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IS43R16320D-6TL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43R16320D-6TL-TR 5.1123
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ECAD 6886 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 66-TSSOP (0.400 ", 10.16mm 너비) IS43R16320 sdram -ddr 2.3V ~ 2.7V 66-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0028 1,500 166 MHz 휘발성 휘발성 512mbit 700 PS 음주 32m x 16 평행한 15ns
IS46TR16640ED-125KBLA1 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46TR16640ED-125KBLA1 7.7520
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ECAD 2473 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc 자동차, AEC-Q100 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 96-TFBGA sdram -ddr3 1.425V ~ 1.575V 96-TWBGA (9x13) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 706-IS46TR16640ED-125KBLA1 190 800MHz 휘발성 휘발성 1gbit 20 ns 음주 64m x 16 sstl_15 15ns
IS66WV51216EBLL-55BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS66WV51216EBLL-55BLI-TR -
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ECAD 7453 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-TFBGA IS66WV51216 psram (의사 sram) 2.5V ~ 3.6V 48-TFBGA (6x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 2,500 휘발성 휘발성 8mbit 55 ns psram 512k x 16 평행한 55ns
IS45S32800D-6TLA1 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS45S32800D-6TLA1 -
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ECAD 2666 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 sic에서 중단되었습니다 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 86-TFSOP (0.400 ", 10.16mm 너비) IS45S32400 sdram 3V ~ 3.6V 86-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 108 166 MHz 휘발성 휘발성 256mbit 5.4 ns 음주 32m x 8 평행한 -
IS61VPS51236A-250B3 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61VPS51236A-250B3 -
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ECAD 4919 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 쓸모 쓸모 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 165-TBGA IS61VPS51236 sram-동기, sdr 2.375V ~ 2.625V 165-PBGA (13x15) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 144 250MHz 휘발성 휘발성 18mbit 2.6 ns SRAM 512k x 36 평행한 -
IS62WV12816BLL-55TI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV12816BLL-55TI -
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ECAD 2481 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 쓸모 쓸모 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 44-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) IS62WV12816 sram- 비동기 2.5V ~ 3.6V 44-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 135 휘발성 휘발성 2mbit 55 ns SRAM 128k x 16 평행한 55ns
IS43TR82560D-125KBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR82560D-125KBLI 4.8403
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ECAD 7160 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 78-TFBGA IS43tr82560 sdram -ddr3 1.425V ~ 1.575V 78-TWBGA (8x10.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 706-IS43TR82560D-125KBLI 귀 99 8542.32.0036 242 800MHz 휘발성 휘발성 2gbit 20 ns 음주 256m x 8 평행한 15ns
IS46TR16K01S2AL-125KBLA2 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46TR16K01S2AL-125KBLA2 37.0582
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ECAD 4363 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc 자동차, AEC-Q100 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TC) 표면 표면 96-LFBGA sdram -ddr3l 1.283V ~ 1.45V 96-LWBGA (10x14) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 706-IS46TR16K01S2AL-125KBLA2 136 800MHz 휘발성 휘발성 16gbit 20 ns 음주 1g x 16 평행한 15ns
IS61C5128AL-10KLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61C5128AL-10KLI 3.7027
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ECAD 3845 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 36-BSOJ (0.400 ", 10.16mm 너비) IS61C5128 sram- 비동기 4.5V ~ 5.5V 36-SOJ 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 19 휘발성 휘발성 4mbit 10 ns SRAM 512k x 8 평행한 10ns
IS61WV25616EDALL-20BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61WV25616EDALL-20BLI-TR 4.7956
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ECAD 1260 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-TFBGA IS61WV25616 sram- 비동기 1.65V ~ 2.2V 48-TFBGA (6x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 2,500 휘발성 휘발성 4mbit 20 ns SRAM 256k x 16 평행한 20ns
IS25LP032D-JMLE ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LP032D-JMLE -
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ECAD 8681 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 튜브 쓸모 쓸모 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 16-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비) IS25LP032 플래시 - 아니오 2.3V ~ 3.6V 16- 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 44 133 MHz 비 비 32mbit 플래시 4m x 8 spi-쿼드 i/o, qpi, dtr 800µs
IS43TR82560CL-15HBL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR82560CL-15HBL-TR 5.4712
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ECAD 1795 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 0 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 78-TFBGA IS43tr82560 sdram -ddr3l 1.283V ~ 1.45V 78-TWBGA (8x10.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 2,000 667 MHz 휘발성 휘발성 2gbit 20 ns 음주 256m x 8 평행한 15ns
IS61LPS51236A-200B3-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LPS51236A-200B3-TR -
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ECAD 7366 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 165-TBGA IS61LPS51236 sram-동기, sdr 3.135V ~ 3.465V 165-TFBGA (13x15) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 2,000 200MHz 휘발성 휘발성 18mbit 3.1 ns SRAM 512k x 36 평행한 -
IS43TR16512AL-125KBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR16512AL-125KBLI -
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ECAD 8853 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 쓸모 쓸모 -40 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 96-LFBGA IS43tr16512 sdram -ddr3l 1.283V ~ 1.45V 96-LFBGA (10x14) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 706-1462 귀 99 8542.32.0036 136 800MHz 휘발성 휘발성 8gbit 20 ns 음주 512m x 16 평행한 15ns
IS43TR16256BL-125KBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR16256BL-125KBL 7.8500
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ECAD 3 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 활동적인 0 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 96-TFBGA IS43tr16256 sdram -ddr3l 1.283V ~ 1.45V 96-TWBGA (9x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 706-1731 귀 99 8542.32.0036 190 800MHz 휘발성 휘발성 4gbit 20 ns 음주 256m x 16 평행한 15ns
