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IS25WJ064F-JBLE-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25WJ064F-JBLE-TR 0.9320
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ECAD 6199 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.209 ", 5.30mm 너비) 플래시 - 아니오 (SLC) 1.65V ~ 2V 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 706-IS25WJ064F-JBLE-TR 2,000 133 MHz 비 비 64mbit 6 ns 플래시 8m x 8 spi-쿼드 i/o, qpi, dtr 50µs, 1.6ms
IS45S16320F-7TLA1 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS45S16320F-7TLA1 12.9316
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ECAD 4894 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 54-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) IS45S16320 sdram 3V ~ 3.6V 54-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0028 108 143 MHz 휘발성 휘발성 512mbit 5.4 ns 음주 32m x 16 평행한 -
IS41LV16105B-60KLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS41LV16105B-60KLI -
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ECAD 8347 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 42-BSOJ (0.400 ", 10.16mm 너비) IS41LV16105 dram -fp 3V ~ 3.6V 42-SOJ 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0002 16 휘발성 휘발성 16mbit 30 ns 음주 1m x 16 평행한 -
IS43TR82560B-15HBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR82560B-15HBL -
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ECAD 8242 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 78-TFBGA IS43tr82560 sdram -ddr3 1.425V ~ 1.575V 78-TWBGA (8x10.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 242 667 MHz 휘발성 휘발성 2gbit 20 ns 음주 256m x 8 평행한 15ns
IS42S32160D-6BL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32160D-6BL-TR 13.3800
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ECAD 1964 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 90-TFBGA IS42S32160 sdram 3V ~ 3.6V 90-TFBGA (8x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0028 2,500 166 MHz 휘발성 휘발성 512mbit 5.4 ns 음주 16m x 32 평행한 - 확인되지 확인되지
IS42S16160B-6BL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16160B-6BL -
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ECAD 5461 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 54-LFBGA IS42S16160 sdram 3V ~ 3.6V 54-LFBGA (8x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 240 166 MHz 휘발성 휘발성 256mbit 5.4 ns 음주 16m x 16 평행한 -
IS42S32400D-7BI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32400D-7BI-TR -
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ECAD 6197 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 90-TFBGA IS42S32400 sdram 3V ~ 3.6V 90-TFBGA (8x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0002 2,500 143 MHz 휘발성 휘발성 128mbit 5.4 ns 음주 4m x 32 평행한 -
IS43LR32800G-6BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43LR32800G-6BLI 6.3864
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ECAD 6355 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 90-TFBGA IS43LR32800 sdram- 모바일 lpddr 1.7V ~ 1.95V 90-TFBGA (8x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 240 166 MHz 휘발성 휘발성 256mbit 5.5 ns 음주 8m x 32 평행한 15ns
IS41LV16100C-50KLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS41LV16100C-50KLI-TR -
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ECAD 9629 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 42-BSOJ (0.400 ", 10.16mm 너비) IS41LV16100 드람 -에도 3V ~ 3.6V 42-SOJ 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0002 1,000 휘발성 휘발성 16mbit 25 ns 음주 1m x 16 평행한 -
IS62WV102416FBLL-45BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV102416FBLL-45BLI-TR 8.1000
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ECAD 8879 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-VFBGA IS62WV102416 sram- 비동기 2.2V ~ 3.6V 48-VFBGA (6x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 2,500 휘발성 휘발성 16mbit 45 ns SRAM 1m x 16 평행한 45ns
IS25LP080D-JBLE ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LP080D-JBLE 0.8200
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ECAD 7 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.209 ", 5.30mm 너비) IS25LP080 플래시 - 아니오 2.3V ~ 3.6V 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 706-1578 귀 99 8542.32.0071 90 133 MHz 비 비 8mbit 플래시 1m x 8 spi-쿼드 i/o, qpi, dtr 800µs
IS49NLC93200-25BL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS49NLC93200-25BL -
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ECAD 7720 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 144-TFBGA IS49NLC93200 rldram 2 1.7V ~ 1.9V 144-FCBGA (11x18.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0028 104 400MHz 휘발성 휘발성 288mbit 20 ns 음주 32m x 9 평행한 -
IS61WV25616EDBLL-10BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61WV25616EDBLL-10BLI-TR 3.0281
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ECAD 8859 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-TFBGA IS61WV25616 sram- 비동기 2.4V ~ 3.6V 48-TFBGA (6x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 2,500 휘발성 휘발성 4mbit 10 ns SRAM 256k x 16 평행한 10ns
IS64WV102416BLL-10MA3-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS64WV102416BLL-10MA3-TR -
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ECAD 3772 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 48-TFBGA IS64WV102416 sram- 비동기 2.4V ~ 3.6V 48- 바 미니 (9x11) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 2,000 휘발성 휘발성 16mbit 10 ns SRAM 1m x 16 평행한 10ns
IS42VM32400E-75BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42VM32400E-75BLI-TR -
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ECAD 5365 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 90-TFBGA IS42VM32400 sdram- 모바일 1.7V ~ 1.95V 90-TFBGA (8x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0002 2,500 133 MHz 휘발성 휘발성 128mbit 5.4 ns 음주 4m x 32 평행한 -
IS61LV256AL-10TLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LV256AL-10TLI-TR 1.0839
