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IS42VM16160K-75BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42VM16160K-75BLI 6.6300
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ECAD 5 0.00000000 ISSI, 통합 실리콘 솔루션 Inc. - 쟁반 활동적인 -40°C ~ 85°C(타) 표면 실장 54-TFBGA IS42VM16160 SDRAM - 모바일 1.7V ~ 1.95V 54-TFBGA(8x8) 다운로드 ROHS3 준수 3(168시간) REACH 영향을 받지 않았습니다. 706-1313 EAR99 8542.32.0024 348 133MHz 항체를 제거하세요 256Mbit 6ns 식사 16M×16 불편한 -
IS46TR16640BL-125JBLA2-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46TR16640BL-125JBLA2-TR -
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ECAD 7854 0.00000000 ISSI, 통합 실리콘 솔루션 Inc. - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 -40°C ~ 105°C(TC) 표면 실장 96-TFBGA IS46TR16640 SDRAM - DDR3 1.283V ~ 1.45V 96-TWBGA(9x13) 다운로드 ROHS3 준수 3(168시간) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8542.32.0032 1,500 800MHz 항체를 제거하세요 1Gbit 20ns 식사 64M x 16 불편한 -
IS61WV51216EDALL-20TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61WV51216EDALL-20TLI 12.2476
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ECAD 6509 0.00000000 ISSI, 통합 실리콘 솔루션 Inc. - 쟁반 활동적인 -40°C ~ 85°C(타) 표면 실장 44-TSOP(0.400", 10.16mm 폭) IS61WV51216 SRAM - 특별한식 1.65V ~ 2.2V 44-TSOP II 다운로드 ROHS3 준수 3(168시간) REACH 영향을 받지 않았습니다. 3A991B2A 8542.32.0041 135 항체를 제거하세요 8Mbit 20ns 스램 512K x 16 불편한 20ns
IS61LF51236A-6.5B3I-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LF51236A-6.5B3I-TR -
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ECAD 6667 0.00000000 ISSI, 통합 실리콘 솔루션 Inc. - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 -40°C ~ 85°C(타) 표면 실장 165-TBGA IS61LF51236 SRAM - 동기식, SDR 3.135V ~ 3.465V 165-TFBGA(13x15) 다운로드 ROHS3 준수 3(168시간) REACH 영향을 받지 않았습니다. 3A991B2A 8542.32.0041 2,000 133MHz 항체를 제거하세요 18Mbit 6.5ns 스램 512K x 36 불편한 -
IS45S16100E-7BLA1 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS45S16100E-7BLA1 -
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ECAD 2165 0.00000000 ISSI, 통합 실리콘 솔루션 Inc. - 쟁반 SIC에서는 존재하지 않았습니다. -40°C ~ 85°C(타) 표면 실장 60-TFBGA IS45S16100 SDRAM 3V ~ 3.6V 60-TFBGA(6.4x10.1) 다운로드 ROHS3 준수 3(168시간) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8542.32.0002 286 143MHz 항체를 제거하세요 16Mbit 5.5ns 식사 1M x 16 불편한 -
IS43R16160F-6BL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43R16160F-6BL-TR 3.6992
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ECAD 3721 0.00000000 ISSI, 통합 실리콘 솔루션 Inc. - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 0°C ~ 70°C (타) 표면 실장 60-TFBGA IS43R16160 SDRAM - DDR 2.3V ~ 2.7V 60-TFBGA(8x13) 다운로드 ROHS3 준수 3(168시간) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8542.32.0024 2,500 166MHz 항체를 제거하세요 256Mbit 700ps 식사 16M×16 불편한 15ns
IS25LQ020B-JBLE ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LQ020B-JBLE -
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ECAD 8405 0.00000000 ISSI, 통합 실리콘 솔루션 Inc. - 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 -40°C ~ 105°C(타) 표면 실장 8-SOIC(0.209", 5.30mm 너비) IS25LQ020 플래시 - 아니오 2.3V ~ 3.6V 8-SOIC 다운로드 ROHS3 준수 3(168시간) REACH 영향을 받지 않았습니다. 706-1317 EAR99 8542.32.0071 90 104MHz 비대하다 2Mbit 플래시 256K x 8 SPI - 쿼드 I/O 800μs
IS65WV25616EBLL-55CTLA3 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS65WV25616EBLL-55CTLA3 -
