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IS43DR86400E-3DBL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43DR86400E-3DBL-TR 2.4369
RFQ
 ECAD 4670 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 활동적인 0 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 60-TFBGA sdram -ddr2 1.7V ~ 1.9V 60-TWBGA (8x10.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 706-IS43DR86400E-3DBL-TR 2,000 333 MHz 휘발성 휘발성 512mbit 450 ps 음주 64m x 8 SSTL_18 15ns
IS64LF25636B-7.5B3LA3-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS64LF25636B-7.5B3LA3-TR 17.6890
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 ECAD 8400 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 165-TBGA sram- 표준 3.135V ~ 3.465V 165-TFBGA (13x15) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 706-IS64LF25636B-7.5B3LA3-TR 2,000 117 MHz 휘발성 휘발성 9mbit 7.5 ns SRAM 256k x 36 평행한 -
IS29GL256-70FLEB ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS29GL256-70FLEB 8.1900
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 ECAD 3351 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 64-lbga IS29GL256 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 64-LFBGA (11x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 706-IS29GL256-70FLEB 3A991B1A 8542.32.0071 144 비 비 256mbit 70 ns 플래시 32m x 8 평행한 200µs
IS46LD32128A-25BPLA1-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46LD32128A-25BPLA1-TR -
RFQ
 ECAD 7951 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 168-VFBGA IS46LD32128 sdram -모바일 lpddr2 -s4 1.14V ~ 1.3V, 1.7V ~ 1.95V 168-VFBGA (12x12) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 706-IS46LD32128A-25BPLA1-TR 쓸모없는 1 400MHz 휘발성 휘발성 4gbit 5.5 ns 음주 128m x 32 HSUL_12 15ns
IS43QR16512A-083TBL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43QR16512A-083TBL-TR 15.7073
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 ECAD 3831 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 활동적인 0 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 96-TFBGA sdram -ddr4 1.14V ~ 1.26V 96-TWBGA (10x14) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 706-IS43QR16512A-083TBL-TR 2,000 1.2GHz 휘발성 휘발성 8gbit 18 ns 음주 512m x 16 평행한 15ns
IS62WV25616BLL-55BI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV25616BLL-55BI -
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 ECAD 2573 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-TFBGA IS62WV25616 sram- 비동기 2.5V ~ 3.6V 48-TFBGA (6x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 480 휘발성 휘발성 4mbit 55 ns SRAM 256k x 16 평행한 55ns
IS46TR81024BL-107MBLA1-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46TR81024BL-107MBLA1-TR 25.3232
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 ECAD 9579 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 78-TFBGA sdram -ddr3l 1.283V ~ 1.45V 78-TWBGA (10x14) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 706-IS46TR81024BL-107MBLA1-TR 2,000 933 MHz 휘발성 휘발성 8gbit 20 ns 음주 1g x 8 평행한 15ns
IS46LD32128B-18BPLA1-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46LD32128B-18BPLA1-TR -
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 ECAD 8631 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 168-VFBGA IS46LD32128 sdram -모바일 lpddr2 -s4 1.14V ~ 1.3V, 1.7V ~ 1.95V 168-VFBGA (12x12) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 706-IS46LD32128B-18BPLA1-TR 귀 99 8542.32.0036 1 533 MHz 휘발성 휘발성 4gbit 5.5 ns 음주 128m x 32 HSUL_12 15ns
IS64WV12816DBLL-12BLA3-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS64WV12816DBLL-12BLA3-TR 7.0800
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 ECAD 7985 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 48-TFBGA IS64WV12816 sram- 비동기 2.4V ~ 3.6V 48-TFBGA (6x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 2,500 휘발성 휘발성 2mbit 12 ns SRAM 128k x 16 평행한 12ns
IS43DR16320D-25DBLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43DR16320D-25DBLI-TR 5.5050
