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IS25WP128-JBLE-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25WP128-JBLE-TR 1.8334
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 ECAD 5479 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.209 ", 5.30mm 너비) IS25WP128 플래시 - 아니오 1.65V ~ 1.95V 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 2,000 133 MHz 비 비 128mbit 플래시 16m x 8 spi-쿼드 i/o, qpi, dtr 800µs
IS25WP080D-JBLE-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25WP080D-JBLE-TR 0.6025
RFQ
 ECAD 5785 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.209 ", 5.30mm 너비) IS25WP080 플래시 - 아니오 1.65V ~ 1.95V 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 2,000 133 MHz 비 비 8mbit 플래시 1m x 8 spi-쿼드 i/o, qpi, dtr 800µs
IS43LQ32640A-062BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43LQ32640A-062BLI -
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 ECAD 5086 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 200-WFBGA sdram- 모바일 lpddr4 1.06V ~ 1.17V, 1.7V ~ 1.95V 200-VFBGA (10x14.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 706-IS43LQ32640A-062BLI 136 1.6GHz 휘발성 휘발성 2gbit 3.5 ns 음주 64m x 32 lvstl 18ns
IS42S16100F-7BL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16100F-7BL -
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 ECAD 8050 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 60-TFBGA IS42S16100 sdram 3V ~ 3.6V 60-TFBGA (6.4x10.1) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0002 117 143 MHz 휘발성 휘발성 16mbit 5.5 ns 음주 1m x 16 평행한 -
IS25WP064A-JKLE-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25WP064A-JKLE-TR 1.3068
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 ECAD 8662 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 8-wdfn n 패드 IS25WP064 플래시 - 아니오 1.65V ~ 1.95V 8-wson (6x5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 4,500 133 MHz 비 비 64mbit 플래시 8m x 8 spi-쿼드 i/o, qpi, dtr 800µs
IS42VM32100D-6BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42VM32100D-6BLI 2.5287
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 ECAD 7874 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 90-TFBGA IS42VM32100 sdram- 모바일 1.7V ~ 1.95V 90-TFBGA (8x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0002 348 166 MHz 휘발성 휘발성 32mbit 5.5 ns 음주 1m x 32 평행한 -
IS61VPD102418A-200B3I-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61VPD102418A-200B3I-TR -
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 ECAD 5866 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 165-TBGA IS61VPD102418 sram-쿼드-, 동기 2.375V ~ 2.625V 165-PBGA (13x15) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 2,000 200MHz 휘발성 휘발성 18mbit 3.1 ns SRAM 1m x 18 평행한 -
IS25LQ032B-JNLE-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LQ032B-JNLE-TR -
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 ECAD 2322 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) IS25LQ032 플래시 - 아니오 2.3V ~ 3.6V 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 3,000 104 MHz 비 비 32mbit 플래시 4m x 8 spi-쿼드 i/o 1ms
IS43TR81280BL-125JBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR81280BL-125JBLI -
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 ECAD 6041 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 78-TFBGA IS43tr81280 sdram -ddr3l 1.283V ~ 1.45V 78-TWBGA (8x10.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0032 242 800MHz 휘발성 휘발성 1gbit 20 ns 음주 128m x 8 평행한 15ns
IS43DR16320E-25DBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43DR16320E-25DBL 3.4400
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 활동적인 0 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 84-TFBGA IS43DR16320 sdram -ddr2 1.7V ~ 1.9V 84-TWBGA (8x12.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 706-1554 귀 99 8542.32.0028 209 400MHz 휘발성 휘발성 512mbit 400 PS 음주 32m x 16 평행한 15ns
IS61LPS51236A-250B3I-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LPS51236A-250B3I-TR -
RFQ
 ECAD 4878 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 165-TBGA IS61LPS51236 sram-동기, sdr 3.135V ~ 3.465V 165-TFBGA (13x15) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 2,000 250MHz 휘발성 휘발성 18mbit 2.6 ns SRAM 512k x 36 평행한 -
IS46LD32640B-25BLA1 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46LD32640B-25BLA1 -
RFQ
 ECAD 3793 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 대부분 마지막으로 마지막으로 -40 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 134-TFBGA sdram -모바일 lpddr2 -s4 1.14V ~ 1.3V, 1.7V ~ 1.95V 134-TFBGA (10x11.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 706-IS46LD32640B-25BLA1 1 400MHz 휘발성 휘발성 2gbit 5.5 ns 음주 64m x 32 HSUL_12 15ns
IS62WVS1288GBLL-45NLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WVS1288GBLL-45NLI 2.3425
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 ECAD 4054 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) IS62WVS1288 sram- 동기 2.7V ~ 3.6V 8-SOIC - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 706-IS62WVS1288GBLL-45NLI 100 45MHz 휘발성 휘발성 1mbit 15 ns SRAM 128k x 8 spi-쿼드 i/o, sdi -
IS42S16160B-6B-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16160B-6B-TR -
RFQ
 ECAD 6453 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 54-LFBGA IS42S16160 sdram 3V ~ 3.6V 54-LFBGA (8x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 2,500 166 MHz 휘발성 휘발성 256mbit 5.4 ns 음주 16m x 16 평행한 -
IS45S16800E-6BLA1 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS45S16800E-6BLA1 -
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 ECAD 3346 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 54-TFBGA IS45S16800 sdram 3V ~ 3.6V 54-TFBGA (8x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0002 348 166 MHz 휘발성 휘발성 128mbit 5.4 ns 음주 8m x 16 평행한 -
IS43R86400F-6TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43R86400F-6TLI 5.9099
