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IS46LD32320A-25BLA1-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46LD32320A-25BLA1-TR -
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 ECAD 5549 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 -40 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 134-TFBGA IS46LD32320 sdram -모바일 lpddr2 -s4 1.14V ~ 1.95V 134-TFBGA (10x11.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0028 1,200 400MHz 휘발성 휘발성 1gbit 음주 32m x 32 평행한 15ns
IS43TR16128B-093NBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR16128B-093NBLI -
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 ECAD 6579 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc 자동차, AEC-Q100 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 96-TFBGA IS43tr16128 sdram -ddr3 1.425V ~ 1.575V 96-TWBGA (9x13) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 706-IS43TR16128B-093NBLI 귀 99 8542.32.0036 190 1.066 GHz 휘발성 휘발성 2gbit 20 ns 음주 128m x 16 평행한 15ns
IS43QR81024A-083TBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43QR81024A-083TBL 17.6469
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 ECAD 1524 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 대부분 활동적인 0 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 78-TFBGA sdram -ddr4 1.14V ~ 1.26V 78-TWBGA (10x14) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 706-IS43QR81024A-083TBL 136 1.2GHz 휘발성 휘발성 8gbit 18 ns 음주 1g x 8 평행한 15ns
IS61LV12824-10TQ-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LV12824-10TQ-TR -
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 ECAD 2031 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 100-lqfp IS61LV12824 sram- 비동기 3.135V ~ 3.6V 100-LQFP (14x20) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 800 휘발성 휘발성 3m 비트 10 ns SRAM 128k x 24 평행한 10ns
IS25WP064D-RHLA3 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25WP064D-RHLA3 1.8942
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 ECAD 8652 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc 자동차, AEC-Q100 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 24-TBGA 플래시 - 아니오 (SLC) 1.65V ~ 1.95V 24-TFBGA (6x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 706-IS25WP064D-RHLA3 480 166 MHz 비 비 64mbit 5.5 ns 플래시 8m x 8 spi-쿼드 i/o, qpi, dtr 40µs, 800µs
IS43R16160D-5BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43R16160D-5BLI-TR 5.7450
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 ECAD 9845 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 60-TFBGA IS43R16160 sdram -ddr 2.3V ~ 2.7V 60-TFBGA (8x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 2,500 200MHz 휘발성 휘발성 256mbit 700 PS 음주 16m x 16 평행한 15ns
IS43LD16640C-25BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43LD16640C-25BLI-TR 10.1900
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 ECAD 1 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 134-TFBGA IS43LD16640 sdram -모바일 lpddr2 -s4 1.14V ~ 1.95V 134-TFBGA (10x11.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0028 2,000 400MHz 휘발성 휘발성 1gbit 음주 64m x 16 평행한 15ns
IS25LQ080B-JKLE ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LQ080B-JKLE -
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 ECAD 7429 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 대부분 sic에서 중단되었습니다 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 8-wdfn n 패드 IS25LQ080 플래시 - 아니오 2.3V ~ 3.6V 8-wson (6x5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 706-1330 귀 99 8542.32.0071 100 104 MHz 비 비 8mbit 플래시 1m x 8 spi-쿼드 i/o 1ms
IS42S16800E-6TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16800E-6TLI -
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 ECAD 4130 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 54-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) IS42S16800 sdram 3V ~ 3.6V 54-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0002 108 166 MHz 휘발성 휘발성 128mbit 5.4 ns 음주 8m x 16 평행한 -
IS43R86400D-6BI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43R86400D-6BI -
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 ECAD 1646 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 60-TFBGA IS43R86400 sdram -ddr 2.3V ~ 2.7V 60-TFBGA (8x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 706-IS43R86400D-6BI 쓸모없는 190 166 MHz 휘발성 휘발성 512mbit 700 PS 음주 64m x 8 평행한 15ns
IS46TR16256A-15HBLA1 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46TR16256A-15HBLA1 -
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 ECAD 3996 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 96-TFBGA IS46TR16256 sdram -ddr3 1.425V ~ 1.575V 96-TWBGA (9x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 190 667 MHz 휘발성 휘발성 4gbit 20 ns 음주 256m x 16 평행한 15ns
IS46QR16256B-083RBLA2 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46QR16256B-083RBLA2 10.5453
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 ECAD 2762 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc * 대부분 활동적인 표면 표면 96-TFBGA 96-TWBGA (9x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 198
IS43TR16128C-15HBL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR16128C-15HBL-TR 5.0226
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 ECAD 6541 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 활동적인 0 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 96-TFBGA IS43tr16128 sdram -ddr3 1.425V ~ 1.575V 96-TWBGA (9x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 1,500 667 MHz 휘발성 휘발성 2gbit 20 ns 음주 128m x 16 평행한 15ns
IS61WV25632BLL-10BI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61WV25632BLL-10BI -
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 ECAD 1194 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 90-TFBGA IS61WV25632 sram- 비동기 2.4V ~ 3.6V 90-TFBGA (8x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 706-IS61WV25632BLL-10BI 쓸모없는 240 휘발성 휘발성 8mbit 10 ns SRAM 256k x 32 평행한 10ns
IS42S16100F-7TL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16100F-7TL-TR -
