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영상 제품번호 가격(USD) 수량 ECAD 사용 수량 보유 무게(Kg) 제조사 시리즈 세트 제품상태 작동 온도 장착 세트/케이스 기본 제품 번호 기술 전압 - 공급 공급자 장치 데이터시트 RoHS 상태 민감도특급(MSL) REACH 상태 다른 이름 ECCN HTSUS 세트 세트 클럭킹 메모리 종류 메모리 크기 접속시간 메모리 형식 기억 정리 메모리 인터페이스 돈을 쓰는 시간 - 단어, 페이지
IS61VPD102418A-200B3I-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61VPD102418A-200B3I-TR -
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ECAD 5866 0.00000000 ISSI, 통합 실리콘 솔루션 Inc - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 -40°C ~ 85°C(타) 표면 실장 165-TBGA IS61VPD102418 SRAM - 쿼드포트, ​동기식 2.375V ~ 2.625V 165-PBGA(13x15) 다운로드 ROHS3 준수 3(168시간) REACH 영향을 받지 않았습니다. 3A991B2A 8542.32.0041 2,000 200MHz 항체를 제거하세요 18Mbit 3.1ns 스램 1M x 18 불편한 -
IS43R83200D-6TL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43R83200D-6TL 5.1536
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ECAD 6514 0.00000000 ISSI, 통합 실리콘 솔루션 Inc - 쟁반 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. 0°C ~ 70°C (타) 표면 실장 66-TSSOP(0.400", 10.16mm 폭) IS43R83200 SDRAM - DDR 2.3V ~ 2.7V 66-TSOP II 다운로드 ROHS3 준수 3(168시간) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8542.32.0024 108 166MHz 항체를 제거하세요 256Mbit 700ps 음주 32M x 8 불편한 15ns
IS66WVQ2M4DBLL-133BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS66WVQ2M4DBLL-133BLI 3.0900
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ECAD 330 0.00000000 ISSI, 통합 실리콘 솔루션 Inc - 쟁반 활동적인 -40°C ~ 85°C(타) 표면 실장 24-TBGA IS66WVQ2M4 PSRAM(의사 SRAM) 2.7V ~ 3.6V 24-TFBGA(6x8) 다운로드 ROHS3 준수 3(168시간) REACH 영향을 받지 않았습니다. 706-IS66WVQ2M4DBLL-133BLI 3A991B2A 8542.32.0041 480 133MHz 항체를 제거하세요 8Mbit PSRAM 2M x 4 SPI - 쿼드 I/O 37.5ns
IS61WV6416EEBLL-8TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61WV6416EEBLL-8TLI 2.3255
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ECAD 6337 0.00000000 ISSI, 통합 실리콘 솔루션 Inc - 대부분 활동적인 -40°C ~ 85°C(타) 표면 실장 44-TSOP(0.400", 10.16mm 폭) SRAM - 특별한식 2.4V ~ 3.6V 44-TSOP II 다운로드 ROHS3 준수 3(168시간) 706-IS61WV6416EEBLL-8TLI 135 항체를 제거하세요 1Mbit 8ns 스램 64K x 16 불편한 8ns
IS43DR82560B-3DBLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43DR82560B-3DBLI-TR -
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ECAD 6353 0.00000000 ISSI, 통합 실리콘 솔루션 Inc - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -40°C ~ 85°C(타) 표면 실장 60-TFBGA IS43DR82560 SDRAM - DDR2 1.7V ~ 1.9V 60-TWBGA(10.5x13) 다운로드 ROHS3 준수 3(168시간) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8542.32.0036 1,500 333MHz 항체를 제거하세요 2Gbit 450ps 음주 256M x 8 불편한 15ns
IS42S83200J-6TL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S83200J-6TL-TR 2.8787
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ECAD 7174 0.00000000 ISSI, 통합 실리콘 솔루션 Inc - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 0°C ~ 70°C (타) 표면 실장 54-TSOP(0.400", 10.16mm 폭) IS42S83200 SDRAM 3V ~ 3.6V 54-TSOP II 다운로드 ROHS3 준수 3(168시간) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8542.32.0024 1,500 166MHz 항체를 제거하세요 256Mbit 5.4ns 음주 32M x 8 불편한 -
IS25LP512M-JLLE-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LP512M-JLLE-TR 10.2300
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ECAD 2 0.00000000 ISSI, 통합 실리콘 솔루션 Inc - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -40°C ~ 105°C(타) 표면 실장 8-WDFN옆패드 IS25LP512 플래시 - 아니오 2.3V ~ 3.6V 8-WSON(8x6) 다운로드 ROHS3 준수 3(168시간) REACH 영향을 받지 않았습니다. 3A991B1A 8542.32.0071 4,000 133MHz 비대하다 512Mbit 플래시 64M x 8 SPI - 쿼드 I/O, QPI, DTR 1.6ms
