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CY7C25682KV18-550BZXC Cypress Semiconductor Corp Cy7C25682KV18-550BZXC 355.5400
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ECAD 96 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp - 대부분 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 165-lbga Cy7c25682 SRAM-동기, DDR II+ 1.7V ~ 1.9V 165-FBGA (13x15) 다운로드 1 550MHz 휘발성 휘발성 72mbit SRAM 4m x 18 평행한 - 확인되지 확인되지
CY7C09389V-9AXI Cypress Semiconductor Corp cy7c09389v-9axi -
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ECAD 9291 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 100-lqfp Cy7c09389 sram-듀얼-, 동기 3V ~ 3.6V 100-TQFP (14x14) 다운로드 Rohs3 준수 3A991B2A 8542.32.0041 90 67 MHz 휘발성 휘발성 1.152mbit 9 ns SRAM 64k x 18 평행한 - 확인되지 확인되지
S34ML02G200TFI003 Cypress Semiconductor Corp S34ML02G200TFI003 -
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ECAD 6858 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp ML-2 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) S34ML02 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 48-tsop 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 비 비 2gbit 플래시 256m x 8 평행한 25ns
CY7C1353S-100AXC Cypress Semiconductor Corp Cy7C1353S-100AXC 6.3300
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ECAD 3 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp - 가방 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 100-lqfp Cy7c1353 sram-동기, sdr 3.135V ~ 3.465V 100-TQFP (14x14) - 적용 적용 수 할 3A991B2A 48 100MHz 휘발성 휘발성 4.5mbit 8 ns SRAM 256k x 18 평행한 - 확인되지 확인되지
S34MS01G200GHI000 Cypress Semiconductor Corp S34MS01G200GHI000 -
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ECAD 9978 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp MS-2 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 67-VFBGA S34MS01 플래시 - NAND 1.7V ~ 1.95V 67-BGA (8x6.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 260 비 비 1gbit 45 ns 플래시 128m x 8 평행한 45ns
CY7C25632KV18-400BZXI Cypress Semiconductor Corp cy7c25632kv18-400bzxi 288.5900
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ECAD 82 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 165-lbga Cy7c25632 SRAM-동기, QDR II+ 1.7V ~ 1.9V 165-FBGA (13x15) 다운로드 2 400MHz 휘발성 휘발성 72mbit SRAM 4m x 18 평행한 - 확인되지 확인되지
CY62126DV30L-55ZSXE Cypress Semiconductor Corp Cy62126DV30L-55ZSXE 4.0700
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ECAD 1 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp Mobl® 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 44-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) Cy62126 sram- 비동기 2.2V ~ 3.6V 44-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8542.32.0041 74 휘발성 휘발성 1mbit 55 ns SRAM 64k x 16 평행한 55ns 확인되지 확인되지
S34ML02G104TFA010 Cypress Semiconductor Corp S34ML02G104TFA010 -
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ECAD 4917 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp ML-1 쟁반 sic에서 중단되었습니다 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) S34ML02 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 48-tsop 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 96 비 비 2gbit 플래시 128m x 16 평행한 25ns
S25FS256SDSBHI300 Cypress Semiconductor Corp S25FS256SDSBHI300 10.5100
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ECAD 1 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp FS-S 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 24-TBGA S25FS256 플래시 - 아니오 1.7V ~ 2V 24-BGA (6x8) 다운로드 48 80MHz 비 비 256mbit 플래시 32m x 8 spi-쿼드 i/o, qpi - 확인되지 확인되지
CY7C1418UV18-250BZXC Cypress Semiconductor Corp cy7c1418uv18-250bzxc 70.2100
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ECAD 408 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 165-lbga Cy7c1418 SRAM-동기, DDR II 1.7V ~ 1.9V 165-FBGA (13x15) - 적용 적용 수 할 3A991B2A 105 250MHz 휘발성 휘발성 36mbit SRAM 2m x 18 평행한 - 확인되지 확인되지
