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IS61LF51236A-6.5B3I ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LF51236A-6.5B3I -
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 ECAD 3329 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 165-TBGA IS61LF51236 sram-동기, sdr 3.135V ~ 3.465V 165-TFBGA (13x15) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 144 133 MHz 휘발성 휘발성 18mbit 6.5 ns SRAM 512k x 36 평행한 -
IS61LPS51236A-200TQLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LPS51236A-200TQLI -
RFQ
 ECAD 5288 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 100-lqfp IS61LPS51236 sram-동기, sdr 3.135V ~ 3.465V 100-LQFP (14x20) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 72 200MHz 휘발성 휘발성 18mbit 3.1 ns SRAM 512k x 36 평행한 -
IS43TR16640B-107MBL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR16640B-107MBL-TR -
RFQ
 ECAD 2094 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 96-TFBGA IS43tr16640 sdram -ddr3 1.425V ~ 1.575V 96-TWBGA (9x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0032 1,500 933 MHz 휘발성 휘발성 1gbit 20 ns 음주 64m x 16 평행한 15ns
IS62WVS1288GBLL-45NLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WVS1288GBLL-45NLI 2.3425
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 ECAD 4054 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) IS62WVS1288 sram- 동기 2.7V ~ 3.6V 8-SOIC - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 706-IS62WVS1288GBLL-45NLI 100 45MHz 휘발성 휘발성 1mbit 15 ns SRAM 128k x 8 spi-쿼드 i/o, sdi -
IS41C16256C-35TLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS41C16256C-35TLI-TR -
RFQ
 ECAD 7275 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 44-TSOP (0.400 ", 10.16mm 너비), 40 리드 IS41C16256 드람 -에도 4.5V ~ 5.5V 40-tsop 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0002 1,000 휘발성 휘발성 4mbit 18 ns 음주 256k x 16 평행한 -
IS41LV16105B-60TL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS41LV16105B-60TL-TR -
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 ECAD 3526 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 44-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) IS41LV16105 dram -fp 3V ~ 3.6V 44-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0002 1,000 휘발성 휘발성 16mbit 30 ns 음주 1m x 16 평행한 -
IS42S32800B-6BL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32800B-6BL-TR -
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 ECAD 5670 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 90-TFBGA IS42S32800 sdram 3V ~ 3.6V 90-TFBGA (8x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 2,500 166 MHz 휘발성 휘발성 256mbit 5.5 ns 음주 8m x 32 평행한 -
IS62WV2568FBLL-45TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV2568FBLL-45TLI 1.6913
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 ECAD 9471 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 32-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) sram- 비동기 2.2V ~ 3.6V 32-tsop i 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 706-IS62WV2568FBLL-45TLI 156 휘발성 휘발성 2mbit 45 ns SRAM 256k x 8 평행한 45ns
IS45S16800E-7BLA1-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS45S16800E-7BLA1-TR -
RFQ
 ECAD 6256 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 54-TFBGA IS45S16800 sdram 3V ~ 3.6V 54-TFBGA (8x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0002 2,500 143 MHz 휘발성 휘발성 128mbit 5.4 ns 음주 8m x 16 평행한 -
IS61WV51216EEBLL-10TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61WV51216eebll-10tli 7.7827
RFQ
 ECAD 4720 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 44-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) IS61WV51216 sram- 비동기 2.4V ~ 3.6V 44-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 135 휘발성 휘발성 8mbit 10 ns SRAM 512k x 16 평행한 10ns
IS42S16320F-7TLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16320F-7TLI-TR 11.1150
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 ECAD 8335 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 54-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) IS42S16320 sdram 3V ~ 3.6V 54-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0028 1,500 143 MHz 휘발성 휘발성 512mbit 5.4 ns 음주 32m x 16 평행한 -
IS25WD040-JNLE ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25WD040-JNLE -
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 ECAD 3631 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 대부분 쓸모없는 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) IS25WD040 플래시 - 아니오 1.65V ~ 1.95V 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 100 80MHz 비 비 4mbit 플래시 512k x 8 SPI 3ms
IS61LPD102418A-200B3I ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LPD102418A-200B3I -
RFQ
 ECAD 5704 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 165-TBGA IS61LPD102418 sram-쿼드-, 동기 3.135V ~ 3.465V 165-PBGA (13x15) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 144 200MHz 휘발성 휘발성 18mbit 3.1 ns SRAM 1m x 18 평행한 -
IS45S16160G-6CTLA1 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS45S16160G-6CTLA1 6.8591
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 ECAD 9800 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 새로운 새로운 아닙니다 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 54-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) IS45S16160 sdram 3V ~ 3.6V 54-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0028 108 166 MHz 휘발성 휘발성 256mbit 5.4 ns 음주 16m x 16 평행한 -
IS63WV1288DBLL-10TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS63WV1288DBLL-10TLI 1.8062
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 ECAD 3536 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 32-Soic (0.400 ", 10.16mm 너비) IS63WV1288 sram- 비동기 2.4V ~ 3.6V 32-TSSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0041 117 휘발성 휘발성 1mbit 10 ns SRAM 128k x 8 평행한 10ns
