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IS61VPS204836B-250TQLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61VPS204836B-250TQLI 130.1800
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ECAD 2531 0.00000000 ISSI, 통합 실리콘 솔루션 Inc. - 쟁반 활동적인 -40°C ~ 85°C(타) 표면 실장 100-LQFP IS61VPS204836 SRAM - 동기식, SDR 2.375V ~ 2.625V 100-LQFP(14x20) 다운로드 ROHS3 준수 3(168시간) REACH 영향을 받지 않았습니다. 3A991B2A 8542.32.0041 72 250MHz 항체를 제거하세요 72Mbit 2.8ns 스램 2M×36 불편한 -
IS66WV51216BLL-55TLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS66WV51216BLL-55TLI-TR -
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ECAD 2793 0.00000000 ISSI, 통합 실리콘 솔루션 Inc. - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 -40°C ~ 85°C(타) 표면 실장 44-TSOP(0.400", 10.16mm 폭) IS66WV51216 PSRAM(의사 SRAM) 2.5V ~ 3.6V 44-TSOP II 다운로드 ROHS3 준수 3(168시간) REACH 영향을 받지 않았습니다. 3A991B2A 8542.32.0041 1,000 항체를 제거하세요 8Mbit 55ns PSRAM 512K x 16 불편한 55ns
IS45S32800D-6TLA1 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS45S32800D-6TLA1 -
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ECAD 2666 0.00000000 ISSI, 통합 실리콘 솔루션 Inc. - 쟁반 SIC에서는 존재하지 않았습니다. -40°C ~ 85°C(타) 표면 실장 86-TFSOP(0.400", 10.16mm 폭) IS45S32400 SDRAM 3V ~ 3.6V 86-TSOP II 다운로드 ROHS3 준수 3(168시간) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8542.32.0024 108 166MHz 항체를 제거하세요 256Mbit 5.4ns 음주 32M x 8 불편한 -
IS66WV1M16EBLL-70BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS66WV1M16EBLL-70BLI 3.0454
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ECAD 7355 0.00000000 ISSI, 통합 실리콘 솔루션 Inc. - 쟁반 활동적인 -40°C ~ 85°C(타) 표면 실장 48-TFBGA IS66WV1M16 PSRAM(의사 SRAM) 2.5V ~ 3.6V 48-TFBGA(6x8) 다운로드 ROHS3 준수 3(168시간) REACH 영향을 받지 않았습니다. 3A991B2A 8542.32.0041 480 항체를 제거하세요 16Mbit 70ns PSRAM 1M x 16 불편한 70ns
IS41LV16105B-50KLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS41LV16105B-50KLI -
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ECAD 3597 0.00000000 ISSI, 통합 실리콘 솔루션 Inc. - 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 -40°C ~ 85°C(타) 표면 실장 42-BSOJ(0.400", 10.16mm 폭) IS41LV16105 DRAM - FP 3V ~ 3.6V 42-SOJ 다운로드 ROHS3 준수 3(168시간) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8542.32.0002 16 항체를 제거하세요 16Mbit 25ns 음주 1M x 16 불편한 -
IS64WV25616EFBLL-10BLA3-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS64WV25616EFBLL-10BLA3-TR 6.6840
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ECAD 4861 0.00000000 ISSI, 통합 실리콘 솔루션 Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -40°C ~ 125°C(타) 표면 실장 48-TFBGA SRAM - 특별한식 2.4V ~ 3.6V 48-TFBGA(6x8) - ROHS3 준수 3(168시간) 706-IS64WV25616EFBLL-10BLA3-TR 2,500 항체를 제거하세요 4Mbit 10ns 스램 256K x 16 불편한 10ns
IS62WV12816BLL-55B2LI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV12816BLL-55B2LI 2.4384
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ECAD 8407 0.00000000 ISSI, 통합 실리콘 솔루션 Inc. - 쟁반 활동적인 -40°C ~ 85°C(타) 표면 실장 48-TFBGA IS62WV12816 SRAM - 특별한식 2.5V ~ 3.6V 48-TFBGA(6x8) 다운로드 ROHS3 준수 3(168시간) REACH 영향을 받지 않았습니다. 3A991B2A 8542.32.0041 480 항체를 제거하세요 2Mbit 55ns 스램 128K x 16 불편한 55ns
IS25LQ040B-JDLE ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LQ040B-JDLE -
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ECAD 6131 0.00000000 ISSI, 통합 실리콘 솔루션 Inc. - 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 -40°C ~ 105°C(타) 표면 실장 8-TSSOP(0.173", 4.40mm 폭) IS25LQ040 플래시 - 아니오 2.3V ~ 3.6V 8-TSSOP - ROHS3 준수 3(168시간) REACH 영향을 받지 않았습니다. 706-IS25LQ040B-JDLE EAR99 8542.32.0071 100 104MHz 비대하다 4Mbit 8ns 플래시 512K x 8 SPI - 쿼드 I/O 800μs
