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제품번호	가격(USD)	수량	사용 수량 보유	제조사	시리즈	세트	제품상태	작동 온도	장착	세트/케이스	기본 제품 번호	기술	전압 - 공급	공급자 장치	데이터 시트	RoHS 상태	민감도특급(MSL)	REACH 상태	다른 이름	ECCN	HTSUS	세트 세트	클럭킹	메모리 종류	메모리 크기	접속시간	메모리 형식	기억 정리	메모리 인터페이스	돈을 쓰는 시간 - 단어, 페이지
IS64LPS12832A-200TQLA3-TR	11.0250	보상요청	4176	ISSI, 통합 실리콘 솔루션 Inc.	-	테이프 및 릴리(TR)	활동적인	-40°C ~ 125°C(타)	표면 실장	100-LQFP	IS64LPS12832	SRAM - 동기식, SDR	3.135V ~ 3.465V	100-LQFP(14x20)	다운로드	ROHS3 준수	3(168시간)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		3A991B2A	8542.32.0041	800	200MHz	항체를 제거하세요	4Mbit	3.1ns	스램	128K x 32	불편한	-
IS42SM16160D-7BL-TR	-	보상요청	5621	ISSI, 통합 실리콘 솔루션 Inc.	-	테이프 및 릴리(TR)	SIC에서는 존재하지 않았습니다.	0°C ~ 70°C (타)	표면 실장	54-TFBGA	IS42SM16160	SDRAM - 모바일	3V ~ 3.6V	54-TFBGA(8x8)	다운로드	ROHS3 준수	3(168시간)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8542.32.0024	2,500	143MHz	항체를 제거하세요	256Mbit	5.4ns	음주	16M×16	불편한	-
IS61WV51216EEBLL-10T2LI	7.7828	보상요청	5946	ISSI, 통합 실리콘 솔루션 Inc.	-	튜브	활동적인	-40°C ~ 85°C(타)	표면 실장	48-TFSOP(0.724", 18.40mm 폭)	IS61WV51216	SRAM - 특별한식	2.4V ~ 3.6V	48-TSOP I	다운로드	ROHS3 준수	3(168시간)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		3A991B2A	8542.32.0041	96		항체를 제거하세요	8Mbit	10ns	스램	512K x 16	불편한	10ns
IS46QR16512A-083TBLA2	22.1643	보상요청	3600	ISSI, 통합 실리콘 솔루션 Inc.	자동차, AEC-Q100	대부분	활동적인	-40°C ~ 105°C(TC)	표면 실장	96-TFBGA		SDRAM - DDR4	1.14V ~ 1.26V	96-TWBGA(10x14)	다운로드	ROHS3 준수	3(168시간)		706-IS46QR16512A-083TBLA2			136	1.2GHz	항체를 제거하세요	8Gbit	18ns	음주	512M x 16	불편한	15ns
IS25LP256E-JLLE-TR	3.3357	보상요청	3906	ISSI, 통합 실리콘 솔루션 Inc.	자동차, AEC-Q100	테이프 및 릴리(TR)	활동적인	-40°C ~ 105°C(타)	표면 실장	8-WDFN옆패드		플래시 - NOR(SLC)	2.3V ~ 3.6V	8-WSON(8x6)	다운로드	ROHS3 준수	3(168시간)		706-IS25LP256E-JLLE-TR			4,000	166MHz	비대하다	256Mbit		플래시	32M x 8	SPI - 쿼드 I/O, QPI, DTR	50μs, 1ms
IS62WV25616DALL-55TI	-	보상요청	2832	ISSI, 통합 실리콘 솔루션 Inc.	-	테이프 및 릴리(TR)	SIC에서는 존재하지 않았습니다.	-40°C ~ 85°C(타)	표면 실장	44-TSOP(0.400", 10.16mm 폭)	IS62WV25616	SRAM - 특별한식	1.65V ~ 2.2V	44-TSOP II	다운로드	ROHS3 준수	3(168시간)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		3A991B2A	8542.32.0041	1		항체를 제거하세요	4Mbit	55ns	스램	256K x 16	불편한	55ns
IS46TR16128A-125KBLA2-TR	-	보상요청	8689	ISSI, 통합 실리콘 솔루션 Inc.	-	테이프 및 릴리(TR)	더 이상 사용하지 않는 경우	-40°C ~ 105°C(TC)	표면 실장	96-TFBGA	IS46TR16128	SDRAM - DDR3	1.425V ~ 1.575V	96-TWBGA(9x13)	다운로드	ROHS3 준수	3(168시간)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8542.32.0036	1,500	800MHz	항체를 제거하세요	2Gbit	20ns	음주	128M x 16	불편한	15ns
