- RFQ
- Bom
- 저희에게 연락하십시오
전화 : +86-0755-83501315
- 중국인
- 영어
- 프랑스 국민
- 독일 사람
- 포르투갈 인
- 스페인 사람
- 러시아인
- 일본어
- 한국인
- 아라비아 말
- 아일랜드
- 그리스 사람
- 터키
- 이탈리아 사람
- 덴마크 말
- 루마니아 사람
- 인도네시아 인
- 체코 사람
- 아프리카 어
- 스웨덴어
- 광택
- 바스크 사람
- 카탈로니아 사람
- 에스페란토 말
- 힌디 어
- 라오
- 알바니아
- 암하라
- 아르메니아 사람
- 아제르바이잔
- 벨로루시
- 벵골 사람
- 보스니아 인
- 불가리아 사람
- 세부 노
- Chichewa
- 코르시칸
- 크로아티아
- 네덜란드 사람
- 에스토니아 사람
- 필리핀
- 핀란드
- 프리 시안
- 갈리시아어
- 그루지야 사람
- 구자라트
- 아이티 섬 사람
- 하우사
- 하와이
- 헤브라이 사람
- 몽족
- 헝가리 인
- 아이슬란드
- Igbo
- 자바어
- 칸나다어
- 카자흐
- 크메르
- 쿠르드족
- 키르기즈
- 라틴어
- 라트비아 사람
- 리투아니아 사람
- 룩셈부 ..
- 마케도니아 어
- 마다가스카르 사람
- 말레이 사람
- 말라 얄 람어
- 몰티즈
- 마오리족
- 마라 티
- 몽고 어
- 버마 사람
- 네팔
- 노르웨이 인
- 파슈토
- 페르시아 인
- 펀 자브
- 세르비아 사람
- 세소 토
- 신 할라
- 슬로바키아 사람
- 슬로베니아
- 소말리아
- 사모아
- 스코틀랜드 게 일어
- 쇼나
- 신디
- Sundanese
- 스와 할리
- 태조
- 타밀 사람
- 텔루구 어
- 태국
- 우크라이나 말
- 우르두어
- 우즈벡
- 베트남 사람
- 웨일스 말
- Xhosa
- 이디시어
- 요 루바
- 줄루 족
- Kinyarwanda
- 타타르
- 오리 야
- 투르크멘 말
- uyghur
메모리 (5712)
| 영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 기술 | 전압 - 공급 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 시계 시계 | 메모리 메모리 | 메모리 메모리 | 액세스 액세스 | 메모리 메모리 | 메모리 메모리 | 메모리 메모리 | 쓰기 쓰기 시간 - 단어, 페이지 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | IS43DR16160B-25DBL-TR | 2.3989 |  | 6040 | 0.00000000 | ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | 표면 표면 | 84-TFBGA | IS43DR16160 | sdram -ddr2 | 1.7V ~ 1.9V | 84-TWBGA (8x12.5) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0024 | 2,500 | 400MHz | 휘발성 휘발성 | 256mbit | 400 PS | 음주 | 16m x 16 | 평행한 | 15ns | ||
 | IS66WVC4M16ECLL-7010BLI | 4.6313 | | 1320 | 0.00000000 | ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc | - | 쟁반 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C (TC) | 표면 표면 | 54-VFBGA | IS66WVC4M16 | psram (의사 sram) | 1.7V ~ 1.95V | 54-VFBGA (6x8) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 480 | 휘발성 휘발성 | 64mbit | 70 ns | psram | 4m x 16 | 평행한 | 70ns | |||
 | IS42S32200C1-7TLI-TR | - | | 9249 | 0.00000000 | ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 86-TFSOP (0.400 ", 10.16mm 너비) | IS42S32200 | sdram | 3.15V ~ 3.45V | 86-TSOP II | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0002 | 1,500 | 143 MHz | 휘발성 휘발성 | 64mbit | 5.5 ns | 음주 | 2m x 32 | 평행한 | - | ||
 | IS43R86400D-6TL-TR | 5.1123 | | 3211 | 0.00000000 | ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc | - | 테이프 & tr (TR) | 새로운 새로운 아닙니다 | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | 표면 표면 | 66-TSSOP (0.400 ", 10.16mm 너비) | IS43R86400 | sdram -ddr | 2.3V ~ 2.7V | 66-TSOP II | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0028 | 1,500 | 166 MHz | 휘발성 휘발성 | 512mbit | 700 PS | 음주 | 64m x 8 | 평행한 | 15ns | ||
 | IS25LP064A-JBLE-TR | 1.1760 | | 5690 | 0.00000000 | ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.209 ", 5.30mm 너비) | IS25LP064 | 플래시 - 아니오 | 2.3V ~ 3.6V | 8-SOIC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,000 | 133 MHz | 비 비 | 64mbit | 플래시 | 8m x 8 | spi-쿼드 i/o, qpi | 800µs | |||
