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IS45S16320F-7BLA2 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS45S16320F-7BLA2 15.8813
RFQ
 ECAD 1049 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 54-TFBGA IS45S16320 sdram 3V ~ 3.6V 54-TW-BGA (8x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0028 240 143 MHz 휘발성 휘발성 512mbit 5.4 ns 음주 32m x 16 평행한 -
IS25LQ512B-JDLE-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LQ512B-JDLE-TR -
RFQ
 ECAD 8195 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 8-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) IS25LQ512 플래시 - 아니오 2.3V ~ 3.6V 8-tssop 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 3,500 104 MHz 비 비 512kbit 플래시 64k x 8 spi-쿼드 i/o 800µs
IS41LV16100C-50TI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS41LV16100C-50TI -
RFQ
 ECAD 6908 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 50-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비), 44 개의 리드 IS41LV16100 드람 -에도 2.97V ~ 3.63V 50-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0002 117 휘발성 휘발성 16mbit 25 ns 음주 1m x 16 평행한 85ns
IS42S16160G-7BI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16160G-7BI -
RFQ
 ECAD 7376 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 54-TFBGA IS42S16160 sdram 3V ~ 3.6V 54-TFBGA (8x8) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 348 143 MHz 휘발성 휘발성 256mbit 5.4 ns 음주 16m x 16 평행한 -
IS61LF102418A-7.5B3I ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LF102418A-7.5B3I -
RFQ
 ECAD 8032 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 165-TBGA IS61LF102418 sram-동기, sdr 3.135V ~ 3.465V 165-TFBGA (13x15) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 144 117 MHz 휘발성 휘발성 18mbit 7.5 ns SRAM 1m x 18 평행한 - 확인되지 확인되지
IS61VF102418A-7.5B3I ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61VF102418A-7.5B3I -
RFQ
 ECAD 1423 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 165-TBGA IS61VF102418 sram-동기, sdr 2.375V ~ 2.625V 165-TFBGA (13x15) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 144 117 MHz 휘발성 휘발성 18mbit 7.5 ns SRAM 1m x 18 평행한 -
IS25LP512M-RGLE ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LP512M-RGLE -
RFQ
 ECAD 5105 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 24-TBGA IS25LP512 플래시 - 아니오 2.3V ~ 3.6V 24-TFBGA (6x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 480 133 MHz 비 비 512mbit 플래시 64m x 8 spi-쿼드 i/o, qpi, dtr 1.6ms
IS25LP032D-JLLE ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LP032D-JLLE 1.4400
RFQ
 ECAD 1041 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 8-wdfn n 패드 IS25LP032 플래시 - 아니오 2.3V ~ 3.6V 8-wson (8x6) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 480 133 MHz 비 비 32mbit 플래시 4m x 8 spi-쿼드 i/o, qpi, dtr 800µs
IS61WV102416EDBLL-10T2LI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61WV102416EDBLL-10T2LI-TR 11.7300
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 ECAD 6369 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) IS61WV102416 sram- 비동기 2.4V ~ 3.6V 48-tsop i 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 1,500 휘발성 휘발성 16mbit 10 ns SRAM 1m x 16 평행한 10ns
IS43LD32160A-25BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43LD32160A-25BLI 8.3985
RFQ
 ECAD 3227 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 134-TFBGA IS43LD32160 sdram -모바일 lpddr2 -s4 1.14V ~ 1.95V 134-TFBGA (10x11.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0028 171 400MHz 휘발성 휘발성 512mbit 음주 16m x 32 평행한 15ns
IS43R16320F-5BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43R16320F-5BLI-TR 5.5950
RFQ
 ECAD 2467 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 60-TFBGA IS43R16320 sdram -ddr 2.3V ~ 2.7V 60-TFBGA (8x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0028 2,500 200MHz 휘발성 휘발성 512mbit 700 PS 음주 32m x 16 평행한 15ns 확인되지 확인되지
IS43TR82560CL-15HBL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR82560CL-15HBL-TR 5.4712
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 ECAD 1795 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 0 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 78-TFBGA IS43tr82560 sdram -ddr3l 1.283V ~ 1.45V 78-TWBGA (8x10.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 2,000 667 MHz 휘발성 휘발성 2gbit 20 ns 음주 256m x 8 평행한 15ns
IS42S16160B-7TL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16160B-7TL -
RFQ
 ECAD 5263 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 54-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) IS42S16160 sdram 3V ~ 3.6V 54-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 108 143 MHz 휘발성 휘발성 256mbit 5.4 ns 음주 16m x 16 평행한 -
IS42S32200C1-7TL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32200C1-7TL -
RFQ
 ECAD 6490 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 86-TFSOP (0.400 ", 10.16mm 너비) IS42S32200 sdram 3.15V ~ 3.45V 86-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0002 108 143 MHz 휘발성 휘발성 64mbit 5.5 ns 음주 2m x 32 평행한 -
IS62C1024AL-35TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62C1024AL-35TLI 2.4500
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 32-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) IS62C1024 sram- 비동기 4.5V ~ 5.5V 32-tsop i 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2B 8542.32.0041 156 휘발성 휘발성 1mbit 35 ns SRAM 128k x 8 평행한 35ns
IS61LPS25672A-250B1 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LPS25672A-250B1 -
