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IS43DR16128B-3DBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43DR16128B-3DBLI -
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 ECAD 10000 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 84-TFBGA IS43DR16128 sdram -ddr2 1.7V ~ 1.9V 84-TW-BGA (10.5x13.5) 다운로드 ROHS3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 162 333 MHz 휘발성 휘발성 2gbit 450 ps 음주 128m x 16 평행한 15ns
IS42S32800D-7B-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32800D-7B-TR -
RFQ
 ECAD 7936 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 90-TFBGA IS42S32800 sdram 3V ~ 3.6V 90-TFBGA (8x13) 다운로드 ROHS3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 2,500 143 MHz 휘발성 휘발성 256mbit 5.4 ns 음주 8m x 32 평행한 -
IS43LQ32128AL-062BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43LQ32128AL-062BLI -
RFQ
 ECAD 5701 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 200-WFBGA sdram- 모바일 lpddr4x 1.06V ~ 1.17V, 1.7V ~ 1.95V 200-VFBGA (10x14.5) 다운로드 ROHS3 준수 3 (168 시간) 706-IS43LQ32128AL-062BLI 136 1.6GHz 휘발성 휘발성 4gbit 음주 128m x 32 lvstl -
IS25LP064D-JBLA3-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LP064D-JBLA3-TR 1.5948
RFQ
 ECAD 9146 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.209 ", 5.30mm 너비) 플래시 - 아니오 (SLC) 2.3V ~ 3.6V 8-SOIC 다운로드 ROHS3 준수 3 (168 시간) 706-IS25LP064D-JBLA3-TR 2,000 166 MHz 비 비 64mbit 6.5 ns 플래시 8m x 8 spi-쿼드 i/o, qpi, dtr 40µs, 800µs
IS66WVE1M16BLL-70BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS66WVE1M16BLL-70BLI -
RFQ
 ECAD 9107 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 sic에서 중단되었습니다 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-TFBGA IS66WVE1M16 psram (의사 sram) 2.7V ~ 3.6V 48-TFBGA (6x8) 다운로드 ROHS3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 480 휘발성 휘발성 16mbit 70 ns psram 1m x 16 평행한 70ns
IS61C64AL-10TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61C64AL-10TLI 1.2867
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 ECAD 8502 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 28-TSSOP (0.465 ", 11.80mm 너비) IS61C64 sram- 비동기 4.75V ~ 5.25V 28-tsop i 다운로드 ROHS3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0041 234 휘발성 휘발성 64kbit 10 ns SRAM 8k x 8 평행한 10ns
IS42S16400F-7TL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16400F-7TL-TR -
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 ECAD 2691 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 54-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) IS42S16400 sdram 3V ~ 3.6V 54-TSOP II 다운로드 ROHS3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0002 1,500 143 MHz 휘발성 휘발성 64mbit 5.4 ns 음주 4m x 16 평행한 -
IS25LD040-JKLE ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LD040-JKLE -
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 ECAD 2107 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 8-wdfn n 패드 IS25LD040 플래시 2.3V ~ 3.6V 8-wson (6x5) 다운로드 ROHS3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 100 100MHz 비 비 4mbit 플래시 512k x 8 SPI 5ms
IS66WVO16M8DALL-200BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS66WVO16M8DALL-200BLI 5.3800
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 ECAD 90 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 24-TBGA IS66WVO16M8 psram (의사 sram) 1.7V ~ 1.95V 24-TFBGA (6x8) 다운로드 ROHS3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 706-IS66WVO16M8DALL-200BLI 3A991B2A 8542.32.0041 480 200MHz 휘발성 휘발성 128mbit psram 16m x 8 SPI -OCTAL I/O 40ns
IS46TR16640CL-125JBLA2 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46TR16640CL-125JBLA2 4.1436
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 ECAD 8859 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc 자동차, AEC-Q100 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TC) 표면 표면 96-TFBGA IS46TR16640 sdram -ddr3l 1.283V ~ 1.45V 96-TWBGA (9x13) 다운로드 ROHS3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 706-IS46TR16640CL-125JBLA2 귀 99 8542.32.0032 190 800MHz 휘발성 휘발성 1gbit 20 ns 음주 64m x 16 평행한 15ns
