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IS43TR16512B-125KBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR16512B-125KBLI 26.1600
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 ECAD 658 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 96-TFBGA IS43tr16512 sdram -ddr3 1.425V ~ 1.575V 96-TWBGA (10x14) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 706-1657 귀 99 8542.32.0036 136 800MHz 휘발성 휘발성 8gbit 20 ns 음주 512m x 16 평행한 -
IS62WV10248HBLL-45TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV10248HBLL-45TLI 5.3900
RFQ
 ECAD 6841 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 44-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) sram- 비동기 2.2V ~ 3.6V 44-TSOP II - Rohs3 준수 3 (168 시간) 706-IS62WV10248HBLL-45TLI 135 휘발성 휘발성 8mbit 45 ns SRAM 1m x 8 평행한 45ns
IS46DR16640B-25EBLA1 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46DR16640B-25EBLA1 -
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 ECAD 3493 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 84-TFBGA IS46DR16640 sdram -ddr2 1.7V ~ 1.9V 84-TWBGA (8x12.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0032 209 400MHz 휘발성 휘발성 1gbit 400 PS 음주 64m x 16 평행한 15ns
IS61C5128AS-25TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61C5128AS-25TLI 4.8100
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 ECAD 225 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 32-Soic (0.400 ", 10.16mm 너비) IS61C5128 sram- 비동기 4.5V ~ 5.5V 32-TSSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 117 휘발성 휘발성 4mbit 25 ns SRAM 512k x 8 평행한 25ns
IS49RL36160-093BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS49RL36160-093BLI -
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 ECAD 1398 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 168-lbga IS49RL36160 음주 1.28V ~ 1.42V 168-FBGA (13.5x13.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0032 119 1.066 GHz 휘발성 휘발성 576mbit 10 ns 음주 16m x 36 평행한 -
IS61WV12816DBLL-10BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61WV12816DBLL-10BLI-TR 2.8644
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 ECAD 7247 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-TFBGA IS61WV12816 sram- 비동기 3V ~ 3.6V 48-TFBGA (6x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 2,500 휘발성 휘발성 2mbit 10 ns SRAM 128k x 16 평행한 10ns
IS43TR82560CL-15HBLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR82560CL-15HBLI-TR 6.0087
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 ECAD 9140 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 -40 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 78-TFBGA IS43tr82560 sdram -ddr3l 1.283V ~ 1.45V 78-TWBGA (8x10.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 2,000 667 MHz 휘발성 휘발성 2gbit 20 ns 음주 256m x 8 평행한 15ns
IS43LR16200C-6BL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43LR16200C-6BL-TR -
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 ECAD 4617 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 60-TFBGA IS43LR16200 sdram- 모바일 lpddr 1.7V ~ 1.95V 60-TFBGA (8x10) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0002 2,000 166 MHz 휘발성 휘발성 32mbit 5.5 ns 음주 2m x 16 평행한 12ns
IS46LQ16128A-062TBLA2 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46LQ16128A-062TBLA2 11.6916
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 ECAD 4969 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc 자동차, AEC-Q100 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TC) 표면 표면 200-TFBGA sdram- 모바일 lpddr4 1.06V ~ 1.17V, 1.7V ~ 1.95V 200-TFBGA (10x14.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 706-IS46LQ16128A-062TBLA2 136 1.6GHz 휘발성 휘발성 2gbit 3.5 ns 음주 128m x 16 lvstl 18ns
IS61WV102416DALL-10TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61WV102416DALL-10TLI -
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 ECAD 6196 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) IS61WV102416 sram- 비동기 1.65V ~ 2.2V 48-tsop i 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 96 휘발성 휘발성 16mbit 10 ns SRAM 1m x 16 평행한 10ns
IS42S16800F-7BI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16800F-7BI -
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 ECAD 9813 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 54-TFBGA IS42S16800 sdram 3V ~ 3.6V 54-TFBGA (8x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0002 348 143 MHz 휘발성 휘발성 128mbit 5.4 ns 음주 8m x 16 평행한 -
IS43TR81280B-15GBLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR81280B-15GBLI-TR -
RFQ
 ECAD 2572 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 78-TFBGA IS43tr81280 sdram -ddr3 1.425V ~ 1.575V 78-TWBGA (8x10.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0032 2,000 667 MHz 휘발성 휘발성 1gbit 20 ns 음주 128m x 8 평행한 15ns
IS45S16160J-7TLA1 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS45S16160J-7TLA1 4.6259
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 ECAD 4497 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 54-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) IS45S16160 sdram 3V ~ 3.6V 54-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 108 143 MHz 휘발성 휘발성 256mbit 5.4 ns 음주 16m x 16 평행한 -
IS61LV5128AL-10K ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LV5128AL-10K -
RFQ
 ECAD 8174 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 튜브 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 36-BSOJ (0.400 ", 10.16mm 너비) IS61LV5128 sram- 비동기 3.135V ~ 3.6V 36-SOJ 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 19 휘발성 휘발성 4mbit 10 ns SRAM 512k x 8 평행한 10ns
IS25WQ040-JVLE-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25WQ040-JVLE-TR -
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 ECAD 9785 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) IS25WQ040 플래시 - 아니오 1.65V ~ 1.95V 8-VVSOP 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 3,500 104 MHz 비 비 4mbit 플래시 512k x 8 SPI 1ms
IS46DR16128C-3DBLA1-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46DR16128C-3DBLA1-TR 12.4800