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 ECAD 3322 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 50TSOP (0.400 ", 10.16mm 너비) IS42S16100 sdram 3V ~ 3.6V 50-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0002 1,000 143 MHz 휘발성 휘발성 16mbit 5.5 ns 음주 1m x 16 평행한 -
IS61WV6416BLL-12KLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61WV6416BLL-12KLI 2.2660
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 ECAD 2756 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 44-BSOJ (0.400 ", 10.16mm 너비) IS61WV6416 sram- 비동기 3V ~ 3.6V 44-SOJ 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2B 8542.32.0041 16 휘발성 휘발성 1mbit 12 ns SRAM 64k x 16 평행한 12ns
IS42VM16200D-6BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42VM16200D-6BLI-TR 2.4716
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 ECAD 4363 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 54-TFBGA IS42VM16200 sdram- 모바일 1.7V ~ 1.95V 54-TFBGA (8x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0002 2,500 166 MHz 휘발성 휘발성 32mbit 5.5 ns 음주 2m x 16 평행한 -
IS41LV16257C-35TLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS41LV16257C-35TLI-TR -
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 ECAD 8007 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 44-TSOP (0.400 ", 10.16mm 너비), 40 리드 IS41LV16257 dram -fp 3V ~ 3.6V 40-tsop 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0002 1,000 휘발성 휘발성 4mbit 18 ns 음주 256k x 16 평행한 -
IS62WV51216EBLL-45BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV51216EBLL-45BLI-TR 4.5215
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 ECAD 3419 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-VFBGA IS62WV51216 sram- 비동기 2.2V ~ 3.6V 48-VFBGA (6x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 2,500 휘발성 휘발성 8mbit 45 ns SRAM 512k x 16 평행한 45ns
IS25WP032A-JMLE-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25WP032A-JMLE-TR -
RFQ
 ECAD 6452 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 16-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비) IS25WP032 플래시 - 아니오 1.65V ~ 1.95V 16- 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 133 MHz 비 비 32mbit 플래시 4m x 8 spi-쿼드 i/o, qpi, dtr 800µs
IS61LV5128AL-10BI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LV5128AL-10BI -
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 ECAD 4545 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 36-TFBGA IS61LV5128 sram- 비동기 3.135V ~ 3.6V 36- 미니 바 (8x10) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 480 휘발성 휘발성 4mbit 10 ns SRAM 512k x 8 평행한 10ns
IS61DDB44M18A-300M3I ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61DDB44M18A-300M3I -
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 ECAD 9883 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 165-lbga IS61DDB44 SRAM-동기, DDR II 1.71V ~ 1.89V 165-LFBGA (15x17) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 706-IS61DDB44M18A-300M3I 쓸모없는 105 300MHz 휘발성 휘발성 72mbit 1.48 ns SRAM 4m x 18 평행한 -
IS25CD512-JKLE-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25CD512-JKLE-TR -
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 ECAD 8547 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 8-wdfn n 패드 IS25CD512 플래시 2.7V ~ 3.6V 8-wson (6x5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 3,000 100MHz 비 비 512kbit 플래시 64k x 8 SPI 5ms
IS61QDP2B24M18A-333M3L ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61QDP2B24M18A-333M3L 100.1770
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 ECAD 4830 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 165-lbga IS61QDP2 sram-동기, Quadp 1.71V ~ 1.89V 165-LFBGA (15x17) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 105 333 MHz 휘발성 휘발성 72mbit 8.4 ns SRAM 4m x 18 평행한 -
IS61LF102418B-7.5TQLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LF102418B-7.5TQLI-TR 14.2500
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 ECAD 6945 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 100-lqfp IS61LF102418 sram-동기, sdr 3.135V ~ 3.465V 100-LQFP (14x20) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 800 117 MHz 휘발성 휘발성 18mbit 7.5 ns SRAM 1m x 18 평행한 -
IS49RL18320A-107EBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS49RL18320A-107EBLI 70.9500
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 ECAD 7415 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 168-lbga rldram 3 1.28V ~ 1.42V 168-FBGA (13.5x13.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 706-IS49RL18320A-107EBLI 귀 99 8542.32.0032 119 933 MHz 휘발성 휘발성 576mbit 7.5 ns 음주 32m x 18 평행한 -
IS46LQ32128A-062BLA2-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46LQ32128A-062BLA2-TR -
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 ECAD 4393 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TC) 표면 표면 200-VFBGA sdram- 모바일 lpddr4 1.06V ~ 1.17V, 1.7V ~ 1.95V 200-VFBGA (10x14.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 706-IS46LQ32128A-062BLA2-TR 2,500 1.6GHz 휘발성 휘발성 4gbit 3.5 ns 음주 128m x 32 lvstl 18ns
IS61NLF12836EC-7.5TQLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61NLF12836EC-7.5TQLI 7.5262
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 ECAD 6371 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 100-lqfp IS61NLF12836 sram-동기, sdr 3.135V ~ 3.465V 100-LQFP (14x20) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 72 117 MHz 휘발성 휘발성 4.5mbit 7.5 ns SRAM 128k x 36 평행한 -
IS42S83200G-7BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S83200G-7BLI-TR 7.2000
RFQ
 ECAD 6990 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 54-TFBGA IS42S83200 sdram 3V ~ 3.6V 54-TFBGA (8x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 2,500 143 MHz 휘발성 휘발성 256mbit 5.4 ns 음주 32m x 8 평행한 -
IS25LQ010B-JVLE ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LQ010B-JVLE -
RFQ
 ECAD 8513 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) IS25LQ010 플래시 - 아니오 2.3V ~ 3.6V 8-VVSOP - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 706-IS25LQ010B-JVLE 귀 99 8542.32.0071 100 104 MHz 비 비 1mbit 8 ns 플래시 128k x 8 spi-쿼드 i/o 800µs
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

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