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IS25LQ016-JNLE ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LQ016-JNLE -
RFQ
 ECAD 6488 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) IS25LQ016 플래시 - 아니오 2.3V ~ 3.6V 8-SOIC 다운로드 ROHS3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 100 104 MHz 비 비 16mbit 플래시 2m x 8 spi-쿼드 i/o 2ms
IS62WV102416DBLL-45TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV102416DBLL-45TLI 11.1800
RFQ
 ECAD 9315 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) IS62WV102416 sram- 비동기 2.2V ~ 3.6V 48-tsop i 다운로드 ROHS3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 96 휘발성 휘발성 16mbit 45 ns SRAM 1m x 16 평행한 45ns
IS42S16100C1-5TL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16100C1-5TL-TR -
RFQ
 ECAD 8588 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 50TSOP (0.400 ", 10.16mm 너비) IS42S16100 sdram 3V ~ 3.6V 50-TSOP II 다운로드 ROHS3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0002 1,000 200MHz 휘발성 휘발성 16mbit 5 ns 음주 1m x 16 평행한 -
IS42S16800F-6TL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16800F-6TL 2.3385
RFQ
 ECAD 9801 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 54-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) IS42S16800 sdram 3V ~ 3.6V 54-TSOP II 다운로드 ROHS3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0002 108 166 MHz 휘발성 휘발성 128mbit 5.4 ns 음주 8m x 16 평행한 -
IS42S32800J-75ETLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32800J-75ETLI 6.5854
RFQ
 ECAD 3646 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 86-TFSOP (0.400 ", 10.16mm 너비) IS42S32800 sdram 3V ~ 3.6V 86-TSOP II 다운로드 ROHS3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 108 133 MHz 휘발성 휘발성 256mbit 6 ns 음주 8m x 32 평행한 -
IS62WV6416DBLL-45TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV6416DBLL-45TLI -
RFQ
 ECAD 4579 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 44-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) IS62WV6416 sram- 비동기 2.3V ~ 3.6V 44-TSOP II 다운로드 ROHS3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0041 135 휘발성 휘발성 1mbit 45 ns SRAM 64k x 16 평행한 45ns
IS43DR16160B-37CBLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43DR16160B-37CBLI-TR 3.9938
RFQ
 ECAD 8610 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 84-TFBGA IS43DR16160 sdram -ddr2 1.7V ~ 1.9V 84-TWBGA (8x12.5) 다운로드 ROHS3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 2,500 266 MHz 휘발성 휘발성 256mbit 500 PS 음주 16m x 16 평행한 15ns
IS61LF51236A-6.5B2LI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LF51236A-6.5B2LI-TR -
RFQ
 ECAD 2674 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 119-BBGA IS61LF51236 sram-동기, sdr 3.135V ~ 3.6V 119-PBGA (14x22) 다운로드 ROHS3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 1,000 133 MHz 휘발성 휘발성 18mbit 6.5 ns SRAM 512k x 36 평행한 -
IS42S16160J-6TI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16160J-6TI -
RFQ
 ECAD 8023 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 54-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) IS42S16160 sdram 3V ~ 3.6V 54-TSOP II 다운로드 ROHS3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 108 166 MHz 휘발성 휘발성 256mbit 5.4 ns 음주 16m x 16 평행한 -
IS43TR85120AL-107MBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR85120AL-107MBLI -
RFQ
 ECAD 4603 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc 자동차, AEC-Q100 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 78-TFBGA IS43tr85120 sdram -ddr3l 1.283V ~ 1.45V 78-TWBGA (9x10.5) - ROHS3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 706-IS43TR85120AL-107MBLI 귀 99 8542.32.0036 220 933 MHz 휘발성 휘발성 4gbit 20 ns 음주 512m x 8 평행한 15ns
