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IS43R86400F-5BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43R86400F-5BLI 6.5170
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ECAD 6701 0.00000000 ISSI, 통합 실리콘 솔루션 Inc. - 쟁반 활동적인 -40°C ~ 85°C(타) 표면 실장 60-TFBGA IS43R86400 SDRAM - DDR 2.3V ~ 2.7V 60-TFBGA(8x13) 다운로드 ROHS3 준수 3(168시간) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8542.32.0028 190 200MHz 항체를 제거하세요 512Mbit 700ps 음주 64M x 8 불편한 15ns
IS46TR85120AL-125KBLA1-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46TR85120AL-125KBLA1-TR -
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ECAD 6752 0.00000000 ISSI, 통합 실리콘 솔루션 Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 -40°C ~ 95°C(TC) 표면 실장 78-TFBGA IS46TR85120 SDRAM - DDR3L 1.283V ~ 1.45V 78-TWBGA(9x10.5) - ROHS3 준수 3(168시간) REACH 영향을 받지 않았습니다. 706-IS46TR85120AL-125KBLA1-TR EAR99 8542.32.0036 2,000 800MHz 항체를 제거하세요 4Gbit 20ns 음주 512M x 8 불편한 15ns
IS25WP128-JMLE-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25WP128-JMLE-TR -
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ECAD 8824 0.00000000 ISSI, 통합 실리콘 솔루션 Inc. - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -40°C ~ 105°C(타) 표면 실장 16-SOIC(0.295", 7.50mm 폭) IS25WP128 플래시 - 아니오 1.65V ~ 1.95V 16-SOIC 다운로드 ROHS3 준수 3(168시간) REACH 영향을 받지 않았습니다. 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 133MHz 비대하다 128Mbit 플래시 16M x 8 SPI - 쿼드 I/O, QPI, DTR 800μs
IS42S16800D-7TI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16800D-7TI -
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ECAD 4208 0.00000000 ISSI, 통합 실리콘 솔루션 Inc. - 쟁반 SIC에서는 존재하지 않았습니다. -40°C ~ 85°C(타) 표면 실장 54-TSOP(0.400", 10.16mm 폭) IS42S16800 SDRAM 3V ~ 3.6V 54-TSOP II 다운로드 ROHS3 준수 3(168시간) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8542.32.0002 108 143MHz 항체를 제거하세요 128Mbit 5.4ns 음주 8M×16 불편한 -
IS45S16320F-7CTLA1-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS45S16320F-7CTLA1-TR 12.6600
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ECAD 8231 0.00000000 ISSI, 통합 실리콘 솔루션 Inc. - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -40°C ~ 85°C(타) 표면 실장 54-TSOP(0.400", 10.16mm 폭) IS45S16320 SDRAM 3V ~ 3.6V 54-TSOP II 다운로드 ROHS3 준수 3(168시간) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8542.32.0028 1,500 143MHz 항체를 제거하세요 512Mbit 5.4ns 음주 32M x 16 불편한 -
IS42S16100E-7TL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16100E-7TL -
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ECAD 6566 0.00000000 ISSI, 통합 실리콘 솔루션 Inc. - 쟁반 더 이상 사용하지 않는 경우 0°C ~ 70°C (타) 표면 실장 50-TSOP(0.400", 10.16mm 폭) IS42S16100 SDRAM 3V ~ 3.6V 50-TSOP II 다운로드 ROHS3 준수 3(168시간) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8542.32.0002 117 143MHz 항체를 제거하세요 16Mbit 5.5ns 음주 1M x 16 불편한 -
IS42S32160B-6TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32160B-6TLI -
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ECAD 4664 0.00000000 ISSI, 통합 실리콘 솔루션 Inc. - 쟁반 더 이상 사용하지 않는 경우 -40°C ~ 85°C(타) 표면 실장 86-TFSOP(0.400", 10.16mm 폭) IS42S32160 SDRAM 3V ~ 3.6V 86-TSOP II 다운로드 ROHS3 준수 3(168시간) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8542.32.0028 108 166MHz 항체를 제거하세요 512Mbit 5.4ns 음주 16M x 32 불편한 -
IS42S16320F-7BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16320F-7BLI-TR 11.4900