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 ECAD 6571 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 84-TFBGA IS46DR16128 sdram -ddr2 1.7V ~ 1.9V 84-TWBGA (8x12.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 2,500 333 MHz 휘발성 휘발성 2gbit 450 ps 음주 128m x 16 평행한 15ns
IS43R16320E-6TL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43R16320E-6TL-TR -
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 ECAD 2084 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 66-TSSOP (0.400 ", 10.16mm 너비) sdram -ddr 2.3V ~ 2.7V 66-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 706-IS43R16320E-6TL-TR 1,500 166 MHz 휘발성 휘발성 512mbit 700 PS 음주 32m x 16 sstl_2 15ns
IS43R16160D-5TL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43R16160D-5TL-TR 3.4412
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 ECAD 3875 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 66-TSSOP (0.400 ", 10.16mm 너비) IS43R16160 sdram -ddr 2.3V ~ 2.7V 66-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 1,500 200MHz 휘발성 휘발성 256mbit 700 PS 음주 16m x 16 평행한 15ns
IS49RL18320-093EBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS49RL18320-093EBL -
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 ECAD 3278 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 168-lbga IS49RL18320 음주 1.28V ~ 1.42V 168-FBGA (13.5x13.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0032 119 1.066 GHz 휘발성 휘발성 576mbit 8 ns 음주 32m x 18 평행한 -
IS61QDB42M18C-250M3L ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61QDB42M18C-250M3L -
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 ECAD 7927 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 165-lbga IS61QDB42 sram-동기, 쿼드 1.71V ~ 1.89V 165-LFBGA (15x17) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 105 250MHz 휘발성 휘발성 36mbit 8.4 ns SRAM 2m x 18 평행한 -
IS46TR16512S2DL-125KBLA1 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46TR16512S2DL-125KBLA1 -
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 ECAD 1535 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc 자동차, AEC-Q100 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 96-LFBGA IS46tr16512 sdram -ddr3l 1.283V ~ 1.45V 96-LWBGA (9x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 706-IS46TR16512S2DL-125KBLA1 귀 99 8542.32.0036 136 800MHz 휘발성 휘발성 8gbit 20 ns 음주 512m x 16 평행한 15ns
IS43LD32640B-25BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43LD32640B-25BLI 11.2943
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 ECAD 7717 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 마지막으로 마지막으로 -40 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 134-TFBGA IS43LD32640 sdram -모바일 lpddr2 -s4 1.14V ~ 1.95V 134-TFBGA (10x11.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 171 400MHz 휘발성 휘발성 2gbit 음주 64m x 32 평행한 15ns
IS43TR16128A-125KBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR16128A-125KBLI -
RFQ
 ECAD 1644 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 sic에서 중단되었습니다 -40 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 96-TFBGA IS43tr16128 sdram -ddr3 1.425V ~ 1.575V 96-TWBGA (9x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 190 800MHz 휘발성 휘발성 2gbit 20 ns 음주 128m x 16 평행한 15ns
IS64WV10248EEBLL-10CTLA3-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS64WV10248EEBLL-10CTLA3-TR 11.0390
RFQ
 ECAD 3818 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 44-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) sram- 비동기 2.4V ~ 3.6V 44-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 706-IS64WV10248EEBLL-10CTLA3-TR 1,000 휘발성 휘발성 8mbit 10 ns SRAM 1m x 8 평행한 10ns
IS45S16160G-7CTLA1-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS45S16160G-7CTLA1-TR 5.8156
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 ECAD 5788 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 54-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) IS45S16160 sdram 3V ~ 3.6V 54-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0028 1,500 143 MHz 휘발성 휘발성 256mbit 5.4 ns 음주 16m x 16 평행한 -
IS34ML02G084-TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS34ML02G084-TLI 6.8500
RFQ
 ECAD 890 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) IS34ml02 플래시 -Nand (SLC) 2.7V ~ 3.6V 48-tsop i 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 706-1633 3A991B1A 8542.32.0071 96 비 비 2gbit 25 ns 플래시 256m x 8 평행한 25ns
IS45S16160G-7TLA2-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS45S16160G-7TLA2-TR 7.5150
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 ECAD 3549 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 54-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) IS45S16160 sdram 3V ~ 3.6V 54-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0028 1,500 143 MHz 휘발성 휘발성 256mbit 5.4 ns 음주 16m x 16 평행한 -
IS43QR16256A-083RBLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43QR16256A-083RBLI-TR -
RFQ
 ECAD 4541 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 96-TFBGA IS43QR16256 sdram -ddr4 1.14V ~ 1.26V 96-TWBGA (9x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 1,500 1.2GHz 휘발성 휘발성 4gbit 음주 256m x 16 평행한 15ns
IS46R16320E-5TLA1-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46R16320E-5TLA1-TR 7.1705
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 ECAD 9412 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 66-TSSOP (0.400 ", 10.16mm 너비) IS46R16320 sdram -ddr 2.3V ~ 2.7V 66-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0028 1,500 200MHz 휘발성 휘발성 512mbit 700 PS 음주 32m x 16 평행한 15ns
IS25LQ020B-JNLE ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LQ020B-JNLE -
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 ECAD 6475 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) IS25LQ020 플래시 - 아니오 2.3V ~ 3.6V 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 706-1319 귀 99 8542.32.0071 100 104 MHz 비 비 2mbit 플래시 256k x 8 spi-쿼드 i/o 800µs
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

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