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IS46TR16640A-15GBLA2-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46TR16640A-15GBLA2-TR -
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 ECAD 8407 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 -40 ° C ~ 105 ° C (TC) 표면 표면 96-TFBGA IS46TR16640 sdram -ddr3 1.425V ~ 1.575V 96-TWBGA (9x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0032 1,500 667 MHz 휘발성 휘발성 1gbit 20 ns 음주 64m x 16 평행한 15ns
IS42S32800J-7BL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32800J-7BL-TR 5.3250
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 ECAD 6045 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 90-TFBGA IS42S32800 sdram 3V ~ 3.6V 90-TFBGA (8x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 2,500 143 MHz 휘발성 휘발성 256mbit 5.4 ns 음주 8m x 32 평행한 -
IS61WV102416FALL-20TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61WV102416Fall-20tli 9.5453
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 ECAD 7469 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) sram- 비동기 1.65V ~ 2.2V 48-tsop i 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 706-IS61WV102416Fall-20tli 96 휘발성 휘발성 16mbit 20 ns SRAM 1m x 16 평행한 20ns
IS45S16100H-7TLA2-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS45S16100H-7TLA2-TR 2.4051
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 ECAD 9948 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 50TSOP (0.400 ", 10.16mm 너비) IS45S16100 sdram 3V ~ 3.6V 50-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0002 1,000 143 MHz 휘발성 휘발성 16mbit 5.5 ns 음주 1m x 16 평행한 -
IS42S16160D-6BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16160D-6BLI-TR -
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 ECAD 1702 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 54-TFBGA IS42S16160 sdram 3V ~ 3.6V 54-TW-BGA (8x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 2,500 166 MHz 휘발성 휘발성 256mbit 5.4 ns 음주 16m x 16 평행한 -
IS43DR86400D-3DBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43DR86400D-3DBLI 6.0805
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 ECAD 8535 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 새로운 새로운 아닙니다 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 60-TFBGA IS43DR86400 sdram -ddr2 1.7V ~ 1.9V 60-TWBGA (8x10.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0028 242 333 MHz 휘발성 휘발성 512mbit 450 ps 음주 64m x 8 평행한 15ns
IS46DR81280C-25DBLA1-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46DR81280C-25DBLA1-TR -
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 ECAD 6296 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 60-TFBGA IS46DR81280 sdram -ddr2 1.7V ~ 1.9V 60-TWBGA (8x10.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0032 2,000 400MHz 휘발성 휘발성 1gbit 400 PS 음주 128m x 8 평행한 15ns
IS42VM32200K-75BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42VM32200K-75BLI-TR -
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 ECAD 4154 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 90-TFBGA IS42VM32200 sdram- 모바일 1.7V ~ 1.95V 90-TFBGA (8x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0002 2,500 133 MHz 휘발성 휘발성 64mbit 6 ns 음주 2m x 32 평행한 -
IS42S16800E-6BL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16800E-6BL -
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 ECAD 7063 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 54-TFBGA IS42S16800 sdram 3V ~ 3.6V 54-TFBGA (8x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0002 348 166 MHz 휘발성 휘발성 128mbit 5.4 ns 음주 8m x 16 평행한 -
IS62WV12816DBLL-45BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV12816DBLL-45BLI -
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 ECAD 8645 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-TFBGA IS62WV12816 sram- 비동기 2.5V ~ 3.6V 48-TFBGA (6x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 480 휘발성 휘발성 2mbit 45 ns SRAM 128k x 16 평행한 45ns
IS43R32160D-5BL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43R32160D-5BL-TR -
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 ECAD 4141 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 144-LFBGA IS43R32160 sdram -ddr 2.5V ~ 2.7V 144-LFBGA (12x12) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0028 1,500 200MHz 휘발성 휘발성 512mbit 700 PS 음주 16m x 32 평행한 15ns
IS42VM32800E-75BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42VM32800E-75BLI -
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 ECAD 6111 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 sic에서 중단되었습니다 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 90-TFBGA IS42VM32800 sdram- 모바일 1.7V ~ 1.95V 90-TFBGA (8x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 240 133 MHz 휘발성 휘발성 256mbit 6 ns 음주 8m x 32 평행한 -
IS61QDPB24M18A-333M3L ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61QDPB24M18A-333M3L 100.1770
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 ECAD 6045 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 165-lbga IS61QDPB24 sram-동기, Quadp 1.71V ~ 1.89V 165-LFBGA (15x17) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 105 333 MHz 휘발성 휘발성 72mbit 8.4 ns SRAM 4m x 18 평행한 -
IS61LV12824-10TQI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LV12824-10TQI -
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 ECAD 5358 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 100-lqfp IS61LV12824 sram- 비동기 3.135V ~ 3.6V 100-LQFP (14x20) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 72 휘발성 휘발성 3m 비트 10 ns SRAM 128k x 24 평행한 10ns
IS43R16320D-6TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43R16320D-6TLI 8.3985
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 ECAD 7474 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 새로운 새로운 아닙니다 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 66-TSSOP (0.400 ", 10.16mm 너비) IS43R16320 sdram -ddr 2.3V ~ 2.7V 66-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0028 108 166 MHz 휘발성 휘발성 512mbit 700 PS 음주 32m x 16 평행한 15ns
