SIC
close

메모리 (5712)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전압 - 공급 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 시계 시계 메모리 메모리 메모리 메모리 액세스 액세스 메모리 메모리 메모리 메모리 메모리 메모리 쓰기 쓰기 시간 - 단어, 페이지
IS25WJ064F-JBLE ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25WJ064F-JBLE 1.6200
RFQ
 ECAD 3525 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc * 쟁반 활동적인 - Rohs3 준수 3 (168 시간) 706-IS25WJ064F-JBLE 90
IS46TR16256BL-125KBLA1-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46TR16256BL-125KBLA1-TR 7.8141
RFQ
 ECAD 7393 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 96-TFBGA IS46TR16256 sdram -ddr3l 1.283V ~ 1.45V 96-TWBGA (9x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 706-IS46TR16256BL-125KBLA1-TR 귀 99 8542.32.0036 1,500 800MHz 휘발성 휘발성 4gbit 20 ns 음주 256m x 16 평행한 15ns
IS46LD32128B-25BPLA1 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46LD32128B-25BPLA1 -
RFQ
 ECAD 8282 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc 자동차, AEC-Q100 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 168-VFBGA IS46LD32128 sdram -모바일 lpddr2 -s4 1.14V ~ 1.3V, 1.7V ~ 1.95V 168-VFBGA (12x12) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 706-IS46LD32128B-25BPLA1 귀 99 8542.32.0036 1 400MHz 휘발성 휘발성 4gbit 5.5 ns 음주 128m x 32 HSUL_12 15ns
IS25WP032D-JBLA3 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25WP032D-JBLA3 1.2578
RFQ
 ECAD 3033 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc 자동차, AEC-Q100 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.209 ", 5.30mm 너비) 플래시 - 아니오 (SLC) 1.65V ~ 1.95V 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 706-IS25WP032D-JBLA3 90 133 MHz 비 비 32mbit 7 ns 플래시 4m x 8 spi-쿼드 i/o, qpi, dtr 40µs, 800µs
IS45S32200L-6TLA2-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS45S32200L-6TLA2-TR 4.8606
RFQ
 ECAD 7048 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 86-TFSOP (0.400 ", 10.16mm 너비) IS45S32200 sdram 3V ~ 3.6V 86-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0002 1,500 166 MHz 휘발성 휘발성 64mbit 5.4 ns 음주 2m x 32 평행한 -
IS46TR16256ECL-125LB2LA1-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46TR16256ECL-125LB2LA1-TR -
RFQ
 ECAD 1323 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 96-TFBGA sdram -ddr3l - 96-TWBGA (9x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 706-IS46TR16256ECL-125LB2LA1-TR 2,000 800MHz 휘발성 휘발성 4gbit 음주 512m x 8 평행한 -
IS43DR16160B-25DBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43DR16160B-25DBL 2.6286
RFQ
 ECAD 6581 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 84-TFBGA IS43DR16160 sdram -ddr2 1.7V ~ 1.9V 84-TWBGA (8x12.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 209 400MHz 휘발성 휘발성 256mbit 400 PS 음주 16m x 16 평행한 15ns
IS61LPD51236A-200B3-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LPD51236A-200B3-TR -
RFQ
 ECAD 4019 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 165-TBGA IS61LPD51236 sram-동기, sdr 3.135V ~ 3.465V 165-PBGA (13x15) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 2,000 200MHz 휘발성 휘발성 18mbit 3.1 ns SRAM 512k x 36 평행한 -
IS61WV10248BLL-10MLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61WV10248BLL-10MLI-TR 12.7500
RFQ
 ECAD 8985 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-TFBGA IS61WV10248 sram- 비동기 2.4V ~ 3.6V 48- 바 미니 (9x11) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 2,000 휘발성 휘발성 8mbit 10 ns SRAM 1m x 8 평행한 10ns
IS62WV25616ECLL-35BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV25616ECLL-35BLI 3.9214
RFQ
 ECAD 4530 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-TFBGA sram- 비동기 3.135V ~ 3.465V 48-TFBGA (6x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 706-IS62WV25616ECLL-35BLI 480 휘발성 휘발성 4mbit 35 ns SRAM 256k x 16 평행한 35ns
