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71V016SA20YI IDT, Integrated Device Technology Inc 71V016SA20YI 1.0700
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ECAD 288 0.00000000 idt, 장치 통합 기술 in inc - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 44-BSOJ (0.400 ", 10.16mm 너비) 71V016 sram- 비동기 3V ~ 3.6V 44-SOJ 다운로드 rohs 비준수 3 (168 시간) 영향을받습니다 3A991B2B 8542.32.0041 1 휘발성 휘발성 1mbit 20 ns SRAM 64k x 16 평행한 20ns
71V124SA15YI IDT, Integrated Device Technology Inc 71V124SA15YI 1.6600
RFQ
ECAD 437 0.00000000 idt, 장치 통합 기술 in inc - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 32-BSOJ (0.400 ", 10.16mm 너비) 71V124 sram- 비동기 3V ~ 3.6V 32-SOJ 다운로드 rohs 비준수 3 (168 시간) 영향을받습니다 3A991B2B 8542.32.0041 1 휘발성 휘발성 1mbit 15 ns SRAM 128k x 8 평행한 15ns
71V321L35JGI IDT, Integrated Device Technology Inc 71V321L35JGI -
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ECAD 3576 0.00000000 idt, 장치 통합 기술 in inc - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 52-LCC (J-Lead) 71V321L sram-이중-, 비동기 3V ~ 3.6V 52-PLCC (19.13x19.13) 다운로드 귀 99 8542.32.0041 1 휘발성 휘발성 16kbit 35 ns SRAM 2k x 8 평행한 35ns
71V416S12PHI IDT, Integrated Device Technology Inc 71V416S12PHI -
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ECAD 5412 0.00000000 idt, 장치 통합 기술 in inc - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 44-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) 71V416S sram- 비동기 3V ~ 3.6V 44-TSOP II 다운로드 rohs 비준수 3 (168 시간) 영향을받습니다 3A991B2A 8542.32.0041 1 휘발성 휘발성 4mbit 12 ns SRAM 256k x 16 평행한 12ns
71V3558XS133PFGI IDT, Integrated Device Technology Inc 71V3558XS133PFGI 1.5000
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ECAD 2 0.00000000 idt, 장치 통합 기술 in inc - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 100-lqfp 71v3558 SRAM- 동기, SDR (ZBT) 3.135V ~ 3.465V 100-TQFP (14x14) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 공급 공급 정의되지 업체는 3A991B2A 8542.32.0041 1 133 MHz 휘발성 휘발성 4.5mbit 4.2 ns SRAM 256k x 18 평행한 -
71V2576S150PFI IDT, Integrated Device Technology Inc 71V2576S150pfi -
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ECAD 4540 0.00000000 idt, 장치 통합 기술 in inc - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 100-lqfp 71V2576 sram-동기, sdr 3.135V ~ 3.465V 100-TQFP (14x14) 다운로드 rohs 비준수 3 (168 시간) 영향을받습니다 3A991B2A 8542.32.0041 1 150MHz 휘발성 휘발성 4.5mbit 3.8 ns SRAM 128k x 36 평행한 -
71V67703S85BQI IDT, Integrated Device Technology Inc 71V67703S85BQI 29.1800
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ECAD 28 0.00000000 idt, 장치 통합 기술 in inc - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 165-TBGA 71V67703 sram-동기, sdr 3.135V ~ 3.465V 165-Cabga (13x15) 다운로드 3A991B2A 8542.32.0041 1 87 MHz 휘발성 휘발성 9mbit 8.5 ns SRAM 256k x 36 평행한 -
71016S20YGI IDT, Integrated Device Technology Inc 71016S20ygi 2.0100
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ECAD 8408 0.00000000 idt, 장치 통합 기술 in inc - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 44-BSOJ (0.400 ", 10.16mm 너비) 71016S sram- 비동기 4.5V ~ 5.5V 44-SOJ 다운로드 3A991B2B 8542.32.0041 1 휘발성 휘발성 1mbit 20 ns SRAM 64k x 16 평행한 20ns
71V67602S150PFG IDT, Integrated Device Technology Inc 71V67602S150PFG -
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ECAD 5142 0.00000000 idt, 장치 통합 기술 in inc - 대부분 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 100-lqfp 71V67602 sram-동기, sdr 3.135V ~ 3.465V 100-TQFP (14x14) 다운로드 3A991B2A 8542.32.0041 1 150MHz 휘발성 휘발성 9mbit 3.8 ns SRAM 256k x 36 평행한 -
71V3577S80PFGI IDT, Integrated Device Technology Inc 71V3577S80PFGI 8.0900
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ECAD 172 0.00000000 idt, 장치 통합 기술 in inc - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 100-lqfp 71V3577 sram-동기, sdr 3.135V ~ 3.465V 100-TQFP (14x14) 다운로드 3A991B2A 8542.32.0041 1 100MHz 휘발성 휘발성 4.5mbit 8 ns SRAM 128k x 36 평행한 -