IS43TR82560CL-15HBLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR82560CL-15HBLI-TR 6.0087
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ECAD 9140 0.00000000 ISSI, 통합 실리콘 솔루션 Inc. - 테이프 및 릴리(TR) 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. -40°C ~ 95°C(TC) 표면 실장 78-TFBGA IS43TR82560 SDRAM - DDR3L 1.283V ~ 1.45V 78-TWBGA(8x10.5) 다운로드 ROHS3 준수 3(168시간) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8542.32.0036 2,000 667MHz 항체를 제거하세요 2Gbit 20ns 음주 256M x 8 불편한 15ns
IS49NLS18160-25BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS49NLS18160-25BLI -
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ECAD 2479 0.00000000 ISSI, 통합 실리콘 솔루션 Inc. - 쟁반 활동적인 -40°C ~ 85°C(타) 표면 실장 144-TFBGA IS49NLS18160 RLDRAM 2 1.7V ~ 1.9V 144-FCBGA(11x18.5) 다운로드 ROHS3 준수 3(168시간) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8542.32.0032 104 400MHz 항체를 제거하세요 288Mbit 20ns 음주 16M×18 불편한 -
IS61C5128AS-25QLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61C5128AS-25QLI 4.5000
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ECAD 999 0.00000000 ISSI, 통합 실리콘 솔루션 Inc. - 쟁반 활동적인 -40°C ~ 85°C(타) 표면 실장 32-SOIC(0.445", 11.30mm 폭) IS61C5128 SRAM - 특별한식 4.5V ~ 5.5V 32-SOP 다운로드 ROHS3 준수 3(168시간) REACH 영향을 받지 않았습니다. 3A991B2A 8542.32.0041 84 항체를 제거하세요 4Mbit 25ns 스램 512K x 8 불편한 25ns
IS61DDPB22M36A-400M3L ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61DDPB22M36A-400M3L 105.0000
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ECAD 4427 0.00000000 ISSI, 통합 실리콘 솔루션 Inc. - 쟁반 활동적인 0°C ~ 70°C (타) 표면 실장 165-LBGA IS61DDPB22 SRAM - 동기식, DDR IIP 1.71V ~ 1.89V 165-LFBGA(15x17) 다운로드 ROHS3 준수 3(168시간) REACH 영향을 받지 않았습니다. 3A991B2A 8542.32.0002 105 400MHz 항체를 제거하세요 72Mbit 스램 2M×36 불편한 -
IS25WX512M-JHE-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25WX512M-JHE-TR 7.5600
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ECAD 2425 0.00000000 ISSI, 통합 실리콘 솔루션 Inc. - 쟁반 활동적인 -40°C ~ 105°C(타) 표면 실장 24-TBGA IS25WX512M 플래시 1.7V ~ 2V 24-TFBGA(6x8) 다운로드 ROHS3 준수 3(168시간) REACH 영향을 받지 않았습니다. 706-IS25WX512M-JHE-TR 3A991B1A 8542.32.0071 2,500 200MHz 비대하다 512Mbit 플래시 64M x 8 SPI - 8진수 I/O -
IS43DR16160B-3DBLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43DR16160B-3DBLI-TR 3.8973
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ECAD 9016 0.00000000 ISSI, 통합 실리콘 솔루션 Inc. - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -40°C ~ 85°C(타) 표면 실장 84-TFBGA IS43DR16160 SDRAM - DDR2 1.7V ~ 1.9V 84-TWBGA(8x12.5) 다운로드 ROHS3 준수 3(168시간) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8542.32.0024 2,500 333MHz 항체를 제거하세요 256Mbit 450ps 음주 16M×16 불편한 15ns
IS49NLC36160-25BI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS49NLC36160-25BI -
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ECAD 9949 0.00000000 ISSI, 통합 실리콘 솔루션 Inc. - 쟁반 더 이상 사용하지 않는 경우 -40°C ~ 85°C(타) 표면 실장 144-TFBGA IS49NLC36160 RLDRAM 2 1.7V ~ 1.9V 144-FCBGA(11x18.5) 다운로드 ROHS3 준수 3(168시간) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8542.32.0032 104 400MHz 항체를 제거하세요 576Mbit 20ns 음주 16M×36 불편한 -
IS62WV25616EALL-55BI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV25616EALL-55BI -
