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영상 제품번호 가격(USD) 수량 ECAD 사용 수량 보유 무게(Kg) 제조사 시리즈 세트 제품상태 작동 온도 장착 세트/케이스 기본 제품 번호 기술 전압 - 공급 공급자 장치 데이터 시트 RoHS 현황 민감도특급(MSL) REACH 상태 다른 이름 ECCN HTSUS 세트 세트 클럭킹 메모리 종류 메모리 크기 접속시간 메모리 형식 기억 정리 메모리 인터페이스 돈을 쓰는 시간 - 단어, 페이지 SIC 프로그래밍 가능
IS25WP080D-JBLE ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25WP080D-JBLE 0.9200
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 ECAD 1 0.00000000 ISSI, 통합 실리콘 솔루션 Inc. - 튜브 활동적인 -40°C ~ 105°C(타) 표면 실장 8-SOIC(0.209", 5.30mm 너비) IS25WP080 플래시 - 아니오 1.65V ~ 1.95V 8-SOIC 다운로드 ROHS3 준수 3(168시간) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8542.32.0071 90 133MHz 비대하다 8Mbit 플래시 1M x 8 SPI - 쿼드 I/O, QPI, DTR 800μs
IS61VPS25636A-200TQLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61VPS25636A-200TQLI-TR 12.7500
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 ECAD 7454 0.00000000 ISSI, 통합 실리콘 솔루션 Inc. - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -40°C ~ 85°C(타) 표면 실장 100-LQFP IS61VPS25636 SRAM - 동기식, SDR 2.375V ~ 2.625V 100-LQFP(14x20) 다운로드 ROHS3 준수 3(168시간) REACH 영향을 받지 않았습니다. 3A991B2A 8542.32.0041 800 200MHz 항체를 제거하세요 9Mbit 3.1ns 스램 256K x 36 불편한 -
IS61LPS51218B-200TQLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LPS51218B-200TQLI 15.3000
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 ECAD 4683 0.00000000 ISSI, 통합 실리콘 솔루션 Inc. - 쟁반 활동적인 -40°C ~ 85°C(타) 표면 실장 100-LQFP IS61LPS51218 SRAM - 동기식, SDR 3.135V ~ 3.465V 100-LQFP(14x20) 다운로드 ROHS3 준수 3(168시간) REACH 영향을 받지 않았습니다. 706-1539 3A991B2A 8542.32.0041 72 200MHz 항체를 제거하세요 9Mbit 3.1ns 스램 512K x 18 불편한 -
IS42S16160D-75ETLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16160D-75ETLI -
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 ECAD 5482 0.00000000 ISSI, 통합 실리콘 솔루션 Inc. - 쟁반 더 이상 사용하지 않는 경우 -40°C ~ 85°C(타) 표면 실장 54-TSOP(0.400", 10.16mm 폭) IS42S16160 SDRAM 3V ~ 3.6V 54-TSOP II 다운로드 ROHS3 준수 3(168시간) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8542.32.0024 108 133MHz 항체를 제거하세요 256Mbit 5.5ns 음주 16M×16 불편한 -
IS42S16160G-6TL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16160G-6TL-TR 3.4081
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 ECAD 6654 0.00000000 ISSI, 통합 실리콘 솔루션 Inc. - 테이프 및 릴리(TR) 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. 0°C ~ 70°C (타) 표면 실장 54-TSOP(0.400", 10.16mm 폭) IS42S16160 SDRAM 3V ~ 3.6V 54-TSOP II 다운로드 ROHS3 준수 3(168시간) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8542.32.0024 1,500 166MHz 항체를 제거하세요 256Mbit 5.4ns 음주 16M×16 불편한 -
IS61LPD51236A-250B3LI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LPD51236A-250B3LI-TR 20.1000
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 ECAD 8075 0.00000000 ISSI, 통합 실리콘 솔루션 Inc. - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -40°C ~ 85°C(타) 표면 실장 165-TBGA IS61LPD51236 SRAM - 동기식, SDR 3.135V ~ 3.465V 165-PBGA(13x15) 다운로드 ROHS3 준수 3(168시간) REACH 영향을 받지 않았습니다. 3A991B2A 8542.32.0041 2,000 250MHz 항체를 제거하세요 18Mbit 2.6ns 스램 512K x 36 불편한 -
IS43TR16512AL-125KBLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR16512AL-125KBLI-TR -
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 ECAD 4104 0.00000000 ISSI, 통합 실리콘 솔루션 Inc. - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 -40°C ~ 95°C(TC) 표면 실장 96-LFBGA IS43TR16512 SDRAM - DDR3L 1.283V ~ 1.45V 96-LFBGA(10x14) 다운로드 ROHS3 준수 3(168시간) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8542.32.0036 2,000 800MHz 항체를 제거하세요 8Gbit 20ns 음주 512M x 16 불편한 15ns