IS42SM16800G-75BI-TR	-	보상요청	1481	ISSI, 통합 실리콘 솔루션 Inc.	-	테이프 및 릴리(TR)	SIC에서는 존재하지 않았습니다.	-40°C ~ 85°C(타)	표면 실장	54-TFBGA	IS42SM16800	SDRAM - 모바일	3V ~ 3.6V	54-TFBGA(8x8)	다운로드	ROHS3 준수	3(168시간)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8542.32.0002	2,500	133MHz	항체를 제거하세요	128Mbit	6ns	음주	8M×16	불편한	-
IS43R32400E-5BLI-TR	4.6718	보상요청	4767	ISSI, 통합 실리콘 솔루션 Inc.	-	테이프 및 릴리(TR)	활동적인	-40°C ~ 85°C(타)	표면 실장	144-LFBGA	IS43R32400	SDRAM - DDR	2.3V ~ 2.7V	144-LFBGA(12x12)	다운로드	ROHS3 준수	3(168시간)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8542.32.0002	1,500	200MHz	항체를 제거하세요	128Mbit	700ps	음주	4M×32	불편한	15ns
IS61QDP2B22M36A-333M3L	100.1770	보상요청	1049	ISSI, 통합 실리콘 솔루션 Inc.	-	쟁반	활동적인	0°C ~ 70°C (타)	표면 실장	165-LBGA	IS61QDP2	SRAM - 동기식, QUADP	1.71V ~ 1.89V	165-LFBGA(15x17)	다운로드	ROHS3 준수	3(168시간)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		3A991B2A	8542.32.0041	105	333MHz	항체를 제거하세요	72Mbit	8.4ns	스램	2M×36	불편한	-
IS61WV51216EDBLL-8TLI	10.5985	보상요청	5223	ISSI, 통합 실리콘 솔루션 Inc.	-	쟁반	활동적인	-40°C ~ 85°C(타)	표면 실장	44-TSOP(0.400", 10.16mm 폭)	IS61WV51216	SRAM - 특별한식	2.4V ~ 3.6V	44-TSOP II	다운로드	ROHS3 준수	3(168시간)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		3A991B2A	8542.32.0041	135		항체를 제거하세요	8Mbit	8ns	스램	512K x 16	불편한	8ns
IS46TR16256BL-107MBLA2	10.3181	보상요청	6906	ISSI, 통합 실리콘 솔루션 Inc.	자동차, AEC-Q100	쟁반	활동적인	-40°C ~ 105°C(TC)	표면 실장	96-TFBGA	IS46TR16256	SDRAM - DDR3L	1.283V ~ 1.45V	96-TWBGA(9x13)	다운로드	ROHS3 준수	3(168시간)	REACH 영향을 받지 않았습니다.	706-IS46TR16256BL-107MBLA2	EAR99	8542.32.0036	190	933MHz	항체를 제거하세요	4Gbit	20ns	음주	256M x 16	불편한	15ns
IS46LQ16128A-062BLA1	-	보상요청	3510	ISSI, 통합 실리콘 솔루션 Inc.	자동차, AEC-Q100	대부분	활동적인	-40°C ~ 95°C(TC)	표면 실장	200-WFBGA		SDRAM - 모바일 LPDDR4	1.06V ~ 1.17V, 1.7V ~ 1.95V	200-VFBGA(10x14.5)	다운로드	ROHS3 준수	3(168시간)		706-IS46LQ16128A-062BLA1			136	1.6GHz	항체를 제거하세요	2Gbit	3.5ns	음주	128M x 16	LVSTL	18ns
IS61WV102416DALL-12BLI-TR	10.2942	보상요청	6051	ISSI, 통합 실리콘 솔루션 Inc.	-	테이프 및 릴리(TR)	활동적인	-40°C ~ 85°C(타)	표면 실장	48-TFBGA		SRAM - 특별한식	1.65V ~ 2.2V	48-TFBGA(6x8)	다운로드	ROHS3 준수	3(168시간)		706-IS61WV102416DALL-12BLI-TR			2,500		항체를 제거하세요	16Mbit	12ns	스램	1M x 16	불편한	12ns
IS43R32400E-5BL-TR	4.2471	보상요청	5571	ISSI, 통합 실리콘 솔루션 Inc.	-	테이프 및 릴리(TR)	활동적인	0°C ~ 70°C (타)	표면 실장	144-LFBGA	IS43R32400	SDRAM - DDR	2.3V ~ 2.7V	144-LFBGA(12x12)	다운로드	ROHS3 준수	3(168시간)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8542.32.0002	1,500	200MHz	항체를 제거하세요	128Mbit	700ps	음주	4M×32	불편한	15ns
