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IS45S16320D-7BLA2-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS45S16320D-7BLA2-TR 23.2650
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 ECAD 7654 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 54-TFBGA IS45S16320 sdram 3V ~ 3.6V 54-TFBGA (8x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0032 2,500 143 MHz 휘발성 휘발성 512mbit 5.4 ns 음주 32m x 16 평행한 -
IS61NVF51236-7.5TQI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61NVF51236-7.5TQI-TR -
RFQ
 ECAD 7597 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 100-lqfp IS61NVF51236 sram-동기, sdr 2.375V ~ 2.625V 100-LQFP (14x20) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 800 117 MHz 휘발성 휘발성 18mbit 7.5 ns SRAM 512k x 36 평행한 -
IS22TF08G-JQLA1 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS22TF08G-JQLA1 18.3944
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 ECAD 9935 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc 자동차, AEC-Q100 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 100-lbga 플래시 -Nand (PSLC) 2.7V ~ 3.6V 100-LFBGA (14x18) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 706-IS222TF08G-JQLA1 98 200MHz 비 비 64gbit 플래시 8g x 8 EMMC_5.1 -
IS43R16320E-5BL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43R16320E-5BL-TR 6.5250
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 ECAD 5698 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 60-TFBGA IS43R16320 sdram -ddr 2.3V ~ 2.7V 60-TFBGA (8x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0028 2,500 200MHz 휘발성 휘발성 512mbit 700 PS 음주 32m x 16 평행한 15ns
IS43DR82560B-3DBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43DR82560B-3DBL -
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 ECAD 3099 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 활동적인 0 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 60-TFBGA IS43DR82560 sdram -ddr2 1.7V ~ 1.9V 60-TWBGA (10.5x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 136 333 MHz 휘발성 휘발성 2gbit 450 ps 음주 256m x 8 평행한 15ns
IS34ML04G084-TLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS34ML04G084-TLI-TR 8.4321
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 ECAD 8452 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) IS34ML04 플래시 -Nand (SLC) 2.7V ~ 3.6V 48-tsop i 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,500 비 비 4gbit 25 ns 플래시 512m x 8 평행한 25ns
IS61NLF12836A-7.5TQI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61NLF12836A-7.5TQI -
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 ECAD 4211 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 100-lqfp IS61NLF12836 sram-동기, sdr 3.135V ~ 3.465V 100-LQFP (14x20) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 72 117 MHz 휘발성 휘발성 4.5mbit 7.5 ns SRAM 128k x 36 평행한 -
IS43TR85120AL-15HBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR85120AL-15HBLI -
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 ECAD 6501 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 78-TFBGA IS43tr85120 sdram -ddr3l 1.283V ~ 1.45V 78-TWBGA (9x10.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 220 667 MHz 휘발성 휘발성 4gbit 20 ns 음주 512m x 8 평행한 15ns
IS43LD16640C-25BL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43LD16640C-25BL-TR -
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 ECAD 6847 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 활동적인 0 ° C ~ 85 ° C (TC) IS43LD16640 sdram -모바일 lpddr2 -s4 1.14V ~ 1.95V 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0028 1,200 400MHz 휘발성 휘발성 1gbit 음주 64m x 16 평행한 15ns
IS43DR16128C-25DBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43DR16128C-25DBLI 14.9100
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 ECAD 2 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 84-TFBGA IS43DR16128 sdram -ddr2 1.7V ~ 1.9V 84-TWBGA (8x12.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 706-1568 귀 99 8542.32.0036 209 400MHz 휘발성 휘발성 2gbit 400 ns 음주 128m x 16 평행한 15ns
IS63LV1024-8KI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS63LV1024-8KI-TR -
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 ECAD 5264 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 32-BSOJ (0.400 ", 10.16mm 너비) IS63LV1024 sram- 비동기 3.15V ~ 3.45V 32-SOJ 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2B 8542.32.0041 800 휘발성 휘발성 1mbit 8 ns SRAM 128k x 8 평행한 8ns
IS61NLP25618A-200B3LI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61NLP25618A-200B3LI-TR 9.1500
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 ECAD 2926 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 165-TBGA IS61NLP25618 sram-동기, sdr 3.135V ~ 3.465V 165-PBGA (13x15) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 2,000 200MHz 휘발성 휘발성 4.5mbit 3.1 ns SRAM 256k x 18 평행한 -
IS62WV2568BLL-55TLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV2568BLL-55TLI-TR 1.9342
RFQ
 ECAD 1131 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 32-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) IS62WV2568 sram- 비동기 2.5V ~ 3.6V 32-tsop i 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 1,500 휘발성 휘발성 2mbit 55 ns SRAM 256k x 8 평행한 55ns
IS42VM32400H-6BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42VM32400H-6BLI-TR 4.3084
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 ECAD 5593 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 90-TFBGA IS42VM32400 sdram- 모바일 1.7V ~ 1.95V 90-TFBGA (8x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0002 2,500 166 MHz 휘발성 휘발성 128mbit 5.5 ns 음주 4m x 32 평행한 -
IS43LR16160F-6BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43LR16160F-6BLI-TR -
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 ECAD 6646 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 60-TFBGA IS43LR16160 sdram- 모바일 lpddr 1.7V ~ 1.95V 60-TFBGA (8x10) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 2,000 166 MHz 휘발성 휘발성 256mbit 5.5 ns 음주 16m x 16 평행한 15ns