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 ECAD 6973 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 84-TFBGA IS43DR16320 sdram -ddr2 1.7V ~ 1.9V 84-TWBGA (8x12.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0028 2,500 400MHz 휘발성 휘발성 512mbit 400 PS 음주 32m x 16 평행한 15ns
IS42S16100H-6BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16100H-6BLI-TR 1.4795
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 ECAD 7906 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 60-TFBGA IS42S16100 sdram 3V ~ 3.6V 60-TFBGA (6.4x10.1) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0002 2,500 166 MHz 휘발성 휘발성 16mbit 5.5 ns 음주 1m x 16 평행한 -
IS25WX256-JHLA3 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25WX256-JHLA3 4.6211
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 ECAD 1739 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 24-TBGA IS25WX256 플래시 1.7V ~ 2V 24-TFBGA (6x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 706-IS25WX256-JHLA3 3A991B1A 8542.32.0071 480 200MHz 비 비 256mbit 플래시 32m x 8 SPI -OCTAL I/O -
IS61DDB22M18C-250B4LI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61DDB22M18C-250B4LI -
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 ECAD 8582 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 165-lbga IS61DDB22 SRAM-동기, DDR II 1.71V ~ 1.89V 165-LFBGA (13x15) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 144 250MHz 휘발성 휘발성 36mbit 8.4 ns SRAM 2m x 18 평행한 -
IS42VM16320E-6BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42VM16320E-6BLI-TR 8.4450
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 ECAD 2880 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 54-TFBGA IS42VM16320 sdram- 모바일 1.7V ~ 1.95V 54-TFBGA (8x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0028 2,500 166 MHz 휘발성 휘발성 512mbit 5.5 ns 음주 32m x 16 평행한 -
IS46LD32128C-18BPLA1 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46LD32128C-18BPLA1 -
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 ECAD 5984 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc 자동차, AEC-Q100 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 168-VFBGA IS46LD32128 sdram- 모바일 lpddr2 1.14V ~ 1.3V, 1.7V ~ 1.95V 168-VFBGA (12x12) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 706-IS46LD32128C-18BPLA1 귀 99 8542.32.0036 1 533 MHz 휘발성 휘발성 4gbit 5.5 ns 음주 128m x 32 HSUL_12 15ns
IS43LR32640B-6BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43LR32640B-6BLI 9.7484
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 ECAD 6941 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 90-TFBGA sdram- 모바일 lpddr 1.7V ~ 1.95V 90-TFBGA (8x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 706-IS43LR32640B-6BLI 240 166 MHz 휘발성 휘발성 2gbit 5 ns 음주 64m x 32 평행한 15ns
IS46TR16512BL-107MBLA1 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46TR16512BL-107MBLA1 24.1329
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 ECAD 9217 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc 자동차, AEC-Q100 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 96-TFBGA sdram -ddr3l 1.283V ~ 1.45V 96-TWBGA (10x14) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 706-IS46TR16512BL-107MBLA1 136 933 MHz 휘발성 휘발성 8gbit 20 ns 음주 512m x 16 평행한 15ns
IS46TR85120AL-125KBLA1-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46TR85120AL-125KBLA1-TR -
RFQ
 ECAD 6752 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 78-TFBGA IS46TR85120 sdram -ddr3l 1.283V ~ 1.45V 78-TWBGA (9x10.5) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 706-IS46TR85120AL-125KBLA1-TR 귀 99 8542.32.0036 2,000 800MHz 휘발성 휘발성 4gbit 20 ns 음주 512m x 8 평행한 15ns
IS61WV20488FBLL-8BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61WV20488FBLL-8BLI 9.7363
RFQ
 ECAD 1191 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-TFBGA sram- 비동기 2.4V ~ 3.6V 48-TFBGA (6x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 706-IS61WV20488FBLL-8BLI 480 휘발성 휘발성 16mbit 8 ns SRAM 2m x 8 평행한 8ns
IS46LQ32640A-062TBLA1-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46LQ32640A-062TBLA1-TR -
RFQ