S34MS01G204TFI013 Cypress Semiconductor Corp S34MS01G204TFI013 -
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ECAD 3555 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp MS-2 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) S34MS01 플래시 - NAND 1.7V ~ 1.95V 48-tsop 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 비 비 1gbit 45 ns 플래시 64m x 16 평행한 45ns
CY7C0831AV-133BBI Cypress Semiconductor Corp cy7c0831av-133bbi 158.3900
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ECAD 177 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 144-lbga Cy7c0831 sram-듀얼-, 동기 3.135V ~ 3.465V 144-FBGA (13x13) 다운로드 rohs 비준수 3 (168 시간) 영향을받습니다 3A991B2A 8542.32.0041 1 133 MHz 휘발성 휘발성 2mbit SRAM 128k x 18 평행한 -
CY7C1334-50AC Cypress Semiconductor Corp Cy7C1334-50AC 4.0000
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ECAD 3 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp - 대부분 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 100-lqfp Cy7c1334 sram-동기, sdr 3.15V ~ 3.6V 100-TQFP (14x20) 다운로드 rohs 비준수 3 (168 시간) 영향을받습니다 3A991B2A 8542.32.0041 1 50MHz 휘발성 휘발성 2mbit 10 ns SRAM 64k x 32 평행한 -
S29GL01GS12DHIV10 Cypress Semiconductor Corp S29GL01GS12DHIV10 17.3400
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ECAD 158 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp GL-S 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 64-lbga S29GL01 플래시 - 아니오 1.65V ~ 3.6V 64-FBGA (9x9) 다운로드 29 비 비 1gbit 120 ns 플래시 64m x 16 평행한 60ns 확인되지 확인되지
CY7C1049CV33-15ZC Cypress Semiconductor Corp cy7c1049cv33-15zc 3.4000
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ECAD 381 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp - 대부분 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 44-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) cy7c1049 sram- 비동기 3V ~ 3.6V 44-TSOP II 다운로드 rohs 비준수 3 (168 시간) 영향을받습니다 3A991B2A 8542.32.0041 1 휘발성 휘발성 4mbit 15 ns SRAM 512k x 8 평행한 15ns
S25FL116K0XMFI041 Cypress Semiconductor Corp S25FL116K0XMFI041 -
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ECAD 5892 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp FL1-K 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) S25FL116 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 2832-S25FL116K0XMFI041 97 108 MHz 비 비 16mbit 플래시 2m x 8 spi-쿼드 i/o 3ms 확인되지 확인되지
CYD09S18V18-167BBXC Cypress Semiconductor Corp Cyd09S18V18-167BBXC 150.2200
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ECAD 171 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 256-lbga Cyd09S18 sram-듀얼-, 동기 1.42V ~ 1.58V, 1.7V ~ 1.9V 256-FBGA (17x17) 다운로드 Rohs3 준수 3A991B2A 8542.32.0041 2 167 MHz 휘발성 휘발성 9mbit 4 ns SRAM 512k x 18 평행한 - 확인되지 확인되지
CY62147EV18LL-45BVXI Cypress Semiconductor Corp cy62147ev18ll-45bvxi 2.7100
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ECAD 2 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp Mobl® 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-VFBGA Cy62147 sram- 비동기 1.65V ~ 2.25V 48-VFBGA (6x8) 다운로드 Rohs3 준수 3A991B2A 8542.32.0041 111 휘발성 휘발성 4mbit 45 ns SRAM 256k x 16 평행한 45ns 확인되지 확인되지
S25FL128SAGMFI010 Cypress Semiconductor Corp S25FL128SAGMFI010 -
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ECAD 5947 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp FL-S 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 16-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비) S25FL128 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 16- 다운로드 1 133 MHz 비 비 128mbit 플래시 16m x 8 spi-쿼드 i/o - 확인
CY62157DV20L-5BVI Cypress Semiconductor Corp Cy62157DV20L-5BVI -
