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71V016SA20PHGI IDT, Integrated Device Technology Inc 71V016SA20PHGI -
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ECAD 3658 0.00000000 idt, 장치 통합 기술 in inc - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 44-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) 71V016 sram- 비동기 3V ~ 3.6V 44-TSOP II 다운로드 3A991B2B 8542.32.0041 1 휘발성 휘발성 1mbit 20 ns SRAM 64k x 16 평행한 20ns
7164S25YGI IDT, Integrated Device Technology Inc 7164S25YGI 4.0000
RFQ
ECAD 2843 0.00000000 idt, 장치 통합 기술 in inc - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 28-BSOJ (0.300 ", 7.62mm 너비) 7164S sram- 비동기 4.5V ~ 5.5V 28-SOJ 다운로드 귀 99 8542.32.0041 1 휘발성 휘발성 64kbit 25 ns SRAM 8k x 8 평행한 25ns
71016S12PHI IDT, Integrated Device Technology Inc 71016S12PHI -
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ECAD 3951 0.00000000 idt, 장치 통합 기술 in inc - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 44-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) 71016S sram- 비동기 4.5V ~ 5.5V 44-TSOP II 다운로드 rohs 비준수 3 (168 시간) 영향을받습니다 귀 99 8542.32.0041 1 휘발성 휘발성 1mbit 12 ns SRAM 64k x 16 평행한 12ns
71V124SA12PH IDT, Integrated Device Technology Inc 71V124SA12PH -
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ECAD 9815 0.00000000 idt, 장치 통합 기술 in inc - 대부분 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 32-Soic (0.400 ", 10.16mm 너비) 71V124 sram- 비동기 3V ~ 3.6V 32-TSSOP II 다운로드 rohs 비준수 3 (168 시간) 영향을받습니다 3A991B2B 8542.32.0041 1 휘발성 휘발성 1mbit 12 ns SRAM 128k x 8 평행한 12ns
71V3556S166PFG IDT, Integrated Device Technology Inc 71V3556S166PFG 7.9600
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ECAD 3 0.00000000 idt, 장치 통합 기술 in inc - 대부분 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 100-lqfp 71v3556 SRAM- 동기, SDR (ZBT) 3.135V ~ 3.465V 100-TQFP (14x14) 다운로드 3A991B2A 8542.32.0041 1 166 MHz 휘발성 휘발성 4.5mbit 3.5 ns SRAM 128k x 36 평행한 -
71V3577S75BQG IDT, Integrated Device Technology Inc 71V3577S75BQG 8.6800
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ECAD 259 0.00000000 idt, 장치 통합 기술 in inc - 대부분 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 165-TBGA 71V3577 sram-동기, sdr 3.135V ~ 3.465V 165-Cabga (13x15) 다운로드 3A991B2A 8542.32.0041 1 117 MHz 휘발성 휘발성 4.5mbit 7.5 ns SRAM 128k x 36 평행한 -
71V65603S100BGI IDT, Integrated Device Technology Inc 71V65603S100BGI 29.1800
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ECAD 181 0.00000000 idt, 장치 통합 기술 in inc - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 119-bga 71V65603 SRAM- 동기, SDR (ZBT) 3.135V ~ 3.465V 119-PBGA (14x22) 다운로드 3A991B2A 8542.32.0041 1 100MHz 휘발성 휘발성 9mbit 5 ns SRAM 256k x 36 평행한 -
71V3559S80BQI IDT, Integrated Device Technology Inc 71V3559S80BQI 10.8200
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ECAD 746 0.00000000 idt, 장치 통합 기술 in inc - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 165-TBGA 71V3559 SRAM- 동기, SDR (ZBT) 3.135V ~ 3.465V 165-Cabga (13x15) 다운로드 3A991B2A 8542.32.0041 1 휘발성 휘발성 4.5mbit 8 ns SRAM 256k x 18 평행한 -
71V321S35J IDT, Integrated Device Technology Inc 71V321S35J -
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ECAD 3453 0.00000000 idt, 장치 통합 기술 in inc - 튜브 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 52-LCC (J-Lead) 71v321s sram-이중-, 비동기 3V ~ 3.6V 52-PLCC (19.13x19.13) 다운로드 rohs 비준수 귀 99 8542.32.0041 24 휘발성 휘발성 16kbit 35 ns SRAM 2k x 8 평행한 35ns
71V3558S200PF IDT, Integrated Device Technology Inc 71V3558S200pf -
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ECAD 3499 0.00000000 idt, 장치 통합 기술 in inc - 대부분 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 100-lqfp 71v3558 SRAM- 동기, SDR (ZBT) 3.135V ~ 3.465V 100-TQFP (14x14) 다운로드 rohs 비준수 3 (168 시간) 영향을받습니다 3A991B2A 8542.32.0041 1 200MHz 휘발성 휘발성 4.5mbit 3.2 ns SRAM 256k x 18 평행한 -
