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IS43DR16640C-25DBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43DR16640C-25DBLI 6.7100
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 84-TFBGA IS43DR16640 sdram -ddr2 1.7V ~ 1.9V 84-TWBGA (8x12.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 706-1564 귀 99 8542.32.0032 209 400MHz 휘발성 휘발성 1gbit 400 PS 음주 64m x 16 평행한 15ns
IS61C5128AL-10TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61C5128AL-10TLI 3.6124
RFQ
 ECAD 4290 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 44-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) IS61C5128 sram- 비동기 4.5V ~ 5.5V 44-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 135 휘발성 휘발성 4mbit 10 ns SRAM 512k x 8 평행한 10ns
IS61NVF51236-6.5B3I ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61NVF51236-6.5B3I -
RFQ
 ECAD 2938 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 165-TBGA IS61NVF51236 sram-동기, sdr 2.375V ~ 2.625V 165-TFBGA (13x15) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 144 133 MHz 휘발성 휘발성 18mbit 6.5 ns SRAM 512k x 36 평행한 -
IS43LR32320C-5BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43LR32320C-5BLI-TR 8.3524
RFQ
 ECAD 2827 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 90-TFBGA sdram- 모바일 lpddr 1.7V ~ 1.95V 90-TFBGA (8x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 706-IS43LR32320C-5BLI-TR 2,500 208 MHz 휘발성 휘발성 1gbit 5 ns 음주 32m x 32 평행한 14.4ns
IS42RM32200K-6BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42RM32200K-6BLI -
RFQ
 ECAD 3022 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 sic에서 중단되었습니다 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 90-TFBGA IS42RM32200 sdram- 모바일 2.3V ~ 2.7V 90-TFBGA (8x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0002 240 166 MHz 휘발성 휘발성 64mbit 5.5 ns 음주 2m x 32 평행한 -
IS42S16400J-6TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16400J-6TLI 1.7537
RFQ
 ECAD 6486 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 54-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) IS42S16400 sdram 3V ~ 3.6V 54-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0002 108 166 MHz 휘발성 휘발성 64mbit 5.4 ns 음주 4m x 16 평행한 -
IS45S32800J-6TLA1-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS45S32800J-6TLA1-TR 7.3684
RFQ
 ECAD 7891 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 86-TFSOP (0.400 ", 10.16mm 너비) IS45S32800 sdram 3V ~ 3.6V 86-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0024 1,500 166 MHz 휘발성 휘발성 256mbit 5.4 ns 음주 32m x 8 평행한 -
IS29GL032-70BLED-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS29GL032-70BLED-TR 2.6208
RFQ
 ECAD 6804 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 48-TFBGA 플래시 - 아니오 (SLC) 2.7V ~ 3.6V 48-TFBGA (6x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 706-IS29GL032-70BLED-TR 2,500 비 비 32mbit 70 ns 플래시 2m x 16 CFI 70ns
IS61WV10248EDBLL-10BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61WV10248EDBLL-10BLI 10.9354
RFQ
 ECAD 7549 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-TFBGA IS61WV10248 sram- 비동기 2.4V ~ 3.6V 48-TFBGA (6x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 480 휘발성 휘발성 8mbit 10 ns SRAM 1m x 8 평행한 10ns
IS43DR82560C-25DBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43DR82560C-25DBLI 17.1700
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 60-TFBGA IS43DR82560 sdram -ddr2 1.7V ~ 1.9V 60-TWBGA (8x10.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 706-1572 귀 99 8542.32.0036 242 400MHz 휘발성 휘발성 2gbit 400 PS 음주 256m x 8 평행한 15ns
IS61WV25616BLS-25TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61WV25616BLS-25TLI 4.4433
RFQ
 ECAD 3313 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 44-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) IS61WV25616 sram- 비동기 2.4V ~ 3.6V 44-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 135 휘발성 휘발성 4mbit 25 ns SRAM 256k x 16 평행한 25ns
IS61LF51236A-7.5B3I ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LF51236A-7.5B3I -
RFQ
 ECAD 9371 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 165-TBGA IS61LF51236 sram-동기, sdr 3.135V ~ 3.465V 165-TFBGA (13x15) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 144 117 MHz 휘발성 휘발성 18mbit 7.5 ns SRAM 512k x 36 평행한 -
IS46R16320D-6TLA2-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46R16320D-6TLA2-TR 10.3500
RFQ
 ECAD 5279 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 66-TSSOP (0.400 ", 10.16mm 너비) IS46R16320 sdram -ddr 2.3V ~ 2.7V 66-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0028 1,500 166 MHz 휘발성 휘발성 512mbit 700 PS 음주 32m x 16 평행한 15ns
IS42VM16160E-75BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42VM16160E-75BLI -
RFQ
 ECAD 5077 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 sic에서 중단되었습니다 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 54-TFBGA IS42VM16160 sdram- 모바일 1.7V ~ 1.95V 54-TFBGA (8x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 348 133 MHz 휘발성 휘발성 256mbit 6 ns 음주 16m x 16 평행한 -
IS25LP080D-JKLE-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LP080D-JKLE-TR 0.7341
RFQ
 ECAD 8009 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 8-wdfn n 패드 IS25LP080 플래시 - 아니오 2.3V ~ 3.6V 8-wson (6x5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 4,500 133 MHz 비 비 8mbit 플래시 1m x 8 spi-쿼드 i/o, qpi, dtr 800µs
IS43LQ32640AL-062BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43LQ32640AL-062BLI -
