RFQ
Bom
저희에게 연락하십시오

전화 : +86-0755-83501315

이메일:sales@sic-components.com

메모리 (4449)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전압 - 공급	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	시계 시계	메모리 메모리	메모리 메모리	액세스 액세스	메모리 메모리	메모리 메모리	메모리 메모리	쓰기 쓰기 시간 - 단어, 페이지	sic 프로그램 가능
Cy7C1415KV18-333BZC	56.0500	RFQ	235	Cypress Semiconductor Corp	-	쟁반	쓸모없는	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	표면 표면	165-lbga	Cy7c1415	SRAM-동기, QDR II	1.7V ~ 1.9V	165-FBGA (13x15)	다운로드	rohs 비준수				3A991B2A	8542.32.0041	136	333 MHz	휘발성 휘발성	36mbit		SRAM	1m x 36	평행한	-	확인되지 확인되지
cy7c145-15axc	23.1100	RFQ	384	Cypress Semiconductor Corp	-	쟁반	쓸모없는	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	표면 표면	80-LQFP	Cy7c145	sram-이중-, 비동기	4.5V ~ 5.5V	80-TQFP (14x14)	다운로드	Rohs3 준수				귀 99	8542.32.0041	13		휘발성 휘발성	72kbit	15 ns	SRAM	8k x 9	평행한	15ns	확인되지 확인되지
S27KL0641DABHA020	-	RFQ	3902	Cypress Semiconductor Corp	자동차, AEC-Q100, Hyperram ™ KL	대부분	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	24-VBGA	S27KL0641	psram (의사 sram)	2.7V ~ 3.6V	24-FBGA (6x8)	다운로드							1	100MHz	휘발성 휘발성	64mbit	40 ns	psram	8m x 8	평행한	-	확인되지 확인되지
Cy14B256LA-ZS45XI	13.4300	RFQ	351	Cypress Semiconductor Corp	*	대부분	활동적인								다운로드		공급 공급 정의되지 업체는	영향을받지 영향을받지	2156-CY14B256LA-ZS45XI-428			1
CY7C1520V18-167BZXC	138.4600	RFQ	73	Cypress Semiconductor Corp	-	쟁반	쓸모없는	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	표면 표면	165-lbga	Cy7c1520	SRAM-동기, DDR II	1.7V ~ 1.9V	165-FBGA (15x17)	다운로드	Rohs3 준수				3A991B2A	8542.32.0041	105	167 MHz	휘발성 휘발성	72mbit		SRAM	2m x 36	평행한	-	확인되지 확인되지
Cyd01S18V-167BBC	62.4000	RFQ	148	Cypress Semiconductor Corp	-	대부분	활동적인	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	표면 표면	256-lbga		sram-듀얼-, 표준	1.7V ~ 1.9V	256-FBGA (17x17)	다운로드	rohs 비준수	3 (168 시간)	영향을받습니다		3A991B2A	8542.32.0041	1	167 MHz	휘발성 휘발성	1mbit	4 ns	SRAM	64k x 18	평행한	-
CG4158AM	-	RFQ	2817	Cypress Semiconductor Corp	*	대부분	활동적인								-	적용 적용 수 할	3 (168 시간)	공급 공급 정의되지 업체는				1
CG7478AM	-	RFQ	3641	Cypress Semiconductor Corp	-	대부분	활동적인								-	적용 적용 수 할	1 (무제한)	공급 공급 정의되지 업체는				1
cy62167g30-45zxit	22.3400	RFQ	5238	Cypress Semiconductor Corp	Mobl®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비)	Cy62167	sram- 비동기	2.2V ~ 3.6V	48-tsop i	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)		2832-CY62167G30-45ZXITTR	3A991B2A	8542.32.0041	12		휘발성 휘발성	16mbit	45 ns	SRAM	2m x 8, 1m x 16	평행한	45ns	확인되지 확인되지
Cy7c1515AV18-200BZC	110.7600	RFQ	118	Cypress Semiconductor Corp	-	쟁반	쓸모없는	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	표면 표면	165-lbga	Cy7c1515	SRAM-동기, QDR II	1.7V ~ 1.9V	165-FBGA (15x17)	다운로드	rohs 비준수				3A991B2A	8542.32.0041	105	200MHz	휘발성 휘발성	72mbit		SRAM	2m x 36	평행한	-	확인되지 확인되지
