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IS41LV16105D-50TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS41LV16105D-50TLI 5.8702
RFQ
 ECAD 9172 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 50-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비), 44 개의 리드 IS41LV16105 dram -fp 3V ~ 3.6V 50-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0002 117 휘발성 휘발성 16mbit 25 ns 음주 1m x 16 평행한 -
IS45S16800B-7TLA1-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS45S16800B-7TLA1-TR -
RFQ
 ECAD 7639 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 54-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) IS45S16800 sdram 3V ~ 3.6V 54-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0002 1,500 143 MHz 휘발성 휘발성 128mbit 5.4 ns 음주 8m x 16 평행한 -
IS25WP064D-JKLE ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25WP064D-JKLE 1.3884
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 ECAD 1154 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc 자동차, AEC-Q100 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 8-wdfn n 패드 플래시 - 아니오 (SLC) 1.65V ~ 1.95V 8-wson (6x5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 706-IS25WP064D-JKLE 570 166 MHz 비 비 64mbit 플래시 8m x 8 spi-쿼드 i/o, qpi, dtr 40µs, 800µs
IS61LF51236A-7.5B3LI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LF51236A-7.5B3LI-TR -
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 ECAD 6602 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 165-TBGA IS61LF51236 sram-동기, sdr 3.135V ~ 3.465V 165-TFBGA (13x15) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 2,000 117 MHz 휘발성 휘발성 18mbit 7.5 ns SRAM 512k x 36 평행한 -
IS61LF51236B-6.5TQLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LF51236B-6.5TQLI-TR 15.0000
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 ECAD 6413 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 100-lqfp IS61LF51236 sram-동기, sdr 3.135V ~ 3.465V 100-LQFP (14x20) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 800 133 MHz 휘발성 휘발성 18mbit 6.5 ns SRAM 512k x 36 평행한 -
IS42S83200B-6TL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S83200B-6TL-TR -
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 ECAD 8749 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 54-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) IS42S83200 sdram 3V ~ 3.6V 54-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 1,500 166 MHz 휘발성 휘발성 256mbit 5.4 ns 음주 32m x 8 평행한 -
IS64WV12816EDBLL-10CTLA3-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS64WV12816EDBLL-10CTLA3-TR 5.0336
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 ECAD 8312 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 44-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) IS64WV12816 sram- 비동기 2.4V ~ 3.6V 44-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 1,000 휘발성 휘발성 2mbit 10 ns SRAM 128k x 16 평행한 10ns
IS45S16320D-7BLA2-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS45S16320D-7BLA2-TR 23.2650
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 ECAD 7654 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 54-TFBGA IS45S16320 sdram 3V ~ 3.6V 54-TFBGA (8x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0032 2,500 143 MHz 휘발성 휘발성 512mbit 5.4 ns 음주 32m x 16 평행한 -
IS42VM32800E-75BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42VM32800E-75BLI-TR -
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 ECAD 1505 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 90-TFBGA IS42VM32800 sdram- 모바일 1.7V ~ 1.95V 90-TFBGA (8x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 2,500 133 MHz 휘발성 휘발성 256mbit 6 ns 음주 8m x 32 평행한 -
IS46LR16320B-6BLA2 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46LR16320B-6BLA2 -
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 ECAD 7438 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 60-TFBGA IS46LR16320 sdram- 모바일 lpddr 1.7V ~ 1.95V 60-TFBGA (8x10) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0028 300 166 MHz 휘발성 휘발성 512mbit 5.5 ns 음주 32m x 16 평행한 12ns
IS61LPD51236A-200TQLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LPD51236A-200TQLI 22.7346
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 ECAD 4609 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 100-lqfp IS61LPD51236 sram-동기, sdr 3.135V ~ 3.465V 100-LQFP (14x20) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 72 200MHz 휘발성 휘발성 18mbit 3.1 ns SRAM 512k x 36 평행한 -
IS43TR81280B-15GBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR81280B-15GBLI -
RFQ
 ECAD 6827 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 78-TFBGA IS43tr81280 sdram -ddr3 1.425V ~ 1.575V 78-TWBGA (8x10.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0032 242 667 MHz 휘발성 휘발성 1gbit 20 ns 음주 128m x 8 평행한 15ns
IS45S16160G-7TLA1 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS45S16160G-7TLA1 5.8571
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 ECAD 3614 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 새로운 새로운 아닙니다 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 54-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) IS45S16160 sdram 3V ~ 3.6V 54-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0028 108 143 MHz 휘발성 휘발성 256mbit 5.4 ns 음주 16m x 16 평행한 -
IS64WV102416BLL-10CTLA3-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS64WV102416BLL-10CTLA3-TR 23.8000
RFQ
 ECAD 8968 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) IS64WV102416 sram- 비동기 2.4V ~ 3.6V 48-tsop i 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 1,500 휘발성 휘발성 16mbit 10 ns SRAM 1m x 16 평행한 10ns
IS49NLS18160-25BI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS49NLS18160-25BI -