IS64WV25616BLL-10BLA3 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS64WV25616BLL-10BLA3 9.5911
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ECAD 8528 0.00000000 ISSI, 통합 실리콘 솔루션 Inc - 쟁반 활동적인 -40°C ~ 125°C(타) 표면 실장 48-TFBGA IS64WV25616 SRAM - 특별한식 2.4V ~ 3.6V 48-TFBGA(6x8) 다운로드 ROHS3 준수 3(168시간) REACH 영향을 받지 않았습니다. 3A991B2A 8542.32.0041 480 항체를 제거하세요 4Mbit 10ns 스램 256K x 16 불편한 10ns
IS46DR16160B-25DBLA2-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46DR16160B-25DBLA2-TR 6.4500
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ECAD 9956 0.00000000 ISSI, 통합 실리콘 솔루션 Inc - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -40°C ~ 105°C(타) 표면 실장 84-TFBGA IS46DR16160 SDRAM - DDR2 1.7V ~ 1.9V 84-TWBGA(8x12.5) 다운로드 ROHS3 준수 3(168시간) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8542.32.0024 2,500 400MHz 항체를 제거하세요 256Mbit 400ps 음주 16M×16 불편한 15ns
IS43TR81024B-125KBL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR81024B-125KBL-TR 19.0323
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ECAD 9295 0.00000000 ISSI, 통합 실리콘 솔루션 Inc - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 0°C ~ 95°C (TC) 표면 실장 78-TFBGA SDRAM - DDR3 1.425V ~ 1.575V 78-TWBGA(10x14) 다운로드 ROHS3 준수 3(168시간) 706-IS43TR81024B-125KBL-TR 2,000 800MHz 항체를 제거하세요 8Gbit 20ns 음주 1G x 8 불편한 15ns
IS25WJ064F-JTLE-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25WJ064F-JTLE-TR 1992년 1월
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ECAD 3900 0.00000000 ISSI, 통합 실리콘 솔루션 Inc * 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 - ROHS3 준수 3(168시간) 706-IS25WJ064F-JTLE-TR 5,000
IS43TR16256A-093NBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR16256A-093NBLI -
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ECAD 3435 0.00000000 ISSI, 통합 실리콘 솔루션 Inc 자동차, AEC-Q100 쟁반 더 이상 사용하지 않는 경우 -40°C ~ 95°C(TC) 표면 실장 96-TFBGA IS43TR16256 SDRAM - DDR3 1.425V ~ 1.575V 96-TWBGA(9x13) - ROHS3 준수 3(168시간) REACH 영향을 받지 않았습니다. 706-IS43TR16256A-093NBLI EAR99 8542.32.0036 190 1.066GHz 항체를 제거하세요 4Gbit 20ns 음주 256M x 16 불편한 15ns
IS43R86400D-5BL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43R86400D-5BL-TR 7.5000
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ECAD 8668 0.00000000 ISSI, 통합 실리콘 솔루션 Inc - 테이프 및 릴리(TR) 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. 0°C ~ 70°C (타) 표면 실장 60-TFBGA IS43R86400 SDRAM - DDR 2.5V ~ 2.7V 60-TFBGA(8x13) 다운로드 ROHS3 준수 3(168시간) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8542.32.0028 2,500 200MHz 항체를 제거하세요 512Mbit 700ps 음주 64M x 8 불편한 15ns
IS61LV25616AL-10BI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LV25616AL-10BI-TR -
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ECAD 3170 0.00000000 ISSI, 통합 실리콘 솔루션 Inc - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 -40°C ~ 85°C(타) 표면 실장 48-TFBGA IS61LV25616 SRAM - 특별한식 3.135V ~ 3.6V 48-TFBGA(8x10) 다운로드 ROHS3 준수 3(168시간) REACH 영향을 받지 않았습니다. 3A991B2A 8542.32.0041 2,500 항체를 제거하세요 4Mbit 10ns 스램 256K x 16 불편한 10ns
IS46R16320D-6BLA2 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46R16320D-6BLA2 11.7704
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ECAD 4394 0.00000000 ISSI, 통합 실리콘 솔루션 Inc - 쟁반 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. -40°C ~ 105°C(타) 표면 실장 60-TFBGA IS46R16320 SDRAM - DDR 2.3V ~ 2.7V 60-TFBGA(8x13) 다운로드 ROHS3 준수 3(168시간) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8542.32.0028 190 166MHz 항체를 제거하세요 512Mbit 700ps 음주 32M x 16 불편한 15ns