IS43TR85120AL-125KBLI-TR	-	보상요청	2630	ISSI, 통합 실리콘 솔루션 Inc.	-	테이프 및 릴리(TR)	더 이상 사용하지 않는 경우	-40°C ~ 95°C(TC)	표면 실장	78-TFBGA	IS43TR85120	SDRAM - DDR3L	1.283V ~ 1.45V	78-TWBGA(9x10.5)	다운로드	ROHS3 준수	3(168시간)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8542.32.0036	1,500	800MHz	항체를 제거하세요	4Gbit	20ns	음주	512M x 8	불편한	15ns
IS61QDPB22M36A-333M3L	100.1770	보상요청	9919	ISSI, 통합 실리콘 솔루션 Inc.	-	쟁반	활동적인	0°C ~ 70°C (타)	표면 실장	165-LBGA	IS61QDPB22	SRAM - 동기식, QUADP	1.71V ~ 1.89V	165-LFBGA(15x17)	다운로드	ROHS3 준수	3(168시간)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		3A991B2A	8542.32.0041	105	333MHz	항체를 제거하세요	72Mbit	8.4ns	스램	2M×36	불편한	-
IS25LP016D-JBLA3	1.4100	보상요청	38	ISSI, 통합 실리콘 솔루션 Inc.	자동차, AEC-Q100	튜브	활동적인	-40°C ~ 125°C(타)	표면 실장	8-SOIC(0.209", 5.30mm 너비)	IS25LP016	플래시 - 아니오	2.3V ~ 3.6V	8-SOIC	다운로드	ROHS3 준수	3(168시간)	REACH 영향을 받지 않았습니다.	706-IS25LP016D-JBLA3	EAR99	8542.32.0071	90	133MHz	비대하다	16Mbit		플래시	2M x 8	SPI - 쿼드 I/O, QPI, DTR	800μs
IS43LR32800H-6BL-TR	4.4761	보상요청	8721	ISSI, 통합 실리콘 솔루션 Inc.	-	테이프 및 릴리(TR)	활동적인	0°C ~ 70°C (타)	표면 실장	90-TFBGA		SDRAM - 모바일 LPDDR	1.7V ~ 1.95V	90-TFBGA(8x13)	다운로드	ROHS3 준수	3(168시간)		706-IS43LR32800H-6BL-TR			2,500	166MHz	항체를 제거하세요	256Mbit	5.5ns	음주	8M×32	LVCMOS	15ns
IS61NLF102418-6.5B3I	-	보상요청	2885	ISSI, 통합 실리콘 솔루션 Inc.	-	쟁반	더 이상 사용하지 않는 경우	-40°C ~ 85°C(타)	표면 실장	165-TBGA	IS61NLF102418	SRAM - 동기식, SDR	3.135V ~ 3.465V	165-TFBGA(13x15)	다운로드	ROHS3 준수	3(168시간)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		3A991B2A	8542.32.0041	144	133MHz	항체를 제거하세요	18Mbit	6.5ns	스램	1M x 18	불편한	-
IS43TR16128CL-125KBL-TR	5.3700	보상요청	5	ISSI, 통합 실리콘 솔루션 Inc.	-	테이프 및 릴리(TR)	활동적인	0°C ~ 95°C (TC)	표면 실장	96-TFBGA	IS43TR16128	SDRAM - DDR3L	1.283V ~ 1.45V	96-TWBGA(9x13)	다운로드	ROHS3 준수	3(168시간)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8542.32.0036	1,500	800MHz	항체를 제거하세요	2Gbit	20ns	음주	128M x 16	불편한	15ns
IS43TR82560BL-15HBLI	-	보상요청	4670	ISSI, 통합 실리콘 솔루션 Inc.	-	쟁반	활동적인	-40°C ~ 95°C(TC)	표면 실장	78-TFBGA	IS43TR82560	SDRAM - DDR3L	1.283V ~ 1.45V	78-TWBGA(8x10.5)	다운로드	ROHS3 준수	3(168시간)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8542.32.0036	242	667MHz	항체를 제거하세요	2Gbit	20ns	음주	256M x 8	불편한	15ns
IS61LPS102418A-250B3-TR	-	보상요청	7970	ISSI, 통합 실리콘 솔루션 Inc.	-	테이프 및 릴리(TR)	활동적인	0°C ~ 70°C (타)	표면 실장	165-TBGA	IS61LPS102418	SRAM - 동기식, SDR	3.135V ~ 3.465V	165-TFBGA(13x15)	다운로드	ROHS3 준수	3(168시간)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		3A991B2A	8542.32.0041	2,000	250MHz	항체를 제거하세요	18Mbit	2.6ns	스램	1M x 18	불편한	-