 | IS25WP064A-RMLE-TY | 1.5641 | | 5600 | 0.00000000 | ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc | - | 쟁반 | 활동적인 | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | 표면 표면 | 16-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비) | 플래시 - 아니오 | 1.65V ~ 1.95V | 16- | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 706-IS25WP064A-RMLE-TY | 176 | 133 MHz | 비 비 | 64mbit | 7 ns | 플래시 | 8m x 8 | spi-쿼드 i/o, qpi, dtr | 40µs, 800µs | ||||
 | IS42S16100C1-7TLI | - | | 8177 | 0.00000000 | ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc | - | 쟁반 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 50TSOP (0.400 ", 10.16mm 너비) | IS42S16100 | sdram | 3V ~ 3.6V | 50-TSOP II | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0002 | 117 | 143 MHz | 휘발성 휘발성 | 16mbit | 5.5 ns | 음주 | 1m x 16 | 평행한 | - | ||
| IS43R16320E-6TLI | 7.0644 | | 4916 | 0.00000000 | ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc | - | 쟁반 | 새로운 새로운 아닙니다 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 66-TSSOP (0.400 ", 10.16mm 너비) | IS43R16320 | sdram -ddr | 2.3V ~ 2.7V | 66-TSOP II | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0028 | 108 | 166 MHz | 휘발성 휘발성 | 512mbit | 700 PS | 음주 | 32m x 16 | 평행한 | 15ns | ||
 | IS61LPS12836EC-200TQLI | 7.5262 | | 1726 | 0.00000000 | ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc | - | 쟁반 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 100-lqfp | IS61LPS12836 | sram-동기, sdr | 3.135V ~ 3.465V | 100-LQFP (14x20) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 72 | 200MHz | 휘발성 휘발성 | 4.5mbit | 3.1 ns | SRAM | 128k x 36 | 평행한 | - | ||
 | IS61LPD51236A-250B3I | - | | 1361 | 0.00000000 | ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc | - | 쟁반 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 165-TBGA | IS61LPD51236 | sram-쿼드-, 동기 | 3.135V ~ 3.465V | 165-PBGA (13x15) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 144 | 250MHz | 휘발성 휘발성 | 18mbit | 2.6 ns | SRAM | 512k x 36 | 평행한 | - | ||
 | IS25WD040-JKLE | - | | 9796 | 0.00000000 | ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc | - | 대부분 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | 표면 표면 | 8-wdfn n 패드 | IS25WD040 | 플래시 - 아니오 | 1.65V ~ 1.95V | 8-wson (6x5) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0071 | 100 | 80MHz | 비 비 | 4mbit | 플래시 | 512k x 8 | SPI | 3ms | |||
| IS46DR16320D-3DBA2 | - | | 8261 | 0.00000000 | ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc | - | 쟁반 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | 표면 표면 | 84-TFBGA | IS46DR16320 | sdram -ddr2 | 1.7V ~ 1.9V | 84-TWBGA (8x12.5) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 706-IS46DR16320D-3DBA2 | 쓸모없는 | 209 | 333 MHz | 휘발성 휘발성 | 512mbit | 450 ps | 음주 | 32m x 16 | 평행한 | 15ns | ||
 | IS61DDB21M36-275M3 | - | | 2785 | 0.00000000 | ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc | - | 쟁반 | sic에서 중단되었습니다 | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | 표면 표면 | 165-lbga | IS61DDB21 | SRAM-동기, DDR II | 1.71V ~ 1.89V | 165-LFBGA (13x15) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B2A | 8542.32.0002 | 105 | 275 MHz | 휘발성 휘발성 | 36mbit | SRAM | 1m x 36 | 평행한 | - | |||
 | IS42S83200D-75ETLI-TR | - | | 2041 | 0.00000000 | ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 54-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) | IS42S83200 | sdram | 3V ~ 3.6V | 54-TSOP II | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0024 | 1,500 | 133 MHz | 휘발성 휘발성 | 256mbit | 5.5 ns | 음주 | 32m x 8 | 평행한 | - | ||