IS43DR86400E-25DBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43DR86400E-25DBL 3.6400
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 ECAD 868 0.00000000 ISSI, 통합 실리콘 솔루션 Inc. - 쟁반 활동적인 0°C ~ 85°C (TC) 표면 실장 60-TFBGA IS43DR86400 SDRAM - DDR2 1.7V ~ 1.9V 60-TWBGA(8x10.5) 다운로드 ROHS3 준수 3(168시간) REACH 영향을 받지 않았습니다. 706-1558 EAR99 8542.32.0028 242 400MHz 항체를 제거하세요 512Mbit 400ps 음주 64M x 8 불편한 15ns
IS25LP080D-JNLE ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LP080D-JNLE 0.8200
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 ECAD 14 0.00000000 ISSI, 통합 실리콘 솔루션 Inc. - 대부분 활동적인 -40°C ~ 105°C(타) 표면 실장 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) IS25LP080 플래시 - 아니오 2.3V ~ 3.6V 8-SOIC 다운로드 ROHS3 준수 3(168시간) REACH 영향을 받지 않았습니다. 706-1580 EAR99 8542.32.0071 100 133MHz 비대하다 8Mbit 플래시 1M x 8 SPI - 쿼드 I/O, QPI, DTR 800μs
IS66WVQ8M4DALL-200BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS66WVQ8M4DALL-200BLI 3.8900
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 ECAD 340 0.00000000 ISSI, 통합 실리콘 솔루션 Inc. - 쟁반 활동적인 -40°C ~ 85°C(타) 표면 실장 24-TBGA IS66WVQ8M4 PSRAM(의사 SRAM) 1.7V ~ 1.95V 24-TFBGA(6x8) 다운로드 ROHS3 준수 3(168시간) REACH 영향을 받지 않았습니다. 706-IS66WVQ8M4DALL-200BLI 3A991B2A 8542.32.0041 480 200MHz 항체를 제거하세요 32Mbit PSRAM 8M x 4 SPI - 쿼드 I/O 45ns
IS41LV16100B-50TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS41LV16100B-50TLI -
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 ECAD 5762 0.00000000 ISSI, 통합 실리콘 솔루션 Inc. - 쟁반 더 이상 사용하지 않는 경우 -40°C ~ 85°C(타) 표면 실장 44-TSOP(0.400", 10.16mm 폭) IS41LV16100 DRAM-에도 3V ~ 3.6V 44-TSOP II 다운로드 ROHS3 준수 3(168시간) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8542.32.0002 117 항체를 제거하세요 16Mbit 25ns 음주 1M x 16 불편한 -
IS42RM16800H-6BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42RM16800H-6BLI 4.6611
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 ECAD 1412 0.00000000 ISSI, 통합 실리콘 솔루션 Inc. - 쟁반 활동적인 -40°C ~ 85°C(타) 표면 실장 54-TFBGA IS42RM16800 SDRAM - 모바일 2.3V ~ 2.7V 54-TFBGA(8x8) 다운로드 ROHS3 준수 3(168시간) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8542.32.0002 348 166MHz 항체를 제거하세요 128Mbit 5.5ns 음주 8M×16 불편한 -
IS61C5128AL-10KLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61C5128AL-10KLI 3.7027
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 ECAD 3845 0.00000000 ISSI, 통합 실리콘 솔루션 Inc. - 튜브 활동적인 -40°C ~ 85°C(타) 표면 실장 36-BSOJ(0.400", 10.16mm 폭) IS61C5128 SRAM - 특별한식 4.5V ~ 5.5V 36-SOJ 다운로드 ROHS3 준수 3(168시간) REACH 영향을 받지 않았습니다. 3A991B2A 8542.32.0041 19 항체를 제거하세요 4Mbit 10ns 스램 512K x 8 불편한 10ns
IS43R16320F-5BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43R16320F-5BLI-TR 5.5950
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 ECAD 2467 0.00000000 ISSI, 통합 실리콘 솔루션 Inc. - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -40°C ~ 85°C(타) 표면 실장 60-TFBGA IS43R16320 SDRAM - DDR 2.3V ~ 2.7V 60-TFBGA(8x13) 다운로드 ROHS3 준수 3(168시간) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8542.32.0028 2,500 200MHz 항체를 제거하세요 512Mbit 700ps 음주 32M x 16 불편한 15ns 문제가 발생하지 않았습니다
IS42S86400B-7TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S86400B-7TLI -
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 ECAD 5783 0.00000000 ISSI, 통합 실리콘 솔루션 Inc. - 쟁반 더 이상 사용하지 않는 경우 -40°C ~ 85°C(타) 표면 실장 54-TSOP(0.400", 10.16mm 폭) IS42S86400 SDRAM 3V ~ 3.6V 54-TSOP II 다운로드 ROHS3 준수 3(168시간) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8542.32.0028 108 143MHz 항체를 제거하세요 512Mbit 5.4ns 음주 64M x 8 불편한 -