IS43DR86400E-3DBLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43DR86400E-3DBLI-TR 4.7347
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ECAD 2036년 0.00000000 ISSI, 통합 실리콘 솔루션 Inc - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -40°C ~ 85°C(타) 표면 실장 60-TFBGA IS43DR86400 SDRAM - DDR2 1.7V ~ 1.9V 60-TWBGA(8x10.5) 다운로드 ROHS3 준수 3(168시간) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8542.32.0028 2,000 333MHz 항체를 제거하세요 512Mbit 450ps 음주 64M x 8 불편한 15ns
IS61WV25616EFBLL-10TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61WV25616EFBLL-10TLI 2.1218
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ECAD 3392 0.00000000 ISSI, 통합 실리콘 솔루션 Inc - 대부분 활동적인 -40°C ~ 85°C(타) 표면 실장 44-TSOP(0.400", 10.16mm 폭) SRAM - 특별한식 2.4V ~ 3.6V 44-TSOP II - ROHS3 준수 3(168시간) 706-IS61WV25616EFBLL-10TLI 135 항체를 제거하세요 4Mbit 10ns 스램 256K x 16 불편한 10ns
IS42VM16160D-8BL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42VM16160D-8BL-TR -
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ECAD 5264 0.00000000 ISSI, 통합 실리콘 솔루션 Inc - 테이프 및 릴리(TR) SIC에서는 존재하지 않았습니다. 0°C ~ 70°C (타) 표면 실장 54-TFBGA IS42VM16160 SDRAM - 모바일 1.7V ~ 1.95V 54-TFBGA(8x13) 다운로드 ROHS3 준수 3(168시간) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8542.32.0024 2,500 125MHz 항체를 제거하세요 256Mbit 6ns 음주 16M×16 불편한 -
IS29GL064-70TLEB ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS29GL064-70TLEB 4.6200
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ECAD 242 0.00000000 ISSI, 통합 실리콘 솔루션 Inc - 쟁반 활동적인 -40°C ~ 105°C(타) 표면 실장 48-TFSOP(0.724", 18.40mm 폭) IS29GL064 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 48-TSOP I 다운로드 ROHS3 준수 3(168시간) REACH 영향을 받지 않았습니다. 706-IS29GL064-70TLEB 3A991B1A 8542.32.0071 96 비대하다 64Mbit 70ns 플래시 8M x 8 불편한 75ns
IS61NLP25672-250B1I-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61NLP25672-250B1I-TR -
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ECAD 2071 0.00000000 ISSI, 통합 실리콘 솔루션 Inc - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 -40°C ~ 85°C(타) 표면 실장 209-BGA IS61NLP25672 SRAM - 동기식, SDR 3.135V ~ 3.465V 209-LFBGA(14x22) 다운로드 ROHS3 준수 3(168시간) REACH 영향을 받지 않았습니다. 3A991B2A 8542.32.0041 1,000 250MHz 항체를 제거하세요 18Mbit 2.6ns 스램 256K x 72 불편한 -
IS42VM16160D-8BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42VM16160D-8BLI -
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ECAD 2921 0.00000000 ISSI, 통합 실리콘 솔루션 Inc - 쟁반 SIC에서는 존재하지 않았습니다. -40°C ~ 85°C(타) 표면 실장 54-TFBGA IS42VM16160 SDRAM - 모바일 1.7V ~ 1.95V 54-TFBGA(8x13) 다운로드 ROHS3 준수 3(168시간) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8542.32.0024 240 125MHz 항체를 제거하세요 256Mbit 6ns 음주 16M×16 불편한 -
IS45S16160D-7TLA2 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS45S16160D-7TLA2 -
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ECAD 5307 0.00000000 ISSI, 통합 실리콘 솔루션 Inc - 쟁반 더 이상 사용하지 않는 경우 -40°C ~ 105°C(타) 표면 실장 54-TSOP(0.400", 10.16mm 폭) IS45S16160 SDRAM 3V ~ 3.6V 54-TSOP II 다운로드 ROHS3 준수 3(168시간) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8542.32.0028 108 143MHz 항체를 제거하세요 256Mbit 5.4ns 음주 16M×16 불편한 -
IS61NLF25672-6.5B1I-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61NLF25672-6.5B1I-TR -
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ECAD 5827 0.00000000 ISSI, 통합 실리콘 솔루션 Inc - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 -40°C ~ 85°C(타) 표면 실장 209-BGA IS61NLF25672 SRAM - 동기식, SDR 3.135V ~ 3.465V 209-LFBGA(14x22) 다운로드 ROHS3 준수 3(168시간) REACH 영향을 받지 않았습니다. 3A991B2A 8542.32.0041 1,000 133MHz 항체를 제거하세요 18Mbit 6.5ns 스램 256K x 72 불편한 -
