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CY7C1665KV18-450BZXC	316.6300	보상요청	245	사이프러스 반도체 주식회사	-	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우	0°C ~ 70°C (타)	표면 실장	165-LBGA	CY7C1665	SRAM - 동기식, QDR II+	1.7V ~ 1.9V	165-FBGA(15x17)	다운로드	ROHS3 준수	3(168시간)	공급자가 규정하지 않는 경우				1	450MHz	항체를 제거하세요	144Mbit		스램	4M×36	불편한	-	문제가 발생하지 않았습니다
CY7C1618KV18-300BZXC	-	보상요청	3248	사이프러스 반도체 주식회사	-	대부분	활동적인	0°C ~ 70°C (타)	표면 실장	165-LBGA	CY7C1618	SRAM - 동기식, QDR II	1.7V ~ 1.9V	165-FBGA(15x17)	다운로드					3A991B2A	8542.32.0041	2	300MHz	항체를 제거하세요	144Mbit		스램	4M×36	불편한	-	문제가 발생하지 않았습니다
S25FS512SDSBHI210	7.1600	보상요청	620	사이프러스 반도체 주식회사	FS-S	대부분	활동적인	-40°C ~ 85°C(타)	표면 실장	24-TBGA	S25FS512	플래시 - NOR(SLC)	1.7V ~ 2V	24-BGA(8x6)	다운로드							1	80MHz	비껴가	512Mbit	6ns	플래시	64M x 8	SPI - 쿼드 I/O, QPI	2ms
CY62256-70SNI	-	보상요청	9457	사이프러스 반도체 주식회사	MoBL®	대부분	활동적인	-40°C ~ 85°C(타)	표면 실장	28-SOIC(0.295", 7.50mm 폭)	CY62256	SRAM - 특별한식	4.5V ~ 5.5V	28-SOIC	다운로드	RoHS 비준수	1(무제한)	REACH의 영향을 받아들입니다.		EAR99	8542.32.0041	1		항체를 제거하세요	256Kbit	70ns	스램	32K x 8	불편한	70ns
CG7382AM	-	보상요청	9667	사이프러스 반도체 주식회사	-	대부분	활동적인								-	해당 없음	1(무제한)	공급자가 규정하지 않는 경우				1
CY7C1381BV25-100AC	14.5700	보상요청	63	사이프러스 반도체 주식회사	-	대부분	활동적인	0°C ~ 70°C (타)	표면 실장	100-LQFP	CY7C1381	SRAM - 동기식, SDR	2.375V ~ 2.625V	100-TQFP(14x20)	다운로드	RoHS 비준수	3(168시간)	REACH의 영향을 받아들입니다.		3A991B2A	8542.32.0041	1	100MHz	항체를 제거하세요	18Mbit	8.5ns	스램	512K x 36	불편한	-
CY2147-55DC	4.6100	보상요청	5550	사이프러스 반도체 주식회사	-	대부분	활동적인	0°C ~ 70°C (타)	스루홀	18-CDIP(0.300", 7.62mm)	CY2147	SRAM - 특별한식	4.5V ~ 5.5V	18-CerDIP	다운로드	RoHS 비준수	3(168시간)	REACH의 영향을 받아들입니다.		EAR99	8542.32.0041	1		항체를 제거하세요	4Kbit	55ns	스램	4K x 1	불편한	55ns
CY7C1350G-133BGXC	6.4100	보상요청	1	사이프러스 반도체 주식회사	NoBL™	쟁반	더 이상 사용하지 않는 경우	0°C ~ 70°C (타)	표면 실장	119-BGA	CY7C1350	SRAM - 동기식, SDR	3.135V ~ 3.6V	119-PBGA(14x22)	다운로드	ROHS3 준수				3A991B2A	8542.32.0041	47	133MHz	항체를 제거하세요	4.5Mbit	4ns	스램	128K x 36	불편한	-	문제가 발생하지 않았습니다
