
![]() | IS49NLS96400-25BI | - | ![]() | 9190 | 0.00000000 | ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc | - | 쟁반 | 쓸모 쓸모 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 144-TFBGA | IS49NLS96400 | rldram 2 | 1.7V ~ 1.9V | 144-FCBGA (11x18.5) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0032 | 104 | 400MHz | 휘발성 휘발성 | 576mbit | 20 ns | 음주 | 64m x 9 | 평행한 | - | ||
![]() | IS45S16160D-7TLA1 | - | ![]() | 9423 | 0.00000000 | ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc | - | 쟁반 | 쓸모 쓸모 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 54-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) | IS45S16160 | sdram | 3V ~ 3.6V | 54-TSOP II | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0028 | 108 | 143 MHz | 휘발성 휘발성 | 256mbit | 5.4 ns | 음주 | 16m x 16 | 평행한 | - | ||
![]() | IS66WVE2M16BLL-70BLI-TR | - | ![]() | 5976 | 0.00000000 | ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모 쓸모 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 48-TFBGA | IS66WVE2M16 | psram (의사 sram) | 2.7V ~ 3.6V | 48-TFBGA (6x8) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0041 | 2,500 | 휘발성 휘발성 | 32mbit | 70 ns | psram | 2m x 16 | 평행한 | 70ns | |||
![]() | IS65WV102416EBLL-55BLA3-TR | 9.0440 | ![]() | 4756 | 0.00000000 | ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc | 자동차, AEC-Q100 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | 표면 표면 | 48-VFBGA | sram- 비동기 | 2.2V ~ 3.6V | 48-VFBGA (6x8) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 706-IS65WV102416EBLL-55BLA3-TR | 2,500 | 휘발성 휘발성 | 16mbit | 55 ns | SRAM | 1m x 16 | 평행한 | 55ns | ||||||
![]() | IS43R16320E-6TL | - | ![]() | 9246 | 0.00000000 | ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc | - | 대부분 | 활동적인 | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | 표면 표면 | 66-TSSOP (0.400 ", 10.16mm 너비) | sdram -ddr | 2.3V ~ 2.7V | 66-TSOP II | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 706-IS43R16320E-6TL | 108 | 166 MHz | 휘발성 휘발성 | 512mbit | 700 PS | 음주 | 32m x 16 | sstl_2 | 15ns | |||||
![]() | IS46TR16128AL-15HBLA2 | - | ![]() | 7844 | 0.00000000 | ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc | - | 쟁반 | 쓸모 쓸모 | -40 ° C ~ 105 ° C (TC) | 표면 표면 | 96-TFBGA | IS46TR16128 | sdram -ddr3 | 1.283V ~ 1.45V | 96-TWBGA (9x13) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0036 | 190 | 667 MHz | 휘발성 휘발성 | 2gbit | 20 ns | 음주 | 128m x 16 | 평행한 | 15ns | ||
![]() | IS61WV25616EDBLL-8BLI-TR | 4.7956 | ![]() | 2718 | 0.00000000 | ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 48-TFBGA | IS61WV25616 | sram- 비동기 | 3V ~ 3.6V | 48-TFBGA (6x8) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 2,500 | 휘발성 휘발성 | 4mbit | 8 ns | SRAM | 256k x 16 | 평행한 | 8ns | |||
![]() | IS61LV6416-10BLI-TR | - | ![]() | 8177 | 0.00000000 | ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 48-TFBGA | IS61LV6416 | sram- 비동기 | 3.135V ~ 3.6V | 48-TFBGA (6x8) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 2,500 | 휘발성 휘발성 | 1mbit | 10 ns | SRAM | 64k x 16 | 평행한 | 10ns |
일일 평균 RFQ 볼륨
표준 제품 단위
전 세계 제조업체
재고 창고