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IS42S32400B-7TI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32400B-7TI -
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ECAD 4988 0.00000000 ISSI, 통합 실리콘 솔루션 Inc. - 쟁반 더 이상 사용하지 않는 경우 -40°C ~ 85°C(타) 표면 실장 86-TFSOP(0.400", 10.16mm 폭) IS42S32400 SDRAM 3V ~ 3.6V 86-TSOP II 다운로드 ROHS3 준수 3(168시간) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8542.32.0002 108 143MHz 항체를 제거하세요 128Mbit 5.4ns 음주 4M×32 불편한 -
IS42RM32160C-75BL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42RM32160C-75BL -
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ECAD 8288 0.00000000 ISSI, 통합 실리콘 솔루션 Inc. - 쟁반 SIC에서는 존재하지 않았습니다. 0°C ~ 70°C (타) 표면 실장 90-LFBGA IS42RM32160 SDRAM - 모바일 2.3V ~ 3V 90-WBGA(8x13) 다운로드 ROHS3 준수 3(168시간) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8542.32.0028 240 133MHz 항체를 제거하세요 512Mbit 5.4ns 음주 16M x 32 불편한 -
IS62WV51216BLL-55BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV51216BLL-55BLI 7.7900
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ECAD 6275 0.00000000 ISSI, 통합 실리콘 솔루션 Inc. - 쟁반 활동적인 -40°C ~ 85°C(타) 표면 실장 48-TFBGA IS62WV51216 SRAM - 특별한식 2.5V ~ 3.6V 48-미니BGA(7.2x8.7) 다운로드 ROHS3 준수 3(168시간) REACH 영향을 받지 않았습니다. 3A991B2A 8542.32.0041 312 항체를 제거하세요 8Mbit 55ns 스램 512K x 16 불편한 55ns
IS43R32400E-5BL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43R32400E-5BL-TR 4.2471
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ECAD 5571 0.00000000 ISSI, 통합 실리콘 솔루션 Inc. - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 0°C ~ 70°C (타) 표면 실장 144-LFBGA IS43R32400 SDRAM - DDR 2.3V ~ 2.7V 144-LFBGA(12x12) 다운로드 ROHS3 준수 3(168시간) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8542.32.0002 1,500 200MHz 항체를 제거하세요 128Mbit 700ps 음주 4M×32 불편한 15ns
IS42S16100H-7BL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16100H-7BL-TR 1.3075
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ECAD 6060 0.00000000 ISSI, 통합 실리콘 솔루션 Inc. - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 0°C ~ 70°C (타) 표면 실장 60-TFBGA IS42S16100 SDRAM 3V ~ 3.6V 60-TFBGA(6.4x10.1) 다운로드 ROHS3 준수 3(168시간) REACH 영향을 받지 않았습니다. 3A991B2A 8542.32.0002 2,500 143MHz 항체를 제거하세요 16Mbit 5.5ns 음주 1M x 16 불편한 -
IS46TR16128A-15HBLA1 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46TR16128A-15HBLA1 -
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ECAD 2126 0.00000000 ISSI, 통합 실리콘 솔루션 Inc. - 쟁반 더 이상 사용하지 않는 경우 -40°C ~ 95°C(TC) 표면 실장 96-TFBGA IS46TR16128 SDRAM - DDR3 1.425V ~ 1.575V 96-TWBGA(9x13) 다운로드 ROHS3 준수 3(168시간) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8542.32.0036 190 667MHz 항체를 제거하세요 2Gbit 20ns 음주 128M x 16 불편한 15ns
IS46TR16128B-15HBLA2 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46TR16128B-15HBLA2 -
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ECAD 5762 0.00000000 ISSI, 통합 실리콘 솔루션 Inc. - 쟁반 더 이상 사용하지 않는 경우 -40°C ~ 105°C(TC) 표면 실장 96-TFBGA IS46TR16128 SDRAM - DDR3 1.425V ~ 1.575V 96-TWBGA(9x13) 다운로드 ROHS3 준수 3(168시간) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8542.32.0036 190 667MHz 항체를 제거하세요 2Gbit 20ns 음주 128M x 16 불편한 15ns
IS42RM32800K-6BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42RM32800K-6BLI 6.1873
