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N02L63W3AB25IT AMI Semiconductor Inc. N02L63W3AB25IT 2.1800
RFQ
ECAD 2 0.00000000 AMI Semiconductor Inc. - 대부분 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-LFBGA N02L63 sram- 비동기 2.3V ~ 3.6V 48-BGA (6x8) 다운로드 Rohs3 준수 3A991B2A 8542.32.0041 2,500 휘발성 휘발성 2mbit 55 ns SRAM 128k x 16 평행한 55ns
N02L63W3AT25I AMI Semiconductor Inc. N02L63W3AT25I 2.1100
RFQ
ECAD 270 0.00000000 AMI Semiconductor Inc. - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 44-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) N02L63 sram- 비동기 2.3V ~ 3.6V 44-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3A991B2A 8542.32.0041 135 휘발성 휘발성 2mbit 55 ns SRAM 128k x 16 평행한 55ns
N04L63W2AB27I AMI Semiconductor Inc. N04L63W2AB27I 3.7400
RFQ
ECAD 410 0.00000000 AMI Semiconductor Inc. - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-LFBGA N04L63 sram- 비동기 2.3V ~ 3.6V 48-BGA (6x8) 다운로드 Rohs3 준수 3A991B2A 8542.32.0041 480 휘발성 휘발성 4mbit 70 ns SRAM 256k x 16 평행한 70ns
N02L63W3AB25I AMI Semiconductor Inc. N02L63W3AB25I 2.3000
RFQ
ECAD 480 0.00000000 AMI Semiconductor Inc. - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-LFBGA N02L63 sram- 비동기 2.3V ~ 3.6V 48-BGA (6x8) 다운로드 Rohs3 준수 3A991B2A 8542.32.0041 480 휘발성 휘발성 2mbit 55 ns SRAM 128k x 16 평행한 55ns
N01L63W3AT25I AMI Semiconductor Inc. N01L63W3AT25I 1.6400
RFQ
ECAD 270 0.00000000 AMI Semiconductor Inc. - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 44-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) N01L63 sram- 비동기 2.3V ~ 3.6V 44-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8542.32.0041 135 휘발성 휘발성 1mbit 55 ns SRAM 64k x 16 평행한 55ns
N02L83W2AT25I AMI Semiconductor Inc. N02L83W2AT25I 1.8400
RFQ
ECAD 312 0.00000000 AMI Semiconductor Inc. - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 32-LFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) N02L83 sram- 비동기 2.3V ~ 3.6V 32-tsop i 다운로드 Rohs3 준수 3A991B2A 8542.32.0041 156 휘발성 휘발성 2mbit 55 ns SRAM 256k x 8 평행한 55ns
N01L83W2AT25IT AMI Semiconductor Inc. N01L83W2AT25IT 1.4800
RFQ
ECAD 18 0.00000000 AMI Semiconductor Inc. - 대부분 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 32-LFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) N01L83 sram- 비동기 2.3V ~ 3.6V 32-tsop i 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8542.32.0041 1,000 휘발성 휘발성 1mbit 55 ns SRAM 128k x 8 평행한 55ns
N25S818HAT21I AMI Semiconductor Inc. N25S818HAT21I 1.4100
RFQ
ECAD 300 0.00000000 AMI Semiconductor Inc. - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) N25S818 SRAM 1.7V ~ 1.95V 8-tssop 다운로드 귀 99 8542.32.0041 213 16MHz 휘발성 휘발성 256kbit SRAM 32k x 8 SPI - 확인되지 확인되지
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고