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IS46LQ32640AL-062TBLA2 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46LQ32640AL-062TBLA2 -
RFQ
 ECAD 7726 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc 자동차, AEC-Q100 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TC) 표면 표면 200-TFBGA sdram- 모바일 lpddr4x 1.06V ~ 1.17V, 1.7V ~ 1.95V 200-TFBGA (10x14.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 706-IS46LQ32640AL-062TBLA2 136 1.6GHz 휘발성 휘발성 2gbit 3.5 ns 음주 64m x 32 lvstl 18ns
IS46LQ32256AL-062BLA1-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46LQ32256AL-062BLA1-TR 21.2800
RFQ
 ECAD 5942 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 200-TFBGA sdram- 모바일 lpddr4x 1.06V ~ 1.17V, 1.7V ~ 1.95V 200-TFBGA (10x14.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 706-IS46LQ32256AL-062BLA1-TR 2,500 1.6GHz 휘발성 휘발성 8gbit 3.5 ns 음주 256m x 32 lvstl 18ns
IS61LF12836A-7.5B2I ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LF12836A-7.5B2I -
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 ECAD 3615 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 119-BBGA IS61LF12836 sram-동기, sdr 3.135V ~ 3.6V 119-PBGA (14x22) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 84 117 MHz 휘발성 휘발성 4.5mbit 7.5 ns SRAM 128k x 36 평행한 -
IS25LP256H-JLLE ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LP256H-JLLE 3.6663
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 ECAD 2675 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc 자동차, AEC-Q100 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 8-wdfn n 패드 플래시 - 아니오 (SLC) 2.7V ~ 3.6V 8-wson (8x6) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 706-IS25LP256H-JLLE 480 166 MHz 비 비 256mbit 플래시 32m x 8 spi-쿼드 i/o, qpi, dtr 50µs, 1ms
IS61NVF102418-7.5B3I-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61NVF102418-7.5B3I-TR -
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 ECAD 3812 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 165-TBGA IS61NVF102418 sram-동기, sdr 2.375V ~ 2.625V 165-TFBGA (13x15) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 2,000 117 MHz 휘발성 휘발성 18mbit 7.5 ns SRAM 1m x 18 평행한 -
IS42S16100H-7TL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16100H-7TL-TR 1.0540
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 ECAD 2168 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 50TSOP (0.400 ", 10.16mm 너비) IS42S16100 sdram 3V ~ 3.6V 50-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0002 1,000 143 MHz 휘발성 휘발성 16mbit 5.5 ns 음주 1m x 16 평행한 -
IS61WV20488FBLL-8TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61WV20488FBLL-8TLI 10.1210
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 ECAD 5210 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 44-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) sram- 비동기 2.4V ~ 3.6V 44-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 706-IS61WV20488FBLL-8TLI 135 휘발성 휘발성 16mbit 8 ns SRAM 2m x 8 평행한 8ns
IS25LP128F-JLLA3 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LP128F-JLLA3 3.7400
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 ECAD 5 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc 자동차, AEC-Q100 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 8-wdfn n 패드 IS25LP128 플래시 - 아니오 2.3V ~ 3.6V 8-wson (8x6) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 706-IS25LP128F-JLLA3 3A991B1A 8542.32.0071 480 166 MHz 비 비 128mbit 플래시 16m x 8 spi-쿼드 i/o, qpi, dtr 800µs
IS43TR16256A-093NBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR16256A-093NBL -
RFQ
 ECAD 8260 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc 자동차, AEC-Q100 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 96-TFBGA IS43tr16256 sdram -ddr3 1.425V ~ 1.575V 96-TWBGA (9x13) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 706-IS43TR16256A-093NBL 귀 99 8542.32.0036 190 1.066 GHz 휘발성 휘발성 4gbit 20 ns 음주 256m x 16 평행한 15ns
IS62WV25616ECLL-35TLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV25616ECLL-35TLI-TR 3.8263