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 ECAD 9147 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 66-TSSOP (0.400 ", 10.16mm 너비) IS43R86400 sdram -ddr 2.3V ~ 2.7V 66-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0028 108 166 MHz 휘발성 휘발성 512mbit 700 PS 음주 64m x 8 평행한 15ns
IS25CD010-JNLE ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25CD010-JNLE -
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 ECAD 2931 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) IS25CD010 플래시 2.7V ~ 3.6V 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 100 100MHz 비 비 1mbit 플래시 128k x 8 SPI 5ms
IS66WVC4M16ECLL-7010BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS66WVC4M16ECLL-7010BLI-TR 4.2932
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 ECAD 9029 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 54-VFBGA IS66WVC4M16 psram (의사 sram) 1.7V ~ 1.95V 54-VFBGA (6x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 2,500 휘발성 휘발성 64mbit 70 ns psram 4m x 16 평행한 70ns
IS61LV632A-6TQI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LV632A-6TQI -
RFQ
 ECAD 2857 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 100-lqfp IS61LV632 sram- 비동기 3.135V ~ 3.6V 100-LQFP (14x20) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2B 8542.32.0041 72 휘발성 휘발성 1mbit 6 ns SRAM 32k x 32 평행한 -
IS46TR85120BL-125KBLA1 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46TR85120BL-125KBLA1 -
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 ECAD 2182 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc 자동차, AEC-Q100 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 78-TFBGA IS46TR85120 sdram -ddr3l 1.283V ~ 1.45V 78-TWBGA (8x10.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 706-IS46TR85120BL-125KBLA1 귀 99 8542.32.0036 136 800MHz 휘발성 휘발성 4gbit 20 ns 음주 512m x 8 평행한 15ns
IS42S32200L-7BL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32200L-7BL 4.0459
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 ECAD 6373 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 90-TFBGA IS42S32200 sdram 3V ~ 3.6V 90-TFBGA (8x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0002 240 143 MHz 휘발성 휘발성 64mbit 5.4 ns 음주 2m x 32 평행한 -
IS61NVP102418-250B3I-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61NVP102418-250B3I-TR -
RFQ
 ECAD 8280 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 165-TBGA IS61NVP102418 sram-동기, sdr 2.375V ~ 2.625V 165-TFBGA (13x15) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 2,000 250MHz 휘발성 휘발성 18mbit 2.6 ns SRAM 1m x 18 평행한 -
IS43TR82560C-15HBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR82560C-15HBL 5.8712
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 ECAD 6958 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 새로운 새로운 아닙니다 0 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 78-TFBGA IS43tr82560 sdram -ddr3 1.425V ~ 1.575V 78-TWBGA (8x10.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 242 667 MHz 휘발성 휘발성 2gbit 20 ns 음주 256m x 8 평행한 15ns
IS42S32400F-7BI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32400F-7BI-TR -
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 ECAD 6382 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 90-TFBGA IS42S32400 sdram 3V ~ 3.6V 90-TFBGA (8x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0002 2,500 143 MHz 휘발성 휘발성 128mbit 음주 4m x 32 평행한 -
IS42S83200G-6TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S83200G-6TLI 7.1841
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 ECAD 8338 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 새로운 새로운 아닙니다 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 54-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) IS42S83200 sdram 3V ~ 3.6V 54-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 108 166 MHz 휘발성 휘발성 256mbit 5.4 ns 음주 32m x 8 평행한 -
IS42S16100F-6BL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16100F-6BL -
RFQ
 ECAD 6778 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 60-TFBGA IS42S16100 sdram 3V ~ 3.6V 60-TFBGA (6.4x10.1) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0002 117 166 MHz 휘발성 휘발성 16mbit 5.5 ns 음주 1m x 16 평행한 -
IS25WP032A-JLLE ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25WP032A-JLLE -
RFQ
 ECAD 1272 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 8-wdfn n 패드 IS25WP032 플래시 - 아니오 1.65V ~ 1.95V 8-wson (8x6) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 480 133 MHz 비 비 32mbit 플래시 4m x 8 spi-쿼드 i/o, qpi, dtr 800µs
IS61VPS102436B-166B3LI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61VPS102436B-166B3LI-TR 87.0000
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 ECAD 2012 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 165-TBGA IS61VPS102436 sram-동기, sdr 2.375V ~ 2.625V 165-TFBGA (13x15) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 2,000 166 MHz 휘발성 휘발성 36mbit 3.5 ns SRAM 1m x 36 평행한 -
IS43DR16320C-3DBI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43DR16320C-3DBI -
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 ECAD 5014 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 84-TFBGA IS43DR16320 sdram -ddr2 1.7V ~ 1.9V 84-TWBGA (8x12.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0028 209 333 MHz 휘발성 휘발성 512mbit 450 ps 음주 32m x 16 평행한 15ns
IS43DR81280B-3DBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43DR81280B-3DBL 5.0116
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 ECAD 2916 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 새로운 새로운 아닙니다 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 60-TFBGA IS43DR81280 sdram -ddr2 1.7V ~ 1.9V 60-TWBGA (8x10.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0032 242 333 MHz 휘발성 휘발성 1gbit 450 ps 음주 128m x 8 평행한 15ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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