CY7C0851AV-167AXC	174.7800	보상요청	468	사이프러스 반도체 주식회사	-	쟁반	더 이상 사용하지 않는 경우	0°C ~ 70°C (타)	표면 실장	176-LQFP	CY7C0851	SRAM - 듀얼 포트, 동기식	3.135V ~ 3.465V	176-TQFP(24x24)	다운로드	ROHS3 준수				3A991B2A	8542.32.0041	40	167MHz	항체를 제거하세요	2Mbit		스램	64K x 36	불편한	-	문제가 발생하지 않았습니다
CY7C1514AV18-167BZC	138.4600	보상요청	1	사이프러스 반도체 주식회사	-	쟁반	더 이상 사용하지 않는 경우	0°C ~ 70°C (타)	표면 실장	165-LBGA	CY7C1514	SRAM - 동기식, QDR II	1.7V ~ 1.9V	165-FBGA(15x17)	다운로드	RoHS 비준수				3A991B2A	8542.32.0041	105	167MHz	항체를 제거하세요	72Mbit		스램	2M×36	불편한	-	문제가 발생하지 않았습니다
S29GL064N90TFI070	6.8000	보상요청	8764	사이프러스 반도체 주식회사	GL-N	쟁반	더 이상 사용하지 않는 경우	-40°C ~ 85°C(타)	표면 실장	48-TFSOP(0.724", 18.40mm 폭)	S29GL064	플래시 - 아니오	2.7V ~ 3.6V	48-TSOP	다운로드	ROHS3 준수			2832-S29GL064N90TFI070	3A991B1A	8542.32.0071	96		비껴가	64Mbit	90ns	플래시	4Mx16	불편한	90ns
CY7C1387BV25-167AC	22.6000	보상요청	105	사이프러스 반도체 주식회사	-	대부분	활동적인	0°C ~ 70°C (타)	표면 실장	100-LQFP	CY7C1387	SRAM - 동기식, SDR	2.375V ~ 2.625V	100-TQFP(14x20)	다운로드	RoHS 비준수	3(168시간)	REACH의 영향을 받아들입니다.		3A991B2A	8542.32.0041	1	167MHz	항체를 제거하세요	18Mbit	3.4ns	스램	1M x 18	불편한	-
CY7C1354C-166AXCKJ	9.1600	보상요청	476	사이프러스 반도체 주식회사	NoBL™	대부분	활동적인	0°C ~ 70°C (타)	표면 실장	100-LQFP	CY7C1354	SRAM - 동기식, SDR	3.135V ~ 3.6V	100-TQFP(14x20)	다운로드	해당 없음	3(168시간)	공급자가 규정하지 않는 경우		3A991B2A	8542.32.0041	1	166MHz	항체를 제거하세요	9Mbit	3.5ns	스램	256K x 36	불편한	-
CY7C1393BV18-250BZI	36.7400	보상요청	1	사이프러스 반도체 주식회사	-	쟁반	더 이상 사용하지 않는 경우	-40°C ~ 85°C(타)	표면 실장	165-LBGA	CY7C1393	SRAM - 동기식, DDR II	1.7V ~ 1.9V	165-FBGA(13x15)	다운로드	RoHS 비준수				3A991B2A	8542.32.0041	136	250MHz	항체를 제거하세요	18Mbit		스램	1M x 18	불편한	-	문제가 발생하지 않았습니다
S99ML04G10044	-	보상요청	6153	사이프러스 반도체 주식회사	-	쟁반	SIC에서는 존재하지 않았습니다.								-	ROHS3 준수	3(168시간)	REACH 영향을 받지 않았습니다.			0000.00.0000	96
