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메모리 (4449)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전압 - 공급 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 시계 시계 메모리 메모리 메모리 메모리 액세스 액세스 메모리 메모리 메모리 메모리 메모리 메모리 쓰기 쓰기 시간 - 단어, 페이지 sic 프로그램 가능
S34ML01G100BHA000 Cypress Semiconductor Corp S34ML01G100BHA000 -
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 ECAD 1893 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp ML-1 쟁반 sic에서 중단되었습니다 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 63-VFBGA S34ML01 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 63-BGA (11x9) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 210 비 비 1gbit 플래시 128m x 8 평행한 25ns
CY7C1265KV18-550BZXC Cypress Semiconductor Corp Cy7C1265KV18-550BZXC 87.6100
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 ECAD 1 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp - 대부분 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 165-lbga Cy7c1265 SRAM-동기, QDR II+ 1.7V ~ 1.9V 165-FBGA (13x15) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 공급 공급 정의되지 업체는 1 550MHz 휘발성 휘발성 36mbit SRAM 1m x 36 평행한 - 확인되지 확인되지
CY7C1615KV18-250BZXC Cypress Semiconductor Corp Cy7c1615kv18-250bzxc 253.9800
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 ECAD 48 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp - 대부분 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 165-lbga Cy7c1615 SRAM-동기, QDR II 1.7V ~ 1.9V 165-FBGA (15x17) 다운로드 1 250MHz 휘발성 휘발성 144mbit SRAM 4m x 36 평행한 - 확인되지 확인되지
S34ML01G100BHV000 Cypress Semiconductor Corp S34ML01G100BHV000 -
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 ECAD 5526 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp ML-1 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 63-VFBGA S34ML01 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 63-BGA (11x9) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 210 비 비 1gbit 플래시 128m x 8 평행한 25ns
S40410161B1B1I013 Cypress Semiconductor Corp S40410161B1B1I013 -
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 ECAD 4386 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp E.MMC 1B1 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 153-VFBGA S40410161 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 153-VFBGA 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,900 200MHz 비 비 16gbit 플래시 2G X 8 평행한 -
CY7C141-25JXC Cypress Semiconductor Corp Cy7c141-25JXC -
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 ECAD 8531 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp - 튜브 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 52-LCC (J-Lead) Cy7c141 sram-이중-, 비동기 4.5V ~ 5.5V 52-PLCC (19.13x19.13) 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8542.32.0041 23 휘발성 휘발성 8kbit 25 ns SRAM 1K X 8 평행한 25ns 확인되지 확인되지
CG7471KGA Cypress Semiconductor Corp CG7471KGA -
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 ECAD 9024 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp - 대부분 활동적인 - 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 1
CY7C1418UV18-250BZXC Cypress Semiconductor Corp cy7c1418uv18-250bzxc 70.2100
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 ECAD 408 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 165-lbga Cy7c1418 SRAM-동기, DDR II 1.7V ~ 1.9V 165-FBGA (13x15) - 적용 적용 수 할 3A991B2A 105 250MHz 휘발성 휘발성 36mbit SRAM 2m x 18 평행한 - 확인되지 확인되지
CY62157DV30L-70BVXI Cypress Semiconductor Corp Cy62157DV30L-70BVXI 3.0700
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 ECAD 531 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp Mobl® 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-VFBGA Cy62157 sram- 비동기 2.2V ~ 3.6V 48-VFBGA (6x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 공급 공급 정의되지 업체는 3A991B2A 8542.32.0041 1 휘발성 휘발성 8mbit 70 ns SRAM 512k x 16 평행한 70ns
CY7C1313BV18-200BZC Cypress Semiconductor Corp Cy7C1313B18-200BZC 33.5100