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ECAD 1996년 0.00000000 ISSI, 통합 실리콘 솔루션 Inc. - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -40°C ~ 125°C(타) 표면 실장 44-TSOP(0.400", 10.16mm 폭) IS65WV25616 SRAM - 특별한식 2.2V ~ 3.6V 44-TSOP II 다운로드 ROHS3 준수 3(168시간) REACH 영향을 받지 않았습니다. 3A991B2A 8542.32.0041 1 항체를 제거하세요 4Mbit 55ns 스램 256K x 16 불편한 55ns
IS42S16100H-6BL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16100H-6BL 1.4521
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ECAD 5348 0.00000000 ISSI, 통합 실리콘 솔루션 Inc. - 쟁반 활동적인 0°C ~ 70°C (타) 표면 실장 60-TFBGA IS42S16100 SDRAM 3V ~ 3.6V 60-TFBGA(6.4x10.1) 다운로드 ROHS3 준수 3(168시간) REACH 영향을 받지 않았습니다. 3A991B2A 8542.32.0002 286 166MHz 항체를 제거하세요 16Mbit 5.5ns 식사 1M x 16 불편한 -
IS42S16100C1-7TL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16100C1-7TL-TR -
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ECAD 7497 0.00000000 ISSI, 통합 실리콘 솔루션 Inc. - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 0°C ~ 70°C (타) 표면 실장 50-TSOP(0.400", 10.16mm 폭) IS42S16100 SDRAM 3V ~ 3.6V 50-TSOP II 다운로드 ROHS3 준수 3(168시간) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8542.32.0002 1,000 143MHz 항체를 제거하세요 16Mbit 5.5ns 식사 1M x 16 불편한 -
IS42SM16800G-75BI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42SM16800G-75BI -
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ECAD 5805 0.00000000 ISSI, 통합 실리콘 솔루션 Inc. - 쟁반 SIC에서는 존재하지 않았습니다. -40°C ~ 85°C(타) 표면 실장 54-TFBGA IS42SM16800 SDRAM - 모바일 3V ~ 3.6V 54-TFBGA(8x8) 다운로드 ROHS3 준수 3(168시간) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8542.32.0002 348 133MHz 항체를 제거하세요 128Mbit 6ns 식사 8M×16 불편한 -
IS42S16320D-7BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16320D-7BLI 14.6759
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ECAD 4484 0.00000000 ISSI, 통합 실리콘 솔루션 Inc. - 쟁반 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. -40°C ~ 85°C(타) 표면 실장 54-TFBGA IS42S16320 SDRAM 3V ~ 3.6V 54-TW-BGA(8x13) 다운로드 ROHS3 준수 3(168시간) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8542.32.0028 240 143MHz 항체를 제거하세요 512Mbit 5.4ns 식사 32M x 16 불편한 -
IS45S16320D-7CTLA1 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS45S16320D-7CTLA1 20.0828
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ECAD 4678 0.00000000 ISSI, 통합 실리콘 솔루션 Inc. - 쟁반 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. -40°C ~ 85°C(타) 표면 실장 54-TSOP(0.400", 10.16mm 폭) IS45S16320 SDRAM 3V ~ 3.6V 54-TSOP II 다운로드 ROHS3 준수 3(168시간) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8542.32.0032 108 143MHz 항체를 제거하세요 512Mbit 5.4ns 식사 32M x 16 불편한 -
IS65WV12816BLL-55TLA3 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS65WV12816BLL-55TLA3 4.6436
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ECAD 4136 0.00000000 ISSI, 통합 실리콘 솔루션 Inc. - 쟁반 활동적인 -40°C ~ 125°C(타) 표면 실장 44-TSOP(0.400", 10.16mm 폭) IS65WV12816 SRAM - 특별한식 2.5V ~ 3.6V 44-TSOP II 다운로드 ROHS3 준수 3(168시간) REACH 영향을 받지 않았습니다. 3A991B2A 8542.32.0041 135 항체를 제거하세요 2Mbit 55ns 스램 128K x 16 불편한 55ns
IS43R83200D-6TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43R83200D-6TLI 6.1236
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ECAD 4063 0.00000000 ISSI, 통합 실리콘 솔루션 Inc. - 쟁반 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. -40°C ~ 85°C(타) 표면 실장 66-TSSOP(0.400", 10.16mm 폭) IS43R83200 SDRAM - DDR 2.3V ~ 2.7V 66-TSOP II 다운로드 ROHS3 준수 3(168시간) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8542.32.0024 108 166MHz 항체를 제거하세요 256Mbit 700ps 식사 32M x 8 불편한 15ns
IS43TR82560C-125KBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR82560C-125KBLI 6.7721
