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IS42VM16160D-8BL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42VM16160D-8BL-TR -
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 ECAD 5264 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 54-TFBGA IS42VM16160 sdram- 모바일 1.7V ~ 1.95V 54-TFBGA (8x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 2,500 125MHz 휘발성 휘발성 256mbit 6 ns 음주 16m x 16 평행한 -
IS43QR85120B-083RBL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43QR85120B-083RBL-TR 8.6849
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 ECAD 4195 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 활동적인 0 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 78-TFBGA sdram -ddr4 1.14V ~ 1.26V 78-TWBGA (10x14) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 706-IS43QR85120B-083RBL-TR 2,000 1.2GHz 휘발성 휘발성 4gbit 19 ns 음주 512m x 8 현물 현물 지불 15ns
IS46TR85120BL-125KBLA1-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46TR85120BL-125KBLA1-TR -
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 ECAD 1462 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 78-TFBGA IS46TR85120 sdram -ddr3l 1.283V ~ 1.45V 78-TWBGA (8x10.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 706-IS46TR85120BL-125KBLA1-TR 귀 99 8542.32.0036 2,000 800MHz 휘발성 휘발성 4gbit 20 ns 음주 512m x 8 평행한 15ns
IS66WVE2M16ECLL-70BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS66WVE2M16ECLL-70BLI 4.8100
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 ECAD 410 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-TFBGA IS66WVE2M16 psram (의사 sram) 1.7V ~ 1.95V 48-TFBGA (6x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 480 휘발성 휘발성 32mbit 70 ns psram 2m x 16 평행한 70ns
IS61QDB21M36C-250M3 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61QDB21M36C-250M3 -
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 ECAD 7324 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 165-lbga IS61QDB21 sram-동기, 쿼드 1.71V ~ 1.89V 165-LFBGA (15x17) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 105 250MHz 휘발성 휘발성 36mbit 8.4 ns SRAM 1m x 36 평행한 -
IS43R32800D-5B-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43R32800D-5B-TR -
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 ECAD 5710 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 144-LFBGA IS43R32800 sdram -ddr 2.3V ~ 2.7V 144-LFBGA (12x12) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 1,500 200MHz 휘발성 휘발성 256mbit 700 PS 음주 8m x 32 평행한 15ns
IS46QR16256B-083RBLA2-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46QR16256B-083RBLA2-TR 9.3765
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 ECAD 3236 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TC) 표면 표면 96-TFBGA sdram -ddr4 1.14V ~ 1.26V 96-TWBGA (7.5x13.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 706-IS46QR16256B-083RBLA2-TR 2,500 1.2GHz 휘발성 휘발성 4gbit 19 ns 음주 256m x 16 현물 현물 지불 15ns
IS43R16160F-5BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43R16160F-5BLI-TR 3.8973
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 ECAD 5158 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 60-TFBGA IS43R16160 sdram -ddr 2.3V ~ 2.7V 60-TFBGA (8x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 2,500 200MHz 휘발성 휘발성 256mbit 700 PS 음주 16m x 16 평행한 15ns
IS43TR16256A-125KBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR16256A-125KBL -
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 ECAD 3788 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 96-TFBGA IS43tr16256 sdram -ddr3 1.425V ~ 1.575V 96-TWBGA (9x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 190 800MHz 휘발성 휘발성 4gbit 20 ns 음주 256m x 16 평행한 15ns
IS61LV5128AL-10TI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LV5128AL-10TI-TR -
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 ECAD 6641 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 44-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) IS61LV5128 sram- 비동기 3.135V ~ 3.6V 44-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 1,000 휘발성 휘발성 4mbit 10 ns SRAM 512k x 8 평행한 10ns
IS25LQ020B-JDLE-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LQ020B-JDLE-TR -
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 ECAD 2937 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 8-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) IS25LQ020 플래시 - 아니오 2.3V ~ 3.6V 8-tssop 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 3,500 104 MHz 비 비 2mbit 플래시 256k x 8 spi-쿼드 i/o 800µs
IS61NLP25618A-200TQLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61NLP25618A-200TQLI-TR 7.5837
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 ECAD 7460 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 100-lqfp IS61NLP25618 sram-동기, sdr 3.135V ~ 3.465V 100-LQFP (14x20) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 800 200MHz 휘발성 휘발성 4.5mbit 3.1 ns SRAM 256k x 18 평행한 -
IS61LPS25636A-200TQ2I-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LPS25636A-200TQ2I-TR -
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 ECAD 5305 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 100-lqfp IS61LPS25636 sram-동기, sdr 3.135V ~ 3.465V 100-LQFP (14x20) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 800 200MHz 휘발성 휘발성 9mbit 3.1 ns SRAM 256k x 36 평행한 -
IS29GL032-70TLET ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS29GL032-70TLET 3.0443
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 ECAD 5900 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc 자동차, AEC-Q100 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) 플래시 - 아니오 (SLC) 2.7V ~ 3.6V 48-tsop i 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 706-IS29GL032-70TLET 96 비 비 32mbit 70 ns 플래시 2m x 16 CFI 70ns
IS66WVH8M8DBLL-100B1LI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS66WVH8M8DBLL-100B1LI-TR 3.0653
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 ECAD 5994 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 24-TBGA psram (의사 sram) 1.7V ~ 1.95V, 2.7V ~ 3.6V 24-TFBGA (6x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 706-IS66WVH8M8DBLL-100B1LI-TR 2,500 100MHz 휘발성 휘발성 64mbit 40 ns psram 8m x 8 hyperbus 40ns