IS43TR16256A-107MBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR16256A-107MBL -
RFQ
 ECAD 4085 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 96-TFBGA IS43tr16256 sdram -ddr3 1.425V ~ 1.575V 96-TWBGA (9x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 190 933 MHz 휘발성 휘발성 4gbit 20 ns 음주 256m x 16 평행한 15ns
IS49RL18320A-093EBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS49RL18320A-093EBLI 76.6200
RFQ
 ECAD 1858 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 168-lbga rldram 3 1.28V ~ 1.42V 168-FBGA (13.5x13.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 706-IS49RL18320A-093EBLI 귀 99 8542.32.0032 119 1.066 GHz 휘발성 휘발성 576mbit 7.5 ns 음주 32m x 18 평행한 -
IS61NLP51236-250TQLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61NLP51236-250TQLI-TR -
RFQ
 ECAD 5723 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 100-lqfp IS61NLP51236 sram-동기, sdr 3.135V ~ 3.465V 100-LQFP (14x20) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 800 250MHz 휘발성 휘발성 18mbit 2.6 ns SRAM 512k x 36 평행한 -
IS61C1024AL-12KLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61C1024AL-12KLI -
RFQ
 ECAD 2104 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 32-BSOJ (0.400 ", 10.16mm 너비) IS61C1024 sram- 비동기 4.5V ~ 5.5V 32-SOJ 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2B 8542.32.0041 21 휘발성 휘발성 1mbit 12 ns SRAM 128k x 8 평행한 12ns
IS49RL18320-107EBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS49RL18320-107EBL -
RFQ
 ECAD 2949 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 168-lbga IS49RL18320 음주 1.28V ~ 1.42V 168-FBGA (13.5x13.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0032 119 933 MHz 휘발성 휘발성 576mbit 8 ns 음주 32m x 18 평행한 -
IS43TR81280C-125JBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR81280C-125JBLI 3.7208
RFQ
 ECAD 1086 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 78-TFBGA sdram -ddr3 1.425V ~ 1.575V 78-TWBGA (8x10.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 706-IS43TR81280C-125JBLI 242 800MHz 휘발성 휘발성 1gbit 20 ns 음주 128m x 8 평행한 15ns
IS42RM32800D-75TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42RM32800D-75TLI -
RFQ
 ECAD 1923 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 sic에서 중단되었습니다 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 90-TFBGA IS42RM32800 sdram- 모바일 2.3V ~ 2.7V 90-TFBGA (8x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 240 133 MHz 휘발성 휘발성 256mbit 5.4 ns 음주 8m x 32 평행한 -
IS46TR16128DL-125KBLA2-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46TR16128DL-125KBLA2-TR 5.5738
RFQ
 ECAD 5961 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TC) 표면 표면 96-TFBGA IS46TR16128 sdram -ddr3l 1.283V ~ 1.45V 96-TWBGA (9x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 706-IS46TR16128DL-125KBLA2-TR 귀 99 8542.32.0036 1,500 800MHz 휘발성 휘발성 2gbit 20 ns 음주 128m x 16 평행한 15ns
IS29GL128-70GLEB ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS29GL128-70GLEB 4.9552
RFQ
 ECAD 9994 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc 자동차, AEC-Q100 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 56-TFBGA 플래시 - 아니오 (SLC) 3V ~ 3.6V 56-TFBGA (7x9) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 706-IS29GL128-70GLEB 240 비 비 128mbit 70 ns 플래시 16m x 8 CFI 70ns, 200µs
IS62WV12816DBLL-45BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV12816DBLL-45BLI-TR -
RFQ
 ECAD 6107 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-TFBGA IS62WV12816 sram- 비동기 2.5V ~ 3.6V 48-TFBGA (6x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 2,500 휘발성 휘발성 2mbit 45 ns SRAM 128k x 16 평행한 45ns