 ECAD 3094 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 200-TFBGA sdram- 모바일 lpddr4 1.06V ~ 1.17V, 1.7V ~ 1.95V 200-TFBGA (10x14.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 706-IS46LQ32640A-062TBLA1-TR 2,500 1.6GHz 휘발성 휘발성 2gbit 음주 64m x 32 lvstl -
IS25LX064-JHLE ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LX064-JHLE 2.6900
RFQ
 ECAD 1792 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 24-TBGA IS25LX064 플래시 2.7V ~ 3.6V 24-TFBGA (6x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 706-IS25LX064-JHLE 3A991B1A 8542.32.0071 480 133 MHz 비 비 64mbit 플래시 8m x 8 SPI -OCTAL I/O -
IS25WP128F-RHLA3-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25WP128F-RHLA3-TR 2.6208
RFQ
 ECAD 3988 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 24-TBGA 플래시 - 아니오 (SLC) 1.65V ~ 1.95V 24-TFBGA (6x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 706-IS25WP128F-RHLA3-TR 2,500 166 MHz 비 비 128mbit 5.5 ns 플래시 16m x 8 spi-쿼드 i/o, qpi, dtr 40µs, 800µs
IS49NLS18320A-18WBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS49NLS18320A-18WBLI 57.2059
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 ECAD 2070 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 144-TFBGA rldram 2 1.7V ~ 1.9V 144-TWBGA (11x18.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 706-IS49NLS18320A-18WBLI 104 533 MHz 휘발성 휘발성 576mbit 15 ns 음주 32m x 18 HSTL -
IS25LP080D-JNLA3-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LP080D-JNLA3-TR 0.7291
RFQ
 ECAD 8937 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) 플래시 - 아니오 (SLC) 2.3V ~ 3.6V 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 706-IS25LP080D-JNLA3-TR 3,000 133 MHz 비 비 8mbit 7 ns 플래시 1m x 8 spi-쿼드 i/o, qpi, dtr 40µs, 800µs
IS25LP064D-JLLE-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LP064D-JLLE-TR 1.2855
RFQ
 ECAD 8073 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 8-wdfn n 패드 플래시 - 아니오 (SLC) 2.3V ~ 3.6V 8-wson (8x6) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 706-IS25LP064D-JLLE-TR 4,000 166 MHz 비 비 64mbit 플래시 8m x 8 spi-쿼드 i/o, qpi, dtr 40µs, 800µs
IS61WV102416DALL-12BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61WV102416DALL-12BLI 10.9618
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 ECAD 9943 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-TFBGA sram- 비동기 1.65V ~ 2.2V 48-TFBGA (6x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 706-IS61WV102416DALL-12BLI 480 휘발성 휘발성 16mbit 12 ns SRAM 1m x 16 평행한 12ns
IS43LD16256C-18BPLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43LD16256C-18BPLI-TR -
RFQ
 ECAD 1979 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc 자동차, AEC-Q100 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 168-VFBGA IS43LD16256 sdram- 모바일 lpddr2 1.14V ~ 1.3V, 1.7V ~ 1.95V 168-VFBGA (12x12) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 706-IS43LD16256C-18BPLI-TR 귀 99 8542.32.0036 1 533 MHz 휘발성 휘발성 4gbit 5.5 ns 음주 256m x 16 HSUL_12 15ns
IS61LF102418A-7.5TQ-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LF102418A-7.5TQ-TR -
RFQ
 ECAD 7469 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 100-lqfp IS61LF102418 sram-동기, sdr 3.135V ~ 3.6V 100-LQFP (14x20) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 800 117 MHz 휘발성 휘발성 18mbit 7.5 ns SRAM 1m x 18 평행한 -
IS46TR16512A-125KBLA2-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46TR16512A-125KBLA2-TR -
RFQ
 ECAD 3683 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 105 ° C (TC) 표면 표면 96-LFBGA IS46tr16512 sdram -ddr3 1.425V ~ 1.575V 96-LFBGA (10x14) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 706-IS46TR16512A-125KBLA2-TR 귀 99 8542.32.0036 2,000 800MHz 휘발성 휘발성 8gbit 20 ns 음주 512m x 16 평행한 15ns
IS61VPD51236A-200B3I ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61VPD51236A-200B3I -
RFQ
 ECAD 6974 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 165-TBGA IS61VPD51236 sram-쿼드-, 동기 2.375V ~ 2.625V 165-PBGA (13x15) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 144 200MHz 휘발성 휘발성 18mbit 3.1 ns SRAM 512k x 36 평행한 -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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