IS62WV25616DALL-55TL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV25616DALL-55TL-TR -
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 ECAD 1448 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 44-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) IS62WV25616 sram- 비동기 1.65V ~ 2.2V 44-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 1 휘발성 휘발성 4mbit 55 ns SRAM 256k x 16 평행한 55ns
IS45S16800E-6TLA1 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS45S16800E-6TLA1 -
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 ECAD 2147 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 54-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) IS45S16800 sdram 3V ~ 3.6V 54-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0002 108 166 MHz 휘발성 휘발성 128mbit 5.4 ns 음주 8m x 16 평행한 -
IS42SM16160K-75BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42SM16160K-75BLI-TR 5.0239
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 ECAD 2185 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 54-TFBGA IS42SM16160 sdram- 모바일 2.7V ~ 3.6V 54-TFBGA (8x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 2,500 133 MHz 휘발성 휘발성 256mbit 6 ns 음주 16m x 16 평행한 -
IS46TR16128CL-125KBLA2-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46TR16128CL-125KBLA2-TR 7.2904
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 ECAD 9549 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TC) 표면 표면 96-TFBGA IS46TR16128 sdram -ddr3l 1.283V ~ 1.45V 96-TWBGA (9x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 1,500 800MHz 휘발성 휘발성 2gbit 20 ns 음주 128m x 16 평행한 15ns
IS61VPS102436A-166TQL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61VPS102436A-166TQL -
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 ECAD 2999 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 100-lqfp IS61VPS102436 sram-동기, sdr 2.375V ~ 2.625V 100-LQFP (14x20) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 72 166 MHz 휘발성 휘발성 36mbit 3.5 ns SRAM 1m x 36 평행한 -
IS25LX128-JHLE ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LX128-JHLE 4.2600
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 ECAD 9229 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 24-TBGA IS25LX128 플래시 2.7V ~ 3.6V 24-TFBGA (6x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 706-IS25LX128-JHLE 3A991B1A 8542.32.0071 480 133 MHz 비 비 128mbit 플래시 16m x 8 SPI -OCTAL I/O -
IS25WQ040-JKLE ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25WQ040-JKLE -
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 ECAD 2951 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 8-wdfn n 패드 IS25WQ040 플래시 - 아니오 1.65V ~ 1.95V 8-wson (6x5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 570 104 MHz 비 비 4mbit 플래시 512k x 8 SPI 1ms
IS66WVE4M16ALL-7010BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS66WVE4M16ALL-7010BLI -
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 ECAD 7214 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 sic에서 중단되었습니다 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-TFBGA IS66WVE4M16 psram (의사 sram) 1.7V ~ 1.95V 48-TFBGA (6x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 480 휘발성 휘발성 64mbit 70 ns psram 4m x 16 평행한 70ns
IS61WV25616BLL-10KLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61WV25616BLL-10KLI 4.2601
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 ECAD 8150 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 44-BSOJ (0.400 ", 10.16mm 너비) IS61WV25616 sram- 비동기 2.4V ~ 3.6V 44-SOJ 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 16 휘발성 휘발성 4mbit 10 ns SRAM 256k x 16 평행한 10ns
IS62WV25616DBLL-55TLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV25616DBLL-55TLI-TR -
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 ECAD 6064 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 44-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) IS62WV25616 sram- 비동기 2.3V ~ 3.6V 44-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 1 휘발성 휘발성 4mbit 55 ns SRAM 256k x 16 평행한 55ns
IS42RM16160E-6BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42RM16160E-6BLI -
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 ECAD 1050 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 sic에서 중단되었습니다 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 54-TFBGA IS42RM16160 sdram- 모바일 2.3V ~ 3V 54-TFBGA (8x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 348 166 MHz 휘발성 휘발성 256mbit 5.5 ns 음주 16m x 16 평행한 -
IS42RM16800H-75BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42RM16800H-75BLI 4.4684
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 ECAD 2870 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 54-TFBGA IS42RM16800 sdram- 모바일 2.3V ~ 2.7V 54-TFBGA (8x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0002 348 133 MHz 휘발성 휘발성 128mbit 6 ns 음주 8m x 16 평행한 -
IS61LF25636A-7.5TQI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LF25636A-7.5TQI -
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 ECAD 6861 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 100-lqfp IS61LF25636 sram-동기, sdr 3.135V ~ 3.6V 100-LQFP (14x20) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 72 117 MHz 휘발성 휘발성 9mbit 7.5 ns SRAM 256k x 36 평행한 -
IS62WV102416GBLL-45TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV102416GBLL-45TLI 8.7377
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 ECAD 6281 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) IS62WV102416 sram- 비동기 2.2V ~ 3.6V 48-tsop i 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 96 휘발성 휘발성 16mbit 45 ns SRAM 1m x 16 평행한 45ns
IS43TR85120B-125KBL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR85120B-125KBL-TR 5.4437
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 ECAD 5184 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 활동적인 0 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 78-TFBGA sdram -ddr3 1.425V ~ 1.575V 78-TWBGA (8x10.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 706-IS43TR85120B-125KBL-TR 2,000 800MHz 휘발성 휘발성 4gbit 20 ns 음주 512m x 8 평행한 15ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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