Cy62157DV20L-70BVI	2.8900	RFQ	137	Cypress Semiconductor Corp	MOBL2 ™	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	48-VFBGA	Cy62157	SRAM	1.65V ~ 2.2V	48-VFBGA (6x8)	다운로드	rohs 비준수	3 (168 시간)	영향을받습니다		3A991B2A	8542.32.0041	1		휘발성 휘발성	8mbit	70 ns	SRAM	512k x 16	평행한	70ns
S25FL127SABMFV100	-	RFQ	7279	Cypress Semiconductor Corp	FL-S	쟁반	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)	표면 표면	8- SOIC (0.209 ", 5.30mm 너비)	S25FL127	플래시 - 아니오	2.7V ~ 3.6V	8-SOIC	다운로드	rohs 비준수		공급 공급 정의되지 업체는				1	108 MHz	비 비	128mbit		플래시	16m x 8	spi-쿼드 i/o	-	확인되지 확인되지
S25FS512SDSMFI010	12.8400	RFQ	7	Cypress Semiconductor Corp	FS-S	쟁반	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	16-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비)	S25FS512	플래시 - 아니오	1.7V ~ 2V	16-	다운로드							39	80MHz	비 비	512mbit		플래시	64m x 8	spi-쿼드 i/o, qpi	-	확인되지 확인되지
S26KL256SDABHN030	8.8800	RFQ	878	Cypress Semiconductor Corp	Hyperflash ™ KL	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C (TA)	표면 표면	24-VBGA	S26KL256	플래시 - 아니오	2.7V ~ 3.6V	24-FBGA (6x8)	다운로드	rohs 비준수		공급 공급 정의되지 업체는				1	100MHz	비 비	256mbit	96 ns	플래시	32m x 8	평행한	-	확인되지 확인되지
cy62147cv33ll-70bvi	2.6000	RFQ	2	Cypress Semiconductor Corp	-	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	48-VFBGA	Cy62147	sram- 비동기	3V ~ 3.6V	48-VFBGA (6x8)	다운로드	rohs 비준수	3 (168 시간)	영향을받습니다		3A991B2A	8542.32.0041	1		휘발성 휘발성	4mbit	70 ns	SRAM	256k x 16	평행한	70ns
STK11C88-SF45	-	RFQ	3717	Cypress Semiconductor Corp	-	튜브	쓸모없는	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	표면 표면	28-SOIC (0.342 ", 8.69mm 너비)	STK11C88	nvsram (r 휘발성 sram)	4.5V ~ 5.5V	28 -Soic	다운로드	Rohs3 준수				귀 99	8542.32.0041	50		비 비	256kbit	45 ns	nvsram	32k x 8	평행한	45ns	확인되지 확인되지
CG5182AT	-	RFQ	4748	Cypress Semiconductor Corp	*	대부분	활동적인								-	적용 적용 수 할	3 (168 시간)	공급 공급 정의되지 업체는				1
Cy7C1354SV25-200AXC	15.6700	RFQ	426	Cypress Semiconductor Corp	-	가방	쓸모없는	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	표면 표면	100-lqfp	Cy7c1354	sram-동기, sdr	2.375V ~ 2.625V	100-TQFP (14x14)	-	적용 적용 수 할				3A991B2A		20	200MHz	휘발성 휘발성	9mbit	3.2 ns	SRAM	256k x 36	평행한	-	확인되지 확인되지
S34MS04G200BHI900	-	RFQ	3084	Cypress Semiconductor Corp	MS-2	쟁반	sic에서 중단되었습니다	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	63-VFBGA	S34MS04	플래시 - NAND	1.7V ~ 1.95V	63-BGA (11x9)	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		3A991B1A	8542.32.0071	210		비 비	4gbit	45 ns	플래시	512m x 8	평행한	45ns
Cy7C1474V25-200BGC	152.5500	RFQ	210	Cypress Semiconductor Corp	Nobl ™	대부분	활동적인	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	표면 표면	209-bga	Cy7c1474	sram-동기, sdr	2.375V ~ 2.625V	209-FBGA (14x22)	다운로드	rohs 비준수	적용 적용 수 할	공급 공급 정의되지 업체는		3A991A2	8542.32.0041	1	200MHz	휘발성 휘발성	72mbit	3 ns	SRAM	1m x 72	평행한	-	확인되지 확인되지