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ECAD 2789 0.00000000 ISSI, 통합 실리콘 솔루션 Inc. - 쟁반 활동적인 -40°C ~ 85°C(타) 표면 실장 90-TFBGA IS42RM32800 SDRAM - 모바일 2.3V ~ 3V 90-TFBGA(8x13) 다운로드 ROHS3 준수 3(168시간) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8542.32.0024 240 166MHz 항체를 제거하세요 256Mbit 5.5ns 음주 8M×32 불편한 -
IS43R16160D-6BL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43R16160D-6BL 5.3295
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ECAD 9289 0.00000000 ISSI, 통합 실리콘 솔루션 Inc. - 쟁반 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. 0°C ~ 70°C (타) 표면 실장 60-TFBGA IS43R16160 SDRAM - DDR 2.3V ~ 2.7V 60-TFBGA(8x13) 다운로드 ROHS3 준수 3(168시간) REACH 영향을 받지 않았습니다. 706-1204 EAR99 8542.32.0024 190 166MHz 항체를 제거하세요 256Mbit 700ps 음주 16M×16 불편한 15ns
IS61NLF102418-7.5B3I-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61NLF102418-7.5B3I-TR -
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ECAD 3795 0.00000000 ISSI, 통합 실리콘 솔루션 Inc. - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 -40°C ~ 85°C(타) 표면 실장 165-TBGA IS61NLF102418 SRAM - 동기식, SDR 3.135V ~ 3.465V 165-TFBGA(13x15) 다운로드 ROHS3 준수 3(168시간) REACH 영향을 받지 않았습니다. 3A991B2A 8542.32.0041 2,000 117MHz 항체를 제거하세요 18Mbit 7.5ns 스램 1M x 18 불편한 -
IS42S32800D-6BI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32800D-6BI -
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ECAD 2686 0.00000000 ISSI, 통합 실리콘 솔루션 Inc. - 쟁반 더 이상 사용하지 않는 경우 -40°C ~ 85°C(타) 표면 실장 90-TFBGA IS42S32800 SDRAM 3V ~ 3.6V 90-TFBGA(8x13) 다운로드 ROHS3 준수 3(168시간) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8542.32.0024 240 166MHz 항체를 제거하세요 256Mbit 5.4ns 음주 8M×32 불편한 -
IS62WV51216EALL-55BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV51216EALL-55BLI 5.8352
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ECAD 6576 0.00000000 ISSI, 통합 실리콘 솔루션 Inc. - 쟁반 활동적인 -40°C ~ 85°C(타) 표면 실장 48-VFBGA IS62WV51216 SRAM - 특별한식 1.65V ~ 2.2V 48-VFBGA(6x8) 다운로드 ROHS3 준수 3(168시간) REACH 영향을 받지 않았습니다. 3A991B2A 8542.32.0041 312 항체를 제거하세요 8Mbit 55ns 스램 512K x 16 불편한 55ns
IS43LR32100D-6BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43LR32100D-6BLI-TR 2.9135
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ECAD 9295 0.00000000 ISSI, 통합 실리콘 솔루션 Inc. - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -40°C ~ 85°C(타) 표면 실장 90-TFBGA IS43LR32100 SDRAM - 모바일 LPDDR 1.7V ~ 1.95V 90-TFBGA(8x13) 다운로드 ROHS3 준수 3(168시간) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8542.32.0002 2,500 166MHz 항체를 제거하세요 32Mbit 5.5ns 음주 1M x 32 불편한 15ns
IS49NLC36800A-25EWBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS49NLC36800A-25EWBL 29.0237
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ECAD 5037 0.00000000 ISSI, 통합 실리콘 솔루션 Inc. - 대부분 활동적인 0°C ~ 95°C (TC) 표면 실장 144-TFBGA RLDRAM 2 1.7V ~ 1.9V 144-TWBGA(11x18.5) 다운로드 ROHS3 준수 3(168시간) REACH 영향을 받지 않았습니다. 706-IS49NLC36800A-25EWBL 104 400MHz 항체를 제거하세요 288Mbit 15ns 음주 8Mx36 HSTL -
IS25WP512M-RHLA3-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25WP512M-RHLA3-TR 7.6342
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ECAD 1424 0.00000000 ISSI, 통합 실리콘 솔루션 Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -40°C ~ 125°C(타) 표면 실장 24-TBGA 플래시 - NOR(SLC) 1.7V ~ 1.95V 24-TFBGA(6x8) 다운로드 ROHS3 준수 3(168시간) 706-IS25WP512M-RHLA3-TR 2,500 112MHz 비대하다 512Mbit 7.5ns 플래시 64M x 8 SPI - 쿼드 I/O, QPI, DTR 50μs, 1ms
IS43LR16160G-6BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43LR16160G-6BLI 5.9717