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ECAD 1692년 0.00000000 ISSI, 통합 실리콘 솔루션 Inc. - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 -40°C ~ 85°C(타) 표면 실장 48-VFBGA IS62WV25616 SRAM - 특별한식 1.65V ~ 2.2V 48-VFBGA(6x8) 다운로드 ROHS3 준수 3(168시간) REACH 영향을 받지 않았습니다. 더 이상 사용하지 않는 경우 0000.00.0000 1 항체를 제거하세요 4Mbit 55ns 스램 256K x 16 불편한 55ns
IS62WV6416DBLL-45TLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV6416DBLL-45TLI-TR -
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ECAD 7637 0.00000000 ISSI, 통합 실리콘 솔루션 Inc. - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -40°C ~ 85°C(타) 표면 실장 44-TSOP(0.400", 10.16mm 폭) IS62WV6416 SRAM - 특별한식 2.3V ~ 3.6V 44-TSOP II 다운로드 ROHS3 준수 3(168시간) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8542.32.0041 1,000 항체를 제거하세요 1Mbit 45ns 스램 64K x 16 불편한 45ns
IS42S32200E-7TL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32200E-7TL-TR -
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ECAD 1589 0.00000000 ISSI, 통합 실리콘 솔루션 Inc. - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 0°C ~ 70°C (타) 표면 실장 86-TFSOP(0.400", 10.16mm 폭) IS42S32200 SDRAM 3V ~ 3.6V 86-TSOP II 다운로드 ROHS3 준수 3(168시간) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8542.32.0002 1,500 143MHz 항체를 제거하세요 64Mbit 5.5ns 음주 2M×32 불편한 -
IS61NLF102418-6.5B3-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61NLF102418-6.5B3-TR -
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ECAD 3319 0.00000000 ISSI, 통합 실리콘 솔루션 Inc. - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 0°C ~ 70°C (타) 표면 실장 165-TBGA IS61NLF102418 SRAM - 동기식, SDR 3.135V ~ 3.465V 165-TFBGA(13x15) 다운로드 ROHS3 준수 3(168시간) REACH 영향을 받지 않았습니다. 3A991B2A 8542.32.0041 2,000 133MHz 항체를 제거하세요 18Mbit 6.5ns 스램 1M x 18 불편한 -
IS45S16160G-7TLA2-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS45S16160G-7TLA2-TR 7.5150
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ECAD 3549 0.00000000 ISSI, 통합 실리콘 솔루션 Inc. - 테이프 및 릴리(TR) 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. -40°C ~ 105°C(타) 표면 실장 54-TSOP(0.400", 10.16mm 폭) IS45S16160 SDRAM 3V ~ 3.6V 54-TSOP II 다운로드 ROHS3 준수 3(168시간) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8542.32.0028 1,500 143MHz 항체를 제거하세요 256Mbit 5.4ns 음주 16M×16 불편한 -
IS46QR81024A-075VBLA2-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46QR81024A-075VBLA2-TR 2027년 20월
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ECAD 8814 0.00000000 ISSI, 통합 실리콘 솔루션 Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -40°C ~ 105°C(TC) 표면 실장 78-TFBGA SDRAM - DDR4 1.14V ~ 1.26V 78-TWBGA(10x14) 다운로드 ROHS3 준수 3(168시간) 706-IS46QR81024A-075VBLA2-TR 2,000 1.333GHz 항체를 제거하세요 8Gbit 18ns 음주 1G x 8 불편한 15ns
IS46TR16128C-125KBLA1 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46TR16128C-125KBLA1 6.3746
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ECAD 7108 0.00000000 ISSI, 통합 실리콘 솔루션 Inc. - 쟁반 활동적인 -40°C ~ 95°C(TC) 표면 실장 96-TFBGA IS46TR16128 SDRAM - DDR3 1.425V ~ 1.575V 96-TWBGA(9x13) 다운로드 ROHS3 준수 3(168시간) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8542.32.0036 190 800MHz 항체를 제거하세요 2Gbit 20ns 음주 128M x 16 불편한 15ns
IS61LPS204836B-166TQLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LPS204836B-166TQLI-TR 98.0000
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ECAD 8608 0.00000000 ISSI, 통합 실리콘 솔루션 Inc. - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -40°C ~ 85°C(타) 표면 실장 100-LQFP IS61LPS204836 SRAM - 동기식, SDR 3.135V ~ 3.465V 100-LQFP(14x20) 다운로드 ROHS3 준수 3(168시간) REACH 영향을 받지 않았습니다. 3A991B2A 8542.32.0041 800 166MHz 항체를 제거하세요 72Mbit 3.8ns 스램 2M×36 불편한 -