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ECAD 2140 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp * 대부분 활동적인 - 적용 적용 수 할 3 (168 시간) 공급 공급 정의되지 업체는 1
CY7C1470V25-200BZXC Cypress Semiconductor Corp CY7C1470V25-200BZXC -
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ECAD 8310 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp Nobl ™ 대부분 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 165-lbga Cy7c1470 sram-동기, sdr 2.375V ~ 2.625V 165-FBGA (15x17) 다운로드 1 200MHz 휘발성 휘발성 72mbit 3 ns SRAM 2m x 36 평행한 - 확인되지 확인되지
CY7C1520KV18-333BZXC Cypress Semiconductor Corp cy7c1520kv18-333bzxc 157.6000
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ECAD 4 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp - 대부분 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 165-lbga Cy7c1520 SRAM-동기, DDR II 1.7V ~ 1.9V 165-FBGA (13x15) 다운로드 2 333 MHz 휘발성 휘발성 72mbit SRAM 2m x 36 평행한 - 확인되지 확인되지
S34ML04G200BHV003 Cypress Semiconductor Corp S34ML04G200BHV003 -
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ECAD 8284 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp ML-2 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 63-VFBGA S34ML04 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 63-BGA (11x9) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 2,300 비 비 4gbit 플래시 512m x 8 평행한 25ns
CY7C1356CV25-200AXC Cypress Semiconductor Corp cy7c1356cv25-200axc 9.7700
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ECAD 358 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp Nobl ™ 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 100-lqfp Cy7c1356 sram-동기, sdr 2.375V ~ 2.625V 100-TQFP (14x20) - Rohs3 준수 3A991B2A 8542.32.0041 31 200MHz 휘발성 휘발성 9mbit 3.2 ns SRAM 512k x 18 평행한 - 확인되지 확인되지
CY7C1041BN-15VXI Cypress Semiconductor Corp cy7c1041bn-15vxi -
RFQ
ECAD 1524 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 44-BSOJ (0.400 ", 10.16mm 너비) cy7c1041 sram- 비동기 4.5V ~ 5.5V 44-SOJ - Rohs3 준수 3 (168 시간) 공급 공급 정의되지 업체는 3A991B2A 8542.32.0041 1 휘발성 휘발성 4mbit 15 ns SRAM 256k x 16 평행한 15ns
CY7C244-55WC Cypress Semiconductor Corp Cy7C244-55WC 6.0500
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ECAD 3 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp - 대부분 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Cy7c244 eprom -uv 4.5V ~ 5.5V 다운로드 rohs 비준수 3 (168 시간) 영향을받습니다 귀 99 8542.32.0061 1 비 비 32kbit 55 ns eprom 4K X 8 평행한 -
CY7C1339A-100ACT Cypress Semiconductor Corp Cy7c1339a-100ATT 3.1900
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ECAD 6 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp - 대부분 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 100-lqfp Cy7c1339 sram-동기, sdr 3.15V ~ 3.6V 100-TQFP (14x20) - 적용 적용 수 할 3 (168 시간) 공급 공급 정의되지 업체는 3A991B2A 8542.32.0041 750 100MHz 휘발성 휘발성 4mbit 8 ns SRAM 128k x 32 평행한 -
CG7339AMT Cypress Semiconductor Corp CG7339AMT -
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ECAD 1833 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp - 대부분 활동적인 - 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 1
CY62147G-45ZSXI Cypress Semiconductor Corp Cy62147G-45ZSXI -
RFQ
ECAD 9351 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp Mobl® 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 44-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) Cy62147 sram- 비동기 4.5V ~ 5.5V 44-TSOP II 다운로드 50 휘발성 휘발성 4mbit 45 ns SRAM 256k x 16 평행한 45ns 확인되지 확인되지
CY62126ESL-45ZSXI Cypress Semiconductor Corp Cy62126ESL-45ZSXI -
RFQ
ECAD 1689 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp Mobl® 대부분 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 44-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) Cy62126 sram- 비동기 2.2V ~ 5.5V 44-TSOP II 다운로드 1 휘발성 휘발성 1mbit 45 ns SRAM 64k x 16 평행한 45ns 확인되지 확인되지
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고