IS43LD32320A-25BL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43LD32320A-25BL-TR -
RFQ
 ECAD 7611 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 0 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 134-TFBGA IS43LD32320 sdram- 모바일 lpddr2 1.14V ~ 1.95V 134-TFBGA (10x11.5) 다운로드 ROHS3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0032 1,200 400MHz 휘발성 휘발성 1gbit 음주 32m x 32 평행한 15ns
IS42SM32800D-75BL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42SM32800D-75BL -
RFQ
 ECAD 2613 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 sic에서 중단되었습니다 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 90-TFBGA IS42SM32800 sdram- 모바일 3V ~ 3.6V 90-TFBGA (8x13) 다운로드 ROHS3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 240 133 MHz 휘발성 휘발성 256mbit 5.4 ns 음주 8m x 32 평행한 -
IS62LV256AL-20JLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62LV256AL-20JLI-TR 1.1969
RFQ
 ECAD 1975 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 28-BSOJ (0.300 ", 7.62mm 너비) IS62LV256 sram- 비동기 3V ~ 3.6V 28-SOJ 다운로드 ROHS3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0041 1,000 휘발성 휘발성 256kbit 20 ns SRAM 32k x 8 평행한 20ns
IS42S16160G-7BI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16160G-7BI-TR -
RFQ
 ECAD 5706 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 54-TFBGA IS42S16160 sdram 3V ~ 3.6V 54-TFBGA (8x8) - ROHS3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 2,500 143 MHz 휘발성 휘발성 256mbit 5.4 ns 음주 16m x 16 평행한 -
IS25WP016D-JBLE ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25WP016D-JBLE 1.0900
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 ECAD 4 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.209 ", 5.30mm 너비) IS25WP016 플래시 - 아니오 1.65V ~ 1.95V 8-SOIC 다운로드 ROHS3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 90 133 MHz 비 비 16mbit 플래시 2m x 8 spi-쿼드 i/o, qpi, dtr 800µs
IS46TR16128BL-15HBLA1-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46TR16128BL-15HBLA1-TR -
RFQ
 ECAD 3363 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 96-TFBGA IS46TR16128 sdram -ddr3l 1.283V ~ 1.45V 96-TWBGA (9x13) 다운로드 ROHS3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 1,500 667 MHz 휘발성 휘발성 2gbit 20 ns 음주 128m x 16 평행한 15ns
IS25WD020-JKLE ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25WD020-JKLE -
RFQ
 ECAD 2234 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 대부분 쓸모없는 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 8-wdfn n 패드 IS25WD020 플래시 - 아니오 1.65V ~ 1.95V 8-wson (6x5) 다운로드 ROHS3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 100 80MHz 비 비 2mbit 플래시 256k x 8 SPI 3ms
IS46LQ16256A-062TBLA1-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46LQ16256A-062TBLA1-TR 12.8611
RFQ
 ECAD 9186 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 200-TFBGA sdram- 모바일 lpddr4 1.06V ~ 1.17V, 1.7V ~ 1.95V 200-TFBGA (10x14.5) 다운로드 ROHS3 준수 3 (168 시간) 706-IS46LQ16256A-062TBLA1-TR 2,500 1.6GHz 휘발성 휘발성 4gbit 음주 256m x 16 lvstl -
IS46LQ16128AL-062TBLA2 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46LQ16128AL-062TBLA2 11.6916
RFQ
 ECAD 6895 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc 자동차, AEC-Q100 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TC) 표면 표면 200-TFBGA sdram- 모바일 lpddr4x 1.06V ~ 1.17V, 1.7V ~ 1.95V 200-TFBGA (10x14.5) 다운로드 ROHS3 준수 3 (168 시간) 706-IS46LQ16128AL-062TBLA2 136 1.6GHz 휘발성 휘발성 2gbit 3.5 ns 음주 128m x 16 lvstl 18ns
IS61QDB21M18A-250B4LI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61QDB21M18A-250B4LI 32.3796
RFQ
 ECAD 1025 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 165-lbga IS61QDB21 sram-동기, 쿼드 1.71V ~ 1.89V 165-LFBGA (13x15) 다운로드 ROHS3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 144 250MHz 휘발성 휘발성 18mbit SRAM 1m x 18 평행한 -