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ECAD 3047 0.00000000 ISSI, 통합 실리콘 솔루션 Inc. - 쟁반 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. -40°C ~ 95°C(TC) 표면 실장 78-TFBGA IS43TR82560 SDRAM - DDR3 1.425V ~ 1.575V 78-TWBGA(8x10.5) 다운로드 ROHS3 준수 3(168시간) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8542.32.0036 242 800MHz 항체를 제거하세요 2Gbit 20ns 식사 256M x 8 불편한 15ns
IS42S32800J-6TL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32800J-6TL 6.9700
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ECAD 661 0.00000000 ISSI, 통합 실리콘 솔루션 Inc. - 쟁반 활동적인 0°C ~ 70°C (타) 표면 실장 86-TFSOP(0.400", 10.16mm 폭) IS42S32800 SDRAM 3V ~ 3.6V 86-TSOP II 다운로드 ROHS3 준수 3(168시간) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8542.32.0024 108 166MHz 항체를 제거하세요 256Mbit 5.4ns 식사 8M×32 불편한 -
IS66WVE2M16EALL-70BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS66WVE2M16EALL-70BLI 5.6100
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ECAD 24 0.00000000 ISSI, 통합 실리콘 솔루션 Inc. - 쟁반 활동적인 -40°C ~ 85°C(타) 표면 실장 48-TFBGA IS66WVE2M16 PSRAM(의사 SRAM) 1.7V ~ 1.95V 48-TFBGA(6x8) 다운로드 ROHS3 준수 3(168시간) REACH 영향을 받지 않았습니다. 3A991B2A 8542.32.0041 480 항체를 제거하세요 32Mbit 70ns PSRAM 2M×16 불편한 70ns
IS64LPS12832A-200TQLA3 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS64LPS12832A-200TQLA3 13.3403
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ECAD 2987 0.00000000 ISSI, 통합 실리콘 솔루션 Inc. - 쟁반 활동적인 -40°C ~ 125°C(타) 표면 실장 100-LQFP IS64LPS12832 SRAM - 동기식, SDR 3.135V ~ 3.465V 100-LQFP(14x20) 다운로드 ROHS3 준수 3(168시간) REACH 영향을 받지 않았습니다. 3A991B2A 8542.32.0041 72 200MHz 항체를 제거하세요 4Mbit 3.1ns 스램 128K x 32 불편한 -
IS43DR16128C-3DBL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43DR16128C-3DBL-TR 6.7500
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ECAD 1217 0.00000000 ISSI, 통합 실리콘 솔루션 Inc. - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 0°C ~ 85°C (TC) 표면 실장 84-TFBGA IS43DR16128 SDRAM - DDR2 1.7V ~ 1.9V 84-TWBGA(8x12.5) 다운로드 ROHS3 준수 3(168시간) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8542.32.0036 2,500 333MHz 항체를 제거하세요 2Gbit 450ps 식사 128M x 16 불편한 15ns
IS43TR81280B-107MBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR81280B-107MBL 5.9578
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ECAD 9314 0.00000000 ISSI, 통합 실리콘 솔루션 Inc. - 쟁반 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. 0°C ~ 95°C (TC) 표면 실장 78-TFBGA IS43TR81280 SDRAM - DDR3 1.425V ~ 1.575V 78-TWBGA(8x10.5) 다운로드 ROHS3 준수 3(168시간) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8542.32.0032 242 933MHz 항체를 제거하세요 1Gbit 20ns 식사 128M x 8 불편한 15ns
IS42S16320F-6TL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16320F-6TL 11.1649
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ECAD 7691 0.00000000 ISSI, 통합 실리콘 솔루션 Inc. - 튜브 활동적인 0°C ~ 70°C (타) 표면 실장 54-TSOP(0.400", 10.16mm 폭) IS42S16320 SDRAM 3V ~ 3.6V 54-TSOP II 다운로드 ROHS3 준수 3(168시간) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8542.32.0028 108 167MHz 항체를 제거하세요 512Mbit 5.4ns 식사 32M x 16 불편한 -
IS43TR16128AL-125KBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR16128AL-125KBLI -
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ECAD 9711 0.00000000 ISSI, 통합 실리콘 솔루션 Inc. - 쟁반 SIC에서는 존재하지 않았습니다. -40°C ~ 95°C(TC) 표면 실장 96-TFBGA IS43TR16128 SDRAM - DDR3L 1.283V ~ 1.45V 96-TWBGA(9x13) 다운로드 ROHS3 준수 3(168시간) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8542.32.0036 190 800MHz 항체를 제거하세요 2Gbit 20ns 식사 128M x 16 불편한 15ns