IS42S32160F-7TLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32160F-7TLI-TR 12.0000
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 ECAD 9351 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 86-TFSOP (0.400 ", 10.16mm 너비) IS42S32160 sdram 3V ~ 3.6V 86-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0028 1,500 143 MHz 휘발성 휘발성 512mbit 5.4 ns 음주 16m x 32 평행한 -
IS61LF51236A-7.5TQI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LF51236A-7.5TQI-TR -
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 ECAD 1606 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 100-lqfp IS61LF51236 sram-동기, sdr 3.135V ~ 3.6V 100-LQFP (14x20) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 800 117 MHz 휘발성 휘발성 18mbit 7.5 ns SRAM 512k x 36 평행한 -
IS42S81600D-6TL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S81600D-6TL-TR -
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 ECAD 6785 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 54-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) IS42S81600 sdram 3V ~ 3.6V 54-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0002 1,500 166 MHz 휘발성 휘발성 128mbit 5.4 ns 음주 16m x 8 평행한 -
IS61LV25616AL-10KLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LV25616AL-10KLI -
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 ECAD 8389 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 44-BSOJ (0.400 ", 10.16mm 너비) IS61LV25616 sram- 비동기 3.135V ~ 3.6V 44-SOJ 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 16 휘발성 휘발성 4mbit 10 ns SRAM 256k x 16 평행한 10ns
IS45VM16800H-75BLA1 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS45VM16800H-75BLA1 -
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 ECAD 9311 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc 자동차, AEC-Q100 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 54-TFBGA IS45VM16800 sdram- 모바일 1.7V ~ 1.95V 54-TFBGA (8x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0002 348 133 MHz 휘발성 휘발성 128mbit 5.5 ns 음주 8m x 16 평행한 -
IS64WV102416BLL-10MA3 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS64WV102416BLL-10MA3 -
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 ECAD 4062 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 48-TFBGA IS64WV102416 sram- 비동기 2.4V ~ 3.6V 48- 바 미니 (9x11) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 220 휘발성 휘발성 16mbit 10 ns SRAM 1m x 16 평행한 10ns
IS25LP512M-JLLE-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LP512M-JLLE-TR 10.2300
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 ECAD 2 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 8-wdfn n 패드 IS25LP512 플래시 - 아니오 2.3V ~ 3.6V 8-wson (8x6) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 4,000 133 MHz 비 비 512mbit 플래시 64m x 8 spi-쿼드 i/o, qpi, dtr 1.6ms
IS62WV51216EBLL-45BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV51216EBLL-45BLI 6.5500
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 ECAD 10 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-VFBGA IS62WV51216 sram- 비동기 2.2V ~ 3.6V 48-VFBGA (6x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 480 휘발성 휘발성 8mbit 45 ns SRAM 512k x 16 평행한 45ns
IS25WP032D-JBLA3-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25WP032D-JBLA3-TR 1.1599
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 ECAD 1188 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.209 ", 5.30mm 너비) 플래시 - 아니오 (SLC) 1.65V ~ 1.95V 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 706-IS25WP032D-JBLA3-TR 2,000 133 MHz 비 비 32mbit 7 ns 플래시 4m x 8 spi-쿼드 i/o, qpi, dtr 40µs, 800µs
IS46TR16640BL-107MBLA1-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46TR16640BL-107MBLA1-TR -
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 ECAD 4405 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 96-TFBGA IS46TR16640 sdram -ddr3l 1.283V ~ 1.45V 96-TWBGA (9x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 706-IS46TR16640BL-107MBLA1-TR 귀 99 8542.32.0032 1,500 933 MHz 휘발성 휘발성 1gbit 20 ns 음주 64m x 16 평행한 15ns
IS62C1024AL-35TI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62C1024AL-35TI -
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 ECAD 3943 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 32-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) IS62C1024 sram- 비동기 4.5V ~ 5.5V 32-tsop i 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2B 8542.32.0041 156 휘발성 휘발성 1mbit 35 ns SRAM 128k x 8 평행한 35ns
IS42VM16160D-8BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42VM16160D-8BLI-TR -
RFQ
 ECAD 3587 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 54-TFBGA IS42VM16160 sdram- 모바일 1.7V ~ 1.95V 54-TFBGA (8x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 2,500 125MHz 휘발성 휘발성 256mbit 6 ns 음주 16m x 16 평행한 -
IS42S32800G-7BL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32800G-7BL 6.9670
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 ECAD 3519 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 새로운 새로운 아닙니다 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 90-TFBGA IS42S32800 sdram 3V ~ 3.6V 90-TFBGA (8x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 240 143 MHz 휘발성 휘발성 256mbit 5.4 ns 음주 8m x 32 평행한 -
IS25LP016D-JNLE-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LP016D-JNLE-TR 0.9600
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 ECAD 33 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) IS25LP016 플래시 - 아니오 2.3V ~ 3.6V 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 3,000 133 MHz 비 비 16mbit 플래시 2m x 8 spi-쿼드 i/o, qpi, dtr 800µs
IS61QDPB42M36A-550B4LI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61QDPB42MM36A-550B4LI -
RFQ
 ECAD 6643 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 165-lbga IS61QDPB42 sram-쿼드-, 동기 1.71V ~ 1.89V 165-LFBGA (13x15) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 105 550MHz 휘발성 휘발성 72mbit SRAM 2m x 36 평행한 -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

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