RFQ
 ECAD 9199 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 200-WFBGA sdram- 모바일 lpddr4x 1.06V ~ 1.17V, 1.7V ~ 1.95V 200-VFBGA (10x14.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 706-IS43LQ32640AL-062BLI 136 1.6GHz 휘발성 휘발성 2gbit 3.5 ns 음주 64m x 32 lvstl 18ns
IS49NLS96400-33BI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS49NLS96400-33BI -
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 ECAD 6163 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 144-TFBGA IS49NLS96400 rldram 2 1.7V ~ 1.9V 144-FCBGA (11x18.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0032 104 300MHz 휘발성 휘발성 576mbit 20 ns 음주 64m x 9 평행한 -
IS46DR16320D-3DBLA2-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46DR16320D-3DBLA2-TR 5.9536
RFQ
 ECAD 1740 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 84-TFBGA IS46DR16320 sdram -ddr2 1.7V ~ 1.9V 84-TWBGA (8x12.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0028 2,500 333 MHz 휘발성 휘발성 512mbit 450 ps 음주 32m x 16 평행한 15ns
IS25LP128F-RHLE-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LP128F-RHLE-TR 1.9519
RFQ
 ECAD 3506 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 24-TBGA 플래시 - 아니오 (SLC) 2.3V ~ 3.6V 24-TFBGA (6x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 706-IS25LP128F-RHLE-TR 2,500 166 MHz 비 비 128mbit 플래시 16m x 8 spi-쿼드 i/o, qpi, dtr 40µs, 800µs
IS46LD32128A-18BPLA1-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46LD32128A-18BPLA1-TR -
RFQ
 ECAD 6426 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 168-VFBGA IS46LD32128 sdram -모바일 lpddr2 -s4 1.14V ~ 1.3V, 1.7V ~ 1.95V 168-VFBGA (12x12) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 706-IS46LD32128A-18BPLA1-TR 쓸모없는 1 533 MHz 휘발성 휘발성 4gbit 5.5 ns 음주 128m x 32 HSUL_12 15ns
IS25LP016D-JBLA3-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LP016D-JBLA3-TR 0.9021
RFQ
 ECAD 5279 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.209 ", 5.30mm 너비) 플래시 - 아니오 (SLC) 2.3V ~ 3.6V 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 706-IS25LP016D-JBLA3-TR 2,000 133 MHz 비 비 16mbit 7 ns 플래시 2m x 8 spi-쿼드 i/o, qpi, dtr 40µs, 800µs
IS21TF32G-JQLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS21TF32G-JQLI 48.3300
RFQ
 ECAD 29 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 100-lbga IS21TF32G 플래시 -Nand (TLC) 2.7V ~ 3.6V 100-LFBGA (14x18) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 706-IS21TF32G-JQLI 3A991B1A 8542.32.0071 98 200MHz 비 비 256gbit 플래시 32g x 8 MMC -
IS25LP016D-JBLA3 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LP016D-JBLA3 1.4100
RFQ
 ECAD 38 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc 자동차, AEC-Q100 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.209 ", 5.30mm 너비) IS25LP016 플래시 - 아니오 2.3V ~ 3.6V 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 706-IS25LP016D-JBLA3 귀 99 8542.32.0071 90 133 MHz 비 비 16mbit 플래시 2m x 8 spi-쿼드 i/o, qpi, dtr 800µs
IS42S16400J-6BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16400J-6BLI 2.0410
RFQ
 ECAD 1223 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 54-TFBGA IS42S16400 sdram 3V ~ 3.6V 54-TFBGA (8x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0002 348 166 MHz 휘발성 휘발성 64mbit 5.4 ns 음주 4m x 16 평행한 -
IS43R16800E-5TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43R16800E-5TLI 2.6286
RFQ
 ECAD 2418 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 66-TSSOP (0.400 ", 10.16mm 너비) IS43R16800 sdram -ddr 2.3V ~ 2.7V 66-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0002 108 200MHz 휘발성 휘발성 128mbit 700 PS 음주 8m x 16 평행한 15ns
IS62WV102416ALL-35TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV102416ALL-35TLI 21.9142
RFQ
 ECAD 4482 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) IS62WV102416 sram- 비동기 1.65V ~ 2.2V 48-tsop i 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 96 휘발성 휘발성 16mbit 35 ns SRAM 1m x 16 평행한 35ns
IS49FL004T-33JCE ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS49FL004T-33JCE -
RFQ
 ECAD 5306 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 튜브 쓸모없는 0 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 32-LCC (J-Lead) IS49FL004 플래시 3V ~ 3.6V 32-PLCC (11.43x13.97) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 32 33MHz 비 비 4mbit 120 ns 플래시 512k x 8 평행한 -
IS61NLF102436B-6.5TQLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61NLF102436B-6.5TQLI 81.3214
RFQ
 ECAD 9727 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 100-lqfp IS61NLF102436 sram-동기, sdr 3.135V ~ 3.465V 100-LQFP (14x20) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 72 133 MHz 휘발성 휘발성 36mbit 6.5 ns SRAM 1m x 36 평행한 -
IS49NLS18320A-33WBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS49NLS18320A-33WBL -
RFQ
 ECAD 6528 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 144-TFBGA IS49NLS18320 rldram 2 1.7V ~ 1.9V 144-TWBGA (11x18.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0032 104 300MHz 휘발성 휘발성 576mbit 20 ns 음주 32m x 18 평행한 -
IS43TR81280B-125KBLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR81280B-125KBLI-TR -
RFQ
 ECAD 6127 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 78-TFBGA IS43tr81280 sdram -ddr3 1.425V ~ 1.575V 78-TWBGA (8x10.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0032 2,000 800MHz 휘발성 휘발성 1gbit 20 ns 음주 128m x 8 평행한 15ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

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