 | IS43DR86400C-25DBI | - | | 4738 | 0.00000000 | ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc | - | 쟁반 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 60-TFBGA | IS43DR86400 | sdram -ddr2 | 1.7V ~ 1.9V | 60-TWBGA (8x10.5) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 706-IS43DR86400C-25DBI | 쓸모없는 | 209 | 400MHz | 휘발성 휘발성 | 512mbit | 400 PS | 음주 | 64m x 8 | 평행한 | 15ns | ||
 | IS43LR16800G-6BLI | 4.5560 | | 7324 | 0.00000000 | ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc | - | 쟁반 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 60-TFBGA | IS43LR16800 | sdram- 모바일 lpddr | 1.7V ~ 1.95V | 60-TFBGA (8x10) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0002 | 300 | 166 MHz | 휘발성 휘발성 | 128mbit | 5.5 ns | 음주 | 8m x 16 | 평행한 | 15ns | ||
| IS42S16400D-7TLI | - | | 1344 | 0.00000000 | ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc | - | 쟁반 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 54-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) | IS42S16400 | sdram | 3V ~ 3.6V | 54-TSOP II | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0002 | 108 | 143 MHz | 휘발성 휘발성 | 64mbit | 5.4 ns | 음주 | 4m x 16 | 평행한 | - | ||
 | IS42S32800G-6BI-TR | - | | 2215 | 0.00000000 | ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 90-TFBGA | IS42S32800 | sdram | 3V ~ 3.6V | 90-TFBGA (8x13) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0024 | 2,500 | 166 MHz | 휘발성 휘발성 | 256mbit | 5.4 ns | 음주 | 8m x 32 | 평행한 | - | ||
| IS42S16320D-6TL | 12.7725 | | 1647 | 0.00000000 | ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc | - | 쟁반 | 새로운 새로운 아닙니다 | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | 표면 표면 | 54-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) | IS42S16320 | sdram | 3V ~ 3.6V | 54-TSOP II | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0028 | 108 | 166 MHz | 휘발성 휘발성 | 512mbit | 5.4 ns | 음주 | 32m x 16 | 평행한 | - | ||
 | IS62WV5128DBLL-45BLI-TR | - | | 9983 | 0.00000000 | ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc | - | 테이프 & tr (TR) | sic에서 중단되었습니다 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 36-TFBGA | IS62WV5128 | sram- 비동기 | 2.3V ~ 3.6V | 36-TFBGA (6x8) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 2,500 | 휘발성 휘발성 | 4mbit | 45 ns | SRAM | 512k x 8 | 평행한 | 45ns | |||
| IS42S32800J-75EBL | 6.1375 | | 4218 | 0.00000000 | ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc | - | 쟁반 | 활동적인 | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | 표면 표면 | 90-TFBGA | IS42S32800 | sdram | 3V ~ 3.6V | 90-TFBGA (8x13) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0024 | 240 | 133 MHz | 휘발성 휘발성 | 256mbit | 6 ns | 음주 | 8m x 32 | 평행한 | - | ||
 | IS41LV16105C-50TLI-TR | - | | 8939 | 0.00000000 | ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 44-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) | IS41LV16105 | dram -fp | 3V ~ 3.6V | 44-TSOP II | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0002 | 1,000 | 휘발성 휘발성 | 16mbit | 25 ns | 음주 | 1m x 16 | 평행한 | - | |||