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 ECAD 2856 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 144-TFBGA IS49NLS18160 rldram 2 1.7V ~ 1.9V 144-FCBGA (11x18.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0032 104 400MHz 휘발성 휘발성 288mbit 20 ns 음주 16m x 18 평행한 -
IS42S32160F-75ETLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32160F-75ETLI 13.9336
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 ECAD 4764 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 86-TFSOP (0.400 ", 10.16mm 너비) IS42S32160 sdram 3V ~ 3.6V 86-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0028 108 133 MHz 휘발성 휘발성 512mbit 6 ns 음주 16m x 32 평행한 -
IS46TR16640A-15GBLA2 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46TR16640A-15GBLA2 -
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 ECAD 7258 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 sic에서 중단되었습니다 -40 ° C ~ 105 ° C (TC) 표면 표면 96-TFBGA IS46TR16640 sdram -ddr3 1.425V ~ 1.575V 96-TWBGA (9x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0032 190 667 MHz 휘발성 휘발성 1gbit 20 ns 음주 64m x 16 평행한 15ns
IS62WV5128BLL-55BI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV5128BLL-55BI -
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 ECAD 7308 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 36-TFBGA IS62WV5128 sram- 비동기 2.5V ~ 3.6V 36-TFBGA (6x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 480 휘발성 휘발성 4mbit 55 ns SRAM 512k x 8 평행한 55ns
IS42S32400B-6TL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32400B-6TL -
RFQ
 ECAD 7461 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 86-TFSOP (0.400 ", 10.16mm 너비) IS42S32400 sdram 3V ~ 3.6V 86-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0002 108 166 MHz 휘발성 휘발성 128mbit 5.4 ns 음주 4m x 32 평행한 -
IS42S16100C1-7TLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16100C1-7TLI-TR -
RFQ
 ECAD 4186 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 50TSOP (0.400 ", 10.16mm 너비) IS42S16100 sdram 3V ~ 3.6V 50-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0002 1,000 143 MHz 휘발성 휘발성 16mbit 5.5 ns 음주 1m x 16 평행한 -
IS42S32200C1-55T-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32200C1-55T-TR -
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 ECAD 7444 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 86-TFSOP (0.400 ", 10.16mm 너비) IS42S32200 sdram 3.15V ~ 3.45V 86-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0002 1,500 183 MHz 휘발성 휘발성 64mbit 5 ns 음주 2m x 32 평행한 -
IS43DR16160A-25EBLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43DR16160A-25EBLI-TR -
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 ECAD 2808 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 84-TFBGA IS43DR16160 sdram -ddr2 1.7V ~ 1.9V 84-TWBGA (8x12.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 2,500 400MHz 휘발성 휘발성 256mbit 400 ns 음주 16m x 16 평행한 15ns
IS42S32800D-75EBI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32800D-75EBI -
RFQ
 ECAD 5644 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 90-TFBGA IS42S32800 sdram 3V ~ 3.6V 90-TFBGA (8x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0002 240 133 MHz 휘발성 휘발성 256mbit 5.5 ns 음주 8m x 32 평행한 -
IS43TR16256AL-15HBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR16256AL-15HBL -
RFQ
 ECAD 9963 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 96-TFBGA IS43tr16256 sdram -ddr3l 1.283V ~ 1.45V 96-TWBGA (9x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 190 667 MHz 휘발성 휘발성 4gbit 20 ns 음주 256m x 16 평행한 15ns
IS43TR16256A-125KBLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR16256A-125KBLI-TR -
RFQ
 ECAD 6520 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 96-TFBGA IS43tr16256 sdram -ddr3 1.425V ~ 1.575V 96-TWBGA (9x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 1,500 800MHz 휘발성 휘발성 4gbit 20 ns 음주 256m x 16 평행한 15ns
IS61LV25616AL-10LQI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LV25616AL-10LQI-TR -
RFQ
 ECAD 6057 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 44-LQFP IS61LV25616 sram- 비동기 3.135V ~ 3.6V 44-LQFP (10x10) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 1,500 휘발성 휘발성 4mbit 10 ns SRAM 256k x 16 평행한 10ns
IS25WP080D-JBLE-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25WP080D-JBLE-TR 0.6025
RFQ
 ECAD 5785 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.209 ", 5.30mm 너비) IS25WP080 플래시 - 아니오 1.65V ~ 1.95V 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 2,000 133 MHz 비 비 8mbit 플래시 1m x 8 spi-쿼드 i/o, qpi, dtr 800µs
IS61WV51216EDALL-20BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61WV51216EDALL-20BLI 12.1000
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 ECAD 9506 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-TFBGA IS61WV51216 sram- 비동기 1.65V ~ 2.2V 48-TFBGA (6x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 480 휘발성 휘발성 8mbit 20 ns SRAM 512k x 16 평행한 20ns
IS61LV12816L-10LQI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LV12816L-10LQI -
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 ECAD 3301 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 44-LQFP IS61LV12816 sram- 비동기 3.135V ~ 3.6V 44-LQFP (10x10) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 160 휘발성 휘발성 2mbit 10 ns SRAM 128k x 16 평행한 10ns
IS61WV204816ALL-10TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61WV204816ALL-10TLI -
RFQ
 ECAD 5990 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) IS61WV204816 sram- 비동기 1.65V ~ 2.2V 48-tsop i 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 96 휘발성 휘발성 32mbit 10 ns SRAM 2m x 16 평행한 10ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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