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ECAD 8649 0.00000000 ISSI, 통합 실리콘 솔루션 Inc. - 쟁반 활동적인 -40°C ~ 85°C(타) 표면 실장 60-TFBGA IS43LR16160 SDRAM - 모바일 LPDDR 1.7V ~ 1.95V 60-TFBGA(8x10) 다운로드 ROHS3 준수 3(168시간) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8542.32.0024 300 166MHz 항체를 제거하세요 256Mbit 5.5ns 음주 16M×16 불편한 15ns
IS43QR16256B-083RBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43QR16256B-083RBL 12.0800
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ECAD 1 0.00000000 ISSI, 통합 실리콘 솔루션 Inc. - 쟁반 활동적인 0°C ~ 95°C (TC) 표면 실장 96-BGA IS43QR16256 SDRAM - DDR4 1.14V ~ 1.26V 96-BGA 다운로드 ROHS3 준수 3(168시간) REACH 영향을 받지 않았습니다. 706-1733 EAR99 8542.32.0036 198 1.2GHz 항체를 제거하세요 4Gbit 음주 256M x 16 불편한 15ns
IS25WJ032F-JNLE ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25WJ032F-JNLE 1.0600
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ECAD 365 0.00000000 ISSI, 통합 실리콘 솔루션 Inc. - 튜브 활동적인 -40°C ~ 105°C(타) 표면 실장 8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비) IS25WJ032F 플래시 - 아니오 1.65V ~ 1.95V 8-SOP 다운로드 ROHS3 준수 3(168시간) REACH 영향을 받지 않았습니다. 706-IS25WJ032F-JNLE 3A991B1A 8542.32.0071 100 133MHz 비대하다 32Mbit 6ns 플래시 4M x 8 SPI - 쿼드 I/O, QPI, DTR 1.6ms
IS61LF102418B-6.5TQLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LF102418B-6.5TQLI 17.8310
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ECAD 7330 0.00000000 ISSI, 통합 실리콘 솔루션 Inc. - 쟁반 활동적인 -40°C ~ 85°C(타) 표면 실장 100-LQFP IS61LF102418 SRAM - 동기식, SDR 3.135V ~ 3.465V 100-LQFP(14x20) 다운로드 ROHS3 준수 3(168시간) REACH 영향을 받지 않았습니다. 3A991B2A 8542.32.0041 72 133MHz 항체를 제거하세요 18Mbit 6.5ns 스램 1M x 18 불편한 -
IS46TR16256AL-107MBLA2-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46TR16256AL-107MBLA2-TR -
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ECAD 2009년 0.00000000 ISSI, 통합 실리콘 솔루션 Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 -40°C ~ 105°C(TC) 표면 실장 96-TFBGA IS46TR16256 SDRAM - DDR3L 1.283V ~ 1.45V 96-TWBGA(9x13) 다운로드 ROHS3 준수 3(168시간) REACH 영향을 받지 않았습니다. 706-IS46TR16256AL-107MBLA2-TR EAR99 8542.32.0036 1,500 933MHz 항체를 제거하세요 4Gbit 20ns 음주 256M x 16 불편한 15ns
IS46LD32128A-18BPLA1-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46LD32128A-18BPLA1-TR -
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ECAD 6426 0.00000000 ISSI, 통합 실리콘 솔루션 Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 -40°C ~ 85°C(TC) 표면 실장 168-VFBGA IS46LD32128 SDRAM - 모바일 LPDDR2-S4 1.14V ~ 1.3V, 1.7V ~ 1.95V 168-VFBGA(12x12) - ROHS3 준수 3(168시간) REACH 영향을 받지 않았습니다. 706-IS46LD32128A-18BPLA1-TR 더 이상 사용하지 않는 경우 1 533MHz 항체를 제거하세요 4Gbit 5.5ns 음주 128M x 32 HSUL_12 15ns
IS66WV51216BLL-55TLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS66WV51216BLL-55TLI-TR -
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ECAD 2793 0.00000000 ISSI, 통합 실리콘 솔루션 Inc. - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 -40°C ~ 85°C(타) 표면 실장 44-TSOP(0.400", 10.16mm 폭) IS66WV51216 PSRAM(의사 SRAM) 2.5V ~ 3.6V 44-TSOP II 다운로드 ROHS3 준수 3(168시간) REACH 영향을 받지 않았습니다. 3A991B2A 8542.32.0041 1,000 항체를 제거하세요 8Mbit 55ns PSRAM 512K x 16 불편한 55ns
IS45S16320D-7CTLA2-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS45S16320D-7CTLA2-TR 24.7650