71V416L10BEI IDT, Integrated Device Technology Inc 71V416L10BEI 2.6600
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ECAD 1 0.00000000 idt, 장치 통합 기술 in inc - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-TFBGA 71v416L sram- 비동기 3V ~ 3.6V 48-Cabga (9x9) 다운로드 rohs 비준수 4 (72 시간) 영향을받습니다 3A991B2A 8542.32.0041 1 휘발성 휘발성 4mbit 10 ns SRAM 256k x 16 평행한 10ns
71V547XS100PFG IDT, Integrated Device Technology Inc 71V547XS100PFG 1.6600
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ECAD 238 0.00000000 idt, 장치 통합 기술 in inc - 대부분 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 100-lqfp 71v547 SRAM- 동기, SDR (ZBT) 3.135V ~ 3.465V 100-TQFP (14x14) - 적용 적용 수 할 3 (168 시간) 공급 공급 정의되지 업체는 3A991B2A 8542.32.0041 1 휘발성 휘발성 4.5mbit 10 ns SRAM 128k x 36 평행한 -
71V3577S85PFG IDT, Integrated Device Technology Inc 71V3577S85PFG 6.8200
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ECAD 4 0.00000000 idt, 장치 통합 기술 in inc - 대부분 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 100-lqfp 71V3577 sram-동기, sdr 3.135V ~ 3.465V 100-TQFP (14x14) 다운로드 3A991B2A 8542.32.0041 1 87 MHz 휘발성 휘발성 4.5mbit 8.5 ns SRAM 128k x 36 평행한 -
71V35761S200BQ IDT, Integrated Device Technology Inc 71V35761S200BQ -
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ECAD 5573 0.00000000 idt, 장치 통합 기술 in inc - 대부분 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 165-TBGA 71V35761S sram-동기, sdr 3.135V ~ 3.465V 165-Cabga (13x15) 다운로드 rohs 비준수 3 (168 시간) 영향을받습니다 3A991B2A 8542.32.0041 1 200MHz 휘발성 휘발성 4.5mbit 3.1 ns SRAM 128k x 36 평행한 -
71V65903S85BQ IDT, Integrated Device Technology Inc 71V65903S85BQ 26.6900
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ECAD 21 0.00000000 idt, 장치 통합 기술 in inc - 대부분 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 165-TBGA 71V65903 SRAM- 동기, SDR (ZBT) 3.135V ~ 3.465V 165-Cabga (13x15) 다운로드 3A991B2A 8542.32.0041 1 휘발성 휘발성 9mbit 8.5 ns SRAM 512k x 18 평행한 -
71V3559S75PFGI IDT, Integrated Device Technology Inc 71V3559S75PFGI 2.0100
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ECAD 262 0.00000000 idt, 장치 통합 기술 in inc - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 100-lqfp 71V3559 SRAM- 동기, SDR (ZBT) 3.135V ~ 3.465V 100-TQFP (14x14) 다운로드 Rohs3 준수 3A991B2A 8542.32.0041 72 휘발성 휘발성 4.5mbit 7.5 ns SRAM 256k x 18 평행한 -
71T75902S75BGG IDT, Integrated Device Technology Inc 71T75902S75BGG 55.7200
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ECAD 2062 0.00000000 idt, 장치 통합 기술 in inc - 대부분 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 119-bga 71T75902 SRAM- 동기, SDR (ZBT) 2.375V ~ 2.625V 119-PBGA (14x22) 다운로드 3A991B2A 8542.32.0041 4 휘발성 휘발성 18mbit 7.5 ns SRAM 1m x 18 평행한 -
71V65903S80PFI IDT, Integrated Device Technology Inc 71V65903S80pfi 6.0000
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ECAD 155 0.00000000 idt, 장치 통합 기술 in inc - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 100-lqfp 71V65903 SRAM- 동기, SDR (ZBT) 3.135V ~ 3.465V 100-TQFP (14x14) 다운로드 rohs 비준수 3 (168 시간) 영향을받습니다 3A991B2A 8542.32.0041 1 휘발성 휘발성 9mbit 8 ns SRAM 512k x 18 평행한 -
71T75902S75BG IDT, Integrated Device Technology Inc 71T75902S75BG 44.5700
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ECAD 14 0.00000000 idt, 장치 통합 기술 in inc - 대부분 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 119-bga 71T75902 SRAM- 동기, SDR (ZBT) 2.375V ~ 2.625V 119-PBGA (14x22) 다운로드 3A991B2A 8542.32.0041 1 휘발성 휘발성 18mbit 7.5 ns SRAM 1m x 18 평행한 -
71V3579YS85PFG IDT, Integrated Device Technology Inc 71v3579ys85pfg 2.0100
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ECAD 959 0.00000000 idt, 장치 통합 기술 in inc - 대부분 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 100-lqfp 71V3579 sram-동기, sdr 3.135V ~ 3.465V 100-TQFP (14x14) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 1 휘발성 휘발성 4.5mbit 8.5 ns SRAM 256k x 18 평행한 -