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ECAD 8251 0.00000000 ISSI, 통합 실리콘 솔루션 Inc. - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -40°C ~ 85°C(타) 표면 실장 54-TFBGA IS42S16320 SDRAM 3V ~ 3.6V 54-TW-BGA(8x13) 다운로드 ROHS3 준수 3(168시간) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8542.32.0028 2,500 143MHz 항체를 제거하세요 512Mbit 5.4ns 음주 32M x 16 불편한 -
IS42S32400E-7TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32400E-7TLI -
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ECAD 2329 0.00000000 ISSI, 통합 실리콘 솔루션 Inc. - 쟁반 더 이상 사용하지 않는 경우 -40°C ~ 85°C(타) 표면 실장 86-TFSOP(0.400", 10.16mm 폭) IS42S32400 SDRAM 3V ~ 3.6V 86-TSOP II 다운로드 ROHS3 준수 3(168시간) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8542.32.0002 108 143MHz 항체를 제거하세요 128Mbit 5.4ns 음주 4M×32 불편한 -
IS61NLP51236-200B3LI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61NLP51236-200B3LI-TR -
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ECAD 8308 0.00000000 ISSI, 통합 실리콘 솔루션 Inc. - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 -40°C ~ 85°C(타) 표면 실장 165-TBGA IS61NLP51236 SRAM - 동기식, SDR 3.135V ~ 3.465V 165-TFBGA(13x15) 다운로드 ROHS3 준수 3(168시간) REACH 영향을 받지 않았습니다. 3A991B2A 8542.32.0041 2,000 200MHz 항체를 제거하세요 18Mbit 3.1ns 스램 512K x 36 불편한 -
IS21TF64G-JQLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS21TF64G-JQLI 71.0800
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ECAD 4123 0.00000000 ISSI, 통합 실리콘 솔루션 Inc. - 쟁반 활동적인 -40°C ~ 85°C(타) 표면 실장 100-LBGA IS21TF64G 플래시 - 낸드(TLC) 2.7V ~ 3.6V 100-LFBGA(14x18) 다운로드 ROHS3 준수 3(168시간) REACH 영향을 받지 않았습니다. 706-IS21TF64G-JQLI 3A991B1A 8542.32.0071 98 200MHz 비대하다 512Gbit 플래시 64G x 8 MMC -
IS43LR32320B-6BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43LR32320B-6BLI 10.6723
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ECAD 5322 0.00000000 ISSI, 통합 실리콘 솔루션 Inc. - 쟁반 활동적인 -40°C ~ 85°C(타) 표면 실장 90-LFBGA IS43LR32320 SDRAM - 모바일 LPDDR 1.7V ~ 1.95V 90-LFBGA(8x13) 다운로드 ROHS3 준수 3(168시간) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8542.32.0002 240 166MHz 항체를 제거하세요 64Mbit 5.5ns 음주 2M×32 불편한 15ns
IS46TR16640A-125JBLA1-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46TR16640A-125JBLA1-TR -
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ECAD 8781 0.00000000 ISSI, 통합 실리콘 솔루션 Inc. - 테이프 및 릴리(TR) SIC에서는 존재하지 않았습니다. -40°C ~ 95°C(TC) 표면 실장 96-TFBGA IS46TR16640 SDRAM - DDR3 1.425V ~ 1.575V 96-TWBGA(9x13) 다운로드 ROHS3 준수 3(168시간) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8542.32.0032 1,500 800MHz 항체를 제거하세요 1Gbit 20ns 음주 64M x 16 불편한 15ns
IS42S32160B-75BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32160B-75BLI -
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ECAD 2177 0.00000000 ISSI, 통합 실리콘 솔루션 Inc. - 쟁반 더 이상 사용하지 않는 경우 -40°C ~ 85°C(타) 표면 실장 90-LFBGA IS42S32160 SDRAM 3V ~ 3.6V 90-LFBGA(13x11) 다운로드 ROHS3 준수 3(168시간) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8542.32.0024 144 133MHz 항체를 제거하세요 512Mbit 5.5ns 음주 16M x 32 불편한 -
IS41LV16105C-50KLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS41LV16105C-50KLI -
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ECAD 6056 0.00000000 ISSI, 통합 실리콘 솔루션 Inc. - 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 -40°C ~ 85°C(타) 표면 실장 42-BSOJ(0.400", 10.16mm 폭) IS41LV16105 DRAM - FP 3V ~ 3.6V 42-SOJ 다운로드 ROHS3 준수 3(168시간) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8542.32.0002 16 항체를 제거하세요 16Mbit 25ns 음주 1M x 16 불편한 -