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 ECAD 5395 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 44-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) sram- 비동기 3.135V ~ 3.465V 44-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 706-IS62WV25616ECLL-35TLI-TR 1,000 휘발성 휘발성 4mbit 35 ns SRAM 256k x 16 평행한 35ns
IS22TF64G-JQLA1-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS22TF64G-JQLA1-TR 50.4735
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 ECAD 4208 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 100-lbga 플래시 -Nand (TLC) 2.7V ~ 3.6V 100-LFBGA (14x18) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 706-IS2222TF64G-JQLA1-TR 1,000 200MHz 비 비 512gbit 플래시 64g x 8 EMMC_5.1 -
IS43R16320D-6BL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43R16320D-6BL 8.0052
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 ECAD 1234 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 새로운 새로운 아닙니다 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 60-TFBGA IS43R16320 sdram -ddr 2.3V ~ 2.7V 60-TFBGA (8x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0028 190 166 MHz 휘발성 휘발성 512mbit 700 PS 음주 32m x 16 평행한 15ns
IS25WX128-JHLA3-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25WX128-JHLA3-TR 3.6908
RFQ
 ECAD 5771 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 24-TBGA IS25WX128 플래시 1.7V ~ 2V 24-TFBGA (6x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 706-IS25WX128-JHLA3-TR 3A991B1A 8542.32.0071 2,500 200MHz 비 비 128mbit 플래시 16m x 8 SPI -OCTAL I/O -
IS43R16320F-5TL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43R16320F-5TL 3.2303
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 ECAD 1430 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 대부분 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 66-TSSOP (0.400 ", 10.16mm 너비) sdram -ddr 2.3V ~ 2.7V 66-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 706-IS43R16320F-5TL 108 200MHz 휘발성 휘발성 512mbit 700 PS 음주 32m x 16 sstl_2 15ns
IS46LQ16256A-062BLA2 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46LQ16256A-062BLA2 -
RFQ
 ECAD 4503 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc 자동차, AEC-Q100 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TC) 표면 표면 200-WFBGA sdram- 모바일 lpddr4 1.06V ~ 1.17V, 1.7V ~ 1.95V 200-VFBGA (10x14.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 706-IS46LQ16256A-062BLA2 136 1.6GHz 휘발성 휘발성 4gbit 음주 256m x 16 lvstl -
IS61LV256AL-10JLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LV256AL-10JLI 1.1580
RFQ
 ECAD 2218 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 28-BSOJ (0.300 ", 7.62mm 너비) IS61LV256 sram- 비동기 3.135V ~ 3.6V 28-SOJ 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0041 25 휘발성 휘발성 256kbit 10 ns SRAM 32k x 8 평행한 10ns
IS61WV6416EEBLL-8TLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61WV6416eebll-8tli-tr 2.1576
RFQ
 ECAD 6089 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 44-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) sram- 비동기 2.4V ~ 3.6V 44-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 706-IS61WV6416EEBLL-8TLI-TR 1,000 휘발성 휘발성 1mbit 8 ns SRAM 64k x 16 평행한 8ns
IS25LX064-JHLA3 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LX064-JHLA3 2.5064
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 ECAD 3841 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 24-TBGA IS25LX064 플래시 2.7V ~ 3.6V 24-TFBGA (6x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 706-IS25LX064-JHLA3 3A991B1A 8542.32.0071 480 133 MHz 비 비 64mbit 플래시 8m x 8 SPI -OCTAL I/O -
IS43TR16256BL-125KBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR16256BL-125KBLI 10.8600
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 96-TFBGA IS43tr16256 sdram -ddr3l 1.283V ~ 1.45V 96-TWBGA (9x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 706-1732 귀 99 8542.32.0036 190 800MHz 휘발성 휘발성 4gbit 20 ns 음주 256m x 16 평행한 15ns
IS46TR16640ED-125KBLA1-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46TR16640ED-125KBLA1-TR 6.9565
RFQ
 ECAD 4565 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 96-TFBGA sdram -ddr3 1.425V ~ 1.575V 96-TWBGA (9x13) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 706-IS46TR16640ED-125KBLA1-TR 1,500 800MHz 휘발성 휘발성 1gbit 20 ns 음주 64m x 16 sstl_15 15ns