S34ML02G200BHA000	-	보상요청	3533	사이프러스 반도체 주식회사	자동차, AEC-Q100, ML-2	쟁반	SIC에서는 존재하지 않았습니다.	-40°C ~ 85°C(타)	표면 실장	63-VFBGA	S34ML02	플래시 - 낸드	2.7V ~ 3.6V	63-BGA(11x9)	다운로드	ROHS3 준수	3(168시간)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		3A991B1A	8542.32.0071	210		비껴가	2Gbit		플래시	256M x 8	불편한	25ns
CY62146DV30LL-55ZSXIT	5.3400	보상요청	4	사이프러스 반도체 주식회사	MoBL®	대부분	활동적인	-40°C ~ 85°C(타)	표면 실장	44-TSOP(0.400", 10.16mm 폭)	CY62146	SRAM - 특별한식	2.2V ~ 3.6V	44-TSOP II	다운로드	ROHS3 준수	3(168시간)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		3A991B2A	8542.32.0041	1,000		항체를 제거하세요	4Mbit	55ns	스램	256K x 16	불편한	55ns
CY7C1356C-166BGC	10.8800	보상요청	203	사이프러스 반도체 주식회사	NoBL™	쟁반	더 이상 사용하지 않는 경우	0°C ~ 70°C (타)	표면 실장	119-BGA	CY7C1356	SRAM - 동기식, SDR	3.135V ~ 3.6V	119-PBGA(14x22)	다운로드	RoHS 비준수				3A991B2A	8542.32.0041	28	166MHz	항체를 제거하세요	9Mbit	3.5ns	스램	512K x 18	불편한	-	문제가 발생하지 않았습니다
CY7C1320JV18-250BZXI	35.7800	보상요청	20	사이프러스 반도체 주식회사	-	쟁반	더 이상 사용하지 않는 경우	-40°C ~ 85°C(타)	표면 실장	165-LBGA	CY7C1320	SRAM - 동기식, DDR II	1.7V ~ 1.9V	165-FBGA(13x15)	다운로드	ROHS3 준수				3A991B2A	8542.32.0041	9	250MHz	항체를 제거하세요	18Mbit		스램	512K x 36	불편한	-	문제가 발생하지 않았습니다
CY7C1514AV18-200BZI	138.4700	보상요청	1	사이프러스 반도체 주식회사	-	쟁반	더 이상 사용하지 않는 경우	-40°C ~ 85°C(타)	표면 실장	165-LBGA	CY7C1514	SRAM - 동기식, QDR II	1.7V ~ 1.9V	165-FBGA(15x17)	다운로드	RoHS 비준수				3A991B2A	8542.32.0041	105	200MHz	항체를 제거하세요	72Mbit		스램	2M×36	불편한	-	문제가 발생하지 않았습니다
CY7C199-35SI	1.5900	보상요청	4	사이프러스 반도체 주식회사	-	대부분	활동적인	-40°C ~ 85°C(타)			CY7C199	SRAM - 특별한식	4.5V ~ 5.5V		다운로드	RoHS 비준수	1(무제한)	REACH의 영향을 받아들입니다.		EAR99	8542.32.0041	1		항체를 제거하세요	256Kbit	35ns	스램	32K x 8	불편한	35ns
S29PL127J60BFI000	11.9400	보상요청	791	사이프러스 반도체 주식회사	PL-J	쟁반	더 이상 사용하지 않는 경우	-40°C ~ 85°C(타)	표면 실장	80-VFBGA	S29PL127	플래시 - 아니오	2.7V ~ 3.6V	80-FBGA(8x11)	다운로드	RoHS 비준수	해당사항 없음	공급자가 규정하지 않는 경우		3A991B1A	8542.32.0050	45		비껴가	128Mbit	60ns	플래시	8M×16	불편한	60ns	문제가 발생하지 않았습니다
CY62136VNLL-70BAXA	2.4500	보상요청	1	사이프러스 반도체 주식회사	MoBL®	쟁반	더 이상 사용하지 않는 경우	-40°C ~ 85°C(타)	표면 실장	48-TFBGA	CY62136	SRAM - 특별한식	2.7V ~ 3.6V	48-FBGA(7x7)	다운로드	ROHS3 준수				3A991B2A	8542.32.0041	123		항체를 제거하세요	2Mbit	70ns	스램	128K x 16	불편한	70ns	문제가 발생하지 않았습니다
