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영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 기술 | 전압 - 공급 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 시계 시계 | 메모리 메모리 | 메모리 메모리 | 액세스 액세스 | 메모리 메모리 | 메모리 메모리 | 메모리 메모리 | 쓰기 쓰기 시간 - 단어, 페이지 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IS61LV12816L-8TL-TR | - | ![]() | 5626 | 0.00000000 | ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | 표면 표면 | 44-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) | IS61LV12816 | sram- 비동기 | 3.135V ~ 3.6V | 44-TSOP II | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1,000 | 휘발성 휘발성 | 2mbit | 8 ns | SRAM | 128k x 16 | 평행한 | 8ns | ||||
![]() | IS42RM32800K-6BLI-TR | 5.6400 | ![]() | 6530 | 0.00000000 | ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 90-TFBGA | IS42RM32800 | sdram- 모바일 | 2.3V ~ 3V | 90-TFBGA (8x13) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0024 | 2,500 | 166 MHz | 휘발성 휘발성 | 256mbit | 5.5 ns | 음주 | 8m x 32 | 평행한 | - | ||
![]() | IS61NVF51236-7.5TQI-TR | - | ![]() | 7597 | 0.00000000 | ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 100-lqfp | IS61NVF51236 | sram-동기, sdr | 2.375V ~ 2.625V | 100-LQFP (14x20) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 800 | 117 MHz | 휘발성 휘발성 | 18mbit | 7.5 ns | SRAM | 512k x 36 | 평행한 | - | ||
![]() | IS61LF102418A-7.5TQ | - | ![]() | 4482 | 0.00000000 | ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc | - | 쟁반 | 쓸모없는 | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | 표면 표면 | 100-lqfp | IS61LF102418 | sram-동기, sdr | 3.135V ~ 3.6V | 100-LQFP (14x20) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 72 | 117 MHz | 휘발성 휘발성 | 18mbit | 7.5 ns | SRAM | 1m x 18 | 평행한 | - | ||
![]() | IS42RM32400G-75BI | - | ![]() | 9126 | 0.00000000 | ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc | - | 쟁반 | sic에서 중단되었습니다 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 90-TFBGA | IS42RM32400 | sdram- 모바일 | 2.3V ~ 2.7V | 90-TFBGA (8x13) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0002 | 240 | 133 MHz | 휘발성 휘발성 | 128mbit | 6 ns | 음주 | 4m x 32 | 평행한 | - | ||
![]() | IS25WP128-RMLE | - | ![]() | 7891 | 0.00000000 | ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc | - | 튜브 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | 표면 표면 | 16-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비) | IS25WP128 | 플래시 - 아니오 | 1.65V ~ 1.95V | 16- | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 706-1652 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 44 | 133 MHz | 비 비 | 128mbit | 7 ns | 플래시 | 16m x 8 | SPI | 800µs | |
![]() | IS45S16800F-6TLA1-TR | 4.1195 | ![]() | 7148 | 0.00000000 | ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 54-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) | IS45S16800 | sdram | 3V ~ 3.6V | 54-TSOP II | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0002 | 1,500 | 166 MHz | 휘발성 휘발성 | 128mbit | 5.4 ns | 음주 | 8m x 16 | 평행한 | - | ||
![]() | IS25LP064D-RMLE-TY | 1.4742 | ![]() | 3319 | 0.00000000 | ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc | - | 쟁반 | 활동적인 | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | 표면 표면 | 16-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비) | 플래시 - 아니오 | 2.3V ~ 3.6V | 16- | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 706-IS25LP064D-RMLE-TY | 176 | 166 MHz | 비 비 | 64mbit | 플래시 | 8m x 8 | spi-쿼드 i/o, qpi, dtr | 40µs, 800µs | |||||
![]() | IS45S16320D-7TLA1-TR | 18.1050 | ![]() | 1079 | 0.00000000 | ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc | - | 테이프 & tr (TR) | 새로운 새로운 아닙니다 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 54-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) | IS45S16320 | sdram | 3V ~ 3.6V | 54-TSOP II | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0032 | 1,500 | 143 MHz | 휘발성 휘발성 | 512mbit | 5.4 ns | 음주 | 32m x 16 | 평행한 | - | ||