Cy62256ll-70SNXC	2.2000	RFQ	265	Cypress Semiconductor Corp	Mobl®	튜브	쓸모없는	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	표면 표면	28-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비)	Cy62256	sram- 비동기	4.5V ~ 5.5V	28 -Soic	다운로드	Rohs3 준수				귀 99	8542.32.0041	137		휘발성 휘발성	256kbit	70 ns	SRAM	32k x 8	평행한	70ns	확인되지 확인되지
S25FS128SAGNFI003	4.0000	RFQ	7	Cypress Semiconductor Corp	FS-S	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	8-wdfn n 패드	S25FS128	플래시 - 아니오	1.7V ~ 2V	8-wson (6x8)	다운로드	rohs 비준수	적용 적용 수 할	공급 공급 정의되지 업체는	2832-S25FS128SAGNFI003TR	3A991B1A	8542.32.0070	125	133 MHz	비 비	128mbit		플래시	16m x 8	spi-쿼드 i/o, qpi	-	확인되지 확인되지
cy7c1360c-200axc	11.6500	RFQ	337	Cypress Semiconductor Corp	-	대부분	활동적인	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	표면 표면	100-lqfp	Cy7c1360	sram-동기, sdr	3.135V ~ 3.6V	100-TQFP (14x20)	다운로드							26	200MHz	휘발성 휘발성	9mbit	3 ns	SRAM	256k x 36	평행한	-	확인되지 확인되지
CG7084AM	-	RFQ	2119	Cypress Semiconductor Corp	-	대부분	활동적인								-	적용 적용 수 할	1 (무제한)	공급 공급 정의되지 업체는				1
Cy7C1318SV18-250BZC	43.7000	RFQ	454	Cypress Semiconductor Corp	-	가방	쓸모없는	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	표면 표면	165-lbga	Cy7c1318	SRAM-동기, DDR II	1.7V ~ 1.9V	165-FBGA (13x15)	-	적용 적용 수 할				3A991B2A		7	250MHz	휘발성 휘발성	18mbit		SRAM	1m x 18	평행한	-	확인되지 확인되지
Cy7c1049bn-15VC	-	RFQ	6598	Cypress Semiconductor Corp	-	대부분	활동적인	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	표면 표면	36-BSOJ (0.400 ", 10.16mm 너비)	cy7c1049	sram- 비동기	4.5V ~ 5.5V	36-SOJ	다운로드	rohs 비준수	3 (168 시간)	영향을받습니다		3A991B2A	8542.32.0041	1		휘발성 휘발성	4mbit	15 ns	SRAM	512k x 8	평행한	15ns
S34ML02G200TFI000	2.3000	RFQ	18	Cypress Semiconductor Corp	ML-2	쟁반	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비)	S34ML02	플래시 - NAND	2.7V ~ 3.6V	48-tsop	다운로드	Rohs3 준수				3A991B1A	8542.32.0071	218		비 비	2gbit		플래시	256m x 8	평행한	25ns
Cy62157dv30ll-55bvxa	8.3000	RFQ	9	Cypress Semiconductor Corp	Mobl®	쟁반	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	48-VFBGA	Cy62157	sram- 비동기	2.2V ~ 3.6V	48-VFBGA (6x8)	다운로드	Rohs3 준수				3A991B2A	8542.32.0041	37		휘발성 휘발성	8mbit	55 ns	SRAM	512k x 16	평행한	55ns	확인되지 확인되지
cy62136vnll-55zsxa	4.9100	RFQ	1	Cypress Semiconductor Corp	Mobl®	쟁반	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	44-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비)	Cy62136	sram- 비동기	2.7V ~ 3.6V	44-TSOP II	다운로드	Rohs3 준수				3A991B2A	8542.32.0041	62		휘발성 휘발성	2mbit	55 ns	SRAM	128k x 16	평행한	55ns	확인되지 확인되지
STK11C68-C35I	845.5400	RFQ	215	Cypress Semiconductor Corp	-	튜브	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	구멍을 구멍을	28-CDIP (0.300 ", 7.62mm)	STK11C68	nvsram (r 휘발성 sram)	4.5V ~ 5.5V	28-cdip	다운로드	rohs 비준수				귀 99	8542.32.0041	26		비 비	64kbit	35 ns	nvsram	8k x 8	평행한	35ns	확인되지 확인되지

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

메모리 (4449)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²