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ECAD 3487 0.00000000 ISSI, 통합 실리콘 솔루션 Inc. - 테이프 및 릴리(TR) 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. -40°C ~ 105°C(타) 표면 실장 54-TSOP(0.400", 10.16mm 폭) IS45S16320 SDRAM 3V ~ 3.6V 54-TSOP II 다운로드 ROHS3 준수 3(168시간) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8542.32.0032 1,500 143MHz 항체를 제거하세요 512Mbit 5.4ns 음주 32M x 16 불편한 -
IS34ML02G084-TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS34ML02G084-TLI 6.8500
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ECAD 890 0.00000000 ISSI, 통합 실리콘 솔루션 Inc. - 쟁반 활동적인 -40°C ~ 85°C(타) 표면 실장 48-TFSOP(0.724", 18.40mm 폭) IS34ML02 플래시 - 낸드(SLC) 2.7V ~ 3.6V 48-TSOP I 다운로드 ROHS3 준수 3(168시간) REACH 영향을 받지 않았습니다. 706-1633 3A991B1A 8542.32.0071 96 비대하다 2Gbit 25ns 플래시 256M x 8 불편한 25ns
IS43DR16640B-25DBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43DR16640B-25DBL 6.1100
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ECAD 6098 0.00000000 ISSI, 통합 실리콘 솔루션 Inc. - 쟁반 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. 0°C ~ 70°C (타) 표면 실장 84-TFBGA IS43DR16640 SDRAM - DDR2 1.7V ~ 1.9V 84-TWBGA(8x12.5) 다운로드 ROHS3 준수 3(168시간) REACH 영향을 받지 않았습니다. 706-1275 EAR99 8542.32.0032 209 400MHz 항체를 제거하세요 1Gbit 400ps 음주 64M x 16 불편한 15ns
IS46TR85120BL-125KBLA2 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46TR85120BL-125KBLA2 -
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ECAD 5229 0.00000000 ISSI, 통합 실리콘 솔루션 Inc. 자동차, AEC-Q100 쟁반 활동적인 -40°C ~ 105°C(TC) 표면 실장 78-TFBGA IS46TR85120 SDRAM - DDR3L 1.283V ~ 1.45V 78-TWBGA(8x10.5) 다운로드 ROHS3 준수 3(168시간) REACH 영향을 받지 않았습니다. 706-IS46TR85120BL-125KBLA2 EAR99 8542.32.0036 136 800MHz 항체를 제거하세요 4Gbit 20ns 음주 512M x 8 불편한 15ns
IS49NLC96400A-25WBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS49NLC96400A-25WBL 52.8000
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ECAD 2939 0.00000000 ISSI, 통합 실리콘 솔루션 Inc. - 쟁반 활동적인 0°C ~ 95°C (TC) 표면 실장 144-TFBGA IS49NLC96400 RLDRAM 2 1.7V ~ 1.9V 144-TWBGA(11x18.5) 다운로드 ROHS3 준수 3(168시간) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8542.32.0032 104 400MHz 항체를 제거하세요 576Mbit 20ns 음주 64M x 9 불편한 -
IS61WV10248EEBLL-10B2LI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61WV10248EEBLL-10B2LI 6.9125
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ECAD 5145 0.00000000 ISSI, 통합 실리콘 솔루션 Inc. - 대부분 활동적인 -40°C ~ 85°C(타) 표면 실장 48-TFBGA SRAM - 특별한식 2.4V ~ 3.6V 48-TFBGA(6x8) 다운로드 ROHS3 준수 3(168시간) 706-IS61WV10248EEBLL-10B2LI 480 항체를 제거하세요 8Mbit 10ns 스램 1M x 8 불편한 10ns
IS42S32160B-6BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32160B-6BLI -
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ECAD 2558 0.00000000 ISSI, 통합 실리콘 솔루션 Inc. - 쟁반 더 이상 사용하지 않는 경우 -40°C ~ 85°C(타) 표면 실장 90-TFBGA IS42S32160 SDRAM 3V ~ 3.6V 90-WBGA(11x13) 다운로드 ROHS3 준수 3(168시간) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8542.32.0028 144 166MHz 항체를 제거하세요 512Mbit 5.4ns 음주 16M x 32 불편한 -
IS49NLS18160-25BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS49NLS18160-25BLI -
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ECAD 2479 0.00000000 ISSI, 통합 실리콘 솔루션 Inc. - 쟁반 활동적인 -40°C ~ 85°C(타) 표면 실장 144-TFBGA IS49NLS18160 RLDRAM 2 1.7V ~ 1.9V 144-FCBGA(11x18.5) 다운로드 ROHS3 준수 3(168시간) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8542.32.0032 104 400MHz 항체를 제거하세요 288Mbit 20ns 음주 16M×18 불편한 -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 견적 요청량

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준제품단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고