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 ECAD 399 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 165-lbga Cy7c1313 SRAM-동기, QDR II 1.7V ~ 1.9V 165-FBGA (13x15) 다운로드 rohs 비준수 3A991B2A 8542.32.0041 9 200MHz 휘발성 휘발성 18mbit SRAM 1m x 18 평행한 - 확인되지 확인되지
CY7C1320BV18-250BZI Cypress Semiconductor Corp Cy7c1320B18-250BZI 36.7400
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 ECAD 289 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 165-lbga Cy7c1320 SRAM-동기, DDR II 1.7V ~ 1.9V 165-FBGA (13x15) 다운로드 rohs 비준수 3A991B2A 8542.32.0041 136 250MHz 휘발성 휘발성 18mbit SRAM 512k x 36 평행한 - 확인되지 확인되지
CY7C1399B-15ZXI Cypress Semiconductor Corp cy7c1399b-15zxi 0.6900
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 ECAD 1 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 28-TSSOP (0.465 ", 11.80mm 너비) Cy7c1399 sram- 비동기 3V ~ 3.6V 28-tsop i 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8542.32.0041 437 휘발성 휘발성 256kbit 15 ns SRAM 32k x 8 평행한 15ns 확인되지 확인되지
CY7C1545V18-333BZC Cypress Semiconductor Corp Cy7C1545V18-333BZC 93.8900
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 ECAD 33 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 165-lbga Cy7c1545 SRAM-동기, QDR II 1.7V ~ 1.9V 165-FBGA (15x17) 다운로드 rohs 비준수 3A991B2A 8542.32.0041 105 333 MHz 휘발성 휘발성 72mbit SRAM 2m x 36 평행한 - 확인되지 확인되지
CY7C1399BN-15VXA Cypress Semiconductor Corp cy7c1399bn-15vxa 1.6600
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 ECAD 7 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp - 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 28-BSOJ (0.300 ", 7.62mm 너비) Cy7c1399 sram- 비동기 3V ~ 3.6V 28-SOJ 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8542.32.0041 181 휘발성 휘발성 256kbit 15 ns SRAM 32k x 8 평행한 15ns 확인되지 확인되지
CY7C1315CV18-250BZC Cypress Semiconductor Corp Cy7C1315CV18-250BZC 34.9600
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 ECAD 1 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 165-lbga Cy7c1315 SRAM-동기, QDR II 1.7V ~ 1.9V 165-FBGA (13x15) 다운로드 rohs 비준수 3A991B2A 8542.32.0041 9 250MHz 휘발성 휘발성 18mbit SRAM 512k x 36 평행한 - 확인되지 확인되지
CY7C1418BV18-250BZI Cypress Semiconductor Corp Cy7C1418B18-250BZI 59.9600
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 ECAD 4 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 165-lbga Cy7c1418 SRAM-동기, DDR II 1.7V ~ 1.9V 165-FBGA (15x17) 다운로드 rohs 비준수 3A991B2A 8542.32.0041 105 250MHz 휘발성 휘발성 36mbit SRAM 2m x 18 평행한 - 확인되지 확인되지
CY7C0851V-133AXC Cypress Semiconductor Corp cy7c0851v-133axc 52.2000
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 ECAD 1 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 176-LQFP Cy7c0851 sram-듀얼-, 동기 3.135V ~ 3.465V 176-TQFP (24x24) - Rohs3 준수 3A991B2A 8542.32.0041 6 133 MHz 휘발성 휘발성 2mbit SRAM 64k x 36 평행한 - 확인되지 확인되지
CY7C1370D-167BZXC Cypress Semiconductor Corp Cy7c1370D-167BZXC 22.0500
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 ECAD 5137 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp Nobl ™ 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 165-lbga Cy7c1370 sram-동기, sdr 3.135V ~ 3.6V 165-FBGA (13x15) 다운로드 Rohs3 준수 2156-CY7C1370D-167BZXC-CY 136 167 MHz 휘발성 휘발성 18mbit 3.4 ns SRAM 512k x 36 평행한 - 확인되지 확인되지
CY7C1356S-166AXC Cypress Semiconductor Corp Cy7c1356S-166axc 15.6700
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 ECAD 1 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp - 가방 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 100-lqfp Cy7c1356 sram-동기, sdr 3.135V ~ 3.6V 100-TQFP (14x14) - 적용 적용 수 할 3A991B2A 20 166 MHz 휘발성 휘발성 9mbit 3.5 ns SRAM 512k x 18 평행한 - 확인되지 확인되지
CY7C025AV-25AXC Cypress Semiconductor Corp cy7c025av-25axc -
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 ECAD 7201 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 100-lqfp cy7c025 sram-이중-, 비동기 3V ~ 3.6V 100-TQFP (14x14) 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8542.32.0041 90 휘발성 휘발성 128kbit 25 ns SRAM 8k x 16 평행한 25ns 확인되지 확인되지
CY7C11481KV18-400BZC Cypress Semiconductor Corp cy7c11481kv18-400bzc 43.7000