IS46DR16640C-3DBLA2-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46DR16640C-3DBLA2-TR 5.9400
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ECAD 1230 0.00000000 ISSI, 통합 실리콘 솔루션 Inc. - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -40°C ~ 105°C(타) 표면 실장 84-TFBGA IS46DR16640 SDRAM - DDR2 1.7V ~ 1.9V 84-TWBGA(8x12.5) 다운로드 ROHS3 준수 3(168시간) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8542.32.0032 2,500 333MHz 항체를 제거하세요 1Gbit 450ps 음주 64M x 16 불편한 15ns
IS43DR16160B-25DBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43DR16160B-25DBL 2.6286
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ECAD 6581 0.00000000 ISSI, 통합 실리콘 솔루션 Inc. - 쟁반 활동적인 0°C ~ 70°C (타) 표면 실장 84-TFBGA IS43DR16160 SDRAM - DDR2 1.7V ~ 1.9V 84-TWBGA(8x12.5) 다운로드 ROHS3 준수 3(168시간) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8542.32.0024 209 400MHz 항체를 제거하세요 256Mbit 400ps 음주 16M×16 불편한 15ns
IS61LPS204818A-166TQL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LPS204818A-166TQL-TR -
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ECAD 9188 0.00000000 ISSI, 통합 실리콘 솔루션 Inc. - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 0°C ~ 70°C (타) 표면 실장 100-LQFP IS61LPS204818 SRAM - 동기식, SDR 3.135V ~ 3.465V 100-LQFP(14x20) 다운로드 ROHS3 준수 3(168시간) REACH 영향을 받지 않았습니다. 3A991B2A 8542.32.0041 800 166MHz 항체를 제거하세요 36Mbit 3.5ns 스램 2M×18 불편한 -
IS61LPS102418B-200TQLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LPS102418B-200TQLI 17.2425
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ECAD 4475 0.00000000 ISSI, 통합 실리콘 솔루션 Inc. - 쟁반 활동적인 -40°C ~ 85°C(타) 표면 실장 100-LQFP IS61LPS102418 SRAM - 동기식, SDR 3.135V ~ 3.465V 100-LQFP(14x20) 다운로드 ROHS3 준수 3(168시간) REACH 영향을 받지 않았습니다. 3A991B2A 8542.32.0041 72 200MHz 항체를 제거하세요 18Mbit 3ns 스램 1M x 18 불편한 -
IS61LF102418A-7.5B3I-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LF102418A-7.5B3I-TR -
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ECAD 1552 0.00000000 ISSI, 통합 실리콘 솔루션 Inc. - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -40°C ~ 85°C(타) 표면 실장 165-TBGA IS61LF102418 SRAM - 동기식, SDR 3.135V ~ 3.465V 165-TFBGA(13x15) 다운로드 ROHS3 준수 3(168시간) REACH 영향을 받지 않았습니다. 3A991B2A 8542.32.0041 2,000 117MHz 항체를 제거하세요 18Mbit 7.5ns 스램 1M x 18 불편한 -
IS42S32800D-6BI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32800D-6BI -
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ECAD 2686 0.00000000 ISSI, 통합 실리콘 솔루션 Inc. - 쟁반 더 이상 사용하지 않는 경우 -40°C ~ 85°C(타) 표면 실장 90-TFBGA IS42S32800 SDRAM 3V ~ 3.6V 90-TFBGA(8x13) 다운로드 ROHS3 준수 3(168시간) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8542.32.0024 240 166MHz 항체를 제거하세요 256Mbit 5.4ns 음주 8M×32 불편한 -
IS61C5128AL-10TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61C5128AL-10TLI 3.6124
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ECAD 4290 0.00000000 ISSI, 통합 실리콘 솔루션 Inc. - 쟁반 활동적인 -40°C ~ 85°C(타) 표면 실장 44-TSOP(0.400", 10.16mm 폭) IS61C5128 SRAM - 특별한식 4.5V ~ 5.5V 44-TSOP II 다운로드 ROHS3 준수 3(168시간) REACH 영향을 받지 않았습니다. 3A991B2A 8542.32.0041 135 항체를 제거하세요 4Mbit 10ns 스램 512K x 8 불편한 10ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 견적 요청량

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준제품단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고