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메모리 (4449)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전압 - 공급 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 시계 시계 메모리 메모리 메모리 메모리 액세스 액세스 메모리 메모리 메모리 메모리 메모리 메모리 쓰기 쓰기 시간 - 단어, 페이지 sic 프로그램 가능
S34ML02G100TFB000 Cypress Semiconductor Corp S34ML02G100TFB000 -
RFQ
 ECAD 1800 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp ML-1 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) S34ML02 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 48-tsop 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 96 비 비 2gbit 플래시 256m x 8 평행한 25ns
S34MS02G100TFI000 Cypress Semiconductor Corp S34MS02G100TFI000 1.6000
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp MS-1 대부분 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) S34MS02 플래시 - NAND 1.7V ~ 1.95V 48-tsop 다운로드 Rohs3 준수 3A991B1A 8542.32.0071 1 비 비 2gbit 45 ns 플래시 256m x 8 평행한 45ns
S34ML04G200BHA000 Cypress Semiconductor Corp S34ML04G200BHA000 -
RFQ
 ECAD 1994 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp ML-2 쟁반 sic에서 중단되었습니다 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 63-VFBGA S34ML04 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 63-BGA (11x9) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 -S34ML04G200BHA000 3A991B1A 8542.32.0071 210 비 비 4gbit 플래시 512m x 8 평행한 25ns
CY7C1425KV18-250BZI Cypress Semiconductor Corp Cy7c1425kv18-250bzi 42.8800
RFQ
 ECAD 156 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 165-lbga Cy7c1425 SRAM-동기, QDR II 1.7V ~ 1.9V 165-FBGA (13x15) 다운로드 7 250MHz 휘발성 휘발성 36mbit SRAM 4m x 9 평행한 - 확인되지 확인되지
CY7C1471BV33-133BZI Cypress Semiconductor Corp Cy7C1471BV33-133BZI 156.3600
RFQ
 ECAD 27 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp Nobl ™ 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 165-lbga Cy7c1471 sram-동기, sdr 3.135V ~ 3.6V 165-FBGA (15x17) 다운로드 2 133 MHz 휘발성 휘발성 72mbit 6.5 ns SRAM 2m x 36 평행한 - 확인되지 확인되지
CY7C1339A-66AC Cypress Semiconductor Corp cy7c1339a-66ac 3.1400
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 ECAD 7 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp - 대부분 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 100-lqfp Cy7c1339 sram-동기, sdr 3.15V ~ 3.6V 100-TQFP (14x20) 다운로드 적용 적용 수 할 3 (168 시간) 공급 공급 정의되지 업체는 3A991B2A 8542.32.0041 1 66MHz 휘발성 휘발성 4mbit 7 ns SRAM 128k x 32 평행한 -
S34ML02G104BHI010 Cypress Semiconductor Corp S34ML02G104BHI010 -
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 ECAD 5965 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp ML-1 쟁반 sic에서 중단되었습니다 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 63-VFBGA S34ML02 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 63-BGA (11x9) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 -S34ML02G104BHI010 3A991B1A 8542.32.0071 210 비 비 2gbit 플래시 128m x 16 평행한 25ns
CY7C2265KV18-450BZC Cypress Semiconductor Corp Cy7C2265KV18-450BZC 74.5300
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 ECAD 510 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp - 대부분 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 165-lbga Cy7c2265 SRAM-동기, QDR II+ 1.7V ~ 1.9V 165-FBGA (13x15) 다운로드 5 450MHz 휘발성 휘발성 36mbit SRAM 1m x 36 평행한 - 확인되지 확인되지
S29GL512P12FFIV12 Cypress Semiconductor Corp S29GL512P12FFIV12 10.6700
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 ECAD 1503 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp GL-P 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 64-lbga S29GL512 플래시 - 아니오 1.65V ~ 3.6V 64-FBGA (11x13) 다운로드 Rohs3 준수 2832-S29GL512P12FFIV12-TR 3A991B1A 8542.32.0071 24 비 비 512mbit 120 ns 플래시 32m x 16 평행한 120ns
S25FL064LABMFV010 Cypress Semiconductor Corp S25FL064LABMFV010 1.9300
