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IS46TR16512BL-125KBLA1-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46TR16512BL-125KBLA1-TR 21.6125
RFQ
 ECAD 4230 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 96-TFBGA sdram -ddr3l 1.283V ~ 1.45V 96-TWBGA (10x14) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 706-IS46TR16512BL-125KBLA1-TR 2,000 800MHz 휘발성 휘발성 8gbit 20 ns 음주 512m x 16 평행한 15ns
IS42S16800F-6BL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16800F-6BL-TR 2.2334
RFQ
 ECAD 5208 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 54-TFBGA IS42S16800 sdram 3V ~ 3.6V 54-TFBGA (8x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0002 2,500 166 MHz 휘발성 휘발성 128mbit 5.4 ns 음주 8m x 16 평행한 -
IS61DDB21M36A-250M3L ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61DDB21M36A-250M3L -
RFQ
 ECAD 7294 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 sic에서 중단되었습니다 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 165-lbga IS61DDB21 SRAM-동기, DDR II 1.71V ~ 1.89V 165-LFBGA (13x15) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0002 105 250MHz 휘발성 휘발성 36mbit 8.4 ns SRAM 1m x 36 평행한 -
IS42VM32400H-6BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42VM32400H-6BLI-TR 4.3084
RFQ
 ECAD 5593 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 90-TFBGA IS42VM32400 sdram- 모바일 1.7V ~ 1.95V 90-TFBGA (8x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0002 2,500 166 MHz 휘발성 휘발성 128mbit 5.5 ns 음주 4m x 32 평행한 -
IS43R16800C-5TL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43R16800C-5TL -
RFQ
 ECAD 4593 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 66-TSSOP (0.400 ", 10.16mm 너비) IS43R16800 sdram -ddr 2.3V ~ 2.7V 66-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0002 108 200MHz 휘발성 휘발성 128mbit 700 PS 음주 8m x 16 평행한 15ns
IS62WV5128BLL-55BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV5128BLL-55BLI 4.1765
RFQ
 ECAD 2330 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 36-TFBGA IS62WV5128 sram- 비동기 2.5V ~ 3.6V 36-TFBGA (6x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 480 휘발성 휘발성 4mbit 55 ns SRAM 512k x 8 평행한 55ns
IS46LR16320B-6BLA1 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46LR16320B-6BLA1 -
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 ECAD 1745 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 60-TFBGA IS46LR16320 sdram- 모바일 lpddr 1.7V ~ 1.95V 60-TFBGA (8x10) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0028 300 166 MHz 휘발성 휘발성 512mbit 5.5 ns 음주 32m x 16 평행한 12ns
IS46LD32640B-25BLA1-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46LD32640B-25BLA1-TR -
RFQ
 ECAD 8659 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 대부분 마지막으로 마지막으로 -40 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 134-TFBGA sdram -모바일 lpddr2 -s4 1.14V ~ 1.3V, 1.7V ~ 1.95V 134-TFBGA (10x11.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 706-IS46LD32640B-25BLA1-TR 1 400MHz 휘발성 휘발성 2gbit 5.5 ns 음주 64m x 32 HSUL_12 15ns
IS42S83200G-6TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S83200G-6TLI 7.1841
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 ECAD 8338 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 새로운 새로운 아닙니다 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 54-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) IS42S83200 sdram 3V ~ 3.6V 54-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 108 166 MHz 휘발성 휘발성 256mbit 5.4 ns 음주 32m x 8 평행한 -
IS61WV25616EDBLL-10BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61WV25616EDBLL-10BLI 4.2400
RFQ
 ECAD 480 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-TFBGA IS61WV25616 sram- 비동기 2.4V ~ 3.6V 48-TFBGA (6x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 480 휘발성 휘발성 4mbit 10 ns SRAM 256k x 16 평행한 10ns
IS43DR16640C-3DBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43DR16640C-3DBL 3.9700
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 활동적인 0 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 84-TFBGA IS43DR16640 sdram -ddr2 1.7V ~ 1.9V 84-TWBGA (8x12.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 706-1563 귀 99 8542.32.0032 209 333 MHz 휘발성 휘발성 1gbit 450 ps 음주 64m x 16 평행한 15ns
IS66WVO32M8DBLL-133BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS66WVO32M8DBLL-133BLI-TR 4.4904
RFQ
 ECAD 5826 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 24-TBGA psram (의사 sram) 2.7V ~ 3.6V 24-TFBGA (6x8) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 706-IS66WVO32M8DBLL-133BLI-TR 2,500 133 MHz 휘발성 휘발성 256mbit psram 32m x 8 SPI -OCTAL I/O 37.5ns
IS41LV16105B-60TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS41LV16105B-60TLI -
RFQ
 ECAD 3764 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 44-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) IS41LV16105 dram -fp 3V ~ 3.6V 44-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0002 117 휘발성 휘발성 16mbit 30 ns 음주 1m x 16 평행한 -
IS43TR16128AL-125KBLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR16128AL-125KBLI-TR -
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 ECAD 5163 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 -40 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 96-TFBGA IS43tr16128 sdram -ddr3l 1.283V ~ 1.45V 96-TWBGA (9x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 1,500 800MHz 휘발성 휘발성 2gbit 20 ns 음주 128m x 16 평행한 15ns
IS43DR86400C-3DBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43DR86400C-3DBLI 6.4693
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 ECAD 9655 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 새로운 새로운 아닙니다 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 60-TFBGA IS43DR86400 sdram -ddr2 1.7V ~ 1.9V 60-TWBGA (8x10.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0028 242 333 MHz 휘발성 휘발성 512mbit 450 ps 음주 64m x 8 평행한 15ns