IS42RM16200D-6BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42RM16200D-6BLI-TR 2.3493
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 ECAD 1292 0.00000000 ISSI, 통합 실리콘 솔루션 Inc. - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -40°C ~ 85°C(타) 표면 실장 54-TFBGA IS42RM16200 SDRAM - 모바일 2.3V ~ 2.7V 54-TFBGA(8x8) 다운로드 ROHS3 준수 3(168시간) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8542.32.0002 2,500 166MHz 항체를 제거하세요 32Mbit 6ns 음주 2M×16 불편한 -
IS62WV5128DALL-55TLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV5128DALL-55TLI-TR -
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 ECAD 3688 0.00000000 ISSI, 통합 실리콘 솔루션 Inc. - 테이프 및 릴리(TR) SIC에서는 존재하지 않았습니다. -40°C ~ 85°C(타) 표면 실장 32-SOIC(0.400", 10.16mm 폭) IS62WV5128 SRAM - 특별한식 1.65V ~ 2.2V 32-TSOP II 다운로드 ROHS3 준수 3(168시간) REACH 영향을 받지 않았습니다. 3A991B2A 8542.32.0041 1 항체를 제거하세요 4Mbit 55ns 스램 512K x 8 불편한 55ns
IS61QDPB41M36A1-400B4LI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61QDPB41M36A1-400B4LI 75.0000
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 ECAD 2677 0.00000000 ISSI, 통합 실리콘 솔루션 Inc. - 쟁반 활동적인 -40°C ~ 85°C(타) 표면 실장 165-TBGA IS61QDPB41 SRAM - 동기식, QUADP 1.71V ~ 1.89V 165-TFBGA(13x15) 다운로드 ROHS3 준수 3(168시간) REACH 영향을 받지 않았습니다. 3A991B2A 8542.32.0041 144 400MHz 항체를 제거하세요 36Mbit 8.4ns 스램 1M x 36 불편한 -
IS43DR16160B-3DBL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43DR16160B-3DBL-TR 2.3989
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 ECAD 3886 0.00000000 ISSI, 통합 실리콘 솔루션 Inc. - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 0°C ~ 70°C (타) 표면 실장 84-TFBGA IS43DR16160 SDRAM - DDR2 1.7V ~ 1.9V 84-TWBGA(8x12.5) 다운로드 ROHS3 준수 3(168시간) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8542.32.0024 2,500 333MHz 항체를 제거하세요 256Mbit 450ps 음주 16M×16 불편한 15ns
IS43TR82560B-15HBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR82560B-15HBL -
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 ECAD 8242 0.00000000 ISSI, 통합 실리콘 솔루션 Inc. - 쟁반 더 이상 사용하지 않는 경우 0°C ~ 95°C (TC) 표면 실장 78-TFBGA IS43TR82560 SDRAM - DDR3 1.425V ~ 1.575V 78-TWBGA(8x10.5) 다운로드 ROHS3 준수 3(168시간) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8542.32.0036 242 667MHz 항체를 제거하세요 2Gbit 20ns 음주 256M x 8 불편한 15ns
IS61NLP51236B-200TQLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61NLP51236B-200TQLI 17.2425
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 ECAD 9873 0.00000000 ISSI, 통합 실리콘 솔루션 Inc. - 쟁반 활동적인 -40°C ~ 85°C(타) 표면 실장 100-LQFP IS61NLP51236 SRAM - 동기식, SDR 3.135V ~ 3.465V 100-LQFP(14x20) 다운로드 ROHS3 준수 3(168시간) REACH 영향을 받지 않았습니다. 3A991B2A 8542.32.0041 72 200MHz 항체를 제거하세요 18Mbit 3ns 스램 512K x 36 불편한 -
IS42S32800D-7TL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32800D-7TL-TR -
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 ECAD 7773 0.00000000 ISSI, 통합 실리콘 솔루션 Inc. - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 0°C ~ 70°C (타) 표면 실장 86-TFSOP(0.400", 10.16mm 폭) IS42S32800 SDRAM 3V ~ 3.6V 86-TSOP II 다운로드 ROHS3 준수 3(168시간) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8542.32.0024 1,500 143MHz 항체를 제거하세요 256Mbit 5.4ns 음주 8M×32 불편한 -
IS61VPD102418A-250B3 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61VPD102418A-250B3 -
