SIC
close

메모리 (5712)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전압 - 공급 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 시계 시계 메모리 메모리 메모리 메모리 액세스 액세스 메모리 메모리 메모리 메모리 메모리 메모리 쓰기 쓰기 시간 - 단어, 페이지
IS49RL36320-093EBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS49RL36320-093EBLI 129.6426
RFQ
 ECAD 4657 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 168-lbga rldram 3 1.28V ~ 1.42V 168-FBGA (13.5x13.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 706-IS49RL36320-093EBLI 119 1.066 GHz 휘발성 휘발성 1.152gbit 8 ns 음주 32m x 36 평행한 -
IS46LD32128A-18BPLA1 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46LD32128A-18BPLA1 -
RFQ
 ECAD 8575 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc 자동차, AEC-Q100 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 168-VFBGA IS46LD32128 sdram -모바일 lpddr2 -s4 1.14V ~ 1.3V, 1.7V ~ 1.95V 168-VFBGA (12x12) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 706-IS46LD32128A-18BPLA1 쓸모없는 1 533 MHz 휘발성 휘발성 4gbit 5.5 ns 음주 128m x 32 HSUL_12 15ns
IS45S32400E-7TLA1 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS45S32400E-7TLA1 -
RFQ
 ECAD 9982 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 86-TFSOP (0.400 ", 10.16mm 너비) IS45S32400 sdram 3V ~ 3.6V 86-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0002 108 143 MHz 휘발성 휘발성 128mbit 5.4 ns 음주 4m x 32 평행한 -
IS45S32800D-7TLA1-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS45S32800D-7TLA1-TR -
RFQ
 ECAD 8721 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 86-TFSOP (0.400 ", 10.16mm 너비) IS45S32400 sdram 3V ~ 3.6V 86-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 1,500 143 MHz 휘발성 휘발성 256mbit 5.4 ns 음주 32m x 8 평행한 -
IS29GL256-70FLET-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS29GL256-70FLET-TR 5.0853
RFQ
 ECAD 7391 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 64-lbga 플래시 - 아니오 (SLC) 3V ~ 3.6V 64-LFBGA (11x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 706-IS29GL256-70FLET-TR 2,000 비 비 256mbit 70 ns 플래시 32m x 8 CFI 70ns, 200µs
IS49NLC36160A-25WBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS49NLC36160A-25WBLI 51.8860
RFQ
 ECAD 8628 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 144-TFBGA rldram 2 1.7V ~ 1.9V 144-TWBGA (11x18.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 706-IS49NLC36160A-25WBLI 104 400MHz 휘발성 휘발성 576mbit 20 ns 음주 16m x 36 HSTL -
IS25WP01G-RILE-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25WP01G-RILE-TR 10.6799
RFQ
 ECAD 5173 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 24-lbga 플래시 - 아니오 (SLC) 1.7V ~ 1.95V 24-LFBGA (6x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 706-IS25WP01G-RILE-TR 2,500 104 MHz 비 비 1gbit 10 ns 플래시 128m x 8 spi-쿼드 i/o, qpi, dtr 50µs, 1ms
IS66WVH8M8DALL-200B1LI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS66WVH8M8DALL-200B1LI-TR 3.0653
RFQ
 ECAD 1684 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 24-TBGA psram (의사 sram) 1.7V ~ 1.95V 24-TFBGA (6x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 706-IS66WVH8M8DALL-200B1LI-TR 2,500 200MHz 휘발성 휘발성 64mbit 40 ns psram 8m x 8 hyperbus 400ns
IS25WP512M-RHLA3 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25WP512M-RHLA3 8.1825
RFQ
 ECAD 9902 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc 자동차, AEC-Q100 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 24-TBGA 플래시 - 아니오 (SLC) 1.7V ~ 1.95V 24-TFBGA (6x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 706-IS25WP512M-RHLA3 480 112 MHz 비 비 512mbit 7.5 ns 플래시 64m x 8 spi-쿼드 i/o, qpi, dtr 50µs, 1ms
IS25LP128-JLLE ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LP128-JLLE 2.6900
RFQ