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 ECAD 6525 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 209-bga IS61LPS25672 sram-동기, sdr 3.135V ~ 3.465V 209-LFBGA (14x22) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 84 250MHz 휘발성 휘발성 18mbit 2.6 ns SRAM 256k x 72 평행한 -
IS42S32200C1-7TI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32200C1-7TI-TR -
RFQ
 ECAD 3868 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 86-TFSOP (0.400 ", 10.16mm 너비) IS42S32200 sdram 3.15V ~ 3.45V 86-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0002 1,500 143 MHz 휘발성 휘발성 64mbit 5.5 ns 음주 2m x 32 평행한 -
IS43R86400E-5BI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43R86400E-5BI -
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 ECAD 1475 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 60-TFBGA IS43R86400 sdram -ddr 2.3V ~ 2.7V 60-TFBGA (8x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 706-IS43R86400E-5BI 쓸모없는 190 200MHz 휘발성 휘발성 512mbit 700 PS 음주 64m x 8 평행한 15ns
IS46DR16320C-3DBA2 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46DR16320C-3DBA2 -
RFQ
 ECAD 9897 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 84-TFBGA IS46DR16320 sdram -ddr2 1.7V ~ 1.9V 84-TWBGA (8x12.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 706-IS46DR16320C-3DBA2 쓸모없는 209 333 MHz 휘발성 휘발성 512mbit 450 ps 음주 32m x 16 평행한 15ns
IS46LD32128C-18BPLA1-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46LD32128C-18BPLA1-TR -
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 ECAD 1891 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 168-VFBGA IS46LD32128 sdram- 모바일 lpddr2 1.14V ~ 1.3V, 1.7V ~ 1.95V 168-VFBGA (12x12) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 706-IS46LD32128C-18BPLA1-TR 귀 99 8542.32.0036 1 533 MHz 휘발성 휘발성 4gbit 5.5 ns 음주 128m x 32 HSUL_12 15ns
IS43LD32128C-25BPL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43LD32128C-25BPL-TR -
RFQ
 ECAD 1600 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 활동적인 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 706-IS43LD32128C-25BPL-TR 귀 99 8542.32.0036 1
IS43LD32128C-18BPL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43LD32128C-18BPL-TR -
RFQ
 ECAD 3021 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 활동적인 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 706-IS43LD32128C-18BPL-TR 귀 99 8542.32.0036 1
IS46LD32128C-25BPLA2-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46LD32128C-25BPLA2-TR -
RFQ
 ECAD 3161 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TC) 표면 표면 168-VFBGA IS46LD32128 sdram- 모바일 lpddr2 1.14V ~ 1.3V, 1.7V ~ 1.95V 168-VFBGA (12x12) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 706-IS46LD32128C-25BPLA2-TR 귀 99 8542.32.0036 1 400MHz 휘발성 휘발성 4gbit 5.5 ns 음주 128m x 32 HSUL_12 15ns
IS46LD32128A-25BPLA1 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46LD32128A-25BPLA1 -
RFQ
 ECAD 2362 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc 자동차, AEC-Q100 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 168-VFBGA IS46LD32128 sdram -모바일 lpddr2 -s4 1.14V ~ 1.3V, 1.7V ~ 1.95V 168-VFBGA (12x12) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 706-IS46LD32128A-25BPLA1 쓸모없는 1 400MHz 휘발성 휘발성 4gbit 5.5 ns 음주 128m x 32 HSUL_12 15ns
IS25LQ512B-JVLE ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LQ512B-JVLE -
RFQ
 ECAD 4734 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) IS25LQ512 플래시 - 아니오 2.3V ~ 3.6V 8-VVSOP - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 706-IS25LQ512B-JVLE 귀 99 8542.32.0071 100 104 MHz 비 비 512kbit 8 ns 플래시 64k x 8 spi-쿼드 i/o 800µs
IS25LQ020B-JULE ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LQ020B-JULE -
RFQ
 ECAD 5860 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 8-ufdfn 노출 패드 IS25LQ020 플래시 - 아니오 2.3V ~ 3.6V 8- 호스 (2x3) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 706-IS25LQ020B-JULET 귀 99 8542.32.0071 5,000 104 MHz 비 비 2mbit 8 ns 플래시 256k x 8 spi-쿼드 i/o 800µs
IS25LP020E-JNLE ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LP020E-JNLE 0.4000
RFQ
 ECAD 825 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) IS25LP020 플래시 - 아니오 2.3V ~ 3.6V 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 706-IS25LP020E-JNLE 귀 99 8542.32.0071 100 104 MHz 비 비 2mbit 8 ns 플래시 256k x 8 spi-쿼드 i/o, qpi, dtr 1.2ms
IS25LP040E-JNLE-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LP040E-JNLE-TR 0.4000
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) IS25LP040 플래시 - 아니오 2.3V ~ 3.6V 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 3,000 104 MHz 비 비 4mbit 8 ns 플래시 512k x 8 spi-쿼드 i/o, qpi, dtr 1.2ms
IS25LP040E-JBLE-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LP040E-JBLE-TR -
RFQ
 ECAD 6618 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.209 ", 5.30mm 너비) IS25LP040 플래시 - 아니오 2.3V ~ 3.6V 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 706-IS25LP040E-JBLE-TR 귀 99 8542.32.0071 2,000 104 MHz 비 비 4mbit 8 ns 플래시 512k x 8 spi-쿼드 i/o, qpi 1.2ms
IS21TF08G-JCLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS21TF08G-JCLI 20.1600
RFQ
 ECAD 4454 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 153-VFBGA IS21TF08G 플래시 -Nand (TLC) 2.7V ~ 3.6V 153-VFBGA (11.5x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 706-IS21TF08G-JCLI 3A991B1A 8542.32.0071 152 200MHz 비 비 64gbit 플래시 8g x 8 MMC -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

수량 : 1

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