IS25LP128F-JBLE-TR	1.7218	보상요청	7280	ISSI, 통합 실리콘 솔루션 Inc.	-	테이프 및 릴리(TR)	활동적인	-40°C ~ 105°C(타)	표면 실장	8-SOIC(0.209", 5.30mm 너비)	IS25LP128	플래시 - 아니오	2.3V ~ 3.6V	8-SOIC	다운로드	ROHS3 준수	3(168시간)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		3A991B1A	8542.32.0071	2,000	133MHz	비대하다	128Mbit		플래시	16M x 8	SPI - 쿼드 I/O, QPI, DTR	800μs
IS43DR16320C-25DBLI	6.5170	보상요청	7724	ISSI, 통합 실리콘 솔루션 Inc.	-	쟁반	새로운 디자인에는 적합하지 않습니다.	-40°C ~ 85°C(타)	표면 실장	84-TFBGA	IS43DR16320	SDRAM - DDR2	1.7V ~ 1.9V	84-TWBGA(8x12.5)	다운로드	ROHS3 준수	3(168시간)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8542.32.0028	209	400MHz	항체를 제거하세요	512Mbit	400ps	음주	32M x 16	불편한	15ns
IS25LQ025B-JNLE-TR	-	보상요청	7418	ISSI, 통합 실리콘 솔루션 Inc.	-	테이프 및 릴리(TR)	활동적인	-40°C ~ 105°C(타)	표면 실장	8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비)	IS25LQ025	플래시 - 아니오	2.3V ~ 3.6V	8-SOIC	다운로드	ROHS3 준수	3(168시간)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8542.32.0071	3,000	104MHz	비대하다	256Kbit		플래시	32K x 8	SPI - 쿼드 I/O	800μs
IS21TF64G-JQLI-TR	53.7750	보상요청	7709	ISSI, 통합 실리콘 솔루션 Inc.	-	테이프 및 릴리(TR)	활동적인	-40°C ~ 85°C(타)	표면 실장	100-LBGA	IS21TF64G	플래시 - 낸드(TLC)	2.7V ~ 3.6V	100-LFBGA(14x18)	다운로드	ROHS3 준수	3(168시간)	REACH 영향을 받지 않았습니다.	706-IS21TF64G-JQLI-TR	3A991B1A	8542.32.0071	1,000	200MHz	비대하다	512Gbit		플래시	64G x 8	MMC	-
IS42S16100H-7TL	1.3300	보상요청	75	ISSI, 통합 실리콘 솔루션 Inc.	-	쟁반	활동적인	0°C ~ 70°C (타)	표면 실장	50-TSOP(0.400", 10.16mm 폭)	IS42S16100	SDRAM	3V ~ 3.6V	50-TSOP II	다운로드	ROHS3 준수	3(168시간)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		3A991B2A	8542.32.0002	117	143MHz	항체를 제거하세요	16Mbit	5.5ns	음주	1M x 16	불편한	-
IS46DR16320E-25DBLA2	5.5581	보상요청	1677년	ISSI, 통합 실리콘 솔루션 Inc.	-	쟁반	활동적인	-40°C ~ 105°C(타)	표면 실장	84-TFBGA	IS46DR16320	SDRAM - DDR2	1.7V ~ 1.9V	84-TWBGA(8x12.5)	다운로드	ROHS3 준수	3(168시간)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8542.32.0028	209	400MHz	항체를 제거하세요	512Mbit	400ps	음주	32M x 16	불편한	15ns
IS42VM16160E-6BLI-TR	-	보상요청	5681	ISSI, 통합 실리콘 솔루션 Inc.	-	테이프 및 릴리(TR)	SIC에서는 존재하지 않았습니다.	-40°C ~ 85°C(타)	표면 실장	54-TFBGA	IS42VM16160	SDRAM - 모바일	1.7V ~ 1.95V	54-TFBGA(8x8)	다운로드	ROHS3 준수	3(168시간)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8542.32.0024	2,500	166MHz	항체를 제거하세요	256Mbit	5.5ns	음주	16M×16	불편한	-

2000+
일일 평균 견적 요청량
30,000,000
표준제품단위
2800+
전세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

기억(5712)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²