IS43R16320D-6TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43R16320D-6TLI 8.3985
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ECAD 7474 0.00000000 ISSI, 통합 실리콘 솔루션 Inc - 쟁반 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. -40°C ~ 85°C(타) 표면 실장 66-TSSOP(0.400", 10.16mm 폭) IS43R16320 SDRAM - DDR 2.3V ~ 2.7V 66-TSOP II 다운로드 ROHS3 준수 3(168시간) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8542.32.0028 108 166MHz 항체를 제거하세요 512Mbit 700ps 음주 32M x 16 불편한 15ns
IS25LP032D-JTLA3-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LP032D-JTLA3-TR 1.1525
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ECAD 8519 0.00000000 ISSI, 통합 실리콘 솔루션 Inc 자동차, AEC-Q100 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -40°C ~ 125°C(타) 표면 실장 8-UDFN 옆패드 플래시 - NOR(SLC) 2.3V ~ 3.6V 8-USON(4x3) 다운로드 ROHS3 준수 3(168시간) 706-IS25LP032D-JTLA3-TR 5,000 133MHz 비대하다 32Mbit 7ns 플래시 4M x 8 SPI - 쿼드 I/O, QPI, DTR 40μs, 800μs
IS49NLC36160A-25WBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS49NLC36160A-25WBLI 51.8860
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ECAD 8628 0.00000000 ISSI, 통합 실리콘 솔루션 Inc - 대부분 활동적인 -40°C ~ 85°C(타) 표면 실장 144-TFBGA RLDRAM 2 1.7V ~ 1.9V 144-TWBGA(11x18.5) 다운로드 ROHS3 준수 3(168시간) REACH 영향을 받지 않았습니다. 706-IS49NLC36160A-25WBLI 104 400MHz 항체를 제거하세요 576Mbit 20ns 음주 16M×36 HSTL -
IS61NLF102418-6.5TQ-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61NLF102418-6.5TQ-TR -
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ECAD 2215 0.00000000 ISSI, 통합 실리콘 솔루션 Inc - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 0°C ~ 70°C (타) 표면 실장 100-LQFP IS61NLF102418 SRAM - 동기식, SDR 3.135V ~ 3.465V 100-LQFP(14x20) 다운로드 ROHS3 준수 3(168시간) REACH 영향을 받지 않았습니다. 3A991B2A 8542.32.0041 800 133MHz 항체를 제거하세요 18Mbit 6.5ns 스램 1M x 18 불편한 -
IS45S16800E-7BLA1-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS45S16800E-7BLA1-TR -
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ECAD 6256 0.00000000 ISSI, 통합 실리콘 솔루션 Inc - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 -40°C ~ 85°C(타) 표면 실장 54-TFBGA IS45S16800 SDRAM 3V ~ 3.6V 54-TFBGA(8x8) 다운로드 ROHS3 준수 3(168시간) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8542.32.0002 2,500 143MHz 항체를 제거하세요 128Mbit 5.4ns 음주 8M×16 불편한 -
IS61C1024AL-12JLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61C1024AL-12JLI 2.4500
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ECAD 2 0.00000000 ISSI, 통합 실리콘 솔루션 Inc - 쟁반 활동적인 -40°C ~ 85°C(타) 표면 실장 32-BSOJ(0.300", 7.62mm 폭) IS61C1024 SRAM - 특별한식 4.5V ~ 5.5V 32-SOJ 다운로드 ROHS3 준수 3(168시간) REACH 영향을 받지 않았습니다. 3A991B2B 8542.32.0041 22 항체를 제거하세요 1Mbit 12ns 스램 128K x 8 불편한 12ns
IS25LE256E-RMLE-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LE256E-RMLE-TR 3.9621
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ECAD 1351 0.00000000 ISSI, 통합 실리콘 솔루션 Inc 자동차, AEC-Q100 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -40°C ~ 105°C(타) 표면 실장 16-SOIC(0.295", 7.50mm 폭) 플래시 - NOR(SLC) 2.3V ~ 3.6V 16-SOIC 다운로드 ROHS3 준수 3(168시간) 706-IS25LE256E-RMLE-TR 1,000 166MHz 비대하다 256Mbit 플래시 32M x 8 SPI - 쿼드 I/O, QPI, DTR 50μs, 1ms
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 견적 요청량

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준제품단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고