IS61VF102418A-7.5B3I-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61VF102418A-7.5B3I-TR -
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 ECAD 4854 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 165-TBGA IS61VF102418 sram-동기, sdr 2.375V ~ 2.625V 165-TFBGA (13x15) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 2,000 117 MHz 휘발성 휘발성 18mbit 7.5 ns SRAM 1m x 18 평행한 -
IS42VM32100D-6BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42VM32100D-6BLI 2.5287
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 ECAD 7874 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 90-TFBGA IS42VM32100 sdram- 모바일 1.7V ~ 1.95V 90-TFBGA (8x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0002 348 166 MHz 휘발성 휘발성 32mbit 5.5 ns 음주 1m x 32 평행한 -
IS45S16160G-6TLA1 -TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS45S16160G -6TLA1 -tr 5.6177
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 ECAD 5298 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 54-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) IS45S16160 sdram 3V ~ 3.6V 54-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0028 1,500 166 MHz 휘발성 휘발성 256mbit 5.4 ns 음주 16m x 16 평행한 -
IS61C1024AL-12TI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61C1024AL-12TI -
RFQ
 ECAD 1769 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 32-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) IS61C1024 sram- 비동기 4.5V ~ 5.5V 32-tsop i 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2B 8542.32.0041 156 휘발성 휘발성 1mbit 12 ns SRAM 128k x 8 평행한 12ns
IS25WP040E-JNLE ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25WP040E-JNLE 0.3196
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 ECAD 4772 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) IS25WP040 플래시 - 아니오 1.7V ~ 1.95V 8-SOP 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 706-IS25WP040E-Jnle 귀 99 8542.32.0071 100 104 MHz 비 비 4mbit 8 ns 플래시 512k x 8 spi-쿼드 i/o, qpi, dtr 1.2ms
IS42S32400B-6TL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32400B-6TL-TR -
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 ECAD 5290 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 86-TFSOP (0.400 ", 10.16mm 너비) IS42S32400 sdram 3V ~ 3.6V 86-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0002 1,500 166 MHz 휘발성 휘발성 128mbit 5.4 ns 음주 4m x 32 평행한 -
IS46LD16640A-25BLA2-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46LD16640A-25BLA2-TR -
RFQ
 ECAD 1336 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 -40 ° C ~ 105 ° C (TC) 표면 표면 134-TFBGA IS46LD16640 sdram -모바일 lpddr2 -s4 1.14V ~ 1.95V 134-TFBGA (10x11.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0028 1,200 400MHz 휘발성 휘발성 1gbit 음주 64m x 16 평행한 15ns
IS43TR16512S1DL-125KBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR16512S1DL-125KBLI -
RFQ
 ECAD 7333 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 96-LFBGA sdram -ddr3l 1.283V ~ 1.45V 96-LWBGA (9x13) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 706-IS43TR16512S1DL-125KBLI 190 800MHz 휘발성 휘발성 8gbit 20 ns 음주 512m x 16 평행한 15ns
IS61LV12816L-10BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LV12816L-10BLI -
RFQ
 ECAD 8205 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-TFBGA IS61LV12816 sram- 비동기 3.135V ~ 3.6V 48-TFBGA (6x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 480 휘발성 휘발성 2mbit 10 ns SRAM 128k x 16 평행한 10ns
IS62WV1288FALL-55BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV1288FALL-55BLI -
RFQ
 ECAD 3427 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 36-TFBGA IS62WV1288 sram- 비동기 1.65V ~ 2.2V 36-TFBGA (6x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2B 8542.32.0041 156 휘발성 휘발성 1mbit 55 ns SRAM 128k x 8 평행한 45ns
IS25WP128F-JKLE-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25WP128F-JKLE-TR 1.9251
RFQ
 ECAD 6852 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 8-wdfn n 패드 IS25WP128 플래시 - 아니오 1.65V ~ 1.95V 8-wson (6x5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 4,500 133 MHz 비 비 128mbit 플래시 16m x 8 spi-쿼드 i/o, qpi, dtr 800µs
IS42S16320B-7BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16320B-7BLI-TR -
RFQ
 ECAD 5106 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 54-TFBGA IS42S16320 sdram 3V ~ 3.6V 54-WBGA (11x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0028 2,000 143 MHz 휘발성 휘발성 512mbit 5.4 ns 음주 32m x 16 평행한 -
IS61QDPB42M36A2-500M3L ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61QDPB42M36A2-500M3L 111.7063
RFQ
 ECAD 8973 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 165-lbga IS61QDPB42 sram-동기, Quadp 1.71V ~ 1.89V 165-LFBGA (15x17) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 105 500MHz 휘발성 휘발성 72mbit 8.4 ns SRAM 2m x 36 평행한 -
IS46TR16128CL-15HBLA1 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46TR16128CL-15HBLA1 6.3585
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 ECAD 5845 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 96-TFBGA IS46TR16128 sdram -ddr3l 1.283V ~ 1.45V 96-TWBGA (9x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 190 667 MHz 휘발성 휘발성 2gbit 20 ns 음주 128m x 16 평행한 15ns
IS64WV25616BLL-10BLA3 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS64WV25616BLL-10BLA3 9.5911
RFQ
 ECAD 8528 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 48-TFBGA IS64WV25616 sram- 비동기 2.4V ~ 3.6V 48-TFBGA (6x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 480 휘발성 휘발성 4mbit 10 ns SRAM 256k x 16 평행한 10ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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