71V016SA12BFGI IDT, Integrated Device Technology Inc 71V016SA12BFGI 5.2700
RFQ
ECAD 3 0.00000000 idt, 장치 통합 기술 in inc - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-LFBGA 71V016 sram- 비동기 3V ~ 3.6V 48-Cabga (7x7) 다운로드 3A991B2B 8542.32.0041 1 휘발성 휘발성 1mbit 12 ns SRAM 64k x 16 평행한 12ns
71T75802S166PFI IDT, Integrated Device Technology Inc 71T75802S166PFI -
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ECAD 2091 0.00000000 idt, 장치 통합 기술 in inc - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 100-lqfp 71T75802 SRAM- 동기, SDR (ZBT) 2.375V ~ 2.625V 100-TQFP (14x14) 다운로드 rohs 비준수 3 (168 시간) 영향을받습니다 3A991B2A 8542.32.0041 1 166 MHz 휘발성 휘발성 18mbit 3.5 ns SRAM 1m x 18 평행한 -
71016S15Y IDT, Integrated Device Technology Inc 71016S15Y -
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ECAD 9679 0.00000000 idt, 장치 통합 기술 in inc - 대부분 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 44-BSOJ (0.400 ", 10.16mm 너비) 71016S sram- 비동기 4.5V ~ 5.5V 44-SOJ 다운로드 rohs 비준수 3 (168 시간) 영향을받습니다 귀 99 8542.32.0041 1 휘발성 휘발성 1mbit 15 ns SRAM 64k x 16 평행한 15ns
71016S20PHI IDT, Integrated Device Technology Inc 71016S20PHI 1.5100
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ECAD 4436 0.00000000 idt, 장치 통합 기술 in inc - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 44-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) 71016S sram- 비동기 4.5V ~ 5.5V 44-TSOP II 다운로드 rohs 비준수 3 (168 시간) 영향을받습니다 귀 99 8542.32.0041 1 휘발성 휘발성 1mbit 20 ns SRAM 64k x 16 평행한 20ns
71V67603S133PFI IDT, Integrated Device Technology Inc 71V67603S133PFI -
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ECAD 1523 0.00000000 idt, 장치 통합 기술 in inc - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 100-lqfp 71V67603 sram-동기, sdr 3.135V ~ 3.465V 100-TQFP (14x14) 다운로드 rohs 비준수 3 (168 시간) 영향을받습니다 3A991B2A 8542.32.0041 1 133 MHz 휘발성 휘발성 9mbit 4.2 ns SRAM 256k x 36 평행한 -
71T75602S166BGI IDT, Integrated Device Technology Inc 71T75602S166BGI 46.5600
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ECAD 17 0.00000000 idt, 장치 통합 기술 in inc - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 119-bga 71T75602 SRAM- 동기, SDR (ZBT) 2.375V ~ 2.625V 119-PBGA (14x22) 다운로드 3A991B2A 8542.32.0041 1 166 MHz 휘발성 휘발성 18mbit 3.5 ns SRAM 512k x 36 평행한 -
71T75602S100BG IDT, Integrated Device Technology Inc 71T75602S100BG 42.2200
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ECAD 132 0.00000000 idt, 장치 통합 기술 in inc - 대부분 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 119-bga 71T75602 SRAM- 동기, SDR (ZBT) 2.375V ~ 2.625V 119-PBGA (14x22) 다운로드 3A991B2A 8542.32.0041 1 100MHz 휘발성 휘발성 18mbit 5 ns SRAM 512k x 36 평행한 -
71V3557S85BG IDT, Integrated Device Technology Inc 71V3557S85BG 10.1900
RFQ
ECAD 817 0.00000000 idt, 장치 통합 기술 in inc - 대부분 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 119-bga 71v3557 SRAM- 동기, SDR (ZBT) 3.135V ~ 3.465V 119-PBGA (14x22) 다운로드 3A991B2A 8542.32.0041 1 휘발성 휘발성 4.5mbit 8.5 ns SRAM 128k x 36 평행한 -
71V256SA10PZ IDT, Integrated Device Technology Inc 71V256SA10PZ -
RFQ
ECAD 7474 0.00000000 idt, 장치 통합 기술 in inc - 대부분 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 28-TSSOP (0.465 ", 11.80mm 너비) 71V256 sram- 비동기 3V ~ 3.6V 28-tsop 다운로드 rohs 비준수 3 (168 시간) 영향을받습니다 귀 99 8542.32.0041 1 휘발성 휘발성 256kbit 10 ns SRAM 32k x 8 평행한 10ns
71T75602S166BGG IDT, Integrated Device Technology Inc 71T75602S166BGG 44.5700
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ECAD 11 0.00000000 idt, 장치 통합 기술 in inc - 대부분 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 119-bga 71T75602 SRAM- 동기, SDR (ZBT) 2.375V ~ 2.625V 119-PBGA (14x22) 다운로드 3A991B2A 8542.32.0041 1 166 MHz 휘발성 휘발성 18mbit 3.5 ns SRAM 512k x 36 평행한 -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고