S29GL256P10FFI012	6.6000	보상요청	2886	사이프러스 반도체 주식회사	GL-P	테이프 및 릴리(TR)	활동적인	-40°C ~ 85°C(타)	표면 실장	64-LBGA	S29GL256	플래시 - 아니오	2.7V ~ 3.6V	64-FBGA(13x11)	다운로드	ROHS3 준수			2832-S29GL256P10FFI012-TR			49		비껴가	256Mbit	100ns	플래시	32M x 8	불편한	100ns	문제가 발생하지 않았습니다
CY7C12681KV18-400BZC	57.7800	보상요청	138	사이프러스 반도체 주식회사	-	쟁반	더 이상 사용하지 않는 경우	0°C ~ 70°C (타)	표면 실장	165-LBGA	CY7C12681	SRAM - 동기식, DDR II+	1.7V ~ 1.9V	165-FBGA(13x15)	다운로드	RoHS 비준수				3A991B2A	8542.32.0041	136	400MHz	항체를 제거하세요	36Mbit		스램	2Mx18	불편한	-	문제가 발생하지 않았습니다
CY7C1339A-83AC	3.1400	보상요청	6	사이프러스 반도체 주식회사	-	대부분	활동적인	0°C ~ 70°C (타)	표면 실장	100-LQFP	CY7C1339	SRAM - 동기식, SDR	3.15V ~ 3.6V	100-TQFP(14x20)	다운로드	해당 없음	3(168시간)	공급자가 규정하지 않는 경우		3A991B2A	8542.32.0041	1	83MHz	항체를 제거하세요	4Mbit	6ns	스램	128K x 32	불편한	-
CY7C1426JV18-300BZCES	-	보상요청	4189	사이프러스 반도체 주식회사	-	대부분	활동적인	0°C ~ 70°C (타)	표면 실장	165-LBGA	CY7C1426	SRAM - 동기식, QDR II	1.7V ~ 1.9V	165-FBGA(15x17)	다운로드	해당 없음	3(168시간)	공급자가 규정하지 않는 경우		3A991B2A	8542.32.0041	1	300MHz	항체를 제거하세요	36Mbit		스램	4M x 9	불편한	-
CY7C195-15VCT	3.1200	보상요청	27	사이프러스 반도체 주식회사	-	대부분	활동적인	0°C ~ 70°C (타)	표면 실장	24-BSOJ(0.300", 7.62mm 폭)	CY7C195	SRAM - 특별한식	4.5V ~ 5.5V	24-SOJ	다운로드	RoHS 비준수	1(무제한)	REACH의 영향을 받아들입니다.		EAR99	8542.32.0041	1,000		항체를 제거하세요	256Kbit	15ns	스램	64K x 4	불편한	15ns
CG7837AAT	-	보상요청	4475	사이프러스 반도체 주식회사	-	대부분	활동적인								-	해당 없음	1(무제한)	공급자가 규정하지 않는 경우				2,500
STK11C68-SF45	8.6700	보상요청	1	사이프러스 반도체 주식회사	-	튜브	더 이상 사용하지 않는 경우	0°C ~ 70°C (타)	표면 실장	28-SOIC(0.342", 8.69mm 폭)	STK11C68	NVSRAM(비뒤 SRAM)	4.5V ~ 5.5V	28-SOIC	다운로드	ROHS3 준수				EAR99	8542.32.0041	58		비껴가	64Kbit	45ns	NVSRAM	8Kx8	불편한	45ns

2000+
일일 평균 견적 요청량
30,000,000
표준제품단위
2800+
전세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

기억(4449)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²