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ECAD 6350 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 28-TSSOP (0.465 ", 11.80mm 너비) IS61LV256 sram- 비동기 3.135V ~ 3.6V 28-tsop i 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0041 2,000 휘발성 휘발성 256kbit 10 ns SRAM 32k x 8 평행한 10ns
IS42S32200L-7BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32200L-7BLI-TR 4.0648
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ECAD 9176 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 90-TFBGA IS42S32200 sdram 3V ~ 3.6V 90-TFBGA (8x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0002 2,500 143 MHz 휘발성 휘발성 64mbit 5.4 ns 음주 2m x 32 평행한 -
IS42S32200L-6TL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32200L-6TL 3.0525
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ECAD 5867 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 86-TFSOP (0.400 ", 10.16mm 너비) IS42S32200 sdram 3V ~ 3.6V 86-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0002 108 166 MHz 휘발성 휘발성 64mbit 5.4 ns 음주 2m x 32 평행한 -
IS61WV51216EEALL-20TLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61WV51216EEALL-20TLI-TR 6.6714
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ECAD 2503 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 44-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) sram- 비동기 1.65V ~ 2.2V 44-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 706-IS61WV51216EEALL-20TLI-TR 1,000 휘발성 휘발성 8mbit 20 ns SRAM 512k x 16 평행한 20ns
IS61DDB41M36A-300M3LI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61DDB41M36A-300M3LI -
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ECAD 2884 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 sic에서 중단되었습니다 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 165-lbga IS61DDB41 SRAM-동기, DDR II 1.71V ~ 1.89V 165-LFBGA (15x17) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0002 105 300MHz 휘발성 휘발성 36mbit 8.4 ns SRAM 1m x 36 평행한 -
IS61WV20488FBLL-10T2LI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61WV20488FBLL-10T2LI 10.1211
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ECAD 8469 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 54-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) sram- 비동기 2.4V ~ 3.6V 54-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 706-IS61WV20488FBLL-10T2LI 108 휘발성 휘발성 16mbit 10 ns SRAM 2m x 8 평행한 10ns
IS65WV12816BLL-55BLA3 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS65WV12816BLL-55BLA3 4.6806
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ECAD 5391 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 48-TFBGA IS65WV12816 sram- 비동기 2.5V ~ 3.6V 48-TFBGA (6x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 480 휘발성 휘발성 2mbit 55 ns SRAM 128k x 16 평행한 55ns
IS42S32800J-7TL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32800J-7TL-TR 5.2224
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ECAD 2670 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 86-TFSOP (0.400 ", 10.16mm 너비) IS42S32800 sdram 3V ~ 3.6V 86-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 1,500 143 MHz 휘발성 휘발성 256mbit 5.4 ns 음주 8m x 32 평행한 -
IS42S32800B-6BL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32800B-6BL -
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ECAD 5812 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 90-TFBGA IS42S32800 sdram 3V ~ 3.6V 90-TFBGA (8x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 240 166 MHz 휘발성 휘발성 256mbit 5.5 ns 음주 8m x 32 평행한 -
IS67WVC4M16ALL-7010BLA-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS67WVC4M16ALL-7010BLA-TR -
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ECAD 2475 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 54-VFBGA IS67WVC4M16 psram (의사 sram) 1.7V ~ 1.95V 54-VFBGA (6x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 2,500 104 MHz 휘발성 휘발성 64mbit 70 ns psram 4m x 16 평행한 70ns
IS42S16400F-6BL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16400F-6BL -
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ECAD 9206 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 54-TFBGA IS42S16400 sdram 3V ~ 3.6V 54-TFBGA (8x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0002 348 166 MHz 휘발성 휘발성 64mbit 5.4 ns 음주 4m x 16 평행한 -
IS43LQ16256AL-062BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43LQ16256AL-062BLI-TR -
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ECAD 9671 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 200-VFBGA sdram- 모바일 lpddr4x 1.06V ~ 1.17V, 1.7V ~ 1.95V 200-VFBGA (10x14.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 706-IS43LQ16256AL-062BLI-TR 2,500 1.6GHz 휘발성 휘발성 4gbit 음주 256m x 16 lvstl -
IS46DR81280C-3DBLA2 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46DR81280C-3DBLA2 -
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ECAD 5021 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 60-TFBGA IS46DR81280 sdram -ddr2 1.7V ~ 1.9V 60-TWBGA (8x10.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0032 242 333 MHz 휘발성 휘발성 1gbit 450 ps 음주 128m x 8 평행한 15ns
IS61LV12824-10TQ ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LV12824-10TQ -
RFQ
ECAD 3400 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 100-lqfp IS61LV12824 sram- 비동기 3.135V ~ 3.6V 100-LQFP (14x20) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 72 휘발성 휘발성 3m 비트 10 ns SRAM 128k x 24 평행한 10ns
IS42S83200B-7T-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S83200B-7T-TR -
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ECAD 4739 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 54-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) IS42S83200 sdram 3V ~ 3.6V 54-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 1,500 143 MHz 휘발성 휘발성 256mbit 5.4 ns 음주 32m x 8 평행한 -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고