IS43DR81280B-3DBI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43DR81280B-3DBI -
RFQ
 ECAD 3979 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 60-TFBGA IS43DR81280 sdram -ddr2 1.7V ~ 1.9V 60-TWBGA (8x10.5) 다운로드 ROHS3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0032 242 333 MHz 휘발성 휘발성 1gbit 450 ps 음주 128m x 8 평행한 15ns
IS42RM32400H-75BI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42RM32400H-75BI -
RFQ
 ECAD 5514 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 90-TFBGA IS42RM32400 sdram- 모바일 2.3V ~ 2.7V 90-TFBGA (8x13) 다운로드 ROHS3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0002 240 133 MHz 휘발성 휘발성 128mbit 6 ns 음주 4m x 32 평행한 -
IS43R86400F-6TLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43R86400F-6TLI-TR 5.3639
RFQ
 ECAD 2578 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 66-TSSOP (0.400 ", 10.16mm 너비) IS43R86400 sdram -ddr 2.3V ~ 2.7V 66-TSOP II 다운로드 ROHS3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0028 1,500 166 MHz 휘발성 휘발성 512mbit 700 PS 음주 64m x 8 평행한 15ns
IS61NLF102418-7.5B3I ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61NLF102418-7.5B3I -
RFQ
 ECAD 1329 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 165-TBGA IS61NLF102418 sram-동기, sdr 3.135V ~ 3.465V 165-TFBGA (13x15) 다운로드 ROHS3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 144 117 MHz 휘발성 휘발성 18mbit 7.5 ns SRAM 1m x 18 평행한 -
IS43DR16320C-3DBI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43DR16320C-3DBI -
RFQ
 ECAD 5014 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 84-TFBGA IS43DR16320 sdram -ddr2 1.7V ~ 1.9V 84-TWBGA (8x12.5) 다운로드 ROHS3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0028 209 333 MHz 휘발성 휘발성 512mbit 450 ps 음주 32m x 16 평행한 15ns
IS62WV12816BLL-55BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV12816BLL-55BLI 2.2578
RFQ
 ECAD 7862 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-TFBGA IS62WV12816 sram- 비동기 2.5V ~ 3.6V 48-TFBGA (6x8) 다운로드 ROHS3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 480 휘발성 휘발성 2mbit 55 ns SRAM 128k x 16 평행한 55ns
IS43DR86400D-25DBLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43DR86400D-25DBLI-TR 5.5650
RFQ
 ECAD 1448 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 60-TFBGA IS43DR86400 sdram -ddr2 1.7V ~ 1.9V 60-TWBGA (8x10.5) 다운로드 ROHS3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0028 2,000 400MHz 휘발성 휘발성 512mbit 400 PS 음주 64m x 8 평행한 15ns
IS46LQ32128AL-062TBLA2 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46LQ32128AL-062TBLA2 -
RFQ
 ECAD 5854 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc 자동차, AEC-Q100 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TC) 표면 표면 200-VFBGA sdram- 모바일 lpddr4x 1.06V ~ 1.17V, 1.7V ~ 1.95V 200-VFBGA (10x14.5) 다운로드 ROHS3 준수 3 (168 시간) 706-IS46LQ32128AL-062TBLA2 136 1.6GHz 휘발성 휘발성 4gbit 3.5 ns 음주 128m x 32 lvstl 18ns
IS61LPS25636A-200TQ2I ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LPS25636A-200TQ2I -
RFQ
 ECAD 5708 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 100-lqfp IS61LPS25636 sram-동기, sdr 3.135V ~ 3.465V 100-LQFP (14x20) 다운로드 ROHS3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 72 200MHz 휘발성 휘발성 9mbit 3.1 ns SRAM 256k x 36 평행한 -
IS61VPS25618A-200B3I-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61VPS25618A-200B3I-TR -
RFQ
 ECAD 7227 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 165-TBGA IS61VPS25618 sram-동기, sdr 2.375V ~ 2.625V 165-TFBGA (13x15) 다운로드 ROHS3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 2,000 200MHz 휘발성 휘발성 4.5mbit 3.1 ns SRAM 256k x 18 평행한 -