IS61WV25616EFBLL-10TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61WV25616EFBLL-10TLI 2.1218
RFQ
 ECAD 3392 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 44-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) sram- 비동기 2.4V ~ 3.6V 44-TSOP II - Rohs3 준수 3 (168 시간) 706-IS61WV25616EFBLL-10TLI 135 휘발성 휘발성 4mbit 10 ns SRAM 256k x 16 평행한 10ns
IS46LD32128B-25BPLA1-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46LD32128B-25BPLA1-TR -
RFQ
 ECAD 7515 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 168-VFBGA IS46LD32128 sdram -모바일 lpddr2 -s4 1.14V ~ 1.3V, 1.7V ~ 1.95V 168-VFBGA (12x12) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 706-IS46LD32128B-25BPLA1-TR 귀 99 8542.32.0036 1 400MHz 휘발성 휘발성 4gbit 5.5 ns 음주 128m x 32 HSUL_12 15ns
IS25WP512M-RMLA3 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25WP512M-RMLA3 -
RFQ
 ECAD 7444 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc 자동차, AEC-Q100 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 16-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비) 플래시 - 아니오 1.7V ~ 1.95V 16- 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 706-IS25WP512M-RMLA3 쓸모없는 1 133 MHz 비 비 512mbit 7.5 ns 플래시 64m x 8 spi-쿼드 i/o, qpi, dtr 50µs, 2ms
IS62WV51216BLL-55TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV51216BLL-55TLI 7.4900
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 ECAD 79 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 44-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) IS62WV51216 sram- 비동기 2.5V ~ 3.6V 44-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 135 휘발성 휘발성 8mbit 55 ns SRAM 512k x 16 평행한 55ns
IS46TR16512AL-125KBLA2 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46TR16512AL-125KBLA2 -
RFQ
 ECAD 1721 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc 자동차, AEC-Q100 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 105 ° C (TC) 표면 표면 96-LFBGA IS46tr16512 sdram -ddr3l 1.283V ~ 1.45V 96-LFBGA (10x14) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 706-IS46TR16512AL-125KBLA2 귀 99 8542.32.0036 136 800MHz 휘발성 휘발성 8gbit 20 ns 음주 512m x 16 평행한 15ns
IS65WV12816BLL-55TA3 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS65WV12816BLL-55TA3 -
RFQ
 ECAD 9367 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 44-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) IS65WV12816 sram- 비동기 2.5V ~ 3.6V 44-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 135 휘발성 휘발성 2mbit 55 ns SRAM 128k x 16 평행한 55ns
IS43LR32100D-6BL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43LR32100D-6BL 2.7495
RFQ
 ECAD 4410 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 90-TFBGA IS43LR32100 sdram- 모바일 lpddr 1.7V ~ 1.95V 90-TFBGA (8x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0002 240 166 MHz 휘발성 휘발성 32mbit 5.5 ns 음주 1m x 32 평행한 15ns
IS43TR16640CL-107MBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR16640CL-107MBL 3.3318
RFQ
 ECAD 6877 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc 자동차, AEC-Q100 쟁반 활동적인 0 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 96-TFBGA IS43tr16640 sdram -ddr3l 1.283V ~ 1.45V 96-TWBGA (9x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 706-IS43TR16640CL-107MBL 귀 99 8542.32.0032 190 933 MHz 휘발성 휘발성 1gbit 20 ns 음주 64m x 16 평행한 15ns
IS25CQ032-JFLE ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25CQ032-JFLE -
RFQ
 ECAD 3567 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.209 ", 5.30mm 너비) IS25CQ032 플래시 2.7V ~ 3.6V 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 90 104 MHz 비 비 32mbit 플래시 4m x 8 SPI 4ms
IS46LD32128B-18BPLA2 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46LD32128B-18BPLA2 -
RFQ
 ECAD 3623 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc 자동차, AEC-Q100 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TC) 표면 표면 168-VFBGA IS46LD32128 sdram -모바일 lpddr2 -s4 1.14V ~ 1.3V, 1.7V ~ 1.95V 168-VFBGA (12x12) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 706-IS46LD32128B-18BPLA2 귀 99 8542.32.0036 1 533 MHz 휘발성 휘발성 4gbit 5.5 ns 음주 128m x 32 HSUL_12 15ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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