71V3578S133PFG IDT, Integrated Device Technology Inc 71V3578S133PFG 7.6600
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ECAD 564 0.00000000 idt, 장치 통합 기술 in inc - 대부분 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 100-lqfp 71v3578 sram-동기, sdr 3.135V ~ 3.465V 100-TQFP (14x14) 다운로드 3A991B2A 8542.32.0041 1 133 MHz 휘발성 휘발성 4.5mbit 4.2 ns SRAM 256k x 18 평행한 -
71V546S133PFG IDT, Integrated Device Technology Inc 71V546S133PFG 7.6600
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ECAD 10 0.00000000 idt, 장치 통합 기술 in inc - 대부분 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 100-lqfp 71v546 SRAM- 동기, SDR (ZBT) 3.135V ~ 3.465V 100-TQFP (14x14) 다운로드 3A991B2A 8542.32.0041 1 133 MHz 휘발성 휘발성 4.5mbit 4.2 ns SRAM 128k x 36 평행한 -
71V3557S75BGG IDT, Integrated Device Technology Inc 71V3557S75BGG -
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ECAD 2764 0.00000000 idt, 장치 통합 기술 in inc - 대부분 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 119-bga 71v3557 SRAM- 동기, SDR (ZBT) 3.135V ~ 3.465V 119-PBGA (14x22) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 1 휘발성 휘발성 4.5mbit 7.5 ns SRAM 128k x 36 평행한 -
71V321L25TF IDT, Integrated Device Technology Inc 71V321L25TF -
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ECAD 6687 0.00000000 idt, 장치 통합 기술 in inc - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 64-LQFP 71V321L sram-이중-, 비동기 3V ~ 3.6V 64-TQFP (10x10) 다운로드 rohs 비준수 귀 99 8542.32.0041 40 휘발성 휘발성 16kbit 25 ns SRAM 2k x 8 평행한 25ns
71V65803S100PFG IDT, Integrated Device Technology Inc 71V65803S100pfg 19.8800
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ECAD 34 0.00000000 idt, 장치 통합 기술 in inc - 대부분 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 100-lqfp 71V65803 SRAM- 동기, SDR (ZBT) 3.135V ~ 3.465V 100-TQFP (14x14) 다운로드 3A991B2A 8542.32.0041 1 100MHz 휘발성 휘발성 9mbit 5 ns SRAM 512k x 18 평행한 -
7164L25YGI IDT, Integrated Device Technology Inc 7164l25ygi 4.1900
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ECAD 322 0.00000000 idt, 장치 통합 기술 in inc - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 28-BSOJ (0.300 ", 7.62mm 너비) 7164L sram- 비동기 4.5V ~ 5.5V 28-SOJ 다운로드 귀 99 8542.32.0041 1 휘발성 휘발성 64kbit 25 ns SRAM 8k x 8 평행한 25ns
71V3559S75PF IDT, Integrated Device Technology Inc 71V3559S75pf -
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ECAD 2755 0.00000000 idt, 장치 통합 기술 in inc - 대부분 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 100-lqfp 71V3559 SRAM- 동기, SDR (ZBT) 3.135V ~ 3.465V 100-TQFP (14x14) 다운로드 rohs 비준수 3 (168 시간) 영향을받습니다 3A991B2A 8542.32.0041 1 휘발성 휘발성 4.5mbit 7.5 ns SRAM 256k x 18 평행한 -
71256SA15YI IDT, Integrated Device Technology Inc 71256SA15YI -
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ECAD 8772 0.00000000 idt, 장치 통합 기술 in inc - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 28-BSOJ (0.300 ", 7.62mm 너비) 71256SA sram- 비동기 4.5V ~ 5.5V 28-SOJ 다운로드 rohs 비준수 3 (168 시간) 영향을받습니다 귀 99 8542.32.0041 1 휘발성 휘발성 256kbit 15 ns SRAM 32k x 8 평행한 15ns
71V124SA15TY IDT, Integrated Device Technology Inc 71V124SA15TY 1.6000
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ECAD 643 0.00000000 idt, 장치 통합 기술 in inc - 대부분 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 32-BSOJ (0.300 ", 7.62mm 너비) 71V124 sram- 비동기 3V ~ 3.6V 32-SOJ 다운로드 rohs 비준수 3 (168 시간) 영향을받습니다 3A991B2B 8542.32.0041 1 휘발성 휘발성 1mbit 15 ns SRAM 128k x 8 평행한 15ns
71P74604S200BQ IDT, Integrated Device Technology Inc 71p74604S200BQ 6.6800
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ECAD 389 0.00000000 idt, 장치 통합 기술 in inc - 대부분 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 165-TBGA 71p74 SRAM-동기, QDR II 1.7V ~ 1.9V 165-Cabga (13x15) 다운로드 rohs 비준수 3 (168 시간) 영향을받습니다 3A991B2A 8542.32.0041 1 200MHz 휘발성 휘발성 18mbit 8.4 ns SRAM 512k x 36 평행한 -