IS63WV1288DBLL-10KLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS63WV1288DBLL-10KLI -
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ECAD 6481 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 튜브 쓸모 쓸모 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 32-BSOJ (0.400 ", 10.16mm 너비) IS63WV1288 sram- 비동기 2.4V ~ 3.6V 32-SOJ 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0041 19 휘발성 휘발성 1mbit 10 ns SRAM 128k x 8 평행한 10ns
IS43TR16512A-125KBL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR16512A-125KBL-TR -
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ECAD 4858 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 0 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 96-LFBGA IS43tr16512 sdram -ddr3 1.425V ~ 1.575V 96-LFBGA (10x14) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 2,000 800MHz 휘발성 휘발성 8gbit 20 ns 음주 512m x 16 평행한 15ns
IS45S32200E-6TLA1 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS45S32200E-6TLA1 -
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ECAD 2701 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 쓸모 쓸모 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 86-TFSOP (0.400 ", 10.16mm 너비) IS45S32200 sdram 3V ~ 3.6V 86-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0002 108 166 MHz 휘발성 휘발성 64mbit 5.5 ns 음주 2m x 32 평행한 -
IS62WV2568BLL-55HLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV2568BLL-55HLI 2.6100
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ECAD 2 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 32-TFSOP (0.465 ", 11.80mm 너비) IS62WV2568 sram- 비동기 2.5V ~ 3.6V 32-stsop i 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 234 휘발성 휘발성 2mbit 55 ns SRAM 256k x 8 평행한 55ns
IS46TR16640C-125JBLA25-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46TR16640C-125JBLA25-TR -
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ECAD 5165 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 115 ° C (TC) 표면 표면 96-TFBGA IS46TR16640 sdram -ddr3 1.425V ~ 1.575V 96-TWBGA (9x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 706-IS46TR16640C-125JBLA25-TR 귀 99 8542.32.0032 1,500 800MHz 휘발성 휘발성 1gbit 20 ns 음주 64m x 16 평행한 15ns
IS42S16160B-7B ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16160B-7B -
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ECAD 2336 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 쓸모 쓸모 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 54-LFBGA IS42S16160 sdram 3V ~ 3.6V 54-LFBGA (8x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 240 143 MHz 휘발성 휘발성 256mbit 5.4 ns 음주 16m x 16 평행한 -
IS25WP128F-JBLA3-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25WP128F-JBLA3-TR 2.2927
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ECAD 8781 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.209 ", 5.30mm 너비) 플래시 - 아니오 (SLC) 1.65V ~ 1.95V 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 706-IS25WP128F-JBLA3-TR 2,000 166 MHz 비 비 128mbit 5.5 ns 플래시 16m x 8 spi-쿼드 i/o, qpi, dtr 40µs, 800µs
IS49NLS96400-25BI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS49NLS96400-25BI -
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ECAD 9190 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 쓸모 쓸모 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 144-TFBGA IS49NLS96400 rldram 2 1.7V ~ 1.9V 144-FCBGA (11x18.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0032 104 400MHz 휘발성 휘발성 576mbit 20 ns 음주 64m x 9 평행한 -
IS45S16160D-7TLA1 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS45S16160D-7TLA1 -
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ECAD 9423 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 쓸모 쓸모 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 54-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) IS45S16160 sdram 3V ~ 3.6V 54-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0028 108 143 MHz 휘발성 휘발성 256mbit 5.4 ns 음주 16m x 16 평행한 -
IS66WVE2M16BLL-70BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS66WVE2M16BLL-70BLI-TR -
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ECAD 5976 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-TFBGA IS66WVE2M16 psram (의사 sram) 2.7V ~ 3.6V 48-TFBGA (6x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0041 2,500 휘발성 휘발성 32mbit 70 ns psram 2m x 16 평행한 70ns
IS65WV102416EBLL-55BLA3-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS65WV102416EBLL-55BLA3-TR 9.0440
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ECAD 4756 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 48-VFBGA sram- 비동기 2.2V ~ 3.6V 48-VFBGA (6x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 706-IS65WV102416EBLL-55BLA3-TR 2,500 휘발성 휘발성 16mbit 55 ns SRAM 1m x 16 평행한 55ns
IS43R16320E-6TL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43R16320E-6TL -
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ECAD 9246 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 대부분 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 66-TSSOP (0.400 ", 10.16mm 너비) sdram -ddr 2.3V ~ 2.7V 66-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 706-IS43R16320E-6TL 108 166 MHz 휘발성 휘발성 512mbit 700 PS 음주 32m x 16 sstl_2 15ns
IS46TR16128AL-15HBLA2 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46TR16128AL-15HBLA2 -
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ECAD 7844 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 쓸모 쓸모 -40 ° C ~ 105 ° C (TC) 표면 표면 96-TFBGA IS46TR16128 sdram -ddr3 1.283V ~ 1.45V 96-TWBGA (9x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 190 667 MHz 휘발성 휘발성 2gbit 20 ns 음주 128m x 16 평행한 15ns
IS61WV25616EDBLL-8BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61WV25616EDBLL-8BLI-TR 4.7956
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ECAD 2718 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-TFBGA IS61WV25616 sram- 비동기 3V ~ 3.6V 48-TFBGA (6x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 2,500 휘발성 휘발성 4mbit 8 ns SRAM 256k x 16 평행한 8ns
IS61LV6416-10BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LV6416-10BLI-TR -
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ECAD 8177 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-TFBGA IS61LV6416 sram- 비동기 3.135V ~ 3.6V 48-TFBGA (6x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2B 8542.32.0041 2,500 휘발성 휘발성 1mbit 10 ns SRAM 64k x 16 평행한 10ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고