IS62WV1288BLL-55HLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV1288BLL-55HLI 2.2900
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ECAD 913 0.00000000 ISSI, 통합 실리콘 솔루션 Inc. - 쟁반 활동적인 -40°C ~ 85°C(타) 표면 실장 32-TFSOP(0.465", 11.80mm 폭) IS62WV1288 SRAM - 특별한식 2.5V ~ 3.6V 32-STSOP I 다운로드 ROHS3 준수 3(168시간) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8542.32.0041 234 항체를 제거하세요 1Mbit 55ns 스램 128K x 8 불편한 55ns
IS43LD32128B-25BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43LD32128B-25BLI-TR 10.6400
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ECAD 9035 0.00000000 ISSI, 통합 실리콘 솔루션 Inc. - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -40°C ~ 85°C(TC) 표면 실장 134-TFBGA SDRAM - 모바일 LPDDR2-S4 1.14V ~ 1.3V, 1.7V ~ 1.95V 134-TFBGA(10x11.5) 다운로드 ROHS3 준수 3(168시간) 706-IS43LD32128B-25BLI-TR 2,000 400MHz 항체를 제거하세요 4Gbit 5.5ns 음주 128M x 32 HSUL_12 15ns
IS61QDPB42M36A-500M3L ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61QDPB42M36A-500M3L 111.7063
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ECAD 7752 0.00000000 ISSI, 통합 실리콘 솔루션 Inc. - 쟁반 활동적인 0°C ~ 70°C (타) 표면 실장 165-LBGA IS61QDPB42 SRAM - 동기식, QUADP 1.71V ~ 1.89V 165-LFBGA(15x17) 다운로드 ROHS3 준수 3(168시간) REACH 영향을 받지 않았습니다. 3A991B2A 8542.32.0041 105 500MHz 항체를 제거하세요 72Mbit 8.4ns 스램 2M×36 불편한 -
IS42S32800J-7BL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32800J-7BL-TR 5.3250
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ECAD 6045 0.00000000 ISSI, 통합 실리콘 솔루션 Inc. - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 0°C ~ 70°C (타) 표면 실장 90-TFBGA IS42S32800 SDRAM 3V ~ 3.6V 90-TFBGA(8x13) 다운로드 ROHS3 준수 3(168시간) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8542.32.0024 2,500 143MHz 항체를 제거하세요 256Mbit 5.4ns 음주 8M×32 불편한 -
IS42S16400J-6TL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16400J-6TL 1.9200
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ECAD 42 0.00000000 ISSI, 통합 실리콘 솔루션 Inc. - 쟁반 활동적인 0°C ~ 70°C (타) 표면 실장 54-TSOP(0.400", 10.16mm 폭) IS42S16400 SDRAM 3V ~ 3.6V 54-TSOP II 다운로드 ROHS3 준수 3(168시간) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8542.32.0002 108 166MHz 항체를 제거하세요 64Mbit 5.4ns 음주 4Mx16 불편한 -
IS41C16256C-35TLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS41C16256C-35TLI-TR -
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ECAD 7275 0.00000000 ISSI, 통합 실리콘 솔루션 Inc. - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 -40°C ~ 85°C(타) 표면 실장 44-TSOP(0.400", 10.16mm 폭), 40 리드 IS41C16256 DRAM-에도 4.5V ~ 5.5V 40-TSOP 다운로드 ROHS3 준수 3(168시간) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8542.32.0002 1,000 항체를 제거하세요 4Mbit 18ns 음주 256K x 16 불편한 -
IS43R16160F-6BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43R16160F-6BLI-TR 4.0429
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ECAD 5246 0.00000000 ISSI, 통합 실리콘 솔루션 Inc. - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -40°C ~ 85°C(타) 표면 실장 60-TFBGA IS43R16160 SDRAM - DDR 2.3V ~ 2.7V 60-TFBGA(8x13) 다운로드 ROHS3 준수 3(168시간) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8542.32.0024 2,500 166MHz 항체를 제거하세요 256Mbit 700ps 음주 16M×16 불편한 15ns
IS43DR16128C-25DBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43DR16128C-25DBLI 14.9100
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ECAD 2 0.00000000 ISSI, 통합 실리콘 솔루션 Inc. - 쟁반 활동적인 -40°C ~ 85°C(타) 표면 실장 84-TFBGA IS43DR16128 SDRAM - DDR2 1.7V ~ 1.9V 84-TWBGA(8x12.5) 다운로드 ROHS3 준수 3(168시간) REACH 영향을 받지 않았습니다. 706-1568 EAR99 8542.32.0036 209 400MHz 항체를 제거하세요 2Gbit 400ns 음주 128M x 16 불편한 15ns