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 ECAD 59 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 165-lbga Cy7c11481 SRAM-동기, DDR II+ 1.7V ~ 1.9V 165-FBGA (13x15) 다운로드 rohs 비준수 3A991B2A 8542.32.0041 7 400MHz 휘발성 휘발성 18mbit SRAM 1m x 18 평행한 - 확인되지 확인되지
CY7C1049BL-20VC Cypress Semiconductor Corp Cy7c1049BL-20VC -
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 ECAD 7798 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp - 대부분 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 36-BSOJ (0.400 ", 10.16mm 너비) cy7c1049 sram- 비동기 4.5V ~ 5.5V 36-SOJ 다운로드 rohs 비준수 3 (168 시간) 영향을받습니다 3A991B2A 8542.32.0041 1 휘발성 휘발성 4mbit 20 ns SRAM 512k x 8 평행한 20ns
CY7C1069BV33-12ZC Cypress Semiconductor Corp cy7c1069bv33-12zc -
RFQ
 ECAD 2679 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp - 대부분 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 54-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) cy7c1069 sram- 비동기 3V ~ 3.6V 54-TSOP II 다운로드 rohs 비준수 3 (168 시간) 영향을받습니다 3A991B2A 8542.32.0041 1 휘발성 휘발성 16mbit 12 ns SRAM 2m x 8 평행한 12ns
CY62256NL-70SNC Cypress Semiconductor Corp Cy62256NL-70SNC 1.3400
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 ECAD 4 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp Mobl® 대부분 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 28-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비) Cy62256 sram- 비동기 4.5V ~ 5.5V 28 -Soic 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8542.32.0041 1 휘발성 휘발성 256kbit 70 ns SRAM 32k x 8 평행한 70ns
CY7C1472BV33-167ZXI Cypress Semiconductor Corp cy7c1472bv33-167zxi 125.8600
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 ECAD 71 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp Nobl ™ 대부분 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 165-lbga Cy7c1472 sram-동기, sdr 3.135V ~ 3.6V 165-FBGA (15x17) 다운로드 적용 적용 수 할 3 (168 시간) 공급 공급 정의되지 업체는 3A991B2A 8542.32.0041 1 167 MHz 휘발성 휘발성 72mbit 3.4 ns SRAM 4m x 18 평행한 -
CY7C1382C-225AC Cypress Semiconductor Corp cy7c1382c-225ac 30.5900
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 ECAD 7777 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp - 대부분 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 100-lqfp Cy7c1382 sram-동기, sdr 3.135V ~ 3.6V 100-TQFP (14x20) 다운로드 rohs 비준수 3 (168 시간) 영향을받습니다 3A991B2A 8542.32.0041 1 225 MHz 휘발성 휘발성 18mbit 2.8 ns SRAM 512k x 36 평행한 -
CY7C1382C-200BZC Cypress Semiconductor Corp Cy7C1382C-200BZC 15.3400
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 ECAD 46 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp - 대부분 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 165-lbga Cy7c1382 sram-동기, sdr 3.135V ~ 3.6V 165-FBGA (13x15) 다운로드 rohs 비준수 3 (168 시간) 영향을받습니다 3A991B2A 8542.32.0041 1 200MHz 휘발성 휘발성 18mbit 3 ns SRAM 512k x 36 평행한 -
CYD02S36V-133BBC Cypress Semiconductor Corp Cyd02S36V-133BBC 65.5200
RFQ
 ECAD 96 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp - 대부분 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 256-lbga sram-듀얼--, 비동기, 표준 3.135V ~ 3.465V 256-FBGA (17x17) 다운로드 rohs 비준수 3 (168 시간) 영향을받습니다 3A991B2A 8542.32.0041 1 133 MHz 휘발성 휘발성 2mbit 5 ns SRAM 64k x 36 평행한 -
CY7C1512-25SC Cypress Semiconductor Corp Cy7C1512-25SC 5.3100
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 ECAD 750 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp - 대부분 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Cy7c1512 sram- 동기 4.5V ~ 5.5V 다운로드 rohs 비준수 3 (168 시간) 영향을받습니다 3A991B2B 8542.32.0041 1 휘발성 휘발성 512kbit 25 ns SRAM 64k x 8 평행한 25ns
CY10E422L-7KCQ Cypress Semiconductor Corp cy10e422l-7kcq 10.5000
RFQ
 ECAD 460 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp - 대부분 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 24-cflatpack cy10e422 sram- 비동기 4.94V ~ 5.46V 24-cflatpack 다운로드 적용 적용 수 할 3 (168 시간) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8542.32.0041 1 휘발성 휘발성 1kbit 7 ns SRAM 256 x 4 평행한 7ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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