IS42S16100C1-7BI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16100C1-7BI-TR -
RFQ
 ECAD 8672 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 60-TFBGA IS42S16100 sdram 3V ~ 3.6V 60-TFBGA (6.4x10.1) 다운로드 ROHS3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0002 2,500 143 MHz 휘발성 휘발성 16mbit 5.5 ns 음주 1m x 16 평행한 -
IS61NLF102436B-6.5TQLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61NLF102436B-6.5TQLI-TR 69.6500
RFQ
 ECAD 6296 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 100-lqfp IS61NLF102436 sram-동기, sdr 3.135V ~ 3.465V 100-LQFP (14x20) 다운로드 ROHS3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 800 133 MHz 휘발성 휘발성 36mbit 6.5 ns SRAM 1m x 36 평행한 -
IS61LV12824-10TQI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LV12824-10TQI-TR -
RFQ
 ECAD 9801 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 100-lqfp IS61LV12824 sram- 비동기 3.135V ~ 3.6V 100-LQFP (14x20) 다운로드 ROHS3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 800 휘발성 휘발성 3m 비트 10 ns SRAM 128k x 24 평행한 10ns
IS25LQ010B-JKLE ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LQ010B-JKLE -
RFQ
 ECAD 4456 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 대부분 쓸모없는 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 8-wdfn n 패드 IS25LQ010 플래시 - 아니오 2.3V ~ 3.6V 8-wson (6x5) 다운로드 ROHS3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 706-1321 귀 99 8542.32.0071 570 104 MHz 비 비 1mbit 플래시 128k x 8 spi-쿼드 i/o 800µs
IS43R16800E-6TL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43R16800E-6TL 2.3023
RFQ
 ECAD 3553 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 66-TSSOP (0.400 ", 10.16mm 너비) IS43R16800 sdram -ddr 2.3V ~ 2.7V 66-TSOP II 다운로드 ROHS3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0002 108 166 MHz 휘발성 휘발성 128mbit 700 PS 음주 8m x 16 평행한 12ns
IS25WP016D-JNLE ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25WP016D-JNLE 1.0300
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) IS25WP016 플래시 - 아니오 1.65V ~ 1.95V 8-SOIC 다운로드 ROHS3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 100 133 MHz 비 비 16mbit 플래시 2m x 8 spi-쿼드 i/o, qpi, dtr 800µs
IS42S16320B-7TLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16320B-7TLI-TR -
RFQ
 ECAD 7604 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 54-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) IS42S16320 sdram 3V ~ 3.6V 54-TSOP II 다운로드 ROHS3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 1,500 143 MHz 휘발성 휘발성 512mbit 5.4 ns 음주 32m x 16 평행한 -
IS42S32200E-6B-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32200E-6B-TR -
RFQ
 ECAD 1485 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 90-TFBGA IS42S32200 sdram 3V ~ 3.6V 90-TFBGA (8x13) 다운로드 ROHS3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0002 2,500 166 MHz 휘발성 휘발성 64mbit 5.5 ns 음주 2m x 32 평행한 -
IS25LE256E-RMLE ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LE256E-RMLE -
RFQ
 ECAD 1817 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 16-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비) 플래시 - 아니오 2.3V ~ 3.6V 16- - ROHS3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 706-IS25LE256E-RMLE 쓸모없는 1 166 MHz 비 비 256mbit 플래시 32m x 8 spi-쿼드 i/o, qpi, dtr 50µs, 2ms
IS62WV25616EBLL-45BI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV25616EBLL-45BI-TR -
RFQ
 ECAD 2513 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-VFBGA IS62WV25616 sram- 비동기 2.2V ~ 3.6V 48-VFBGA (6x8) 다운로드 ROHS3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 쓸모없는 0000.00.0000 1 휘발성 휘발성 4mbit 45 ns SRAM 256k x 16 평행한 45ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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