IS61LF51236A-7.5B3I-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LF51236A-7.5B3I-TR -
RFQ
 ECAD 7597 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 165-TBGA IS61LF51236 sram-동기, sdr 3.135V ~ 3.465V 165-TFBGA (13x15) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 2,000 117 MHz 휘발성 휘발성 18mbit 7.5 ns SRAM 512k x 36 평행한 -
IS43TR16128DL-107MBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR16128DL-107MBLI 6.6300
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 96-TFBGA IS43tr16128 sdram -ddr3l 1.283V ~ 1.45V 96-TWBGA (9x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 706-1723 귀 99 8542.32.0036 190 933 MHz 휘발성 휘발성 2gbit 20 ns 음주 128m x 16 평행한 15ns
IS42S32200C1-7TL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32200C1-7TL -
RFQ
 ECAD 6490 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 86-TFSOP (0.400 ", 10.16mm 너비) IS42S32200 sdram 3.15V ~ 3.45V 86-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0002 108 143 MHz 휘발성 휘발성 64mbit 5.5 ns 음주 2m x 32 평행한 -
IS45S16320F-6CTLA1-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS45S16320F-6CTLA1-TR 13.0500
RFQ
 ECAD 6885 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 54-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) IS45S16320 sdram 3V ~ 3.6V 54-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0028 1,500 167 MHz 휘발성 휘발성 512mbit 5.4 ns 음주 32m x 16 평행한 -
IS61NLP51218B-200TQLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61NLP51218B-200TQLI-TR 11.4000
RFQ
 ECAD 2440 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 100-lqfp IS61NLP51218 sram-동기, sdr 3.135V ~ 3.465V 100-LQFP (14x20) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 800 200MHz 휘발성 휘발성 9mbit 3.1 ns SRAM 512k x 18 평행한 -
IS42S32160F-6BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32160F-6BLI-TR 12.6600
RFQ
 ECAD 4218 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 90-TFBGA IS42S32160 sdram 3V ~ 3.6V 90-TFBGA (8x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0028 2,500 167 MHz 휘발성 휘발성 512mbit 5.4 ns 음주 16m x 32 평행한 -
IS43LR32640A-6BL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43LR32640A-6BL 11.4637
RFQ
 ECAD 9262 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 90-LFBGA IS43LR32640 sdram -ddr 1.7V ~ 1.95V 90-WBGA (8x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 240 166 MHz 휘발성 휘발성 2gbit 5 ns 음주 64m x 32 평행한 15ns
IS43LR32100D-6BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43LR32100D-6BLI-TR 2.9135
RFQ
 ECAD 9295 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 90-TFBGA IS43LR32100 sdram- 모바일 lpddr 1.7V ~ 1.95V 90-TFBGA (8x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0002 2,500 166 MHz 휘발성 휘발성 32mbit 5.5 ns 음주 1m x 32 평행한 15ns
IS25LQ025B-JNLE ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LQ025B-Jnle -
RFQ
 ECAD 8020 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 대부분 쓸모없는 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) IS25LQ025 플래시 - 아니오 2.3V ~ 3.6V 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 706-1328 귀 99 8542.32.0071 100 104 MHz 비 비 256kbit 플래시 32k x 8 spi-쿼드 i/o 800µs
IS64WV2568EDBLL-10CTLA3 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS64WV2568EDBLL-10CTLA3 5.8058
RFQ
 ECAD 5067 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 44-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) IS64WV2568 sram- 비동기 2.4V ~ 3.6V 44-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 135 휘발성 휘발성 2mbit 10 ns SRAM 256k x 8 평행한 10ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

RFQ 목록 (0 항목)
카트 목록 (0 항목)
Wishlist위시리스트 (0 항목)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

수량 : 1

목록 비교 (0 항목)
검색을 위해 Enter를 누르거나 ESC를 닫습니다