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 ECAD 400 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp FL-L 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.209 ", 5.30mm 너비) S25FL064 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 8-SOIC 다운로드 rohs 비준수 적용 적용 수 할 공급 공급 정의되지 업체는 125 108 MHz 비 비 64mbit 플래시 8m x 8 spi-쿼드 i/o, qpi - 확인
CY62126EV30LL-45ZSXA Cypress Semiconductor Corp cy62126ev30ll-45zsxa 3.7500
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 ECAD 3 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp Mobl® 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 44-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) Cy62126 sram- 비동기 2.2V ~ 3.6V 44-TSOP II 다운로드 80 휘발성 휘발성 1mbit 45 ns SRAM 64k x 16 평행한 45ns 확인되지 확인되지
CY14B256K-SP35XI Cypress Semiconductor Corp cy14b256k-sp35xi 13.9300
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 ECAD 494 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp - 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-BSSOP (0.295 ", 7.50mm 너비) Cy14B256 nvsram (r 휘발성 sram) 2.7V ~ 3.45V 48-ssop 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8542.32.0041 22 비 비 256kbit 35 ns nvsram 32k x 8 평행한 35ns 확인되지 확인되지
CY14B101LA-ZS45XI Cypress Semiconductor Corp cy14b101la-zs45xi 18.9700
RFQ
 ECAD 347 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 44-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) Cy14B101 nvsram (r 휘발성 sram) 2.7V ~ 3.6V 44-TSOP II 다운로드 rohs 비준수 공급 공급 정의되지 업체는 30 비 비 1mbit 45 ns nvsram 128k x 8 평행한 45ns 확인되지 확인되지
CY7C141-25JXC Cypress Semiconductor Corp Cy7c141-25JXC -
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 ECAD 8531 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp - 튜브 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 52-LCC (J-Lead) Cy7c141 sram-이중-, 비동기 4.5V ~ 5.5V 52-PLCC (19.13x19.13) 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8542.32.0041 23 휘발성 휘발성 8kbit 25 ns SRAM 1K X 8 평행한 25ns 확인되지 확인되지
S40410161B1B1I013 Cypress Semiconductor Corp S40410161B1B1I013 -
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 ECAD 4386 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp E.MMC 1B1 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 153-VFBGA S40410161 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 153-VFBGA 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,900 200MHz 비 비 16gbit 플래시 2G X 8 평행한 -
S34ML01G100BHA000 Cypress Semiconductor Corp S34ML01G100BHA000 -
RFQ
 ECAD 1893 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp ML-1 쟁반 sic에서 중단되었습니다 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 63-VFBGA S34ML01 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 63-BGA (11x9) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 210 비 비 1gbit 플래시 128m x 8 평행한 25ns
CY7C1265KV18-550BZXC Cypress Semiconductor Corp Cy7C1265KV18-550BZXC 87.6100
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp - 대부분 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 165-lbga Cy7c1265 SRAM-동기, QDR II+ 1.7V ~ 1.9V 165-FBGA (13x15) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 공급 공급 정의되지 업체는 1 550MHz 휘발성 휘발성 36mbit SRAM 1m x 36 평행한 - 확인되지 확인되지
CY62157DV30L-70BVXI Cypress Semiconductor Corp Cy62157DV30L-70BVXI 3.0700
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 ECAD 531 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp Mobl® 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-VFBGA Cy62157 sram- 비동기 2.2V ~ 3.6V 48-VFBGA (6x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 공급 공급 정의되지 업체는 3A991B2A 8542.32.0041 1 휘발성 휘발성 8mbit 70 ns SRAM 512k x 16 평행한 70ns
CY7C1415BV18-250BZXC Cypress Semiconductor Corp Cy7C1415B18-250BZXC 49.1400
