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메모리 (290)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	sic 프로그램 가능	전압 - 공급	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	시계 시계	프로그래밍 프로그래밍 유형	메모리 메모리	메모리 메모리	액세스 액세스	메모리 메모리	메모리 메모리	메모리 메모리	쓰기 쓰기 시간 - 단어, 페이지	컨트롤러 컨트롤러	sic 프로그램 가능
EPC1LC20	-	RFQ	9912	인텔	EPC	튜브	쓸모없는	0 ° C ~ 70 ° C	표면 표면	20-LCC (J-Lead)	EPC1		확인	3V ~ 3.6V, 4.75V ~ 5.25V	20-PLCC (9x9)	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		3A991B2A	8542.32.0071	196 년		OTP		1MB
PC28F320C3BD70A	5.2200	RFQ	46	인텔	-	가방	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	64-TBGA	PC28F320	플래시 - 블록 부트		2.7V ~ 3.6V	64-ESYBGA (10x13)	다운로드	적용 적용 수 할				3A991B1A	8542.32.0051	144			비 비	32mbit	70 ns	플래시	2m x 16	평행한	70ns
LE82P35	17.3400	RFQ	51	인텔	*	대부분	활동적인									-	적용 적용 수 할	3 (168 시간)	공급 공급 정의되지 업체는		귀 99	8542.39.0001	360
EPC1PC8	-	RFQ	2719	인텔	EPC	튜브	쓸모없는	0 ° C ~ 70 ° C	구멍을 구멍을	8-DIP (0.300 ", 7.62mm)	EPC1		확인	3V ~ 3.6V, 4.75V ~ 5.25V	8-PDIP	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		3A991B2A	8542.32.0071	100		OTP		1MB
D2114AL2	11.2000	RFQ	14	인텔	-	대부분	활동적인	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	구멍을 구멍을	18-CDIP		sram- 비동기		4.5V ~ 5.5V	18-CDIP	다운로드	적용 적용 수 할	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0041	1			휘발성 휘발성	4kbit	200 ns	SRAM	1k x 4	평행한	200ns
EPCS64SI16N	-	RFQ	9760	인텔	EPC	튜브	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C	표면 표면	16-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비)	EPCS64		확인	2.7V ~ 3.6V	16-	다운로드		3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		3A991B1B1	8542.32.0051	49		시스템 시스템		64MB
MR27C6435	70.6700	RFQ	1	인텔	27C64	대부분	활동적인	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	표면 표면	32-LCC	27C64	eprom -uv		4.5V ~ 5.5V	32-PLCC	다운로드	rohs 비준수	3 (168 시간)	공급 공급 정의되지 업체는		귀 99	8542.32.0061	1			비 비	64kbit	350 ns	eprom	8k x 8	평행한	-
P82C088	20.6600	RFQ	1	인텔	-	대부분	활동적인	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	구멍을 구멍을	48-DIP				4.5V ~ 5.5V	48-DIP	다운로드	적용 적용 수 할	3 (168 시간)	공급 공급 정의되지 업체는		귀 99	8542.39.0001	1										다이나믹 다이나믹 (DRAM)
EPCE16UC88	-	RFQ	4643	인텔	EPC	쟁반	쓸모없는	0 ° C ~ 70 ° C	표면 표면	88-LFBGA			확인되지 확인되지	3V ~ 3.6V	88-Ubga (11x8)	-		3 (168 시간)		973295	쓸모없는	0000.00.0000	105		시스템 시스템		16MB
RG82845	9.3400	RFQ	1	인텔	*	대부분	활동적인									-	적용 적용 수 할	3 (168 시간)	공급 공급 정의되지 업체는			0000.00.0000	360
F28F020-150	2.7500	RFQ	3	인텔	-	쟁반	활동적인		표면 표면			플래시 - 아니오		12V	32-tssop ts	-				3277-F28F020-150	귀 99	8542.32.0071	100			비 비	2mbit	70 ns	플래시	256k x 8	평행한			확인되지 확인되지
RC28F128P33T85A	6.4000	RFQ	39	인텔	Strataflash ™	쟁반	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TC)	표면 표면	64-TBGA	RC28F128	플래시 - 아니오		2.3V ~ 3.6V	64-EASYBGA (8x10)	다운로드	적용 적용 수 할				3A991B1A	8542.32.0051	1,800	52MHz		비 비	128mbit	85 ns	플래시	8m x 16	평행한	85ns
EPCQ512SI16N	-	RFQ	3094	인텔	EPCQ	튜브	sic에서 중단되었습니다	-40 ° C ~ 85 ° C	표면 표면	16-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비)			확인되지 확인되지	2.7V ~ 3.6V	16-	-	rohs 준수		영향을받지 영향을받지	974770	귀 99	8542.32.0051	49		시스템 시스템		512MB
EPC2TI32	-	RFQ	4692	인텔	EPC	쟁반	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C	표면 표면	32-TQFP	EPC2		확인	3V ~ 3.6V, 4.5V ~ 5.5V	32-TQFP (7x7)	다운로드	rohs 비준수	3 (168 시간)			귀 99	8542.32.0071	250		시스템 시스템		1.6MB
EPCS4SI8N	-	RFQ	5662	인텔	EPC	튜브	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	EPCS4		확인	2.7V ~ 3.6V	8-SOIC	다운로드		3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		3A991B1B1	8542.32.0071	100		시스템 시스템		4MB
RD28F1604C3TD70SB93	2.9400	RFQ	37	인텔	-	쟁반	쓸모없는	-25 ° C ~ 85 ° C (TC)	표면 표면	66-LFBGA, CSPBGA	RD28F1604	플래시, SRAM		2.7V ~ 3.3V	66-SCSP (8x12)	다운로드	rohs 비준수	3 (168 시간)		855158	귀 99	8542.32.0071	2			비 비, 휘발성	16mbit (플래시), 4mbit (RAM)	70 ns	플래시, 램	-	평행한	70ns
JG82865G	10.9500	RFQ	126	인텔	*	대부분	활동적인									-	적용 적용 수 할	3 (168 시간)	공급 공급 정의되지 업체는				1
EPC1PC8CC	-	RFQ	9587	인텔	EPC	튜브	쓸모없는	0 ° C ~ 70 ° C	구멍을 구멍을	8-DIP (0.300 ", 7.62mm)	EPC1		확인되지 확인되지	3V ~ 3.6V, 4.75V ~ 5.25V	8-PDIP	다운로드		1 (무제한)		974760	쓸모없는	0000.00.0000	1		OTP		1MB
EPC16QC100DM	-	RFQ	1365	인텔	EPC	튜브	쓸모없는	0 ° C ~ 70 ° C	표면 표면	100-bqfp			확인되지 확인되지	3V ~ 3.6V	100-PQFP (20x14)	다운로드		1 (무제한)		966946	쓸모없는	0000.00.0000	1		시스템 시스템		16MB
JG82865PE	3.0100	RFQ	19	인텔	*	대부분	활동적인									-	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지			0000.00.0000	360

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

메모리 (290)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²