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 ECAD 3920 0.00000000 ISSI, 통합 실리콘 솔루션 Inc. - 쟁반 더 이상 사용하지 않는 경우 0°C ~ 70°C (타) 표면 실장 165-TBGA IS61VPD102418 SRAM - 쿼드포트, ​동기식 2.375V ~ 2.625V 165-PBGA(13x15) 다운로드 ROHS3 준수 3(168시간) REACH 영향을 받지 않았습니다. 3A991B2A 8542.32.0041 144 250MHz 항체를 제거하세요 18Mbit 2.6ns 스램 1M x 18 불편한 -
IS43QR16512A-075VBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43QR16512A-075VBL 17.7495
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 ECAD 9274 0.00000000 ISSI, 통합 실리콘 솔루션 Inc. - 대부분 활동적인 0°C ~ 95°C (TC) 표면 실장 96-TFBGA SDRAM - DDR4 1.14V ~ 1.26V 96-TWBGA(10x14) 다운로드 ROHS3 준수 3(168시간) 706-IS43QR16512A-075VBL 136 1.333GHz 항체를 제거하세요 8Gbit 18ns 음주 512M x 16 불편한 15ns
IS42S16160J-6TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16160J-6TLI 3.2512
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 ECAD 9372 0.00000000 ISSI, 통합 실리콘 솔루션 Inc. - 튜브 활동적인 -40°C ~ 85°C(타) 표면 실장 54-TSOP(0.400", 10.16mm 폭) IS42S16160 SDRAM 3V ~ 3.6V 54-TSOP II 다운로드 ROHS3 준수 3(168시간) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8542.32.0024 108 166MHz 항체를 제거하세요 256Mbit 5.4ns 음주 16M×16 불편한 -
IS43TR16512BL-107MBL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR16512BL-107MBL-TR 18.3008
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 ECAD 9409 0.00000000 ISSI, 통합 실리콘 솔루션 Inc. - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 0°C ~ 95°C (TC) 표면 실장 96-TFBGA SDRAM - DDR3L 1.283V ~ 1.45V 96-TWBGA(10x14) 다운로드 ROHS3 준수 3(168시간) 706-IS43TR16512BL-107MBL-TR 2,000 933MHz 항체를 제거하세요 8Gbit 20ns 음주 512M x 16 불편한 15ns
IS62WV5128DBLL-45HLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV5128DBLL-45HLI -
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 ECAD 8951 0.00000000 ISSI, 통합 실리콘 솔루션 Inc. - 쟁반 SIC에서는 존재하지 않았습니다. -40°C ~ 85°C(타) 표면 실장 32-TFSOP(0.465", 11.80mm 폭) IS62WV5128 SRAM - 특별한식 2.3V ~ 3.6V 32-STSOP I 다운로드 ROHS3 준수 3(168시간) REACH 영향을 받지 않았습니다. 3A991B2A 8542.32.0041 234 항체를 제거하세요 4Mbit 45ns 스램 512K x 8 불편한 45ns
IS64LPS102436B-166B3LA3 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS64LPS102436B-166B3LA3 127.7659
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 ECAD 6048 0.00000000 ISSI, 통합 실리콘 솔루션 Inc. - 쟁반 활동적인 -40°C ~ 125°C(타) 표면 실장 165-TBGA IS64LPS102436 SRAM - 동기식, SDR 3.135V ~ 3.465V 165-TFBGA(13x15) 다운로드 ROHS3 준수 3(168시간) REACH 영향을 받지 않았습니다. 3A991B2A 8542.32.0041 144 166MHz 항체를 제거하세요 36Mbit 3.8ns 스램 1M x 36 불편한 -
IS46LD32128A-25BPLA1 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46LD32128A-25BPLA1 -
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 ECAD 2362 0.00000000 ISSI, 통합 실리콘 솔루션 Inc. 자동차, AEC-Q100 쟁반 더 이상 사용하지 않는 경우 -40°C ~ 85°C(TC) 표면 실장 168-VFBGA IS46LD32128 SDRAM - 모바일 LPDDR2-S4 1.14V ~ 1.3V, 1.7V ~ 1.95V 168-VFBGA(12x12) - ROHS3 준수 3(168시간) REACH 영향을 받지 않았습니다. 706-IS46LD32128A-25BPLA1 더 이상 사용하지 않는 경우 1 400MHz 항체를 제거하세요 4Gbit 5.5ns 음주 128M x 32 HSUL_12 15ns
IS42S16800D-75ETLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16800D-75ETLI-TR -
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 ECAD 9624 0.00000000 ISSI, 통합 실리콘 솔루션 Inc. - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 -40°C ~ 85°C(타) 표면 실장 54-TSOP(0.400", 10.16mm 폭) IS42S16800 SDRAM 3V ~ 3.6V 54-TSOP II 다운로드 ROHS3 준수 3(168시간) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8542.32.0002 1,500 133MHz 항체를 제거하세요 128Mbit 6.5ns 음주 8M×16 불편한 -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 견적 요청량

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준제품단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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