 ECAD 29 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 8-wdfn n 패드 IS25LP128 플래시 - 아니오 2.3V ~ 3.6V 8-wson (8x6) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 706-1342 3A991B1A 8542.32.0071 480 133 MHz 비 비 128mbit 플래시 16m x 8 spi-쿼드 i/o, qpi 1ms
IS41LV16100B-60TLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS41LV16100B-60TLI-TR -
RFQ
 ECAD 4460 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 44-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) IS41LV16100 드람 -에도 3V ~ 3.6V 44-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0002 1,000 휘발성 휘발성 16mbit 30 ns 음주 1m x 16 평행한 -
IS64WV102416FBLL-10CTLA3-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS64WV102416FBLL-10CTLA3-TR 17.9550
RFQ
 ECAD 3069 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) sram- 비동기 2.4V ~ 3.6V 48-tsop i - Rohs3 준수 3 (168 시간) 706-IS64WV102416FBLL-10CTLA3-TR 1,500 휘발성 휘발성 16mbit 10 ns SRAM 1m x 16 평행한 10ns
IS42SM16400K-75BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42SM16400K-75BLI-TR -
RFQ
 ECAD 8581 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 54-TFBGA IS42SM16400 sdram- 모바일 3V ~ 3.6V 54-TFBGA (8x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0002 2,500 133 MHz 휘발성 휘발성 64mbit 6 ns 음주 4m x 16 평행한 -
IS43TR81024B-107MBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR81024B-107MBL 21.5163
RFQ
 ECAD 4465 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 대부분 활동적인 0 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 78-TFBGA sdram -ddr3 1.425V ~ 1.575V 78-TWBGA (10x14) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 706-IS43TR81024B-107MBL 136 933 MHz 휘발성 휘발성 8gbit 20 ns 음주 1g x 8 평행한 15ns
IS42VM32160D-6BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42VM32160D-6BLI -
RFQ
 ECAD 7358 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 90-TFBGA IS42VM32160 sdram- 모바일 1.7V ~ 1.95V 90-TFBGA (8x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0028 240 166 MHz 휘발성 휘발성 512mbit 5.4 ns 음주 16m x 32 평행한 -
IS61NLP102436A-166TQLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61NLP102436A-166TQLI-TR -
RFQ
 ECAD 6142 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 100-lqfp IS61NLP102436 sram-동기, sdr 3.135V ~ 3.465V 100-LQFP (14x20) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 800 166 MHz 휘발성 휘발성 36mbit 3.5 ns SRAM 1m x 36 평행한 -
IS43TR16256ECL-125LB2LI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR16256ECL-125LB2LI-TR -
RFQ
 ECAD 4830 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 96-bga sdram -ddr3l - 96-bga - Rohs3 준수 3 (168 시간) 706-IS43TR16256ECL-125LB2LI-TR 2,000 800MHz 휘발성 휘발성 4gbit 음주 256m x 16 평행한 -
IS62C256-70U ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62C256-70U -
RFQ
 ECAD 9184 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 튜브 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 28-SOP IS62C256 sram- 비동기 4.5V ~ 5.5V 28-SOP 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0041 25 휘발성 휘발성 256kbit 70 ns SRAM 32k x 8 평행한 70ns
IS46DR16640B-3DBLA2 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46DR16640B-3DBLA2 10.6309
RFQ
 ECAD 7583 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 새로운 새로운 아닙니다 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 84-TFBGA IS46DR16640 sdram -ddr2 1.7V ~ 1.9V 84-TWBGA (8x12.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0032 209 333 MHz 휘발성 휘발성 1gbit 450 ps 음주 64m x 16 평행한 15ns
IS64LPS25636A-166TQLA3 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS64LPS25636A-166TQLA3 24.0718
RFQ
 ECAD 6359 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 100-lqfp IS64LPS25636 sram-동기, sdr 3.135V ~ 3.465V 100-LQFP (14x20) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 72 166 MHz 휘발성 휘발성 9mbit 3.5 ns SRAM 256k x 36 평행한 -