7164L25DB IDT, Integrated Device Technology Inc 7164L25dB -
RFQ
ECAD 7568 0.00000000 idt, 장치 통합 기술 in inc - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 125 ° C (TA) 구멍을 구멍을 28-CDIP (0.600 ", 15.24mm) 7164L sram- 비동기 4.5V ~ 5.5V 28-cdip 다운로드 3A001A2C 8542.32.0041 1 휘발성 휘발성 64kbit 25 ns SRAM 8k x 8 평행한 25ns
71V67802S166PF IDT, Integrated Device Technology Inc 71V67802S166PF 6.0000
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ECAD 293 0.00000000 idt, 장치 통합 기술 in inc - 대부분 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 100-lqfp 71V67802 sram-동기, sdr 3.135V ~ 3.465V 100-TQFP (14x14) 다운로드 rohs 비준수 3 (168 시간) 영향을받습니다 3A991B2A 8542.32.0041 1 166 MHz 휘발성 휘발성 9mbit 3.5 ns SRAM 512k x 18 평행한 -
71V3577S75BG IDT, Integrated Device Technology Inc 71V3577S75BG 8.6800
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ECAD 5324 0.00000000 idt, 장치 통합 기술 in inc - 대부분 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 119-bga 71V3577 sram-동기, sdr 3.135V ~ 3.465V 119-PBGA (14x22) 다운로드 3A991B2A 8542.32.0041 1 117 MHz 휘발성 휘발성 4.5mbit 7.5 ns SRAM 128k x 36 평행한 -
71V416L10BEGI IDT, Integrated Device Technology Inc 71V416L10BEGI 2.6600
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ECAD 122 0.00000000 idt, 장치 통합 기술 in inc - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-TFBGA 71v416L sram- 비동기 3V ~ 3.6V 48-Cabga (9x9) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 공급 공급 정의되지 업체는 3A991B2A 8542.32.0041 1 휘발성 휘발성 4mbit 10 ns SRAM 256k x 16 평행한 10ns
71V35761S200BGG IDT, Integrated Device Technology Inc 71V35761S200BGG -
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ECAD 7196 0.00000000 idt, 장치 통합 기술 in inc - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 119-bga 71V35761S sram-동기, sdr 3.135V ~ 3.465V 119-PBGA (14x22) 다운로드 Rohs3 준수 3A991B2A 8542.32.0041 84 200MHz 휘발성 휘발성 4.5mbit 3.1 ns SRAM 128k x 36 평행한 -
71V3556SA166BGGI IDT, Integrated Device Technology Inc 71V3556SA166BGGI 12.0500
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ECAD 458 0.00000000 idt, 장치 통합 기술 in inc - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 119-bga 71v3556 SRAM- 동기, SDR (ZBT) 3.135V ~ 3.465V 119-PBGA (14x22) 다운로드 3A991B2A 8542.32.0041 1 166 MHz 휘발성 휘발성 4.5mbit 3.5 ns SRAM 128k x 36 평행한 -
71V67903S85BQI IDT, Integrated Device Technology Inc 71V67903S85BQI 29.1800
RFQ
ECAD 294 0.00000000 idt, 장치 통합 기술 in inc - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 165-TBGA 71V67903 sram-동기, sdr 3.135V ~ 3.465V 165-Cabga (13x15) 다운로드 3A991B2A 8542.32.0041 1 87 MHz 휘발성 휘발성 9mbit 8.5 ns SRAM 512k x 18 평행한 -
71V67803S150PFG IDT, Integrated Device Technology Inc 71V67803S150PFG 14.8000
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ECAD 28 0.00000000 idt, 장치 통합 기술 in inc - 대부분 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 100-lqfp 71v67803 sram-동기, sdr 3.135V ~ 3.465V 100-TQFP (14x14) 다운로드 3A991B2A 8542.32.0041 1 150MHz 휘발성 휘발성 9mbit 3.8 ns SRAM 512k x 18 평행한 -
71256L25YGI IDT, Integrated Device Technology Inc 71256L25YGI -
RFQ
ECAD 6415 0.00000000 idt, 장치 통합 기술 in inc - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 28-BSOJ (0.300 ", 7.62mm 너비) 71256L sram- 비동기 4.5V ~ 5.5V 28-SOJ 다운로드 귀 99 8542.32.0041 1 휘발성 휘발성 256kbit 25 ns SRAM 32k x 8 평행한 25ns
7164S25PDG IDT, Integrated Device Technology Inc 7164S25pdg -
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ECAD 5068 0.00000000 idt, 장치 통합 기술 in inc - 대부분 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 7164S sram- 비동기 4.5V ~ 5.5V 다운로드 적용 적용 수 할 3 (168 시간) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8542.32.0041 1 휘발성 휘발성 64kbit 25 ns SRAM 8k x 8 평행한 25ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고