IS43R16160D-6TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43R16160D-6TLI 3.9014
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 ECAD 1732 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 새로운 새로운 아닙니다 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 66-TSSOP (0.400 ", 10.16mm 너비) IS43R16160 sdram -ddr 2.3V ~ 2.7V 66-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 108 166 MHz 휘발성 휘발성 256mbit 700 PS 음주 16m x 16 평행한 15ns
IS45S16400J-7BLA2-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS45S16400J-7BLA2-TR 4.3845
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 ECAD 1855 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 54-TFBGA IS45S16400 sdram 3V ~ 3.6V 54-TFBGA (8x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0002 2,500 143 MHz 휘발성 휘발성 64mbit 5.4 ns 음주 4m x 16 평행한 -
IS42S16100C1-6TL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16100C1-6TL -
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 ECAD 4567 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 50TSOP (0.400 ", 10.16mm 너비) IS42S16100 sdram 3V ~ 3.6V 50-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0002 117 166 MHz 휘발성 휘발성 16mbit 5.5 ns 음주 1m x 16 평행한 -
IS45S32400F-7BLA1 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS45S32400F-7BLA1 6.3698
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 ECAD 8466 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 90-TFBGA IS45S32400 sdram 3V ~ 3.6V 90-TFBGA (8x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0002 240 143 MHz 휘발성 휘발성 128mbit 5.4 ns 음주 4m x 32 평행한 -
IS61C6416AL-12TLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61C6416AL-12TLI-TR 1.8501
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 ECAD 5588 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 44-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) IS61C6416 sram- 비동기 4.5V ~ 5.5V 44-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2B 8542.32.0041 1,000 휘발성 휘발성 1mbit 12 ns SRAM 64k x 16 평행한 12ns
IS42S32200C1-6TLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32200C1-6TLI-TR -
RFQ
 ECAD 8474 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 86-TFSOP (0.400 ", 10.16mm 너비) IS42S32200 sdram 3.15V ~ 3.45V 86-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0002 1,500 166 MHz 휘발성 휘발성 64mbit 5.5 ns 음주 2m x 32 평행한 -
IS61NLP102418B-250B3L ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61NLP102418B-250B3L 19.2532
RFQ
 ECAD 8538 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 165-TBGA IS61NLP102418 sram-동기, sdr 3.135V ~ 3.465V 165-TFBGA (13x15) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 144 200MHz 휘발성 휘발성 18mbit 3 ns SRAM 1m x 18 평행한 -
IS61LV12816L-10LQLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LV12816L-10LQLI -
RFQ
 ECAD 2396 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 44-LQFP IS61LV12816 sram- 비동기 3.135V ~ 3.6V 44-LQFP (10x10) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 160 휘발성 휘발성 2mbit 10 ns SRAM 128k x 16 평행한 10ns
IS43R16320D-5BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43R16320D-5BLI-TR 8.9850
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 ECAD 8929 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 60-TFBGA IS43R16320 sdram -ddr 2.5V ~ 2.7V 60-TFBGA (8x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0028 2,500 200MHz 휘발성 휘발성 512mbit 700 PS 음주 32m x 16 평행한 15ns
IS61LPS51236A-200TQI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LPS51236A-200TQI -
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 ECAD 5953 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 100-lqfp IS61LPS51236 sram-동기, sdr 3.135V ~ 3.465V 100-LQFP (14x20) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 72 200MHz 휘발성 휘발성 18mbit 3.1 ns SRAM 512k x 36 평행한 -
IS42S16160D-6BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16160D-6BLI-TR -
RFQ
 ECAD 1702 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 54-TFBGA IS42S16160 sdram 3V ~ 3.6V 54-TW-BGA (8x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 2,500 166 MHz 휘발성 휘발성 256mbit 5.4 ns 음주 16m x 16 평행한 -
IS25LQ016B-JMLE-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LQ016B-JMLE-TR -
RFQ
 ECAD 1884 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 16-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비) IS25LQ016 플래시 - 아니오 2.3V ~ 3.6V 16- 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 1,000 104 MHz 비 비 16mbit 플래시 2m x 8 spi-쿼드 i/o 1ms
IS62WV1288BLL-55TI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV1288BLL-55TI-TR -
RFQ
 ECAD 8508 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 32-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) IS62WV1288 sram- 비동기 2.5V ~ 3.6V 32-tsop i 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0041 1,500 휘발성 휘발성 1mbit 55 ns SRAM 128k x 8 평행한 55ns
IS42S32800D-6TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32800D-6TLI -
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 ECAD 5322 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 86-TFSOP (0.400 ", 10.16mm 너비) IS42S32800 sdram 3V ~ 3.6V 86-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 108 166 MHz 휘발성 휘발성 256mbit 5.4 ns 음주 8m x 32 평행한 -
IS25WP032D-JKLE-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25WP032D-JKLE-TR 0.9680
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 ECAD 5888 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 8-wdfn n 패드 IS25WP032 플래시 - 아니오 1.65V ~ 1.95V 8-wson (6x5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 4,500 133 MHz 비 비 32mbit 플래시 4m x 8 spi-쿼드 i/o, qpi, dtr 800µs
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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