IS62WV20488BLL-25MLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV20488BLL-25MLI-TR 18.5250
RFQ
 ECAD 8252 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-TFBGA IS62WV20488 sram- 비동기 2.4V ~ 3.6V 48- 바 미니 (9x11) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 2,000 휘발성 휘발성 16mbit 25 ns SRAM 2m x 8 평행한 25ns
IS64WV51216EEBLL-10B2LA3-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS64WV51216EEBLL-10B2LA3-TR 11.9035
RFQ
 ECAD 8248 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 48-TFBGA sram- 비동기 2.4V ~ 3.6V 48-TFBGA (6x8) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 706-IS64WV51216EEBLL-10B2LA3-TR 2,500 휘발성 휘발성 8mbit 10 ns SRAM 512k x 16 평행한 10ns
IS43LR32100C-6BL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43LR32100C-6BL -
RFQ
 ECAD 5993 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 90-TFBGA IS43LR32100 sdram- 모바일 lpddr 1.7V ~ 1.95V 90-TFBGA (8x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0002 240 166 MHz 휘발성 휘발성 32mbit 5.5 ns 음주 1m x 32 평행한 12ns
IS49RL36160-107BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS49RL36160-107BLI -
RFQ
 ECAD 3155 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 168-lbga IS49RL36160 음주 1.28V ~ 1.42V 168-FBGA (13.5x13.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0032 119 933 MHz 휘발성 휘발성 576mbit 10 ns 음주 16m x 36 평행한 -
IS61VPD51236A-200B3 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61VPD51236A-200B3 -
RFQ
 ECAD 8309 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 165-TBGA IS61VPD51236 sram-쿼드-, 동기 2.375V ~ 2.625V 165-PBGA (13x15) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 144 200MHz 휘발성 휘발성 18mbit 3.1 ns SRAM 512k x 36 평행한 -
IS25LP040E-JYLE-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LP040E-Jyle-TR 0.4500
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 8-ufdfn 노출 패드 IS25LP040 플래시 - 아니오 2.3V ~ 3.6V 8- 호스 (2x3) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 706-IS25LP040E-Jyle-TR 귀 99 8542.32.0071 5,000 104 MHz 비 비 4mbit 8 ns 플래시 512k x 8 spi-쿼드 i/o, qpi, dtr 1.2ms
IS61LPD51236A-200B3I-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LPD51236A-200B3I-TR -
RFQ
 ECAD 4751 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 165-TBGA IS61LPD51236 sram-쿼드-, 동기 3.135V ~ 3.465V 165-PBGA (13x15) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 2,000 200MHz 휘발성 휘발성 18mbit 3.1 ns SRAM 512k x 36 평행한 -
IS62WV2568DBLL-45HLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV2568DBLL-45HLI -
RFQ
 ECAD 9018 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 32-TFSOP (0.465 ", 11.80mm 너비) IS62WV2568 sram- 비동기 2.5V ~ 3.6V 32-stsop i 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 234 휘발성 휘발성 2mbit 45 ns SRAM 256k x 8 평행한 45ns
IS46TR16128DL-107MBLA1 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46TR16128DL-107MBLA1 5.6821
RFQ
 ECAD 9504 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc 자동차, AEC-Q100 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 96-TFBGA sdram -ddr3l 1.283V ~ 1.45V 96-TWBGA (9x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 706-IS46TR16128DL-107MBLA1 190 933 MHz 휘발성 휘발성 2gbit 20 ns 음주 128m x 16 평행한 15ns
IS42S16320B-6BL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16320B-6BL -
RFQ
 ECAD 9188 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 54-TFBGA IS42S16320 sdram 3V ~ 3.6V 54-WBGA (11x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0028 144 166 MHz 휘발성 휘발성 512mbit 5.4 ns 음주 32m x 16 평행한 -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

RFQ 목록 (0 항목)
카트 목록 (0 항목)
Wishlist위시리스트 (0 항목)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

수량 : 1

목록 비교 (0 항목)
검색을 위해 Enter를 누르거나 ESC를 닫습니다