IS45S16800F-7BLA2-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS45S16800F-7BLA2-TR 5.7000
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 ECAD 7288 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 54-TFBGA IS45S16800 sdram 3V ~ 3.6V 54-TFBGA (8x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0002 2,500 143 MHz 휘발성 휘발성 128mbit 5.4 ns 음주 8m x 16 평행한 -
IS62WV2568BLL-70BI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV2568BLL-70BI-TR -
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 ECAD 8475 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 36-TFBGA IS62WV2568 sram- 비동기 2.5V ~ 3.6V 36-TFBGA (6x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 2,500 휘발성 휘발성 2mbit 70 ns SRAM 256k x 8 평행한 70ns
IS46LQ16256A-062TBLA1-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46LQ16256A-062TBLA1-TR 12.8611
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 ECAD 9186 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 200-TFBGA sdram- 모바일 lpddr4 1.06V ~ 1.17V, 1.7V ~ 1.95V 200-TFBGA (10x14.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 706-IS46LQ16256A-062TBLA1-TR 2,500 1.6GHz 휘발성 휘발성 4gbit 음주 256m x 16 lvstl -
IS42S32160B-7BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32160B-7BLI-TR -
RFQ
 ECAD 2501 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 90-LFBGA IS42S32160 sdram 3V ~ 3.6V 90-LFBGA (13x11) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 2,000 143 MHz 휘발성 휘발성 512mbit 5.4 ns 음주 16m x 32 평행한 -
IS42S32200L-7BL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32200L-7BL 4.0459
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 ECAD 6373 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 90-TFBGA IS42S32200 sdram 3V ~ 3.6V 90-TFBGA (8x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0002 240 143 MHz 휘발성 휘발성 64mbit 5.4 ns 음주 2m x 32 평행한 -
IS43TR85120BL-125KBL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR85120BL-125KBL-TR 5.7021
RFQ
 ECAD 4497 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 0 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 78-TFBGA IS43tr85120 sdram -ddr3l 1.283V ~ 1.45V 78-TWBGA (8x10.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 706-IS43TR85120BL-125KBL-TR 귀 99 8542.32.0036 1,500 800MHz 휘발성 휘발성 4gbit 20 ns 음주 512m x 8 평행한 15ns
IS61LF51236A-7.5TQI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LF51236A-7.5TQI -
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 ECAD 3646 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 100-lqfp IS61LF51236 sram-동기, sdr 3.135V ~ 3.6V 100-LQFP (14x20) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 72 117 MHz 휘발성 휘발성 18mbit 7.5 ns SRAM 512k x 36 평행한 -
IS25WP256D-JLLE ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25WP256D-JLLE 5.0200
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 ECAD 9 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 8-wdfn n 패드 IS25WP256 플래시 - 아니오 1.65V ~ 1.95V 8-wson (8x6) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 480 104 MHz 비 비 256mbit 플래시 32m x 8 spi-쿼드 i/o, qpi, dtr 800µs
IS42VM32800K-6BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42VM32800K-6BLI-TR 5.5200
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 ECAD 9806 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 90-TFBGA IS42VM32800 sdram- 모바일 1.7V ~ 1.95V 90-TFBGA (8x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 2,500 166 MHz 휘발성 휘발성 256mbit 5.5 ns 음주 8m x 32 평행한 -
IS46DR16640C-25DBLA2-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46DR16640C-25DBLA2-TR 6.2250
RFQ
 ECAD 2036 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 84-TFBGA IS46DR16640 sdram -ddr2 1.7V ~ 1.9V 84-TWBGA (8x12.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0032 2,500 400MHz 휘발성 휘발성 1gbit 400 PS 음주 64m x 16 평행한 15ns
IS43TR16256A-107MBLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR16256A-107MBLI-TR -
RFQ
 ECAD 3743 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 96-TFBGA IS43tr16256 sdram -ddr3 1.425V ~ 1.575V 96-TWBGA (9x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 1,500 933 MHz 휘발성 휘발성 4gbit 20 ns 음주 256m x 16 평행한 15ns
IS42VM16160K-75BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42VM16160K-75BLI-TR 4.9021
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 ECAD 7673 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 54-TFBGA IS42VM16160 sdram- 모바일 1.7V ~ 1.95V 54-TFBGA (8x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 2,500 133 MHz 휘발성 휘발성 256mbit 6 ns 음주 16m x 16 평행한 -
IS49NLC36800-33WBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS49NLC36800-33WBLI -
RFQ
 ECAD 9373 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 144-TFBGA IS49NLC36800 rldram 2 1.7V ~ 1.9V 144-TWBGA (11x18.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0028 104 300MHz 휘발성 휘발성 288mbit 20 ns 음주 8m x 36 평행한 -
IS43DR16320C-3DBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43DR16320C-3DBLI 6.2262
RFQ
 ECAD 2222 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 새로운 새로운 아닙니다 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 84-TFBGA IS43DR16320 sdram -ddr2 1.7V ~ 1.9V 84-TWBGA (8x12.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0028 209 333 MHz 휘발성 휘발성 512mbit 450 ps 음주 32m x 16 평행한 15ns
IS45S16160J-7TLA2-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS45S16160J-7TLA2-TR 4.6246
RFQ
 ECAD 2815 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 54-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) IS45S16160 sdram 3V ~ 3.6V 54-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 1,500 143 MHz 휘발성 휘발성 256mbit 5.4 ns 음주 16m x 16 평행한 -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

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