![]() | IS61QDPB42M36A-400M3L | 100.1770 | ![]() | 4076 | 0.00000000 | ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc | - | 쟁반 | 활동적인 | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | 표면 표면 | 165-lbga | IS61QDPB42 | sram-동기, Quadp | 1.71V ~ 1.89V | 165-LFBGA (15x17) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 105 | 400MHz | 휘발성 휘발성 | 72mbit | 8.4 ns | SRAM | 2m x 36 | 평행한 | - | ||
![]() | IS46TR16128B-15HBLA1-TR | - | ![]() | 2994 | 0.00000000 | ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | 표면 표면 | 96-TFBGA | IS46TR16128 | sdram -ddr3 | 1.425V ~ 1.575V | 96-TWBGA (9x13) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0036 | 1,500 | 667 MHz | 휘발성 휘발성 | 2gbit | 20 ns | 음주 | 128m x 16 | 평행한 | 15ns | ||
IS61WV5128EDBLL-10TLI | 3.7500 | ![]() | 2 | 0.00000000 | ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc | - | 쟁반 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 44-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) | IS61WV5128 | sram- 비동기 | 2.4V ~ 3.6V | 44-TSOP II | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 135 | 휘발성 휘발성 | 4mbit | 10 ns | SRAM | 512k x 8 | 평행한 | 10ns | ||||
![]() | IS43TR16128B-125KBL-TR | - | ![]() | 9527 | 0.00000000 | ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | 표면 표면 | 96-TFBGA | IS43tr16128 | sdram -ddr3 | 1.425V ~ 1.575V | 96-TWBGA (9x13) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0036 | 1,500 | 800MHz | 휘발성 휘발성 | 2gbit | 20 ns | 음주 | 128m x 16 | 평행한 | 15ns | ||
![]() | IS25WP032-JBLE-TR | - | ![]() | 8190 | 0.00000000 | ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.209 ", 5.30mm 너비) | IS25WP032 | 플래시 - 아니오 | 1.65V ~ 1.95V | 8-SOIC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,000 | 133 MHz | 비 비 | 32mbit | 7 ns | 플래시 | 4m x 8 | spi-쿼드 i/o, qpi, dtr | 800µs | ||
![]() | IS43TR16640BL-107MBLI-TR | - | ![]() | 7360 | 0.00000000 | ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | 표면 표면 | 96-TFBGA | IS43tr16640 | sdram -ddr3l | 1.283V ~ 1.45V | 96-TWBGA (9x13) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0032 | 1,500 | 933 MHz | 휘발성 휘발성 | 1gbit | 20 ns | 음주 | 64m x 16 | 평행한 | 15ns | ||
![]() | IS42S32400E-7BLI-TR | - | ![]() | 2106 | 0.00000000 | ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 90-TFBGA | IS42S32400 | sdram | 3V ~ 3.6V | 90-TFBGA (8x13) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0002 | 2,500 | 143 MHz | 휘발성 휘발성 | 128mbit | 5.4 ns | 음주 | 4m x 32 | 평행한 | - | ||
![]() | IS43TR16640B-107MBL-TR | - | ![]() | 2094 | 0.00000000 | ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | 표면 표면 | 96-TFBGA | IS43tr16640 | sdram -ddr3 | 1.425V ~ 1.575V | 96-TWBGA (9x13) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0032 | 1,500 | 933 MHz | 휘발성 휘발성 | 1gbit | 20 ns | 음주 | 64m x 16 | 평행한 | 15ns | ||
![]() | IS62WV12816EALL-55BLI | 2.7843 | ![]() | 5817 | 0.00000000 | ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc | - | 쟁반 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 48-TFBGA | IS62WV12816 | sram- 비동기 | 1.65V ~ 2.2V | 48-TFBGA (6x8) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 480 | 휘발성 휘발성 | 2mbit | 45 ns | SRAM | 128k x 16 | 평행한 | 55ns | |||
IS46LR16320B-6BLA1 | - | ![]() | 1745 | 0.00000000 | ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc | - | 쟁반 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 60-TFBGA | IS46LR16320 | sdram- 모바일 lpddr | 1.7V ~ 1.95V | 60-TFBGA (8x10) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0028 | 300 | 166 MHz | 휘발성 휘발성 | 512mbit | 5.5 ns | 음주 | 32m x 16 | 평행한 | 12ns | |||
![]() | IS43TR16128B-107MBLI | - | ![]() | 2772 | 0.00000000 | ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc | - | 쟁반 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | 표면 표면 | 96-TFBGA | IS43tr16128 | sdram -ddr3 | 1.425V ~ 1.575V | 96-TWBGA (9x13) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0036 | 190 | 933 MHz | 휘발성 휘발성 | 2gbit | 195 PS | 음주 | 128m x 16 | 평행한 | 15ns | ||
