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메모리 (4449)

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Cy62147DV30L-55BVXE	-	RFQ	1630	Cypress Semiconductor Corp	Mobl®	쟁반	쓸모없는	-40 ° C ~ 125 ° C (TA)	표면 표면	48-VFBGA	Cy62147	sram- 비동기	2.2V ~ 3.6V	48-VFBGA (6x8)	다운로드	Rohs3 준수				3A991B2A	8542.32.0041	1		휘발성 휘발성	4mbit	55 ns	SRAM	256k x 16	평행한	55ns	확인되지 확인되지
cy62168ev30ll-45bvxi	-	RFQ	2010 년 년	Cypress Semiconductor Corp	Mobl®	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	48-VFBGA	Cy62168	sram- 비동기	2.2V ~ 3.6V	48-VFBGA (6x8)	다운로드							1		휘발성 휘발성	16mbit	45 ns	SRAM	2m x 8, 1m x 16	평행한	45ns	확인되지 확인되지
cy7c028-15aikj	-	RFQ	8062	Cypress Semiconductor Corp	-	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	100-lqfp	cy7c028	sram-이중-, 비동기	4.5V ~ 5.5V	100-TQFP (14x14)	-	적용 적용 수 할	3 (168 시간)	공급 공급 정의되지 업체는				1		휘발성 휘발성	1mbit	15 ns	SRAM	64k x 16	평행한	15ns
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S25FL256SDSMFV010	-	RFQ	5472	Cypress Semiconductor Corp	FL-S	쟁반	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)	표면 표면	16-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비)	S25FL256	플래시 - 아니오	2.7V ~ 3.6V	16-	다운로드	rohs 비준수	적용 적용 수 할	공급 공급 정의되지 업체는	2832-S25FL256SDSMFV010	3A991A2	8542.32.0070	1	80MHz	비 비	256mbit		플래시	32m x 8	spi-쿼드 i/o	-	확인되지 확인되지
Cy7c1460AV25-200BZXI	-	RFQ	9720	Cypress Semiconductor Corp	Nobl ™	쟁반	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	165-lbga	Cy7c1460	sram-동기, sdr	2.375V ~ 2.625V	165-FBGA (15x17)	다운로드	Rohs3 준수				3A991B2A	8542.32.0041	4	200MHz	휘발성 휘발성	36mbit	3.2 ns	SRAM	1m x 36	평행한	-	확인되지 확인되지
cy7c1021cv33-15bai	1.7300	RFQ	2	Cypress Semiconductor Corp	-	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	48-TFBGA	cy7c1021	sram- 비동기	3V ~ 3.6V	48-FBGA (7x7)	다운로드	rohs 비준수	3 (168 시간)	영향을받습니다		3A991B2B	8542.32.0041	1		휘발성 휘발성	1mbit	15 ns	SRAM	64k x 16	평행한	15ns
Cy7C1612KV18-300BZC	1.0000	RFQ	2979	Cypress Semiconductor Corp	-	쟁반	쓸모없는	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	표면 표면	165-lbga	Cy7c1612	SRAM-동기, QDR II	1.7V ~ 1.9V	165-FBGA (15x17)	다운로드	rohs 비준수				3A991B2A	8542.32.0041	105	300MHz	휘발성 휘발성	144mbit		SRAM	8m x 18	평행한	-	확인되지 확인되지

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

메모리 (4449)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²