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 ECAD 1 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 165-lbga Cy7c1415 SRAM-동기, QDR II 1.7V ~ 1.9V 165-FBGA (15x17) 다운로드 Rohs3 준수 3A991B2A 8542.32.0041 105 250MHz 휘발성 휘발성 36mbit SRAM 1m x 36 평행한 - 확인되지 확인되지
CY7C194-35SC Cypress Semiconductor Corp Cy7C194-35SC 0.5700
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 ECAD 1 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp - 대부분 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Cy7c194 sram- 비동기 4.5V ~ 5.5V 다운로드 적용 적용 수 할 3 (168 시간) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8542.32.0041 1 휘발성 휘발성 256kbit 35 ns SRAM 64k x 4 평행한 35ns
S34ML01G100BHV000 Cypress Semiconductor Corp S34ML01G100BHV000 -
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 ECAD 5526 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp ML-1 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 63-VFBGA S34ML01 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 63-BGA (11x9) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 210 비 비 1gbit 플래시 128m x 8 평행한 25ns
CY7C1615KV18-250BZXC Cypress Semiconductor Corp Cy7c1615kv18-250bzxc 253.9800
RFQ
 ECAD 48 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp - 대부분 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 165-lbga Cy7c1615 SRAM-동기, QDR II 1.7V ~ 1.9V 165-FBGA (15x17) 다운로드 1 250MHz 휘발성 휘발성 144mbit SRAM 4m x 36 평행한 - 확인되지 확인되지
CG7471KGA Cypress Semiconductor Corp CG7471KGA -
RFQ
 ECAD 9024 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp - 대부분 활동적인 - 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 1
CY7C1518AV18-250BZXI Cypress Semiconductor Corp cy7c1518av18-250bzxi 131.7300
RFQ
 ECAD 734 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 165-lbga Cy7c1518 SRAM-동기, DDR II 1.7V ~ 1.9V 165-FBGA (15x17) 다운로드 Rohs3 준수 3A991B2A 8542.32.0041 105 250MHz 휘발성 휘발성 72mbit SRAM 4m x 18 평행한 - 확인되지 확인되지
CY7C194-35VCT Cypress Semiconductor Corp Cy7C194-35VCT 3.6700
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp - 대부분 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 24-BSOJ (0.300 ", 7.62mm 너비) Cy7c194 sram- 비동기 4.5V ~ 5.5V 24-SOJ 다운로드 rohs 비준수 3 (168 시간) 영향을받습니다 귀 99 8542.32.0041 1,000 휘발성 휘발성 256kbit 35 ns SRAM 64k x 4 평행한 35ns
CY62157DV20L-55BVI Cypress Semiconductor Corp Cy62157DV20L-55BVI 4.0000
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 ECAD 1 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp MOBL2 ™ 대부분 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-VFBGA Cy62157 SRAM 1.65V ~ 2.2V 48-VFBGA (6x8) 다운로드 rohs 비준수 3 (168 시간) 영향을받습니다 3A991B2A 8542.32.0041 1 휘발성 휘발성 8mbit 55 ns SRAM 512k x 16 평행한 55ns
CG6849AT Cypress Semiconductor Corp CG6849AT -
RFQ
 ECAD 3885 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp * 대부분 활동적인 - 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 1
16-4370-01 Cypress Semiconductor Corp 16-4370-01 -
RFQ
 ECAD 6828 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp - 대부분 sic에서 중단되었습니다 - 공급 공급 정의되지 업체는 0000.00.0000 1
CY7C1061DV33-10BVJXI Cypress Semiconductor Corp cy7c1061dv33-10bvjxi 32.6700
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-VFBGA cy7c1061 sram- 비동기 3V ~ 3.6V 48-VFBGA (8x9.5) 다운로드 Rohs3 준수 3A991B2A 8542.32.0041 16 휘발성 휘발성 16mbit 10 ns SRAM 1m x 16 평행한 10ns
CY7C1513AV18-167BZC Cypress Semiconductor Corp Cy7c1513AV18-167BZC 138.4600
RFQ
 ECAD 188 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 165-lbga Cy7c1513 SRAM-동기, QDR II 1.7V ~ 1.9V 165-FBGA (15x17) 다운로드 rohs 비준수 3A991B2A 8542.32.0041 105 167 MHz 휘발성 휘발성 72mbit SRAM 4m x 18 평행한 - 확인되지 확인되지
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

수량 : 1

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