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메모리 (4449)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전압 - 공급	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	시계 시계	메모리 메모리	메모리 메모리	액세스 액세스	메모리 메모리	메모리 메모리	메모리 메모리	쓰기 쓰기 시간 - 단어, 페이지	컨트롤러 컨트롤러	sic 프로그램 가능
S25FS064SAGBHN020	2.5300	RFQ	250	Cypress Semiconductor Corp	FS-S	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C (TA)	표면 표면	24-TBGA	S25FS064	플래시 - 아니오	1.7V ~ 2V	24-BGA (8x6)	다운로드	rohs 비준수		공급 공급 정의되지 업체는				1	133 MHz	비 비	64mbit		플래시	8m x 8	spi-쿼드 i/o, qpi	-		확인되지 확인되지
cy7c1032-12jc	8.6600	RFQ	1	Cypress Semiconductor Corp	-	대부분	활동적인	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	표면 표면	52-LCC (J-Lead)	cy7c1032	sram- 동기	4.5V ~ 5.5V	52-PLCC (19.13x19.13)	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받습니다		3A991B2A	8542.32.0041	1		휘발성 휘발성	1.152mbit	12 ns	SRAM	64k x 18	평행한	12ns
S71VS128RB0AHK4L0	-	RFQ	4838	Cypress Semiconductor Corp	VS-R	대부분	쓸모없는	-25 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	56-VFBGA	S71VS128	플래시, psram	1.7V ~ 1.95V	56-VFRBGA (7.7x6.2)	다운로드	rohs 비준수		공급 공급 정의되지 업체는	2166-S71VS128RB0AHK4L0-428			1	108 MHz	비 비, 휘발성	128mbit ((), 32mbit (RAM)		플래시, 램	-	평행한	-		확인되지 확인되지
cy7c0830av-167ac	74.8800	RFQ	64	Cypress Semiconductor Corp	-	대부분	활동적인	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	표면 표면	120-lqfp	cy7c0830	sram-듀얼-, 동기	3.135V ~ 3.465V	120-TQFP (14x14)	다운로드	rohs 비준수	3 (168 시간)	영향을받습니다		3A991B2A	8542.32.0041	1	167 MHz	휘발성 휘발성	1.152mbit		SRAM	64k x 18	평행한	-
cy7c1011cv33-12ai	4.0000	RFQ	1	Cypress Semiconductor Corp	-	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	44-LQFP	cy7c1011	sram- 비동기	3V ~ 3.6V	44-TQFP (10x10)	다운로드	rohs 비준수	3 (168 시간)	영향을받습니다		3A991B2A	8542.32.0041	1		휘발성 휘발성	2mbit	12 ns	SRAM	128k x 16	평행한	12ns
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Cy7C1313TV18-167BZC	39.8800	RFQ	1	Cypress Semiconductor Corp	-	가방	쓸모없는	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	표면 표면	165-lbga	Cy7c1313	SRAM-동기, QDR II	1.7V ~ 1.9V	165-FBGA (13x15)	-	적용 적용 수 할				3A991B2A		8	167 MHz	휘발성 휘발성	18mbit		SRAM	1m x 18	평행한	-		확인되지 확인되지
Cy7c1460AV25-250AXC	57.3500	RFQ	11	Cypress Semiconductor Corp	Nobl ™	쟁반	쓸모없는	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	표면 표면	100-lqfp	Cy7c1460	sram-동기, sdr	2.375V ~ 2.625V	100-TQFP (14x20)	다운로드	Rohs3 준수				3A991B2A	8542.32.0041	72	250MHz	휘발성 휘발성	36mbit	2.6 ns	SRAM	1m x 36	평행한	-		확인되지 확인되지
cyk001m16zccau-70bait	0.6800	RFQ	1	Cypress Semiconductor Corp	-	대부분	쓸모없는	-25 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	48-TFBGA	cyk001m16	psram (의사 sram)	2.7V ~ 3.3V	48-FBGA (6x8)	-	rohs 비준수		영향을받지 영향을받지	2156-CYK001M16ZCCAU-70BAIT	3A991	8542.32.0041	1		휘발성 휘발성	16mbit	70 ns	psram	1m x 16	평행한	70ns
Cy14E256L-SZ35XI	-	RFQ	5959	Cypress Semiconductor Corp	-	튜브	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	32-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비)	Cy14E256	nvsram (r 휘발성 sram)	4.5V ~ 5.5V	32-SOIC	다운로드	Rohs3 준수				귀 99	8542.32.0041	22		비 비	256kbit	35 ns	nvsram	32k x 8	평행한	35ns		확인되지 확인되지
Cyd02S36V-133BBI	75.6000	RFQ	48	Cypress Semiconductor Corp	-	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	256-lbga		sram-듀얼--, 비동기, 표준	3.135V ~ 3.465V	256-FBGA (17x17)	다운로드	rohs 비준수	3 (168 시간)	영향을받습니다		3A991B2A	8542.32.0041	1	133 MHz	휘발성 휘발성	2mbit	5 ns	SRAM	64k x 36	평행한	-
cy7c1380d-167axc	25.1400	RFQ	3	Cypress Semiconductor Corp	-	쟁반	쓸모없는	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	표면 표면	100-lqfp	Cy7c1380	sram-동기, sdr	3.135V ~ 3.6V	100-TQFP (14x20)	다운로드	Rohs3 준수			2832-CY7C1380D-167AXC			20	167 MHz	휘발성 휘발성	18mbit	3.4 ns	SRAM	512k x 36	평행한	-		확인되지 확인되지
cy14b256i-sfxit	7.2800	RFQ	948	Cypress Semiconductor Corp	-	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	16-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비)	Cy14B256	nvsram (r 휘발성 sram)	2.7V ~ 3.6V	16-	다운로드							42	3.4 MHz	비 비	256kbit		nvsram	32k x 8	i²c	-		확인되지 확인되지

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

메모리 (4449)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²