IS65WV25616DBLL-45CTLA1-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS65WV25616DBLL-45CTLA1-TR -
RFQ
 ECAD 3316 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 44-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) IS65WV25616 sram- 비동기 2.3V ~ 3.6V 44-TSOP II 다운로드 ROHS3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 1 휘발성 휘발성 4mbit 45 ns SRAM 256k x 16 평행한 45ns
IS42S32200E-6TL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32200E-6TL -
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 ECAD 1565 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 86-TFSOP (0.400 ", 10.16mm 너비) IS42S32200 sdram 3V ~ 3.6V 86-TSOP II 다운로드 ROHS3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0002 108 166 MHz 휘발성 휘발성 64mbit 5.5 ns 음주 2m x 32 평행한 -
IS43TR16256AL-107MBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR16256AL-107MBLI -
RFQ
 ECAD 9552 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 96-TFBGA IS43tr16256 sdram -ddr3l 1.283V ~ 1.45V 96-TWBGA (9x13) 다운로드 ROHS3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 190 933 MHz 휘발성 휘발성 4gbit 20 ns 음주 256m x 16 평행한 15ns
IS45S32400E-7TLA1-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS45S32400E-7TLA1-TR -
RFQ
 ECAD 6883 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 86-TFSOP (0.400 ", 10.16mm 너비) IS45S32400 sdram 3V ~ 3.6V 86-TSOP II 다운로드 ROHS3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0002 1,500 143 MHz 휘발성 휘발성 128mbit 5.4 ns 음주 4m x 32 평행한 -
IS66WVE1M16BLL-55BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS66WVE1M16BLL-55BLI-TR -
RFQ
 ECAD 1365 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-TFBGA IS66WVE1M16 psram (의사 sram) 2.7V ~ 3.6V 48-TFBGA (6x8) 다운로드 ROHS3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0041 2,500 휘발성 휘발성 16mbit 55 ns psram 1m x 16 평행한 55ns
IS42S16800E-7TL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16800E-7TL-TR -
RFQ
 ECAD 8152 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 54-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) IS42S16800 sdram 3V ~ 3.6V 54-TSOP II 다운로드 ROHS3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0002 1,500 143 MHz 휘발성 휘발성 128mbit 5.4 ns 음주 8m x 16 평행한 -
IS61NLP102418-200B3I-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61NLP102418-200B3I-TR -
RFQ
 ECAD 4504 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 165-TBGA IS61NLP102418 sram-동기, sdr 3.135V ~ 3.465V 165-TFBGA (13x15) 다운로드 ROHS3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 2,000 200MHz 휘발성 휘발성 18mbit 3.1 ns SRAM 1m x 18 평행한 -
IS46TR16512BL-125KBLA1 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46TR16512BL-125KBLA1 22.9715
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 ECAD 1989 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc 자동차, AEC-Q100 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 96-TFBGA sdram -ddr3l 1.283V ~ 1.45V 96-TWBGA (10x14) 다운로드 ROHS3 준수 3 (168 시간) 706-IS46TR16512BL-125KBLA1 136 800MHz 휘발성 휘발성 8gbit 20 ns 음주 512m x 16 평행한 15ns
IS61QDPB42M36A1-500M3LI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61QDPB42M36A1-500M3LI 117.1779
RFQ
 ECAD 6457 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 165-lbga IS61QDPB42 sram-동기, Quadp 1.71V ~ 1.89V 165-LFBGA (15x17) 다운로드 ROHS3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 105 500MHz 휘발성 휘발성 72mbit 8.4 ns SRAM 2m x 36 평행한 -
IS61WV102416EDBLL-10B2LI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61WV102416EDBLL-10B2LI-TR 12.3750
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 ECAD 7675 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-TFBGA IS61WV102416 sram- 비동기 2.4V ~ 3.6V 48-TFBGA (6x8) 다운로드 ROHS3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 2,500 휘발성 휘발성 16mbit 10 ns SRAM 1m x 16 평행한 10ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

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