IS42S83200B-7T ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S83200B-7T -
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ECAD 8939 0.00000000 ISSI, 통합 실리콘 솔루션 Inc. - 쟁반 SIC에서는 존재하지 않았습니다. 0°C ~ 70°C (타) 표면 실장 54-TSOP(0.400", 10.16mm 폭) IS42S83200 SDRAM 3V ~ 3.6V 54-TSOP II 다운로드 ROHS3 준수 3(168시간) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8542.32.0024 108 143MHz 항체를 제거하세요 256Mbit 5.4ns 식사 32M x 8 불편한 -
IS43R86400D-5BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43R86400D-5BLI-TR 8.9850
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ECAD 9622 0.00000000 ISSI, 통합 실리콘 솔루션 Inc. - 테이프 및 릴리(TR) 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. -40°C ~ 85°C(타) 표면 실장 60-TFBGA IS43R86400 SDRAM - DDR 2.5V ~ 2.7V 60-TFBGA(8x13) 다운로드 ROHS3 준수 3(168시간) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8542.32.0028 2,500 200MHz 항체를 제거하세요 512Mbit 700ps 식사 64M x 8 불편한 15ns
IS25LP032D-JBLE-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LP032D-JBLE-TR 1.2200
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ECAD 27 0.00000000 ISSI, 통합 실리콘 솔루션 Inc. - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -40°C ~ 105°C(타) 표면 실장 8-SOIC(0.209", 5.30mm 너비) IS25LP032 플래시 - 아니오 2.3V ~ 3.6V 8-SOIC 다운로드 ROHS3 준수 3(168시간) REACH 영향을 받지 않았습니다. 3A991B1A 8542.32.0071 2,000 133MHz 비대하다 32Mbit 플래시 4M x 8 SPI - 쿼드 I/O, QPI, DTR 800μs
IS61VF204836B-7.5TQLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61VF204836B-7.5TQLI 123.9810
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ECAD 8445 0.00000000 ISSI, 통합 실리콘 솔루션 Inc. - 쟁반 활동적인 -40°C ~ 85°C(타) 표면 실장 100-LQFP IS61VF204836 SRAM - 동기식, SDR 2.375V ~ 2.625V 100-LQFP(14x20) 다운로드 ROHS3 준수 3(168시간) REACH 영향을 받지 않았습니다. 3A991B2A 8542.32.0041 72 117MHz 항체를 제거하세요 72Mbit 7.5ns 스램 2M×36 불편한 -
IS61WV6416EEBLL-10KLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61WV6416EEBLL-10KLI-TR 2.2324
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ECAD 6620 0.00000000 ISSI, 통합 실리콘 솔루션 Inc. - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -40°C ~ 85°C(타) 표면 실장 44-BSOJ(0.400", 10.16mm 폭) SRAM - 특별한식 2.4V ~ 3.6V 44-SOJ - ROHS3 준수 3(168시간) 706-IS61WV6416EEBLL-10KLI-TR 800 항체를 제거하세요 1Mbit 10ns 스램 64K x 16 불편한 10ns
IS61LPS25618EC-200TQLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LPS25618EC-200TQLI-TR 6.8099
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ECAD 9720 0.00000000 ISSI, 통합 실리콘 솔루션 Inc. - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -40°C ~ 85°C(타) 표면 실장 100-LQFP IS61LPS25618 SRAM - 동기식, SDR 3.135V ~ 3.465V 100-LQFP(14x20) 다운로드 ROHS3 준수 3(168시간) REACH 영향을 받지 않았습니다. 3A991B2A 8542.32.0041 800 200MHz 항체를 제거하세요 4.5Mbit 3.1ns 스램 256K x 18 불편한 -
IS61VPS51236B-200B3LI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61VPS51236B-200B3LI-TR 15.6750
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ECAD 6367 0.00000000 ISSI, 통합 실리콘 솔루션 Inc. - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -40°C ~ 85°C(타) 표면 실장 165-TBGA IS61VPS51236 SRAM - 동기식, SDR 2.375V ~ 2.625V 165-TFBGA(13x15) 다운로드 ROHS3 준수 3(168시간) REACH 영향을 받지 않았습니다. 3A991B2A 8542.32.0041 2,000 200MHz 항체를 제거하세요 18Mbit 3ns 스램 512K x 36 불편한 -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 견적 요청량

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준제품단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고