![]() | IS61NVF51236-7.5B3-TR | - | ![]() | 1386 | 0.00000000 | ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | 표면 표면 | 165-TBGA | IS61NVF51236 | sram-동기, sdr | 2.375V ~ 2.625V | 165-TFBGA (13x15) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 2,000 | 117 MHz | 휘발성 휘발성 | 18mbit | 7.5 ns | SRAM | 512k x 36 | 평행한 | - | ||
![]() | IS46TR81024BL-107MBLA1 | 26.9088 | ![]() | 2822 | 0.00000000 | ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc | 자동차, AEC-Q100 | 대부분 | 활동적인 | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | 표면 표면 | 78-TFBGA | sdram -ddr3l | 1.283V ~ 1.45V | 78-TWBGA (10x14) | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 706-IS46TR81024BL-107MBLA1 | 136 | 933 MHz | 휘발성 휘발성 | 8gbit | 20 ns | 음주 | 1g x 8 | 평행한 | 15ns | |||||
![]() | IS43R16160D-5BL-TR | 4.9021 | ![]() | 4302 | 0.00000000 | ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc | - | 테이프 & tr (TR) | 새로운 새로운 아닙니다 | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | 표면 표면 | 60-TFBGA | IS43R16160 | sdram -ddr | 2.3V ~ 2.7V | 60-TFBGA (8x13) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0024 | 2,500 | 200MHz | 휘발성 휘발성 | 256mbit | 700 PS | 음주 | 16m x 16 | 평행한 | 15ns | ||
![]() | IS43LD16640C-25BL-TR | - | ![]() | 6847 | 0.00000000 | ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 0 ° C ~ 85 ° C (TC) | IS43LD16640 | sdram -모바일 lpddr2 -s4 | 1.14V ~ 1.95V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0028 | 1,200 | 400MHz | 휘발성 휘발성 | 1gbit | 음주 | 64m x 16 | 평행한 | 15ns | ||||||
![]() | IS43TR16640CL-107MBLI-TR | 3.4391 | ![]() | 3194 | 0.00000000 | ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc | 자동차, AEC-Q100 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | 표면 표면 | 96-TFBGA | IS43tr16640 | sdram -ddr3l | 1.283V ~ 1.45V | 96-TWBGA (9x13) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 706-IS43TR16640CL-107MBLI-TR | 귀 99 | 8542.32.0032 | 1,500 | 933 MHz | 휘발성 휘발성 | 1gbit | 20 ns | 음주 | 64m x 16 | 평행한 | 15ns | |
![]() | IS45S16800B-7TLA1-TR | - | ![]() | 7639 | 0.00000000 | ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 54-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) | IS45S16800 | sdram | 3V ~ 3.6V | 54-TSOP II | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0002 | 1,500 | 143 MHz | 휘발성 휘발성 | 128mbit | 5.4 ns | 음주 | 8m x 16 | 평행한 | - | ||
![]() | IS25WP064D-JKLE | 1.3884 | ![]() | 1154 | 0.00000000 | ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc | 자동차, AEC-Q100 | 대부분 | 활동적인 | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | 표면 표면 | 8-wdfn n 패드 | 플래시 - 아니오 (SLC) | 1.65V ~ 1.95V | 8-wson (6x5) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 706-IS25WP064D-JKLE | 570 | 166 MHz | 비 비 | 64mbit | 플래시 | 8m x 8 | spi-쿼드 i/o, qpi, dtr | 40µs, 800µs | ||||||
![]() | IS61LF51236A-7.5B3LI-TR | - | ![]() | 6602 | 0.00000000 | ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 165-TBGA | IS61LF51236 | sram-동기, sdr | 3.135V ~ 3.465V | 165-TFBGA (13x15) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 2,000 | 117 MHz | 휘발성 휘발성 | 18mbit | 7.5 ns | SRAM | 512k x 36 | 평행한 | - | ||
![]() | IS61LF51236B-6.5TQLI-TR | 15.0000 | ![]() | 6413 | 0.00000000 | ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 100-lqfp | IS61LF51236 | sram-동기, sdr | 3.135V ~ 3.465V | 100-LQFP (14x20) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 800 | 133 MHz | 휘발성 휘발성 | 18mbit | 6.5 ns | SRAM | 512k x 36 | 평행한 | - | ||
![]() | IS42VM32800E-75BLI-TR | - | ![]() | 1505 | 0.00000000 | ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc | - | 테이프 & tr (TR) | sic에서 중단되었습니다 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 90-TFBGA | IS42VM32800 | sdram- 모바일 | 1.7V ~ 1.95V | 90-TFBGA (8x13) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0024 | 2,500 | 133 MHz | 휘발성 휘발성 | 256mbit | 6 ns | 음주 | 8m x 32 | 평행한 | - |
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