| IS42S16400D-7TI | - | | 4495 | 0.00000000 | ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc | - | 쟁반 | sic에서 중단되었습니다 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 54-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) | IS42S16400 | sdram | 3V ~ 3.6V | 54-TSOP II | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0002 | 108 | 143 MHz | 휘발성 휘발성 | 64mbit | 5.4 ns | 음주 | 4m x 16 | 평행한 | - | ||
 | IS61LV25616AL-10BI | - | | 5137 | 0.00000000 | ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc | - | 쟁반 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 48-TFBGA | IS61LV25616 | sram- 비동기 | 3.135V ~ 3.6V | 48-TFBGA (8x10) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | Q11107054 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 220 | 휘발성 휘발성 | 4mbit | 10 ns | SRAM | 256k x 16 | 평행한 | 10ns | ||
| IS61WV6416EEBLL-10BLI-TR | 1.6544 | | 6287 | 0.00000000 | ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 48-TFBGA | IS61WV6416 | sram- 비동기 | 2.4V ~ 3.6V | 48-TFBGA (6x8) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 2,500 | 휘발성 휘발성 | 1mbit | 10 ns | SRAM | 64k x 16 | 평행한 | 10ns | |||
| IS43DR16640C-3DBLI-TR | 4.7803 | | 4083 | 0.00000000 | ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 84-TFBGA | IS43DR16640 | sdram -ddr2 | 1.7V ~ 1.9V | 84-TWBGA (8x12.5) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0032 | 2,500 | 333 MHz | 휘발성 휘발성 | 1gbit | 450 ps | 음주 | 64m x 16 | 평행한 | 15ns | ||
 | IS43TR16128C-15HBL | 5.5338 | | 8707 | 0.00000000 | ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc | - | 쟁반 | 활동적인 | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | 표면 표면 | 96-TFBGA | IS43tr16128 | sdram -ddr3 | 1.425V ~ 1.575V | 96-TWBGA (9x13) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0036 | 190 | 667 MHz | 휘발성 휘발성 | 2gbit | 20 ns | 음주 | 128m x 16 | 평행한 | 15ns | ||
 | IS61DDP2B21M36A-400M3L | 71.5551 | | 7798 | 0.00000000 | ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc | - | 쟁반 | 활동적인 | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | 표면 표면 | 165-lbga | IS61DDP2 | sram-동기, ddr iip | 1.71V ~ 1.89V | 165-LFBGA (15x17) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B2A | 8542.32.0002 | 105 | 400MHz | 휘발성 휘발성 | 36mbit | SRAM | 1m x 36 | 평행한 | - | |||
| IS62WV10248EBLL-45TLI-TR | 4.3887 | | 1059 | 0.00000000 | ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 44-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) | IS62WV10248 | sram- 비동기 | 2.2V ~ 3.6V | 44-TSOP II | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1,000 | 휘발성 휘발성 | 8mbit | 45 ns | SRAM | 1m x 8 | 평행한 | 45ns | |||
| IS66WVQ2M4DALL-200BLI | 3.0900 | | 480 | 0.00000000 | ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc | - | 쟁반 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 24-TBGA | IS66WVQ2M4 | psram (의사 sram) | 1.7V ~ 1.95V | 24-TFBGA (6x8) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 706-IS66WVQ2M4DALL-200BLI | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 480 | 200MHz | 휘발성 휘발성 | 8mbit | psram | 2m x 4 | spi-쿼드 i/o | 40ns |
2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m2
재고 창고
위시리스트 (0 항목)