IS43TR16640CL-107MBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR16640CL-107MBL 3.3318
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ECAD 6877 0.00000000 ISSI, 통합 실리콘 솔루션 Inc. 자동차, AEC-Q100 쟁반 활동적인 0°C ~ 95°C (TC) 표면 실장 96-TFBGA IS43TR16640 SDRAM - DDR3L 1.283V ~ 1.45V 96-TWBGA(9x13) 다운로드 ROHS3 준수 3(168시간) REACH 영향을 받지 않았습니다. 706-IS43TR16640CL-107MBL EAR99 8542.32.0032 190 933MHz 항체를 제거하세요 1Gbit 20ns 음주 64M x 16 불편한 15ns
IS61LV51216-10TLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LV51216-10TLI-TR -
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ECAD 6189 0.00000000 ISSI, 통합 실리콘 솔루션 Inc. - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 -40°C ~ 85°C(타) 표면 실장 44-TSOP(0.400", 10.16mm 폭) IS61LV51216 SRAM - 특별한식 3.135V ~ 3.6V 44-TSOP II 다운로드 ROHS3 준수 3(168시간) REACH 영향을 받지 않았습니다. 3A991B2A 8542.32.0041 1,000 항체를 제거하세요 8Mbit 10ns 스램 512K x 16 불편한 10ns
IS25LP128-JLLE-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LP128-JLLE-TR 1.8341
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ECAD 7521 0.00000000 ISSI, 통합 실리콘 솔루션 Inc. - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -40°C ~ 105°C(타) 표면 실장 8-WDFN옆패드 IS25LP128 플래시 - 아니오 2.3V ~ 3.6V 8-WSON(8x6) 다운로드 ROHS3 준수 3(168시간) REACH 영향을 받지 않았습니다. 3A991B1A 8542.32.0071 4,000 133MHz 비대하다 128Mbit 플래시 16M x 8 SPI - 쿼드 I/O, QPI 1ms
IS43R16160B-6TL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43R16160B-6TL -
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ECAD 7982 0.00000000 ISSI, 통합 실리콘 솔루션 Inc. - 쟁반 SIC에서는 존재하지 않았습니다. 0°C ~ 70°C (타) 표면 실장 66-TSSOP(0.400", 10.16mm 폭) IS43R16160 SDRAM - DDR 2.3V ~ 2.7V 66-TSOP II 다운로드 ROHS3 준수 3(168시간) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8542.32.0024 108 166MHz 항체를 제거하세요 256Mbit 700ps 음주 16M×16 불편한 15ns
IS61NLP102436A-166TQLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61NLP102436A-166TQLI -
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ECAD 9109 0.00000000 ISSI, 통합 실리콘 솔루션 Inc. - 쟁반 더 이상 사용하지 않는 경우 -40°C ~ 85°C(타) 표면 실장 100-LQFP IS61NLP102436 SRAM - 동기식, SDR 3.135V ~ 3.465V 100-LQFP(14x20) 다운로드 ROHS3 준수 3(168시간) REACH 영향을 받지 않았습니다. 3A991B2A 8542.32.0041 72 166MHz 항체를 제거하세요 36Mbit 3.5ns 스램 1M x 36 불편한 -
IS61LV2568L-10KLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LV2568L-10KLI-TR -
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ECAD 8715 0.00000000 ISSI, 통합 실리콘 솔루션 Inc. - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -40°C ~ 85°C(타) 표면 실장 36-BSOJ(0.400", 10.16mm 폭) IS61LV2568 SRAM - 특별한식 3.135V ~ 3.6V 36-SOJ 다운로드 ROHS3 준수 3(168시간) REACH 영향을 받지 않았습니다. 3A991B2A 8542.32.0041 800 항체를 제거하세요 2Mbit 10ns 스램 256K x 8 불편한 10ns
IS43DR16320E-25DBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43DR16320E-25DBL 3.4400
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ECAD 6 0.00000000 ISSI, 통합 실리콘 솔루션 Inc. - 쟁반 활동적인 0°C ~ 85°C (TC) 표면 실장 84-TFBGA IS43DR16320 SDRAM - DDR2 1.7V ~ 1.9V 84-TWBGA(8x12.5) 다운로드 ROHS3 준수 3(168시간) REACH 영향을 받지 않았습니다. 706-1554 EAR99 8542.32.0028 209 400MHz 항체를 제거하세요 512Mbit 400ps 음주 32M x 16 불편한 15ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 견적 요청량

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준제품단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고